200836142 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於貼合第1基板與第2基板後，使被貼合的 基板裁斷爲複數，以製造複數光電面板之光電裝置之製造 方法。 【先前技術】 如眾所周知的，光電裝置例如透光型之液晶裝置，係 於玻璃基板、石英基板等所構成的2枚基板間使液晶中介 其間而構成的光電面板之液晶面板被收容於實裝外殼等而 構成。 此外，液晶裝置，於液晶面板之一方基板，將例如薄 膜電晶體（Thin Film Transistor，以下簡稱爲TFT)等開關 元件以及畫素電極配置爲矩陣狀，於他方基板配置對向電 極，使藉由根據中介於兩基板間之液晶層之光學回應（response) 因應於影像訊號而改變，而可以顯示影像。 此外，配置TFT之TFT基板，與相對於此TFT基板 而被配置之對向基板，係分別被製造的。TFT基板及對向 基板，藉由例如於石英基板上，層積具有特定圖案的半導 體薄膜、絕緣性薄膜或者導電性膜而構成。半導體薄膜、 絕緣性薄膜或導電性薄膜，於每一層藉由各種膜之成膜步 驟與光蝕刻步驟反覆進行而被形成。 如此形成的TFT基板及對向基板，於面板組裝步驟 高精度（例如對準誤差在1 μ以內）地被貼合。此面板組裝步 -4- 200836142 驟，首先’在各基板的製造步驟分別被製造之TFT基板 與對向基板之與液晶層相接的面上，形成供使液晶分子沿 著基板面配向之用的配向膜。 其後，對配向膜施以供決定在沒有電壓施加時之液晶 分子的排列之用的磨擦處理。接著，如果是習知的液晶滴 下方式的話，在大板之基板上被構成複數個之各TFT基 板上的周緣，分別把成爲黏接劑之密封材形成爲框狀，在 藉由此密封材所包圍的各TFT基板上之液晶塡充區域， 分別滴下規定量之液晶。 接著，習知之大板組裝方式的場合，把TFT基板被 複數構成之大板之第1基板，以使各TFT基板與各對向基 板被對向配置的方式，透過前述之各密封材及暫時固定用 之黏接劑貼合於對向基板被複數構成之大板之第2基板上 。其後，由被貼合的基板（以下，稱爲構造體），將被對向 配置的TFT基板及對向基板依每一組裁斷爲晶片（chip)狀 〇 接著，於各TFT基板之外部接續端子，分別連接接 續液晶裝置與投影裝置等之電子機器之FPC(Flexible Printed Circuits，可撓印刷電路板），結果，製造出液晶面板。 其後，藉由將液晶面板收容、固定於實裝外殼’而製 造出液晶裝置。被製造之液晶裝置，設於投影機等電子機 器。 在此，作爲由構造體分組將一對之TFT基板及對向 基板裁斷爲晶片的手法，作業性優異的，可以確保裁斷後 -5- 200836142 的TFT基板及對向基板之必要的外型精度的，加工精度 高的切割（dicing)處理係屬習知。 然而，藉由切割處理，使已知的刀片（blade)貫通於對 向基板之厚度方向而裁斷的話，可能會由於刀片而損及被 形成於TFT基板上的外部接續端子、驅動電路等之配線 ，有使製造上之生產率降低的問題。 有鑑於這樣的問題，藉由劃線折斷（s c r i b e b r e a k)處理 ，而由構造體分組將一對TFT基板及對向基板裁斷爲晶 片的手法係屬已知，且爲一般習用。 劃線折斷處理之一例說明如下，首先，於TFT基板 被複數構成的大板之第1基板及對向基板被複數構成的大 板之第2基板之各裁斷位置，藉由習知之劃線處理使用劃 線刀片形成刻劃線。 接著，藉由按壓對向於刻劃線的基板的位置，詳言之 ，按壓TFT基板被複數構成之大板的第1基板上形成刻劃 線之後，對向基板被複數構成的大板之第2基板之對向於 刻劃線之位置，於大板之第2基板形成刻劃線之後，按壓 對向於大板之第1基板之刻劃線的位置之折斷處理，沿著 各刻劃線，於第1基板及第2基板的厚度方向，使產生貫通 各基板之裂痕。最後使用產生的裂痕，由構造體分組將一 對之TFT基板及對向基板裁斷爲晶片狀。 此外，於專利文獻1，劃線折斷處理之內，進行劃線 處理的劃線裝置，藉由具有支撐前述構造體之治具構件， 使用該治具，伴隨著劃線處理時，對構造體之由劃線刀片 -6 - 200836142 之施壓，防止裁斷後之液晶面板之TFT基板或對向基板 之裁斷端部之損傷的技術被提出來。 [專利文獻1]日本專利特開2006-98632號公報 【發明內容】 [發明所欲解決之課題] 然而，藉由劃線折斷處理，分組將一對TFT基板及 對向基板裁斷爲晶片狀的手法，在現狀的手法之中，要將 刻劃線對TFT基板被複數構成的大板之第1基板及對向基 板被複數構成的大板之第2基板的裁斷位置，於平面俯視 的狀態形成爲完全的直線狀是困難的。亦即，劃線處理後 ，刻劃線於各大板之基板上，會出現平面俯視的狀態下被 形成爲蛇行的情形。 此外藉由折斷，使沿著刻劃線產生裂痕時，於所有的 裁斷位置，對各基板之厚度方向要使裂痕垂直產生是困難 的。 由這些情形，根據劃線折斷處理之裁斷後的液晶面板 之TFT基板及對向基板之各裁斷端面，隨著裁斷位置而 平面俯視的形狀及厚度變得不同，亦即，藉由裁斷端面而 形成的TFT基板及對向基板的端面的形狀變得不同，很 難確保TFT基板及對向基板所必要的外形精度。 結果，將液晶面板收容於實裝外殼時，藉由例如將對 向基板之對向的各端面抵接於實裝外殼的收容室之對向的 壁部而決定位置，將液晶面板收容於收容室時，由於端面 200836142 形狀相異的對向基板，使得對實裝外殼之液晶面板的位置 容易產生偏離，而會有液晶裝置的製造上之生產率不佳的 問題。 本發明著眼於前述問題，目的在於提供貼合第1基板 與第2基板之後，將裁斷被貼合的構造體之後的光電面板 收容於實裝盒時，可以位置精度優良地收容於實裝盒，具 有可以提高製造上之生產率的手法之光電裝置之製造方法 【實施方式】 爲達成前述目的，相關於本發明之光電裝置之製造方 法，係貼合第1基板與第2基板之後，將貼合的基板裁斷爲 複數，以製造複數光電面板之光電裝置之製造方法，其特 徵爲具備：在被貼合的前述第1基板與前述第2基板之至少 一方的基板之裁斷位置的至少一部份，形成刻劃線（scirbe line)的刻劃線形成步驟，及對形成前述刻劃線的前述基板 施加外力，使貫通前述基板於該基板的厚度方向上的裂痕 沿著前述刻劃線形成的裂痕形成步驟，及在形成前述刻劃 線以及前述裂痕的前述基板，由該基板之形成前述刻劃線 之面側，沿著前述刻劃線以及前述裂痕，形成設定深度的 切劃線（d i c i n g 1 i n e)之切劃線形成步驟。 根據本發明，於從構造體裁斷光電面板時之至少一部 份的步驟，除了刻劃線形成步驟與裂痕形成步驟所構成的 刻劃折斷處理以外，藉由倂用加工精度高的切劃處理，藉 200836142 由進行至設定深度爲止的切劃處理，可以使構成由構造體 裁斷的光電面板之被進行切劃處理的基板形成爲必要的外 形精度。因而，藉由進行至設定深度爲止的切劃處理而外 形精度佳地形成之裁斷後的基板之對向的各端面之切劃處 理面爲基準，可以將光電面板位置精度佳地收容於實裝外 殻，所以可以提供具有可提高製造上之生產性的手法之光 電裝置之製造方法。 此外，特徵爲前述切劃線的深度，未滿形成了前述刻 劃線及前述裂痕的前述基板之厚度。 進而，特徵爲具備將裁斷後的前述光電面板收容於實 裝盒之收容步驟，前述切劃線的深度，被設定爲對應於前 述實裝盒之前述光電面板的收容室之裁斷後的前述基板的 對向之各端面抵接的部位的長度。 根據本發明，藉由未達到進行切劃處理的基板的厚度 地形成切劃線，同時在光電面板被收容的實裝外殼的光電 面板收容室之裁斷後的基板之對向的各端面抵接的部位之 對應的深度，形成切劃線，能夠以被形成爲必要的外形精 度之裁斷後的進行切劃處理的基板之對向的各端面之收容 室內抵接之切劃處理面爲基準，將光電面板位置精度佳地 收容於實裝外殼。此外，在進行至設定深度爲止的刻劃折 斷處理所形成的裁斷後的基板之對向的各端面之刻劃裁斷 處理面，與收容室之壁面之間的空間可以充分塡充黏接劑 ，所以能夠以必要的位置精度確實將光電面板收容固定於 實裝外殼。因而，可以提供具有可提高製造上之生產率的 -9- 200836142 受法之光電裝置之製造方法。 此外’特徵爲於前述第1基板，具備前述光電面板之 配線’於前述第2基板，在形成前述切劃線時，前述第2基 板之前述裁斷位置的至少一部份，是在與前述第1基板之 前述配線平視的狀態下重疊的位置。 根據本發明，由剝出第i基板之配線的一部份爲目的 ’於第2基板之與配線在平面俯視的狀態爲重疊的位置， 形成切劃線，也因爲切劃線形成爲不滿第2基板的厚度， 所以藉由切劃處理，不會損及第1基板的配線。因而，可 以提供具有可提高製造上之生產率的受法之光電裝置之製 造方法。 [供貫施發明之最佳型態] 以下，參照圖面說明本發明之實施型態。又，以下所 示之實施型態之光電裝置之製造方法，舉例說明透光型之 液晶裝置的製造方法。因而，具備光電裝置之光電面板， 舉液晶面板爲例進行說明。 此外，於液晶面板被對向配置之一對基板之內，一方 之基板以元件基板（以下稱TFT基板）爲例，他方之基板以 對向於TFT基板之對向基板爲例進行說明。 首先，以下，針對具備藉由本實施型態之液晶裝置的 製造方法所製造的液晶裝置之液晶面板的構成進行說明。 圖1係槪略顯示液晶面板的構成之平面圖，圖2係沿著 圖1之Π -11線裁斷之剖面圖。 •10· 200836142 如圖1、圖2所示，液晶面板1 〇〇，在例如使用石英基 板或玻璃基板、矽基板等之TF T基板1 〇，與被對向配置 於該TFT基板1 0之例如使用玻璃基板或石英基板、矽基 板等之對向基板20之間的內部空間，中介著液晶50而被構 成。被對向配置的TFT基板10與對向基板20，係藉由密 封材52而被貼合。 TFT基板10的表面10f之與液晶50相接的區域，被構 成液晶面板100的構成顯示區域40的TFT基板10之顯示區 域1 0 h。此外，於顯示區域1 0 h，構成畫素的同時，與後述 之對向電極2 1 —起對液晶5 0施加驅動電壓之畫素電極 (ITO)9a被配置爲矩陣狀。 此外，於對向基板20之表面20f之與液晶50相接的區 域，設有與畫素電極9a —起對液晶50施加驅動電壓之對 向電極21，在對向於顯示區域1 〇h的對向電極21的區域， 被構成液晶面板100之構成顯示區域40的對向基板20之顯 示區域2 0 h。 於TFT基板10之畫素電極9a上，設有被施以摩擦處 理之配向膜16 ’此外，跨對向基板20上之全面被形成的對 向電極21上也設有被施以摩擦處理的配向膜26。各配向膜 1 6、26，例如係由聚醯亞胺膜等透明的有機膜所構成。 此外，於TFT基板1 〇之顯示區域1 〇h，複數條之掃描 線與複數條之資料線（均未被圖示）以交叉的方式被配線， 於以掃描線與資料線區隔出的區域有晝素電極9a被配置 爲矩陣狀。接著，對應於掃描線與資料線之各交叉部位設 -11 - 200836142 有開關元件之未圖示之薄膜電晶體（TFT)，於各該TFT被 接續著畫素電極9a。 TFT藉由掃描線之ON訊號而成爲打開，藉此，被供 給至資料線的影像訊號被供給至畫素電極9a。此畫素電極 9a與被設於對向電極20的對向電極21之間的電壓被施加 至液晶5 0。 於對向基板20，被設有規定液晶面板1〇〇之作爲顯示 區域40的框緣之遮光膜53。 液晶50於TFT基板10與對向基板20之間的空間，以 習知的液晶滴下方式被注入的場合，密封材5 2，在平面俯 視的狀態被塗布爲連續的封閉形狀。 於密封材5 2的外側之區域，將影像訊號對TFT基板 1 0之未圖示的資料線以特定的計時供給而構成驅動該資料 線的驅動器的配線之資料線驅動電路1 0 1以及供與外部電 路之連接之用的配線之外部接續端子1 02，沿著TFT基板 1 〇之一邊被設置。又，於外部接續端子1 02，被接續著連 接液晶裝置1與投影機等電子機器之未圖示的可撓印刷電 路板（FPC)。 沿著TFT基板10之鄰接於被設置外部接續端子1〇2的 一邊之兩邊，於TFT基板10之掃描線及閘極電極，被設 置藉由將掃描訊號以特定之計時供給之而構成驅動閘極電 極的驅動器之配線之掃描線驅動電路1 03、1 04。掃描線驅 動電路103、104，於對向於密封材52的內側之遮光膜53的 位置，被形成於TFT基板1 0上。 -12- 200836142 此外，於TFT基板10上，接續資料線驅動電路101、 掃描線驅動電路103、104、外部接續端子102以及上下導 通端子1 〇 7之配線1 0 5，對向於遮光膜5 3之3邊而被設置。 上下導通端子107，被形成於密封材52之角落部的4處 所之TFT基板10上。接著，於TFT基板10與對向基板20 相互間，被設有下端接觸於上下導通端子107而上端接觸 於對向電極21之上下導通材106，藉由該上下導通材106使 TFT基板10與對向基板20之間取得電氣導通。 進而，被設置外部接續端子102的液晶面板100之構成 一邊的對向基板20之端面201以及對向於該端面201的端面 20t，係藉由後述之切劃線25 0d(參照圖7)而加工精度很好 地形成之切劃處理面20d以及藉由根據刻劃折斷處理之裂 痕2 5 0k(參照圖7)而加工精度於每個面有差異地被形成之 刻劃折斷處理面20s而被構成。 又，如此構成之液晶面板1 〇〇，藉由後述之實裝外殼 600(參照圖9)而被收容、固定，構成液晶裝置1(參照圖9) 〇 其次，使用圖3〜圖8說明前述之液晶面板1 〇〇之製造 方法。又，本實施型態之液晶面板1 〇〇，係藉由複數個 TFT基板10被構成之大板所構成的第1基板，及與TFT基 板10同個數之對向基板20被構成的大板之基板所構成的第 2基板，以對向配置的方式貼合，形成構造體之後，由構 造體將每組被對向配置的TFT基板10及對向基板20裁斷 製造複數個液晶面板1 〇〇之所謂大板組裝方式來製造。 -13- 200836142 此外，以下，於圖3〜圖8，爲了使說明簡化，把被形 成於TFT基板1〇的前述之資料線驅動電路1〇1、外部接續 端子102、掃描線驅動電路1〇3、104、配線105等，全部都 以配線1 20來槪略說明。此外，於圖3〜圖8，爲了簡化圖 面，省略液晶50或密封材52等圖2所示之各構件的記載。 圖3係第1基板與第2基板被貼合而形成的構造體之平 面圖，圖4係於圖3的構造體之第2基板的X方向之裁斷位 置，形成刻劃線的狀態之構造體的部分剖面圖，圖5係於 圖4的構造體之第2基板的X方向之裁斷位置，形成裂痕 的狀態之構造體的部分剖面圖。 此外，圖6係於圖5的構造體之第2基板的X方向之裁 斷位置，形成切劃線（dicing line)的狀態之構造體的部分 剖面圖，圖7係於圖6的構造體之第1基板的X方向及Y方 向之裁斷位置，形成刻劃線及裂痕的狀態之構造體的部分 剖面圖，圖8係由圖7之構造體裁斷液晶面板之狀態之剖面 圖。 首先，藉由已知的成膜步驟，使畫素電極9a、外部接 續端子102、配線105(均參照圖2)等構成要素被形成的 TFT基板10被複數構成之第1基板150，及藉由已知的成膜 步驟，使對向電極21等構成要素被形成的對向基板20被複 數構成之第2基板250，以相互的表面互相面對的方式貼合 ，如圖3所示，形成構造體5 00。又，第1基板150以及第2 基板2 5 0，如圖3所示，平面俯視的形狀例如爲圓形。
此外，第1基板150與第2基板250，係透過例如於TFT -14- 200836142 基板10分別被塗布之密封材52，或於第1基板150之 TFT 基板1 〇被構成的區域外之表面之外周緣的附近被塗布爲環 繞狀的暫時固定用之黏接劑400而被貼合。 其次，如圖4所示，於圖3所示的構造體500的第2基板 25 0之表面2 5 0f之在X方向上被構成爲約略直線狀的裁斷 位置301、3 02，使用已知的刻劃刀片70進行形成複數條圖 3中於X方向上約略直線狀的刻劃線25 0X之刻劃線形成步 驟。 又，裁斷位置301，在由構造體500裁斷複數個液晶面 板100時，係沿著液晶面板1〇〇的X方向之邊界而被構成 ，裁斷位置3 02被形成於TFT基板10上，使配線120沿著 對液晶面板1 00之外部進行剝出時之邊界而被構成。 接著，如圖5所示，進行把第1基板150的表面150f之 對向於刻劃線25 0X的X方向之裁斷位置301、3 02，例如 藉由刀片80而施加外力的裂痕形成步驟。 藉此，沿著第2基板250之各刻劃線2 5 0X，於第2基板 250之板厚方向（以下稱爲Z方向）上，至貫通第基板250爲 止持續進行的各裂痕250k會產生。 亦即，藉由進行圖4之刻劃線形成步驟，與圖5之裂痕 形成步驟，對第2基板25 0，進行已知的刻劃折斷處理。 其次，如圖6所示，對構造體5 00之第2基板2 5 0的表面 2 5 Of，於X方向之裁斷位置301、3 02，沿著刻劃線25 0X 以及裂痕2 5 0k，藉由已知的切劃刀片90，進行形成複數條 使圖3中X方向上直線狀的切劃線2 5 0d成爲設定深度之切 -15- 200836142 劃處理之切劃線形成步驟。 此時，使切劃線250d，成爲爲未滿第2基板250之Z方 向的厚度，例如形成至第2基板25 0之Z方向的厚度之至少 一半的深度。更具體地說，使切劃線25 0d，成爲對應於後 述之實裝外殼600(參照圖9)之收容室601(參照圖9)之對向 基板20的各端面20i、20t之切劃處理面20d抵接的部位之 壁部602 s(參照圖9)的長度的深度。 又，形成切劃線250d時，於第2基板250，沿著X方 向之裁斷位置301、302，被形成於Z方向貫通第2基板250 的裂痕2 5 0k，所以第2基板25 0之X方向的裁斷位置301與 裁斷位置3 02之間的構件250c，欲沿著圖3中的X方向移動 ，此情形，藉由第1基板1 5 0與第2基板2 5 0之間之黏接劑 4 00而被限制。 接著，構造體500的第2基板25 0之表面25 Of之圖3中 在Y方向上被構成爲約略直線狀的裁斷位置3 03、使用切 劃刀片90，藉由切劃處理，而以在Z方向上貫通第2基板 250的方式形成複數條圖3中於Y方向之直線狀的未圖示 之切劃線之步驟。 又，裁斷位置303，在將構造體500裁斷爲複數個’而 製造液晶面板1 〇 〇時，沿著液晶面板1 0 0的γ方向之邊界 而被構成。 接著，如圖7所示’於構造體5 0 0之第1基板1 5 0的裁斷 位置301，於圖3之X方向，與對前述圖4、圖5所示之第2 基板2 5 0之刻劃折斷處理同樣地’形成約略直線狀的刻劃 -16 - 200836142 線1 5 OX，進而，進行使貫通第1基板1 5 0於板厚方向（以下 稱爲Ζ方向）之裂痕1 5 Ok沿著刻劃線1 5 0Χ形成複數條之步 驟。 其後，構造體500的第1基板1 50之裁斷位置3 03，也藉 由刻劃折斷處理，形成圖3中Y方向上約略直線狀的未圖 示之刻劃線，進而，進行以在Z方向上貫通第1基板1 5 0的 方式沿著刻劃線形成複數條裂痕之步驟。 以上之結果，如圖8所示，由構造體500，裁斷被貼合 的一對之TFT基板150及對向基板250所構成的複數組之 晶片狀的液晶面板1 00。如此進行，製造出複數晶片狀的 液晶面板1 〇 0。 又，於如此進行而被製造的液晶面板1 〇〇，外部接續 端子102等被設置之液晶面板100之構成一邊的對向基板20 之端面201以及對向於該端面201的端面20t，係藉由後述 之切劃線25 0d而加工精度很好地形成之切劃處理面20d以 及藉由根據刻劃折斷處理之裂痕25 0k而加工精度於每個 面有差異地被形成之刻劃折斷處理面20s而被構成。 此外，對向基板20之各端面20i、20t之切劃處理面 20d，係藉由切劃處理而形成的，所以與刻劃折斷處理面 20s相比，精度佳地垂直形成於Z方向上。因而，如圖8 所示，對向基板20之各端面20i、20t間，亦即Y方向之對 向基板的外形R，藉由切劃處理面2 0 d被形成爲必要的精 度。 圖9係槪略顯示將圖8之液晶面板收容於實裝盒（case) -17- 200836142 ，而形成液晶裝置的狀態之剖面圖。 液晶面板100之製造後，如圖9所示，進行於TFT基 板1 〇及對向基板2 0之外表面，分別貼黏防塵玻璃3 5 1、3 5 2 之後，將液晶面板1 〇 〇收容、固定於實裝外殼6 0 0內之收容 步驟。結果，製造了液晶裝置1。 又，於圖9，防塵玻璃3 5 1、3 5 2，分別被形成爲與 TFT基板1 0及對向基板20相同大小’但不以此爲限’只要 覆蓋TFT基板10之顯示區域l〇h以及對向基板20之顯示區 域2 Oh的話，分別被黏貼比TFT基板10、對向基板20還要 小的防塵玻璃3 5 1、3 5 2亦可。 此處，針對將液晶面板1〇〇收容於實裝外殼600內的手 法予以簡單說明。實裝外殻600，係供收容液晶面板100之 用的約略矩形的框狀構件，於實裝外殼600，被形成與液 晶面板1 〇 0平面俯視狀態下約略一致的階梯孔穴部之收容 室6 01，於該階梯收容室601，被形成於收容液晶面板1〇〇 時具有與液晶面板1 〇 〇的顯示區域4 0在平面上相同大小的 開口部6 1 0。 於實裝外殼600的收容室601，液晶面板1〇〇例如由對 向基板2 0側插入。收容室6 0 1係由對向基板2 〇之各端面2 0 i 、2 0t之切劃處理面20d間之外形R與平面俯視的狀態下 約略一致的有底的孔穴部620、及在平面俯視狀態比TFT 基板1 〇稍大的孔穴部6 0 3所構成。又，平面俯視的狀態下 ，孔穴部6 0 3被形成爲比孔穴部6 〇 2還要大。亦即，孔穴部 6 0 2之對向的壁部6 0 2 s間，係以與對向基板2 〇之各端面2 〇 i -18- 200836142 、2 Ot之切劃處理面2 0 d間之外形R約略一致的方式被形 成。 藉由實裝外殼6 0 0具有這樣的構成，將液晶面板1 〇 〇收 容於實裝外殼6〇〇的收容室601時，被黏貼於對向基板20之 防塵玻璃3 5 1，被載置於有底的孔穴部6 0 2的底部’同時對 向基板20之各端部20i、20t之切劃處理面20d抵接於孔穴 部602之對向的一對壁部602 s。結果，進行對實裝外課600 之收容室601之對向基板20，亦即液晶面板1〇〇之定位。 又，於圖9，被黏貼於對向基板2 0之防塵玻璃3 5 1，也 被形成爲與孔穴部602相同大小，所以使用防塵玻璃351的 外形，進行對實裝外殼600之液晶面板1〇〇的定位亦成爲好 的構成。然而，對於對向基板2 〇 ’考慮到被貼黏比該對向 基板20更小的防塵玻璃351的場合時’對於實裝外殼600之 對向基板1〇〇的定位，最好係於對向基板20之加工精度佳 地被形成之切劃處理面2〇d來進行較佳。 在進行對實裝外殼6 〇 〇之液晶面板1 〇 〇的定位之後，於 對向基板20之端面20t之刻劃折斷處理面20s、以及TFT 基板10的端面l〇t以及被黏貼於該TFT基板10之防塵玻璃 3 5 2的端面3 52t、及實裝外殼600之孔穴部603 s之間的間隙 ，塡充光硬化型或熱效果型之黏接劑6 5 0。 又，黏接劑6 5 0，雖未圖示，也被塡充於鄰接各端面 10t、20t、3 52t之2邊與壁部603 5之間的間隙。最後，藉 由使塡充的黏接劑650硬化，液晶面板100精度佳地被固定 於實裝外殻600之收容室601內。 -19- 200836142 如此進行，於本實施型態，由貼合第1基板150與第2 基板250之構造體5 00，裁斷液晶面板100時，對第2基板 2 5 0之X方向的裁斷位置301與裁斷位置3 02，倂用根據從 前之刻劃折斷處理之刻劃線250X以及裂痕25 0k之形成， 沿著刻劃線2 5 0X以及裂痕250k，藉由切劃處理，形成了 設定深度的切劃線25 0d。 根據此，藉由比進行至設定的深度爲止的比刻劃折斷 處理裁斷精度更高的切割處理，可以使構成由構造體500 裁斷之液晶面板1〇〇的對向基板20形成爲必要的外形精度 。具體而言，可以使對向基板20之各端面20i、20t之切劃 處理面20d間之外形R，確實形成爲必要的精度。 因而，以切劃處理面20d爲基準，可以將液晶面板 100位置精度佳地收容於實裝外殼600之收容室601，所以 可以提供具有可提高液晶裝置i的製造上之生產性的手法 之液晶裝置1之製造方法。 此外，於本實施型態，使形成於第2基板2 5 0的切劃線 250d之深度，形成爲第2基板250之Z方向之板厚以下， 且爲成爲實裝外殼600的收容室601之孔穴部602之對應於 壁部602s之長度的深度。 根據此情形，裁斷後之對向基板20之各端面20i、201 之切劃處理面20d，抵接於實裝外殼600之收容室601的孔 穴部602之壁部602s，所以以切劃處理面20d爲基準，可 以將液晶面板100位置精度佳地收容於實裝外殼600之收容 室 60 1。 -20- 200836142 此外，對向基板20之各端面20i、2 0t之刻劃折斷處理 面2 0 s，與收容室6 0 1之孔穴部6 0 3之壁部6 0 3 s之間的間隙 內可以充分塡充黏接劑6 5 0，所以可藉由必要的位置精度 確實將液晶面板1〇〇收容固定於實裝外殼600之收容室601 。因而，可以提供具有可提高製造上之生產率的受法之液 晶裝置1之製造方法。 進而，於本實施型態，於第2基板25 0之裁斷位置302 ，也形成切劃線25 0d。換句話說，除去第2基板25 0之X 方向之裁斷位置301與裁斷位置3 02之間的構件250c，剝出 被形成於第1基板150之配線120，所以在平面俯視的狀態 重疊於配線120的位置，也形成切劃線25 0d。此外，於裁 斷位置3 02形成的切劃線250d，也與形成於裁斷位置301的 切劃線2 5 0d同樣，形成爲未滿第2基板250之Z方向的厚 度之設定的深度。 根據此情形，於第2基板，在平面俯視與第1基板150 之配線120重疊的位置，形成切劃線25 0d也不會由於切劃 處理而損傷到配線1 20。因而，可以提供具有可提高製造 上之生產率的受法之液晶裝置1之製造方法。 又，以下顯示變形例。於本實施型態，顯示於第2基 板250之X方向的裁斷位置301、3 02，進行切劃處理時， 未滿第2基板25 0的Z方向之厚度地形成切劃線25 0d，但是 不以此爲限，只要不損傷配線120使對向基板20之各端面 2 0i、20t之切劃處理面20d間之外形R成爲必要的精度， 裁斷位置301以貫通第2基板25 0的方式形成切劃線25 0d也 -21 - 200836142 沒有關係。根據這樣的製造方法，可以比本實施型態，更 能謀求製造步驟的簡化。 此外，於本實施型態，將切劃處理進行爲未滿基板的 厚度，是顯示第2基板2 5 0，但是並不以此爲限，以TFT 基板10之端面爲基準，進行與實裝外殼600之位置對準的 場合，對於第1基板150於X方向之裁斷位置301將切劃線 形成爲未滿第1基板150之Z方向的厚度之深度亦可。藉此 ，使用TFT基板10之各端部的切劃處理面，也可以對實 裝外殼600之收容室601，使液晶面板100精度佳地收容。 此外，於本實施型態，顯示於第1基板150，TFT基板 1〇被複數構成，於第2基板250，對向基板被複數構成，但 是不以此爲限，亦可爲於第1基板150被構成複數之對向基 板20而於第2基板2 5 0被構成複數TFT基板10。於此場合 ，使用本實施型態的話，以TFT基板10之端面爲基準， 也可以對實裝外殼600，使液晶面板100位置精度佳地收容 〇 進而，於本實施型態，使第1基板150爲TFT基板10 被複數構成的基板，使第2基板250爲對向基板20被複數構 成之基板，但是並不以此爲限，使第1基板150爲TFT基 板1 〇被複數構成的基板，而使第2基板2 5 0，作爲與第1基 板1 5 0約略相同大小的大板之防塵玻璃3 5 2，由第1基板1 5 0 與防塵玻璃3 52被貼合之構造體，將TFT基板10，與防塵 玻璃3 52裁斷爲晶片（chip)狀時，亦可適用本實施型態。 此外，把第1基板150作爲對向基板20被複數構成之基 -22- 200836142 板，把第2基板2 5 0作爲與第1基板1 5 0約略相同大小的大板 之防塵玻璃351，由第1基板15〇與防塵玻璃351被貼合之構 造體，將對向基板20與防塵玻璃351裁斷爲晶片狀時，亦 可適用本實施型態。藉由以上，可以得到與本實施型態同 樣的效果。 [產業上利用可能性] 又，液晶裝置並不僅以前述圖示例爲限定，在不逸脫 本發明的要旨的範圍內當然可加以種種變更。例如，前述 之液晶裝置，舉例使用TFT(薄膜電晶體）等主動元件之主 動矩陣方式的液晶顯示模組來說明，但不以此爲限，也可 以是使用TFD(薄膜二極體）等主動元件之主動矩陣方式之 液晶顯示模組。 進而，於本實施型態，光電裝置，舉液晶裝置爲例來 說明，但本發明並不以此爲限，可以適用於電致發光裝置 ，特別是有機電致發光裝置、無機電致發光裝置等，或電 漿顯示裝置、FED(場發射顯示器）裝置、SED(表面傳導電 子放射顯示器）裝置、LED(發光二極體）顯示裝置、電泳顯 示裝置、使用了使用薄型陰極射線管或者液晶快門等之小 型電視的裝置等各種光電裝置。 此外，光電裝置，亦可爲在半導體基板形成元件的顯 示用裝置，例如 LCOS(Liquid Crystal On Silicon)等。在 LC OS，作爲元件基板使用單晶矽基板，作爲使用於畫素 或周邊電路的開關元件將電晶體形成於單晶矽基板。此外 -23- 200836142 ，於畫素’使用反射型之畫素電極，於畫素電極之下層形 成畫素之各元件。 此外，光電裝置，亦可爲在單側基板之同一層，被形 成一對電極之顯不用裝置’例如IPS(In-Plane Switching) ，或者於單側之基板，中介絕緣膜而被形成一對電極之顯 示用裝置 FFS(Fringe Field Switching)等。 【圖式簡單說明】 圖1係槪略顯示液晶面板的構成之平面圖。 圖2爲圖1之沿著II-II線裁斷之剖面圖。 圖3係第1基板與第2基板被貼合而形成的構造體之平 面圖。 圖4係於圖3的構造體之第2基板的X方向之裁斷位置 ，形成刻劃線的狀態之構造體的部分剖面圖。 圖5係於圖4的構造體之第2基板的X方向之裁斷位置 ，形成裂痕的狀態之構造體的部分剖面圖。 圖6係於圖5的構造體之第2基板的X方向之裁斷位置 ，形成切劃線（d i c i n g 1 i n e)的狀態之構造體的部分剖面圖 〇 圖7係於圖6的構造體之第1基板的X方向及γ方向之 裁斷位置，形成刻劃線及裂痕的狀態之構造體的部分剖面 圖。 圖8係由圖7之構造體裁斷液晶面板之狀態之剖面圖。 圖9係槪略顯示將圖8之液晶面板收容於實裝盒（case) -24- 200836142 ，而形成液晶裝置的狀態之剖面圖。 【主要元件符號說明】 1 :液晶裝置 2 0 i :端面 2 01 :端面 1 0 0 :液晶面板 1 2 0 :配線 1 5 0 :第1基板 2 5 0 :第2基板 2 5 0f :第2基板之表面 2 5 0d :切劃線 2 5 0k :構造體 2 5 0X ：亥U晝!1線 301 : X方向之裁斷位置 3 02 : Y方向之裁斷位置 5 00 :構造體 600 :實裝盒 6 0 1 :收容室 -25-