JP2008116696A - 電気光学装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】第１の基板と第２の基板とを貼り合わせた後、貼り合わされた構造体を分断した後の電気光学パネルを実装ケースに収容するに際し、位置精度良く実装ケースに収容でき、製造上の歩留まりを向上させることができる手法を有する電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の基板１５０が貼り合わされている第２の基板２５０のＸ方向の分断位置３０１、３０２に、スクライブラインを形成するスクライブライン形成工程と、外力を印加して第２の基板２５０を当該第２の基板２５０の厚さ方向に貫通するクラック２５０ｋをスクライブラインに沿って形成するクラック形成工程と、第２の基板２５０の表面２５０ｆ側から、スクライブライン及びクラック２５０ｋに沿って、設定深さのダイシングライン２５０ｄを形成するダイシングライン形成工程と、を具備することを特徴とする。
【選択図】図６

Description

本発明は、第１の基板と第２の基板とを貼り合わせた後、貼り合わされた基板を複数に分断することで、複数の電気光学パネルを製造する電気光学装置の製造方法に関する。

周知のように、電気光学装置、例えば光透過型の液晶装置は、ガラス基板、石英基板等からなる２枚の基板間に液晶が介在されて構成された電気光学パネルである液晶パネルが実装ケース等に収容されて構成されている。

また、液晶装置は、液晶パネルの一方の基板に、例えば薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor、以下、ＴＦＴと称す)等のスイッチング素子及び画素電極をマトリクス状に配置し、他方の基板に対向電極を配置して、両基板間に介在された液晶層による光学応答を画像信号に応じて変化させることで、画像表示を可能としている。

また、ＴＦＴを配置したＴＦＴ基板と、このＴＦＴ基板に相対して配置される対向基板とは、別々に製造される。ＴＦＴ基板及び対向基板は、例えば石英基板上に、所定のパターンを有する半導体薄膜、絶縁性薄膜又は導電性薄膜を積層することによって構成される。半導体薄膜、絶縁性薄膜又は導電性薄膜は、層毎に各種膜の成膜工程とフォトリソグラフィ工程が繰り返されることによって形成されるのである。

このようにして形成されたＴＦＴ基板及び対向基板は、パネル組立工程において高精度（例えばアライメント誤差１μ以内）に貼り合わされる。このパネル組立工程は、先ず、各基板の製造工程において夫々製造されたＴＦＴ基板と対向基板との液晶層と接する面上に、液晶分子を基板面に沿って配向させるための配向膜を形成する。

その後、配向膜に対し、電圧無印加時の液晶分子の配列を決定させるためのラビング処理を施す。次いで、既知の液晶滴下方式であれば、大板の基板に複数構成された、各ＴＦＴ基板上の周縁に、接着剤となるシール材を枠状にそれぞれ形成し、このシール材によって囲まれた各ＴＦＴ基板上の液晶充填領域に、規定量の液晶をそれぞれ滴下する。

次いで、既知の大板組立方式の場合は、ＴＦＴ基板が複数構成された大板の第１の基板を、対向基板が複数構成された大板の第２の基板に、各ＴＦＴ基板と各対向基板が対向配置されるよう、上述した各シール材及び仮止め用の接着剤を介して貼り合わせる。その後、貼り合わされた基板（以下、構造体と称す）から、対向配置されたＴＦＴ基板及び対向基板を組毎にチップ状に分断する。

次いで、各ＴＦＴ基板の外部接続端子に、液晶装置とプロジェクタ等の電子機器とを接続するＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）をそれぞれ接続し、その結果、液晶パネルが製造される。

その後、液晶パネルを、実装ケース等に収容、固定することにより、液晶装置は製造される。製造された液晶装置は、プロジェクタ等の電子機器に設けられる。

ここで、構造体から、一対のＴＦＴ基板及び対向基板を組毎にチップ状に分断する手法としては、作業性に優れ、分断後のＴＦＴ基板及び対向基板の必要な外形精度を確保できる、加工精度の高いダイシング処理が周知である。

しかしながら、ダイシング処理によって、既知のブレードを対向基板の厚さ方向に貫通させて分断すると、ブレードにより、ＴＦＴ基板上に形成された外部接続端子、ドライバ回路等の配線を損傷させてしまう場合があり、製造上における歩留まりが低下してしまうといった問題があった。

このような問題に鑑み、スクライブブレイク処理により、構造体から、一対のＴＦＴ基板及び対向基板を組毎にチップ状に分断する手法が周知であり、一般に用いられている。

スクライブブレイク処理の一例を説明すると、先ず、ＴＦＴ基板が複数構成された大板の第１の基板及び対向基板が複数構成された大板の第２の基板の各分断位置に、既知のスクライブ処理によりスクライブカッタを用いてスクライブラインを形成する。

次いで、スクライブラインに対向する基板の位置、詳しくは、ＴＦＴ基板が複数構成された大板の第１の基板にスクライブラインを形成した後は、対向基板が複数構成された大板の第２の基板におけるスクライブラインに対向する位置を印圧し、大板の第２の基板にスクライブラインを形成した後は、大板の第１の基板におけるスクライブラインに対向する位置を印圧するブレイク処理により、各スクラブラインに沿って、第１の基板及び第２の基板の厚さ方向に、各基板を貫通するクラックを発生させる。最後に、発生させたクラックを用いて、構造体から一対のＴＦＴ基板及び対向基板を組毎にチップ状に分断するのである。

また、特許文献１には、スクライブブレイク処理の内、スクライブ処理を行うスクライブ装置が、上述した構造体を支持する治具部材を有していることにより、該治具を用いて、スクライブ処理の際、構造体へのスクライブカッタからの印圧に伴う、分断後の液晶パネルのＴＦＴ基板または対向基板の分断端部における損傷を防止する技術の提案がなされている。
特開２００６−９８６３２号公報

しかしながら、スクライブブレイク処理により、構造体から、一対のＴＦＴ基板及び対向基板を組毎にチップ状に分断する手法においては、現状の手法では、スクライブラインを、ＴＦＴ基板が複数構成された大板の第１の基板及び対向基板が複数構成された大板の第２の基板の分断位置に対し、平面視した状態において完全な直線状に形成するのは難しい。即ち、スクライブ処理後、スクライブラインが、各大板の基板上において、平面視した状態で蛇行して形成されてしまう場合がある。

また、ブレイク処理により、スクライブラインに沿って、クラックを発生させるに際し、全ての分断位置において、各基板の厚さ方向に対し、クラックを垂直に発生させるのは難しい。

これらの事情から、スクライブブレイク処理による分断後の液晶パネルのＴＦＴ基板及び対向基板の各分断端面は、分断位置により平面視した形状及び厚さ方向における形状が異なってしまい、即ち、分断端面により形成されるＴＦＴ基板及び対向基板の端面の形状が異なってしまい、ＴＦＴ基板及び対向基板の必要な外形精度も確保し難くなってしまう。

その結果、実装ケースに液晶パネルを収容する際、例えば、対向基板における対向する各端面を実装ケースの収容室における対向する壁部に当接させることにより位置決めして、液晶パネルを収容室に収容すると、端面の形状が異なる対向基板により、実装ケースに対する液晶パネルの位置ずれが生じやすくなってしまい、液晶装置の製造上の歩留まりが悪いといった問題があった。

本発明は上記問題に着目してなされたものであり、第１の基板と第２の基板とを貼り合わせた後、貼り合わされた構造体を分断した後の電気光学パネルを実装ケースに収容するに際し、位置精度良く実装ケースに収容でき、製造上の歩留まりを向上させることができる手法を有する電気光学装置の製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために本発明に係る電気光学装置の製造方法は、第１の基板と第２の基板とを貼り合わせた後、貼り合わされた基板を複数に分断することで、複数の電気光学パネルを製造する電気光学装置の製造方法であって、貼り合わされている前記第１の基板と前記第２の基板との少なくとも一方の基板の分断位置の少なくとも一部に、スクライブラインを形成するスクライブライン形成工程と、前記スクライブラインを形成した前記基板に外力を印加して、前記基板を当該基板の厚さ方向に貫通するクラックを前記スクライブラインに沿って形成するクラック形成工程と、前記スクライブライン及び前記クラックを形成した前記基板に、該基板の前記スクライブラインを形成した面側から、前記スクライブライン及び前記クラックに沿って、設定深さのダイシングラインを形成するダイシングライン形成工程と、を具備することを特徴とする。

本発明によれば、構造体から電気光学パネルを分断する際の少なくとも一部の工程において、スクライブライン形成工程とクラック形成工程とからなるスクライブブレイク処理に加え、加工精度の高いダイシング処理を併用して用いて行うことにより、設定した深さまで行うダイシング処理により、構造体から分断された電気光学パネルを構成するダイシング処理がなされた基板を必要な外形精度に形成することができる。よって、設定した深さまで行うダイシング処理により外形精度良く形成された分断後の基板の対向する各端面のダイシング処理面を基準として、電気光学パネルを実装ケースに位置精度良く収容することができることから、製造上の歩留まりを向上させることができる手法を有する電気光学装置の製造方法を提供することができる。

また、前記ダイシングラインの深さは、前記スクライブライン及び前記クラックを形成した前記基板の厚さ未満であることを特徴とする。

さらに、分断後の前記電気光学パネルを実装ケースに収容する収容工程を具備し、前記ダイシングラインの深さは、前記実装ケースの前記電気光学パネルの収容室における、分断後の前記基板の対向する各端面が当接する部位に対応する長さに設定されることを特徴とする。

本発明によれば、ダイシング処理がなされる基板の厚さ未満に、ダイシングラインを形成するとともに、電気光学パネルが収容される実装ケースの電気光学パネルの収容室における、分断後の基板の対向する各端面が当接する部位に対応する深さに、ダイシングラインを形成することにより、必要な外形精度に形成された分断後のダイシング処理がなされた基板の対向する各端面の収容室に当接するダイシング処理面を基準として、電気光学パネルを実装ケースに位置精度良く収容することができる。また、設定した深さまで行うスクライブブレイク処理により形成された分断後の基板の対向する各端面のスクライブブレイク処理面と、収容室の壁面との間の空間に接着剤を十分充填することができることから、必要な位置精度によって確実に電気光学パネルを実装ケースに収容固定することができる。よって、製造上の歩留まりを向上させることができる手法を有する電気光学装置の製造方法を提供することができる。

また、前記第１の基板に、前記電気光学パネルの配線が具備されており、前記第２の基板に、前記ダイシングラインを形成する際、前記第２の基板における前記分断位置の少なくとも一部は、前記第１の基板の前記配線と平面視した状態で重なる位置であることを特徴とする。

本発明によれば、第１の基板の配線の一部を剥き出しにする目的から、第２の基板における、配線と平面視した状態で重なる位置に、ダイシングラインを形成したとしても、ダイシングラインを第２の基板の厚さ未満に形成することから、ダイシング処理により、第１の基板の配線を損傷させることがない。よって、製造上の歩留まりを向上させることができる手法を有する電気光学装置の製造方法を提供することができる。

以下、図面を参照にして本発明の実施の形態を説明する。尚、以下に示す実施の形態の電気光学装置の製造方法は、光透過型の液晶装置の製造方法を例に挙げて説明する。よって、電気光学装置が具備する電気光学パネルは、液晶パネルを例に挙げて説明する。

また、液晶パネルにおいて対向配置される一対の基板の内、一方の基板は、素子基板（以下、ＴＦＴ基板と称す）を、また他方の基板は、ＴＦＴ基板に対向する対向基板を例に挙げて説明する。

先ず、以下、本実施の形態の液晶装置の製造方法によって製造される液晶装置が具備する液晶パネルの構成について説明する。

図１は、液晶パネルの構成を概略的に示す平面図、図２は、図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿って切断した断面図である。

図１，図２に示すように、液晶パネル１００は、例えば、石英基板やガラス基板、シリコン基板等を用いたＴＦＴ基板１０と、該ＴＦＴ基板１０に対向配置される、例えばガラス基板や石英基板、シリコン基板等を用いた対向基板２０との間の内部空間に、液晶５０が介在されて構成される。対向配置されたＴＦＴ基板１０と対向基板２０とは、シール材５２によって貼り合わされている。

ＴＦＴ基板１０の表面１０ｆの液晶５０と接する領域に、液晶パネル１００の表示領域４０を構成するＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈが構成されている。また、表示領域１０ｈに、画素を構成するとともに、後述する対向電極２１とともに液晶５０に駆動電圧を印加する画素電極（ＩＴＯ）９ａがマトリクス状に配置されている。

また、対向基板２０の表面２０ｆの液晶５０と接する領域に、液晶５０に画素電極９ａとともに駆動電圧を印加する対向電極２１が設けられており、表示領域１０ｈに対向する対向電極２１の領域に、液晶パネル１００の表示領域４０を構成する対向基板２０の表示領域２０ｈが構成されている。

ＴＦＴ基板１０の画素電極９ａ上に、ラビング処理が施された配向膜１６が設けられており、また、対向基板２０上の全面に渡って形成された対向電極２１上にも、ラビング処理が施された配向膜２６が設けられている。各配向膜１６，２６は、例えば、ポリイミド膜等の透明な有機膜からなる。

また、ＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈにおいては、複数本の走査線と複数本のデータ線（いずれも図示されず）とが交差するように配線され、走査線とデータ線とで区画された領域に画素電極９ａがマトリクス状に配置される。そして、走査線とデータ線との各交差部位に対応してスイッチング素子である図示しない薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が設けられ、該ＴＦＴ毎に画素電極９ａが接続されている。

ＴＦＴは走査線のＯＮ信号によってオンとなり、これにより、データ線に供給された画像信号が画素電極９ａに供給される。この画素電極９ａと対向基板２０に設けられた対向電極２１との間の電圧が液晶５０に印加される。

対向基板２０に、液晶パネル１００の表示領域４０を規定する額縁としての遮光膜５３が設けられている。

液晶５０がＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間の空間に、既知の液晶滴下方式で注入される場合、シール材５２は、平面視した状態で連続的に閉じた形状に塗布されている。

シール材５２の外側の領域に、ＴＦＴ基板１０の図示しないデータ線に画像信号を所定のタイミングで供給して該データ線を駆動するドライバを構成する配線であるデータ線駆動回路１０１及び外部回路との接続のための配線である外部接続端子１０２が、ＴＦＴ基板１０の一辺に沿って設けられている。尚、外部接続端子１０２には、液晶装置１とプロジェクタ等の電子機器とを接続する図示しないＦＰＣが接続される。

ＴＦＴ基板１０の外部接続端子１０２が設けられた一辺に隣接する二辺に沿って、ＴＦＴ基板１０の走査線及びゲート電極に、走査信号を所定のタイミングで供給することにより、ゲート電極を駆動するドライバを構成する配線である走査線駆動回路１０３，１０４が設けられている。走査線駆動回路１０３，１０４は、シール材５２の内側の遮光膜５３に対向する位置において、ＴＦＴ基板１０上に形成されている。

また、ＴＦＴ基板１０上に、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０３，１０４、外部接続端子１０２及び上下導通端子１０７を接続する配線１０５が、遮光膜５３の３辺に対向して設けられている。

上下導通端子１０７は、シール材５２のコーナー部の４箇所のＴＦＴ基板１０上に形成されている。そして、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０相互間に、下端が上下導通端子１０７に接触し上端が対向電極２１に接触する上下導通材１０６が設けられており、該上下導通材１０６によって、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通がとられている。

さらに、外部接続端子１０２が設けられた液晶パネル１００の一辺を構成する対向基板２０の端面２０ｉ及び該端面２０ｉに対向する端面２０ｔは、後述するダイシングライン２５０ｄ（図７参照）により加工精度良く形成されたダイシング処理面２０ｄ及びスクライブブレイク処理によるクラック２５０ｋ（図７参照）により加工精度が面毎にばらついて形成されたスクライブブレイク処理面２０ｓにより構成されている。

尚、このように構成された液晶パネル１００が、後述する実装ケース６００（図９参照）に収容、固定されることにより、液晶装置１（図９参照）は構成される。

次に、上述した液晶パネル１００の製造方法について、図３〜図８を用いて説明する。尚、本実施の形態における液晶パネル１００は、複数個のＴＦＴ基板１０が構成された大板から構成された第１の基板と、ＴＦＴ基板１０と同数個の対向基板２０が構成された大板の基板から構成された第２の基板とが対向配置するよう貼り合わせ、構造体を形成した後、構造体から対向配置されたＴＦＴ基板１０及び対向基板２０を組毎にチップ状に分断することにより液晶パネル１００を複数個製造する、所謂大板組立方式により製造される。

また、以下、図３〜図８においては、説明を簡単にするため、ＴＦＴ基板１０に形成された上述したデータ線駆動回路１０１、外部接続端子１０２、走査線駆動回路１０３，１０４、配線１０５等を総じて、配線１２０として概略的に説明する。また、図３〜図８においては、図面を簡略化するため、液晶５０やシール材５２等の図２に示した各種部材の記載は、省略して示している。

図３は、第１の基板と第２の基板とが貼り合わされて形成された構造体の平面図、図４は、図３の構造体の第２の基板のＸ方向の分断位置に、スクライブラインを形成した状態を示す構造体の部分断面図、図５は、図４の構造体の第２の基板のＸ方向の分断位置に、クラックを形成した状態を示す構造体の部分断面図である。

また、図６は、図５の構造体の第２の基板のＸ方向の分断位置に、ダイシングラインを形成した状態を示す構造体の部分断面図、図７は、図６の構造体の第１の基板のＸ方向及びＹ方向の分断位置に、スクライブライン及びクラックを形成した状態を示す構造体の部分断面図、図８は、図７の構造体から、液晶パネルを分断した状態を示す断面図である。

先ず、既知の成膜工程により、画素電極９ａ、外部接続端子１０２、配線１０５（いずれも図２参照）等の構成要素が形成されたＴＦＴ基板１０が複数構成された第１の基板１５０と、既知の成膜工程により対向電極２１等の構成要素が形成された対向基板２０が複数構成された第２の基板２５０とを、互いの表面が向き合うよう貼り合わせ、図３に示すように、構造体５００を形成する。尚、第１の基板１５０及び第２の基板２５０は、図３に示すように、平面視した形状が、例えば円形を有している。

また、第１の基板１５０と第２の基板２５０とは、例えばＴＦＴ基板１０にそれぞれ塗布されたシール材５２や、第１の基板１５０のＴＦＴ基板１０が構成される領域外の表面における外周縁の近傍に周状に塗布された仮止め用の接着剤４００を介して貼り合わされる。

次に、図４に示すように、図３に示す構造体５００の第２の基板２５０の表面２５０ｆにおけるＸ方向に略直線状に構成された分断位置３０１、３０２に、図３中Ｘ方向に略直線状のスクライブライン２５０Ｘを、既知のスクライブカッタ７０を用いて複数本形成するスクライブライン形成工程を行う。

尚、分断位置３０１は、構造体５００から液晶パネル１００を複数個分断する際、液晶パネル１００のＸ方向の境界に沿って構成されており、分断位置３０２は、ＴＦＴ基板１０上に形成された、配線１２０を、液晶パネル１００の外部に対し剥き出しにする際の境界に沿って構成されている。

次いで、図５に示すように、第１の基板１５０の表面１５０ｆのスクライブライン２５０Ｘに対向するＸ方向の分断位置３０１、３０２を、例えばブレード８０により外力を印加するクラック形成工程を行う。

このことにより、第２の基板２５０の各スクライブライン２５０Ｘに沿って、第２の基板２５０の板厚方向（以下、Ｚ方向と称す）に、第２の基板２５０を貫通するまで進行する各クラック２５０ｋが発生する。

即ち、図４におけるスクライブライン形成工程と、図５におけるクラック形成工程とを行うことにより、第２の基板２５０に対して、既知のスクライブブレイク処理を行う。

次いで、図６に示すように、構造体５００の第２の基板２５０の表面２５０ｆに対して、Ｘ方向の分断位置３０１、３０２において、スクライブライン２５０Ｘ及びクラック２５０ｋに沿って、既知のダイシングブレード９０により、図３中Ｘ方向に直線状のダイシングライン２５０ｄを、設定した深さに複数本形成するダイシング処理であるダイシングライン形成工程を行う。

この際、ダイシングライン２５０ｄを、第２の基板２５０のＺ方向の厚さ未満、例えば第２の基板２５０のＺ方向の厚さの少なくとも１／２となる深さに形成する。さらに具体的には、ダイシングライン２５０ｄを、後述する実装ケース６００（図９参照）の収容室６０１（図９参照）における、対向基板２０の各端面２０ｉ、２０ｔのダイシング処理面２０ｄが当接する部位である壁部６０２ｓ（図９参照）に対応する長さとなる深さに形成する。

尚、ダイシングライン２５０ｄを形成するに際し、第２の基板２５０には、Ｘ方向の分断位置３０１、３０２に沿って、第２の基板２５０をＺ方向に貫通するクラック２５０ｋが形成されていることから、第２の基板２５０のＸ方向の分断位置３０１と分断位置３０２との間の部材２５０ｃが、図３中Ｘ方向に移動しようとするが、このことは、第１の基板１５０と第２の基板２５０との間の、接着剤４００により規制される。

次いで、構造体５００の第２の基板２５０の表面２５０ｆにおける図３中Ｙ方向に略直線状に構成された分断位置３０３に、図３中Ｙ方向に直線状の図示しないダイシングラインを、ダイシングブレード９０を用いて、ダイシング処理により、第２の基板２５０をＺ方向に貫通するように複数本形成する工程を行う。

尚、分断位置３０３は、構造体５００を複数個に分断して、液晶パネル１００を製造する際、液晶パネル１００のＹ方向の境界に沿って構成されている。

次いで、図７に示すように、構造体５００の第１の基板１５０の分断位置３０１に、図３中Ｘ方向に、上述した図４、図５に示した第２の基板２５０に対するスクライブブレイク処理と同様に、略直線状のスクライブライン１５０Ｘを形成し、さらに、第１の基板１５０を板厚方向(以下、Ｚ方向と称す)に貫通するクラック１５０ｄを、スクライブライン１５０Ｘに沿って複数本形成する工程を行う。

その後、構造体５００の第１の基板１５０の分断位置３０３にも、スクライブブレイク処理により、図３中Ｙ方向に略直線状の図示しないスクライブラインを形成し、さらにクラックを、第１の基板１５０をＺ方向に貫通するようにスクライブラインに沿って複数本形成する工程を行う。

以上の結果、図８に示すように、構造体５００から、貼り合わされた一対のＴＦＴ基板１０及び対向基板２０からなる複数組のチップ状の液晶パネル１００が分断される。このようにして、複数のチップ状の液晶パネル１００は製造される。

尚、このようにして製造された液晶パネル１００において、外部接続端子１０２等が設けられた液晶パネル１００の一辺を構成する対向基板２０の端面２０ｉ及び該端面２０ｉに対向する端面２０ｔは、ダイシングライン２５０ｄにより形成された加工精度の高いダイシング処理面２０ｄ及びスクライブブレイク処理によるクラック２５０ｋにより形成された加工精度が面によりばらつくスクライブブレイク処理面２０ｓにより構成される。

また、対向基板２０の各端面２０ｉ、２０ｔにおけるダイシング処理面２０ｄは、ダイシング処理により形成されていることから、スクライブブレイク処理面２０ｓに比べ、精度良くＺ方向に垂直に形成されている。よって、図８に示すように、対向基板２０における各端面２０ｉ、２０ｔ間、即ち、Ｙ方向の対向基板の外形Ｒは、ダイシング処理面２０ｄにより、必要な精度に形成される。

図９は、図８の液晶パネルを実装ケースに収容し、液晶装置を形成した状態を概略的に示す断面図である。

液晶パネル１００の製造後、図９に示すように、ＴＦＴ基板１０及び対向基板２０の外表面に、防塵ガラス３５１、３５２をそれぞれ貼着した後、液晶パネル１００を実装ケース６００内に収容、固定する収容工程を行う。その結果、液晶装置１が製造される。

尚、図９においては、防塵ガラス３５１、３５２は、ＴＦＴ基板１０及び対向基板２０とそれぞれ同じ大きさに形成されているが、これに限らず、ＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈ及び対向基板２０の表示領域２０ｈを覆っていれば、ＴＦＴ基板１０、対向基板２０よりそれぞれ小さい防塵ガラス３５１、３５２が貼着されていても構わない。

ここで、液晶パネル１００を実装ケース６００内に収容する手法について、簡単に説明する。実装ケース６００は、液晶パネル１００を収容するための略矩形の枠状の部材であり、実装ケース６００には、液晶パネル１００と平面視した状態で略一致する段付き穴部である収容室６０１が形成されており、該段付き収容室６０１には、液晶パネル１００を収容した際に液晶パネル１００の表示領域４０と平面上同じ大きさを有する開口部６１０が形成されている。

実装ケース６００の収容室６０１には、液晶パネル１００が、例えば対向基板２０側から挿入される。収容室６０１は、対向基板２０の各端面２０ｉ、２０ｔにおけるダイシング処理面２０ｄ間の外形Ｒと平面視した状態で略一致する、有底の穴部６０２と、ＴＦＴ基板１０よりも平面視した状態でやや大きい穴部６０３とから構成されている。尚、穴部６０３は、穴部６０２よりも、平面視した状態で大きく形成されている。即ち、穴部６０２の対向する壁部６０２ｓ間は、対向基板２０の各端面２０ｉ、２０ｔにおけるダイシング処理面２０ｄ間の外形Ｒと略一致するよう形成されている。

実装ケース６００がこのような構成を有していることにより、液晶パネル１００を実装ケース６００の収容室６０１に収容した際、対向基板２０に貼着された防塵ガラス３５１は、有底の穴部６０２の底部に載置されるとともに、対向基板２０の各端面２０ｉ、２０ｔにおけるダイシング処理面２０ｄは、穴部６０２の対向する一対の壁部６０２ｓに当接する。その結果、実装ケース６００の収容室６０１に対する対向基板２０、即ち液晶パネル１００の位置決めがなされる。

尚、図９においては、対向基板２０に貼着された防塵ガラス３５１も、穴部６０２と同じ大きさに形成されていることから、防塵ガラス３５１の外形を用いて、実装ケース６００に対する液晶パネル１００の位置決めを行っても良い構成となっている。しかしながら、対向基板２０に対し、該対向基板２０よりも小さい防塵ガラス３５１が貼着される場合を考慮すると、実装ケース６００に対する液晶パネル１００の位置決めは、対向基板２０の加工精度良く形成されたダイシング処理面２０ｄにおいて行うことが好ましい。

実装ケース６００に対する液晶パネル１００の位置決めがなされた後、対向基板２０の端面２０ｔにおけるスクライブブレイク処理面２０ｓ、及びＴＦＴ基板１０の端面１０ｔ並びに該ＴＦＴ基板１０に貼着された防塵ガラス３５２の端面３５２ｔと、実装ケース６００の穴部６０３の壁部６０３ｓとの間の間隙に、光硬化型または熱効果型等の接着剤６５０を充填する。

尚、接着剤６５０は、図示しないが、各端面１０ｔ、２０ｔ、３５２ｔに隣接する２辺と、壁部６０３ｓとの間の間隙にも充填する。最後に、充填した接着剤６５０を硬化させることにより、液晶パネル１００は、実装ケース６００の収容室６０１内に位置精度良く固定される。

このように、本実施の形態においては、第１の基板１５０と第２の基板２５０とを貼り合わせた構造体５００から、液晶パネル１００を分断するに際し、第２の基板２５０のＸ方向の分断位置３０１と分断位置３０２とに対して、従来のスクライブブレイク処理によるスクライブライン２５０Ｘ及びクラック２５０ｋの形成と併用して、スクライブライン２５０Ｘ及びクラック２５０ｋに沿って、ダイシング処理により、設定した深さのダイシングライン２５０ｄを形成すると示した。

このことによれば、設定した深さまで行うスクライブブレイク処理よりも分断精度の高いダイシング処理により、構造体５００から分断された液晶パネル１００を構成する対向基板２０を、必要な外形精度に形成することができる。具体的には、対向基板２０の各端面２０ｉ、２０ｔにおけるダイシング処理面２０ｄ間の外形Ｒを、必要な精度に確実に形成することができる。

よって、ダイシング処理面２０ｄを基準として、液晶パネル１００を実装ケース６００の収容室６０１に位置精度良く収容することができることから、液晶装置１の製造上の歩留まりを向上させることができる手法を有する液晶装置１の製造方法を提供することができる。

また、本実施の形態においては、第２の基板２５０に形成するダイシングライン２５０ｄの深さを、第２の基板２５０のＺ方向の板厚以下であって、実装ケース６００の収容室６０１の穴部６０２における壁部６０２ｓに対応する長さとなる深さに形成すると示した。

このことによれば、分断後の対向基板２０の各端面２０ｉ、２０ｔにおけるダイシング処理面２０ｄは、実装ケース６００の収容室６０１の穴部６０２における壁部６０２ｓに当接することから、ダイシング処理面２０ｄを基準として、液晶パネル１００を実装ケース６００の収容室６０１に位置精度良く収容することができる。

また、対向基板２０の各端面２０ｉ、２０ｔにおけるスクライブブレイク処理面２０ｓと、収容室６０１の穴部６０３の壁部６０３ｓとの間の間隙に接着剤６５０を十分充填することができることから、必要な位置精度によって確実に液晶パネル１００を実装ケース６００の収容室６０１に収容し固定することができる。よって、製造上の歩留まりを向上させることができる手法を有する液晶装置１の製造方法を提供することができる。

さらに、本実施の形態においては、第２の基板２５０における分断位置３０２においても、ダイシングライン２５０ｄを形成すると示した。言い換えれば、第２の基板２５０のＸ方向の分断位置３０１と分断位置３０２との間の部材２５０ｃを除去し、第１の基板１５０に形成された配線１２０を剥き出しにするため、配線１２０に平面視した状態で重なる位置にも、ダイシングライン２５０ｄを形成すると示した。また、分断位置３０２に形成するダイシングライン２５０ｄも、分断位置３０１に形成するダイシングライン２５０ｄ同様、第２の基板２５０のＺ方向の厚さ未満の設定した深さに形成すると示した。

このことによれば、第２の基板２５０において、第１の基板１５０の配線１２０と平面視した状態で重なる位置に、ダイシングライン２５０ｄを形成したとしても、ダイシング処理により、配線１２０を損傷させることがない。よって、製造上の歩留まりを向上させることができる手法を有する液晶装置１の製造方法を提供することができる。

尚、以下、変形例を示す。本実施の形態においては、第２の基板２５０のＸ方向の分断位置３０１、３０２において、ダイシング処理を行う際、第２の基板２５０のＺ方向の厚さ未満にダイシングライン２５０ｄを形成すると示したが、これに限らず、配線１２０を損傷させずに、対向基板２０の各端面２０ｉ、２０ｔのダイシング処理面２０ｄ間の外形Ｒを必要な精度にするのみであれば、分断位置３０１は、第２の基板２５０を貫通するように、ダイシングライン２５０ｄを形成しても構わない。このような製造方法によれば、本実施の形態よりも、製造工程の簡略化を図ることができる。

また、本実施の形態において、ダイシング処理を、基板の厚さ未満行うのは、第２の基板２５０であると示したが、これに限らず、ＴＦＴ基板１０の端面を基準として、実装ケース６００との位置合わせを行う場合は、第１の基板１５０に対してＸ方向の分断位置３０１においてダイシングラインを、第１の基板１５０のＺ方向の厚さ未満の深さに形成しても構わない。このことによっても、ＴＦＴ基板１０の各端部のダイシング処理面を用いて、実装ケース６００の収容室６０１に対して、液晶パネル１００を、精度良く収容することができる。

また、本実施の形態においては、第１の基板１５０に、ＴＦＴ基板１０が複数構成されており、第２の基板２５０に、対向基板２０が複数構成されていると示したが、これに限らず、第１の基板１５０に、対向基板２０が複数構成されており、第２の基板２５０に、ＴＦＴ基板１０が複数構成されていても構わない。この場合においても、本実施の形態を用いれば、ＴＦＴ基板１０の端面を基準として、実装ケース６００に対し、液晶パネル１００を位置精度良く収容することができる。

さらに、本実施の形態においては、第１の基板１５０をＴＦＴ基板１０が複数構成された基板とし、第２の基板２５０を対向基板２０が複数構成された基板であると示したが、これに限らず、第１の基板１５０を、ＴＦＴ基板１０が複数構成された基板とし、第２の基板２５０を、第１の基板１５０と略同じ大きさの大板の防塵ガラス３５２として、第１の基板１５０と防塵ガラス３５２とが貼り合わされた構造体から、ＴＦＴ基板１０と、防塵ガラス３５２とを、チップ状に分断する際に、本実施の形態を適用しても構わない。

また、第１の基板１５０を、対向基板２０が複数構成された基板とし、第２の基板２５０を、第１の基板１５０と略同じ大きさの大板の防塵ガラス３５１として、第１の基板１５０と防塵ガラス３５１とが貼り合わされた構造体から、対向基板２０と、防塵ガラス３５１とを、チップ状に分断する際に、本実施の形態を適用しても構わない。以上によっても、本実施の形態と同様の効果を得ることができる。

また、液晶装置は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上述した液晶装置は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールを例に挙げて説明したが、これに限らず、ＴＦＤ（薄膜ダイオード）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールであっても構わない。

さらに、本実施の形態においては、電気光学装置は、液晶装置を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されず、エレクトロルミネッセンス装置、特に、有機エレクトロルミネッセンス装置、無機エレクトロルミネッセンス装置等や、プラズマディスプレイ装置、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）装置、ＳＥＤ(Ｓｕｒｆａｃｅ−Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−Ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌａｙ)装置、ＬＥＤ（発光ダイオード）表示装置、電気泳動表示装置、薄型のブラウン管または液晶シャッター等を用いた小型テレビを用いた装置などの各種の電気光学装置に適用できる。

また、電気光学装置は、半導体基板に素子を形成する表示用デバイス、例えばＬＣＯＳ（Liquid Crystal On Silicon）等であっても構わない。ＬＣＯＳでは、素子基板として単結晶シリコン基板を用い、画素や周辺回路に用いるスイッチング素子としてトランジスタを単結晶シリコン基板に形成する。また、画素には、反射型の画素電極を用い、画素電極の下層に画素の各素子を形成する。

また、電気光学装置は、片側の基板の同一層に、一対の電極が形成される表示用デバイス、例えばＩＰＳ（In-Plane Switching）や、片側の基板において、絶縁膜を介して一対の電極が形成される表示用デバイスＦＦＳ（Fringe Field Switching）等であっても構わない。

液晶パネルの構成を概略的に示す平面図。 図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿って切断した断面図。 第１の基板と第２の基板とが貼り合わされて形成された構造体の平面図。 図３の構造体の第２の基板のＸ方向の分断位置に、スクライブラインを形成した状態を示す構造体の部分断面図。 図４の構造体の第２の基板のＸ方向の分断位置に、クラックを形成した状態を示す構造体の部分断面図。 図５の構造体の第２の基板のＸ方向の分断位置に、ダイシングラインを形成した状態を示す構造体の部分断面図。 図６の構造体の第１の基板のＸ方向及びＹ方向の分断位置に、スクライブライン及びクラックを形成した状態を示す構造体の部分断面図。 図７の構造体から、液晶パネルを分断した状態を示す断面図。 図８の液晶パネルを実装ケースに収容し、液晶装置を形成した状態を概略的に示す断面図。

符号の説明

１…液晶装置、２０ｉ…端面、２０ｔ…端面、１００…液晶パネル、１２０…配線、１５０…第１の基板、２５０…第２の基板、２５０ｆ…第２の基板の表面、２５０ｄ…ダイシングライン、２５０ｋ…構造体、２５０Ｘ…スクライブライン、３０１…Ｘ方向の分断位置、３０２…Ｘ方向の分断位置、５００…構造体、６００…実装ケース、６０１…収容室。

Claims (4)

1. 第１の基板と第２の基板とを貼り合わせた後、貼り合わされた基板を複数に分断することで、複数の電気光学パネルを製造する電気光学装置の製造方法であって、
   貼り合わされている前記第１の基板と前記第２の基板との少なくとも一方の基板の分断位置の少なくとも一部に、スクライブラインを形成するスクライブライン形成工程と、
   前記スクライブラインを形成した前記基板に外力を印加して、前記基板を当該基板の厚さ方向に貫通するクラックを前記スクライブラインに沿って形成するクラック形成工程と、
   前記スクライブライン及び前記クラックを形成した前記基板に、該基板の前記スクライブラインを形成した面側から、前記スクライブライン及び前記クラックに沿って、設定深さのダイシングラインを形成するダイシングライン形成工程と、
   を具備することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
2. 前記ダイシングラインの深さは、前記スクライブライン及び前記クラックを形成した前記基板の厚さ未満であることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
3. 分断後の前記電気光学パネルを実装ケースに収容する収容工程を具備し、
   前記ダイシングラインの深さは、前記実装ケースの前記電気光学パネルの収容室における、分断後の前記基板の対向する各端面が当接する部位に対応する長さに設定されることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置の製造方法。
4. 前記第１の基板に、前記電気光学パネルの配線が具備されており、
   前記第２の基板に、前記ダイシングラインを形成する際、前記第２の基板における前記分断位置の少なくとも一部は、前記第１の基板の前記配線と平面視した状態で重なる位置であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。

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