JP2008233598A - 電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】不良解析やトレーサビリティ管理に用いる情報を示す表示を、装置の小型化を図っても確実に基板に対し、省スペースにてトランジスタ形成領域外に形成でき、製造時の歩留まりを向上させることができる電気光学装置を提供する。
【解決手段】ＴＦＴ３０が形成されたＴＦＴ基板１０と、該ＴＦＴ基板１０の第１の面１０ｆに対向する対向基板２０との間に液晶５０が介在された液晶パネル１００を具備する液晶装置であって、ＴＦＴ基板１０の第２の面１０ｒにおいて、平面視した状態で第１の領域１７０を避ける第２の領域１８０の所定の位置に、２次元バーコード７７が形成されていることを特徴とする。
【選択図】図２

Description

本発明は、トランジスタが形成された第１の基板と、該第１の基板の第１の面に対向する第２の基板との間に電気光学物質が介在された電気光学パネルを具備する電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器に関する。

周知のように、電気光学装置、例えば光透過型の液晶装置の液晶パネルは、ガラス基板、石英基板等からなる透明な２枚の基板間に液晶が介在されて構成されている。

また、液晶パネルは、一方の基板に、例えば薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor、以下、ＴＦＴと称す)等のスイッチング素子及び画素電極をマトリクス状に配置し、他方の基板に対向電極を配置して、両基板間に介在された液晶層による光学応答を画像信号に応じて変化させることで、画像表示を可能としている。

また、ＴＦＴを配置したＴＦＴ基板と、このＴＦＴ基板に相対して配置される対向基板とは、別々に製造される。ＴＦＴ基板及び対向基板は、例えば石英基板上に、所定のパターンを有する半導体薄膜、絶縁性薄膜又は導電性薄膜を積層することによって構成される。層毎に各種膜の成膜工程とフォトリソグラフィ工程を繰り返すことによって形成されるのである。

このようにして形成されたＴＦＴ基板及び対向基板は、パネル組立工程において高精度（例えばアライメント誤差１μｍ以内）に貼り合わされる。このパネル組立工程の一例を説明すると、先ず、各基板の製造工程において夫々製造されたＴＦＴ基板の画素電極上、及び対向基板の対向電極上に、液晶分子を基板面に沿って配向させるためのポリイミド等の有機配向膜が形成される。その後、焼成が行われ、さらに有機配向膜に対し、電圧無印加時の液晶分子の配列を規定するためのラビング処理が施される。

次いで、例えば液晶封入方式により、ＴＦＴ基板と対向基板との間に液晶が介在される場合には、ＴＦＴ基板と対向基板との一方の基板上に、接着剤となるシール材が、一部に注入口となる切り欠きを有するよう略周状に塗布され、このシール材が用いられてＴＦＴ基板に対し、対向基板が貼り合わされる。

次いで、アライメントが施されてそれぞれ圧着硬化された後、真空下においてＴＦＴ基板のシール材の注入口の近傍に、規定量の液晶がそれぞれ滴下され、その後、大気解放されることにより、注入口を介して液晶がＴＦＴ基板と対向基板との間にそれぞれ注入され、最後に、注入口が、封止材により封止されて、液晶パネルが製造される。製造された液晶パネルを具備する液晶装置は、その後、プロジェクタ等の電子機器に用いられる。

ところで、液晶装置製造後、例えば液晶装置をプロジェクタに用いる場合は、液晶装置に対して、投影検査等の各種検査が行われる。しかしながら、検査の結果、液晶パネルに不良が発生していた場合、例えばトランジスタ特性に異常が発生していた場合、トランジスタが形成されたＴＦＴ基板の製造Ｎｏ（以下、チップＮｏと称す）や、ＴＦＴ基板が構成されていた大板の製造Ｎｏ（以下、ウエハＮｏと称す）や、複数枚、例えば２０枚の大板を１組にした組毎の製造Ｎｏ（以下、ロットＮｏと称す）等の情報から、不良解析を行う必要が生じる。尚、不良解析は、製造後の検査に限らず、液晶装置を用いてプロジェクタを製造、販売した後、製品不良が発生した戻入品であっても同様に行う必要が生じる。

また、不良解析に留まらず、製造後の液晶パネルに用いるＴＦＴ基板のチップＮｏやウエハＮｏ、ロットＮｏ等の情報を管理する、所謂トレーサビリティ管理を行うことは、液晶装置の製造を管理し、製造の歩留まりを向上させる上では大変重要である。

このような事情に鑑み、ＴＦＴ基板上に形成された各種薄膜の内、Ａｌ（アルミ）等の導電性薄膜における液晶パネルの表示領域外に位置に、チップＮｏやウエハＮｏ、ロットＮｏ、またはこれらの各種Ｎｏのいずれかの表示が、フォトエッチング等で形成されている構成が周知である。これらの各種Ｎｏを、ＴＦＴ基板の対向基板に対向する面側から観察することにより、製造者は、透明な各基板を介して各種Ｎｏを目視で視認でき、液晶装置製造後であっても、不良解析や、トレーサビリティ管理を容易に行うことができる。

また、特許文献１には、半導体チップに用いる基板の各種薄膜が形成される面側と反対側の面に、ロットＮｏや、機種名等の情報を表すバーコード表示が、印刷やレーザ加工により形成された構成が開示されている。バーコード表示を読み取ることにより、製造者は、各種Ｎｏや機種名等を把握でき、液晶装置製造後であっても、不良解析や、トレーサビリティ管理を容易に行うことができるようになっている。
特開２０００−２２８４８９号公報

ところが、液晶パネルの小型化を図ると、ＴＦＴ基板上に形成されるＡＬ等の導電性薄膜は、密集化してパターニングされるため、導電性薄膜に、チップＮｏやウエハＮｏ、ロットＮｏを形成するスペースが制限され、形成が困難になってしまうといった問題があった。

また、導電性薄膜に、チップＮｏやウエハＮｏ、ロットＮｏを形成する場合、各Ｎｏは、全てＮｏ数が異なるため、その都度Ｎｏ数を変えて形成しなければならず、形成に膨大な時間や費用を要してしまうといった問題があった。

また、特許文献１に開示されたバーコードを液晶装置に適用すれば、ＴＦＴ基板に対しバーコードの表示を１つ形成するのみで良いことから、形成に要する時間や費用を短縮化することができる。しかしながら、バーコードは、形成面積を要するため、液晶パネルの小型化を図ると、画像表示への影響やレーザ加工を行う際のトランジスタへの影響を考慮すると、バーコードをＴＦＴ基板のトランジスタが形成された領域外に形成しなければいけないことから、やはり、バーコードの形成領域が制限され、形成領域を確保することが困難になってしまうといった問題があった。

本発明は上記問題点に着目してなされたものであり、不良解析やトレーサビリティ管理に用いる情報を示す表示を、装置の小型化を図っても確実に基板に対し、省スペースにてトランジスタ形成領域外に形成でき、製造時の歩留まりを向上させることができる電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために本発明に係る電気光学装置は、第１の面側にトランジスタが形成された第１の基板と、該第１の基板の前記第１の面に対向する第２の基板との間に電気光学物質が介在された電気光学パネルを具備する電気光学装置であって、前記第１の基板における前記第１の面と反対側の第２の面において、平面視した状態で前記トランジスタが形成された第１の領域を避ける第２の領域の所定の位置に、２次元バーコードが形成されていることを特徴とする。

本発明によれば、トレーサビリティ管理や不良解析に用いる情報を２次元バーコードで表示することで、電気光学パネルの小型化を図っても、２次元バーコードを、確実に、第１の基板の第２の面に対し、トランジスタ形成領域外の所定の位置に省スペースにて形成することができる。よって、読み取った２次元バーコードから第１の基板の不良解析が行いやすくなるばかりか、第１の基板のトレーサビリティ管理が行いやすくなるため、電気光学パネル製造の際の歩留まりの向上が図られた電気光学装置を提供することができるといった効果を有する。

また、第１の面側にトランジスタが形成された第１の基板と、該第１の基板の前記第１の面に対向する第２の基板との間に電気光学物質が介在された電気光学パネルを具備する電気光学装置であって、前記第１の基板における前記第１の面と反対側の第２の面に、第３の基板が貼着されており、前記第３の基板における前記第１の基板に貼着された第３の面と反対側の第４の面において、平面視した状態で前記トランジスタが形成された第１の領域を避ける第２の領域の所定の位置に、２次元バーコードが形成されていることを特徴とする。

本発明によれば、トレーサビリティ管理や不良解析に用いる情報を２次元バーコードで表示することで、電気光学パネルの小型化を図っても、２次元バーコードを、確実に、第３の基板の第４の面に対し、トランジスタ形成領域外の所定の位置に省スペースにて形成することができる。よって、読み取った２次元バーコードから第１の基板の不良解析が行いやすくなるばかりか、第１の基板のトレーサビリティ管理が行いやすくなるため、電気光学パネル製造の際の歩留まりの向上が図られた電気光学装置を提供することができるといった効果を有する。

さらに、前記所定の位置は、前記第１の基板と前記第２の基板とを電気的に接続する上下導通材が電気的に接続された、前記第１の基板の前記第１の面側に形成された上下導通端子に対し、平面視した状態で重なる位置であることを特徴とする。

本発明によれば、トレーサビリティ管理や不良解析に用いる情報を表示する２次元バーコードを、第１の基板の第２の面における上下導通端子に対し平面視した状態で重なる位置に形成することができることから、電気光学パネルの小型化を図っても、形成領域を確保して、２次元バーコードを、第１の基板に対し、確実に、省スペースにてトランジスタ形成領域外に形成することができるといった効果を有する。

また、前記所定の位置は、前記電気光学パネルを他の機器と電気的に接続する基板が電気的に接続される、前記第１の基板の前記第１の面側に形成された外部接続端子に対し、平面視した状態で重なる位置であることを特徴とする。

本発明によれば、トレーサビリティ管理や不良解析に用いる情報を表示する２次元バーコードを、第１の基板の第２の面における外部接続端子に対し平面視した状態で重なる位置に形成することができることから、電気光学パネルの小型化を図っても、形成領域を確保して、２次元バーコードを、第１の基板に対し、確実に、省スペースにてトランジスタ領域外に形成することができるといった効果を有する。

さらに、前記第１の基板の前記第１の面側に、前記トランジスタを前記第２の面側から平面視した状態で覆って遮光する遮光膜が形成されており、前記遮光膜の一部が、前記第２の領域の前記所定の位置において島状に形成されていることを特徴とする。

本発明によれば、２次元バーコードと平面視した状態で重なる位置に遮光膜の一部が島状に形成されていることにより、第１の面側に形成された島状の遮光膜は、第２の面に形成された２次元バーコードに対して、透明な第１の基板上の第１の面側の遮光膜の上層に形成された配線等を遮光することから、配線等の影響なく、確実に、２次元バーコードを、第２の面側から読み取ることができるといった効果を有する。

また、前記２次元バーコードは、前記第１の基板の製造ナンバと、前記第１の基板が構成される大板の製造ナンバと、複数枚の前記大板を１組にした組毎の製造ナンバとを表していることを特徴とする。

本発明によれば、電気光学パネルの小型化を図っても、第１の基板の製造ナンバと、第１の基板が複数構成される大板の製造ナンバと、複数枚の大板を１組にした組毎の製造ナンバとを表示するトレーサビリティ管理や不良解析に用いる２次元バーコードを、確実に、省スペースにて第１の基板の第２の面におけるトランジスタ領域外の所定の位置に形成することができる。よって、２次元バーコードから第１の基板の不良解析が行いやすくなるばかりか、第１の基板のトレーサビリティ管理が行いやすくなるため、電気光学パネル製造の際の歩留まりの向上が図られた電気光学装置を提供することができるといった効果を有する。

本発明に係る電気光学装置の製造方法は、第１の面側にトランジスタが形成された第１の基板に、前記第１の面に対向するよう第２の基板を貼り合わせる貼着工程と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に、電気光学物質を介在させる電気光学物質介在工程と、前記第１の基板を該第１の基板が構成された大板から分断する分断工程と、を具備し、前記電気光学物質介在工程後、前記分断工程に先立って、前記第１の基板の前記第１の面と反対側の第２の面に対し、平面視した状態で前記トランジスタが形成された第１の領域を避ける第２の領域の所定の位置に、２次元バーコードを形成する２次元バーコード形成工程を具備していることを特徴とする。

本発明によれば、トレーサビリティ管理や不良解析に用いる情報を２次元バーコードで表示することで、電気光学パネルの小型化を図っても、２次元バーコードを、確実に、第１の基板の第２の面のトランジスタ領域外の所定の位置に省スペースにて形成することができる。よって、読み取った２次元バーコードから第１の基板の不良解析が行いやすくなるばかりか、第１の基板のトレーサビリティ管理が行いやすくなるため、電気光学パネル製造の際の歩留まりの向上を図ることができる電気光学装置の製造方法を提供することができるといった効果を有する。

また、本発明に係る電気光学装置の製造方法は、第１の面側にトランジスタが形成された第１の基板に、前記第１の面に対向するよう第２の基板を貼り合わせる第１の貼着工程と、前記第１の基板の前記第１の面と反対側の第２の面に、第３の基板を貼り合わせる第２の貼着工程と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に、電気光学物質を介在させる電気光学物質介在工程と、前記第１の基板及び前記第３の基板を、前記第１の基板及び前記第３の基板が構成された各大板からそれぞれ分断する分断工程と、を具備し、前記電気光学物質介在工程後、前記分断工程に先立って、前記第３の基板の前記第１の基板に対向する第３の面と反対側の第４の面に対し、平面視した状態で前記トランジスタが形成された第１の領域を避ける第２の領域の所定の位置に、２次元バーコードを形成する２次元バーコード形成工程を具備していることを特徴とする。

本発明によれば、トレーサビリティ管理や不良解析に用いる情報を２次元バーコードで表示することで、電気光学パネルの小型化を図っても、２次元バーコードを、確実に、第３の基板の第４の面のトランジスタ領域外の所定の位置に省スペースにて形成することができることから、読み取った２次元バーコードから第１の基板の不良解析が行いやすくなるばかりか、第１の基板のトレーサビリティ管理が行いやすくなるため、電気光学パネル製造の際の歩留まりの向上を図ることができる電気光学装置の製造方法を提供することができるといった効果を有する。

さらに、前記第１の基板の前記第１の面側に前記トランジスタを形成するに先立って、前記トランジスタを前記第２の面側から平面視した状態で覆って遮光する遮光膜を前記第１の面側に形成する工程を具備し、前記遮光膜を形成する工程において、前記第２の領域に形成される前記２次元バーコードを平面視した状態で覆う位置に、前記遮光膜の一部を島状に形成することを特徴とする。

本発明によれば、２次元バーコードと平面視した状態で重なる領域に遮光膜の一部を島状に形成することにより、２次元バーコードに対して透明な第１の基板上の第１の面側の遮光膜の上層に形成された配線等を遮光して、確実に、配線等の影響なく、２次元バーコードを、第２の面側から読み取らせる島状の遮光膜を、容易に形成することができるといった効果を有する。

本発明に係る電子機器は、請求項１〜６のいずれか１項に記載の電気光学装置を具備することを特徴とする。

本発明によれば、トレーサビリティ管理や不良解析に用いる情報を２次元バーコードで表示することで、電気光学パネルの小型化を図っても、２次元バーコードを、確実に、省スペースにて第１の基板のトランジスタ領域外の所定の位置に形成することができることから、読み取った２次元バーコードから第１の基板の不良解析が行いやすくなるばかりか、第１の基板のトレーサビリティ管理が行いやすくなるため、電気光学パネル製造の際の歩留まりの向上が図られた電気光学装置を具備する電子機器を提供することができるといった効果を有する。

以下、図面を参照にして本発明の実施の形態を説明する。尚、以下に示す実施の形態において電気光学装置は、光透過型の液晶装置を例に挙げて説明する。また、液晶装置において対向配置される一対の基板の内、一方の基板は、第１の基板である素子基板（以下、ＴＦＴ基板と称す）を、また他方の基板は、ＴＦＴ基板に対向する第２の基板である対向基板を例に挙げて説明する。

（第１実施の形態）
図１は、本実施の形態を示す液晶装置における液晶パネルの平面図、図２は、図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿って切断した液晶パネルの断面図、図３は、一つの画素に着目した図１の液晶パネルの模式的断面図である。

また、図４は、図２のＴＦＴ基板の第２の面に形成された２次元バーコードを示す拡大平面図、図５は、図２のＴＦＴ基板の第２の面における外部接続端子に平面視した状態で重なる領域に形成された２次元バーコードを示す部分拡大平面図、図６は、図２のＴＦＴ基板の第２の面における上下導通端子に平面視した状態で重なる領域に形成された２次元バーコードを示す部分拡大平面図である。

図１、図２に示すように、液晶パネル１００は、例えば、石英基板やガラス基板等を用いたＴＦＴ基板１０と、該ＴＦＴ基板１０に対向配置される、例えば石英基板やガラス基板等を用いた対向基板２０との間に、電気光学物質である液晶５０が介在されて構成される。対向配置されたＴＦＴ基板１０と対向基板２０とは、シール材５２によって貼り合わされている。

ＴＦＴ基板１０の液晶５０と接する領域に、液晶パネル１００の表示領域４０を構成するＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈが構成されている。また、ＴＦＴ基板１０の対向基板２０に対向する第１の面１０ｆ側の表示領域１０ｈに、画素を構成するとともに、後述する対向電極２１とともに液晶５０に駆動電圧を印加する、透明電極、例えばＩＴＯ膜から構成された画素電極９が平面視した状態でマトリクス状に配置されている。

また、対向基板２０のＴＦＴ基板１０に対向する面における液晶５０と接する領域に、液晶５０に画素電極９とともに駆動電圧を印加する透明電極、例えばＩＴＯ膜から構成された対向電極２１が全面に亘って設けられており、対向電極２１の表示領域１０ｈに対向する領域に、液晶パネル１００の表示領域４０を構成する対向基板２０の表示領域２０ｈが構成されている。

ＴＦＴ基板１０の画素電極９上に、ラビング処理が施された配向膜１６が設けられており、また、対向基板２０上の全面に渡って形成された対向電極２１上にも、ラビング処理が施された配向膜２６が設けられている。各配向膜１６，２６は、例えば、ポリイミド膜等の透明な有機膜からなる。尚、各配向膜１６、２６は、斜方蒸着されることによりラビング処理が不要な、ＳｉＯ_２やＳｉＯ等のシリコン酸化物等の絶縁物により構成された複数本の柱状構造を有する無機配向膜から構成されていても構わない。

また、ＴＦＴ基板１０の第１の面１０ｆ側における表示領域１０ｈにおいては、複数本の走査線１１ａ（図３参照）と複数本のデータ線６ａとが交差するように配線され、走査線１１ａとデータ線６ａとで区画された領域に画素電極９がマトリクス状に配置される。そして、走査線１１ａとデータ線６ａとの各交差部分に対応して薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）３０（図１、図３参照）が設けられ、このＴＦＴ３０毎に画素電極９が電気的に接続されている。

ＴＦＴ３０は走査線１１ａのＯＮ信号によってオンとなり、これにより、データ線６ａに供給された画像信号が画素電極９に供給される。この画素電極９と対向基板２０に設けられた対向電極２１との間の電圧が液晶５０に印加される。

対向基板２０に、液晶パネル１００の表示領域４０を規定する額縁としての遮光膜５３が設けられている。

液晶５０がＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間に、既知の液晶注入方式で注入される場合、シール材５２は、シール材５２の１辺の一部において欠落して塗布されている。

シール材５２の欠落した箇所は、該欠落した箇所から貼り合わされたＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間において、シール材５２により囲まれた領域に液晶５０を注入するための切り欠きである液晶注入口１０８を構成している。液晶注入口１０８は、液晶注入後、封止剤１０９によって封止される。

シール材５２の外側の領域に、ＴＦＴ基板１０のデータ線６ａに画像信号を所定のタイミングで供給して該データ線６ａを駆動するドライバであるデータ線駆動回路１０１と外部回路との接続のための外部接続端子１０２とが、ＴＦＴ基板１０の液晶注入口１０８が位置する１辺に沿って設けられている。尚、外部接続端子１０２は、対向基板２０に設けられていても構わない。

外部接続端子１０２に、液晶パネル１００を、他の機器であるプロジェクタ等の電子機器と電気的に接続する、図示しない特定の長さを有する柔軟なフレキシブル配線基板（Flexible Printed Circuits、以下ＦＰＣと称す）の一端が接続される。ＦＰＣの他端がプロジェクタ等の電子機器に接続されることにより、液晶パネル１００と電子機器とは電気的に接続される。

外部接続端子１０２が設けられたＴＦＴ基板１０の１辺に隣接する２辺に沿って、ＴＦＴ基板１０の走査線１１ａ及びゲート電極３ａに、走査信号を所定のタイミングで供給することにより、ゲート電極３ａを駆動するドライバである走査線駆動回路１０３、１０４が設けられている。走査線駆動回路１０３、１０４は、シール材５２の内側の遮光膜５３に対向する位置において、ＴＦＴ基板１０上に形成されている。

また、ＴＦＴ基板１０上に、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０３、１０４、外部接続端子１０２及び上下導通端子１０７を接続する配線１０５が、遮光膜５３の３辺に対向して設けられている。

上下導通端子１０７は、シール材５２のコーナー部の４箇所のＴＦＴ基板１０上の第１の面１０ｆ側に形成されている。そして、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０相互間に、下端が上下導通端子１０７に接触し上端が対向電極２１に接触する上下導通材１０６が設けられており、該上下導通材１０６によって、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通がとられている。

また、図３に示すように、各種薄膜形成前の、石英基板、ガラス、シリコン基板等のＴＦＴ基板１０を構成する基板の第１の面１０ｆ上に、ＴＦＴ３０や画素電極９の他、これらを含む各種の構成が積層構造をなして備えられている。尚、この積層構造、及び積層された各層の機能は周知であるため、概略的に説明する。

この積層構造は、下から順に、走査線１１ａを含む第１層、ゲート電極３ａを具備するＴＦＴ３０等を含む第２層、蓄積容量７０を含む第３層、データ線６ａ等を含む第４層、シールド層４００等を含む第５層、画素電極９及び配向膜１６等を含む第６層から構成されている。また、各層間には、後述する層間絶縁膜がそれぞれ設けられており、前述の各要素間が短絡することを防止している。

第１層に、例えば、タングステンシリサイドからなる走査線１１ａが所定の形状にパターニングされて形成されている。また、走査線１１ａは、ＴＦＴ３０にＴＦＴ基板１０の第２の面１０ｒ側から入射しようとする光を遮る遮光機能をも有している。即ち、走査線１１ａは、遮光膜として機能している。よって、走査線１１ａは、光を遮るため、ＴＦＴ３０を平面視した状態で覆うようパターニングされて形成されている。

走査線１１ａ上に、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる下地絶縁膜１２が、例えば、常圧または減圧ＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)法等により形成されている。

第２層に、ゲート電極３ａを含むＴＦＴ３０が設けられている。ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）構造を有しており、例えばポリシリコン膜等の結晶化シリコン膜からなる半導体層１と、ゲート電極３ａと、半導体層１を平面視した状態で覆うことによりゲート電極３ａと半導体層１とを絶縁するゲート絶縁膜２とから主要部が構成されている。

尚、ゲート絶縁膜２は、多層から構成されていても構わない。さらに、ゲート電極３ａは、ゲート絶縁膜２上において、後述するチャネル領域１ａに対向するとともにチャネル領域１ａを平面視した状態で覆う位置に設けられている。

半導体層１は、ゲート電極３ａからの電界によりチャネルが形成されるチャネル領域１ａと、ソース領域におけるＬＤＤ領域を構成する低濃度ソース領域１ｂと、ドレイン領域におけるＬＤＤ領域を構成する低濃度ドレイン領域１ｃと、ソース領域を構成する高濃度ソース領域１ｄと、ドレイン領域を構成する高濃度ドレイン領域１ｅとを備えている。そして、この第２層に、上述のゲート電極３ａと同一膜として中継電極７１９が形成されている。

下地絶縁膜１２に、平面的にみて半導体層１の両脇に、データ線６ａに沿って延びる半導体層１のチャネル長と同じ幅の溝（コンタクトホール）１２ｃｖが掘られている。該コンタクトホール１２ｃｖにより、同一行の走査線１１ａとゲート電極３ａとは同電位となる。

第３層に、容量部である蓄積容量７０が設けられている。蓄積容量７０は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９に接続された下部電極７１と、容量電極３００とが、容量となる誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。

ＴＦＴ３０ないしゲート電極３ａ及び中継電極７１９の上、かつ、蓄積容量７０の下に、例えば、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる第１層間絶縁膜４１が形成されている。

第１層間絶縁膜４１に、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続するために介在されるコンタクトホール８１が、第２層間絶縁膜４２を貫通しつつ開孔されている。

また、第１層間絶縁膜４１に、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと蓄積容量７０を構成する下部電極７１とを電気的に接続するために介在されるコンタクトホール８３が開孔されている。

さらに、この第１層間絶縁膜４１に、下部電極７１と中継電極７１９とを電気的に接続するために介在されるコンタクトホール８８１が開孔されている。更に加えて、第１層間絶縁膜４１に、中継電極７１９と第２中継層６１とを電気的に接続するために介在されるコンタクトホール８８２が、第２層間絶縁膜４２を貫通しつつ開孔されている。

第４層に、データ線６ａが設けられている。このデータ線６ａは、下層より順に、アルミニウム層４１Ａ、窒化チタン層４１ＴＮ、窒化シリコン膜層４０１の三層構造を有する膜として形成されている。

また、この第４層に、データ線６ａと同一膜として、シールド層用中継層６０及び第２中継層６１が形成されている。また、第２層間絶縁膜４２に、シールド層用中継層６０と容量電極３００とを電気的に接続するために介在されるコンタクトホール８０１が開孔されている。

第５層に、シールド層４００が形成されている。また、第５層に、このようなシールド層４００と同一膜として、中継層としての第３中継電極４０２が形成されている。

第３層間絶縁膜４３に、シールド層４００とシールド層用中継層６０とを電気的に接続するために介在されるコンタクトホール８０３、及び第３中継電極４０２と第２中継層６１とを電気的に接続するために介在されるコンタクトホール８０４がそれぞれ開孔されている。

第６層に、上述したように画素電極９がマトリクス状に形成され、該画素電極９上に配向膜１６が形成されている。そして、この画素電極９下に、第４層間絶縁膜４４が形成されている。また、第４層間絶縁膜４４に、画素電極９及び第３中継電極４０２間を電気的に接続するために介在されたコンタクトホール８９が開孔されている。

尚、上述した液晶パネルの積層構造は、上記実施形態のような形態に限定されるものではなく、別の種々の形態が考えられ得る。

図１、図２に戻って、ＴＦＴ基板１０の第１の面１０ｆと反対側の第２の面１０ｒにおいて、平面視した状態で表示領域１０ｈに略等しいＴＦＴ３０が形成された第１の領域１７０を避ける第２の領域１８０の所定の位置に、２次元バーコード７７が形成されている。尚、図１においては、第２の領域１８０を、ドットを付与した領域で示す。

具体的には、図５に示すように、ＴＦＴ基板１０の第２の面１０ｒにおいて、平面視した状態で、第２の領域１８０に位置する外部接続端子１０２と重なる位置１８１に、２次元バーコード７７の表示が形成されている。

尚、２次元バーコード７７は、図６に示すように、ＴＦＴ基板１０の第２の面１０ｒにおいて、平面視した状態で、第２の領域１８０に位置する上下導通端子１０７と重なる位置１８２に形成されていても構わない。

また、図４に示すように、２次元バーコード７７は、既知のマトリックス式の２次元バーコードから構成されており、ＴＦＴ基板１０の第２の面１０ｒの第２の領域１８０における所定の位置において、例えば炭酸ガスレーザで印字されることにより、例えば１ｍｍ×１ｍｍの大きさに形成されている。

尚、２次元バーコード７７は、炭酸ガスレーザに限らず、既知のステッパやフォト露光タイプのナンバリング装置により形成されていても構わない。また、２次元バーコード７７は、印字に限らず、金属膜をレーザ等で蒸着することにより形成されていても構わない。さらに、２次元バーコード７７は、図４に示すようなマトリックス式に限らず、既知のスタック式の２次元バーコードから構成されていても構わない。

２次元バーコード７７は、ＴＦＴ基板１０のトレーサビリティ管理や不良解析に用いる情報であるＴＦＴ基板１０のチップＮｏや、ＴＦＴ基板１０が複数構成された大板のウエハＮｏや、複数枚、例えば２０枚のＴＦＴ基板１０が複数構成された大板を１組にしたロットＮｏを表している。

尚、このように形成された２次元バーコード７７は、図２に示すように、ＴＦＴ基板１０の第２の面１０ｒ側から、既知の読み取り機により読み取られる。

次に、このように構成された液晶パネル１００の製造方法を、図７を用いて概略的に説明する。図７は、本実施の形態の液晶パネルの製造方法を概略的に示すフローチャートである。

先ず、図７に示すように、ステップＳ１において、上述した図３に示したように、第１の面１０ｆ側に複数の薄膜が配向膜１６まで形成されたＴＦＴ基板１０に対し、複数の薄膜が配向膜２６まで形成された対向基板２０を、シール材５２を介して貼り合わせる貼着工程を行う。尚、この際、ＴＦＴ基板１０は、大板に複数構成されている。よって、貼着工程は、大板に複数構成されたＴＦＴ基板１０に対して、チップ状の対向基板２０を各ＴＦＴ基板１０に対向するようそれぞれ貼り合わせるか、大板に複数構成された各対向基板２０を、大板に複数構成された各ＴＦＴ基板１０にそれぞれ対向するよう貼り合わせるかによって行う。

次いで、ステップＳ２において、液晶注入方式であれば、上述したように、液晶注入口１０８から、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間において、シール材５２により囲まれた領域に液晶５０を注入して、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間に液晶５０を介在させる電気光学物質介在工程である液晶介在工程を行う。尚、液晶５０を介在させた後、液晶注入口１０８は、封止剤１０９によって封止される。また、液晶介在工程は、ＴＦＴ基板１０に対向基板２０が貼着された複数の組毎に行われる。

次いで、ステップＳ３において、ＴＦＴ基板１０の第２の面１０ｒの第２の領域１８０の所定の位置に、２次元バーコード７７を形成する２次元バーコード形成工程を行う。具体的には、ＴＦＴ基板１０の第２の面１０ｒにおいて、図５に示すように、平面視した状態で、第２の領域１８０に位置する外部接続端子１０２と重なる位置１８１に、例えば炭酸ガスレーザを用いて、チップＮｏ、ウエハＮｏ、ロットＮｏを表す図４に示すようなマトリックス式の２次元バーコード７７を、例えば１ｍｍ×１ｍｍの大きさに印字により形成する。

尚、２次元バーコード７７は、図６に示すように、ＴＦＴ基板１０の第２の面１０ｒにおいて、平面視した状態で、第２の領域１８０に位置する上下導通端子１０７と重なる位置１８２に形成しても構わない。また、２次元バーコード形成工程は、大板に複数構成された各ＴＦＴ基板１０の第２の面１０ｒの第２の領域１８０に対してそれぞれ行う。

ここで、２次元バーコードを、第２の領域１８０の所定の位置に形成するのは、ＴＦＴ３０が形成された第１の領域１７０に形成すると、画像表示の妨げになる他、レーザにより、ＴＦＴ３０にダメージを与えてしまう場合がある。さらには、ＴＦＴ基板１０の第２の面１０ｒにおける表示領域１０ｈに、２次元バーコードの形成に伴う塵埃等が付着してしまい、表示不良が発生してしまう場合があるためである。

また、２次元バーコードの形成を、貼着工程、液晶介在工程よりも後の工程で行うのは、２次元バーコードの形成に伴う塵埃等が、貼り合わせ前のＴＦＴ基板１０及び対向基板２０の各表示領域１０ｈ、２０ｈに付着してしまい、貼り合わせ後の液晶パネル１００に表示不良が発生してしまうことを防止するためである。

最後に、ステップＳ４において、ＴＦＴ基板１０が複数構成された大板から、対向基板２０が貼着された複数のＴＦＴ基板１０を、それぞれ分断する分断工程を行う。尚、対向基板２０も大板に複数構成されておれば、この分断工程において、大板から対向基板２０を複数分断する。

このように、本実施の形態においては、ＴＦＴ基板１０の第２の面１０ｒの第２の領域の所定の位置に、チップＮｏ、ウエハＮｏ、ロットＮｏを表す２次元バーコード７７が形成されていると示した。

このことによれば、ＴＦＴ基板１０のトレーサビリティ管理や不良解析に用いるＴＦＴ基板１０のチップＮｏ、ウエハＮｏ、ロットＮｏを表す２次元バーコード７７を、第２の面１０ｒにおける第２の領域１８０に形成できることから、液晶パネル１００の小型化を図っても、２次元バーコード７７を、省スペースにて確実に、形成領域が制限されることなく、ＴＦＴ基板１０に対し形成することができる。

よって、２次元バーコード７７が、ＴＦＴ基板１０に形成できることから、液晶パネル１００製造後であっても、２次元バーコード７７から、ＴＦＴ基板１０のチップＮｏ、ウエハＮｏ、ロットＮｏを読み取ることができる。よって、ＴＦＴ基板１０の不良解析が行いやすくなるばかりか、ＴＦＴ基板１０のトレーサビリティ管理が行いやすくなるため、液晶パネル１００製造の際の歩留まりの向上が図られた液晶装置を提供することができる。

また、本実施の形態においては、２次元バーコード７７が形成される第２の領域１８０の所定の位置は、図５に示すように、ＴＦＴ基板１０の第２の面１０ｒにおいて、平面視した状態で、第２の領域１８０に位置する外部接続端子１０２と重なる位置１８１であると示した。

さらに、本実施の形態においては、２次元バーコード７７が形成される第２の領域１８０の所定の位置は、図６に示すように、ＴＦＴ基板１０の第２の面１０ｒにおいて、平面視した状態で、第２の領域１８０に位置する上下導通端子１０７と重なる位置１８２であると示した。

このことによれば、液晶パネル１００の小型化を図っても、２次元バーコード７７を、形成領域を確保して、省スペースにて確実に、ＴＦＴ基板１０に対し形成することができる。

また、本実施の形態においては、ＴＦＴ基板１０のチップＮｏ、ウエハＮｏ、ロットＮｏを、１つの２次元バーコード７７で表すことができることから、各Ｎｏを形成する際の印字時間を、各Ｎｏをそれぞれ別途に印字するよりも短縮することができ、製造効率が向上する。

（第２実施の形態）
図８は、本実施の形態を示す液晶パネルの断面図である。

この第２実施の形態の液晶パネルの構成は、上述した第１実施の形態の液晶パネルと比して、２次元バーコード７７が、防塵用基板に形成されている点のみが異なる。よって、この相違点のみを説明し、第１実施の形態の液晶パネル１００と同様の構成部材には、同じ符号を付し、その説明は省略する。

図８に示すように、液晶パネル２００のＴＦＴ基板１０の第２の面１０ｒに、該第２の面１０ｒを保護する第３の基板である防塵用基板１５０が貼着されている。尚、対向基板２０のＴＦＴ基板１０に対向する面と反対側の面２０ｒにも、該面２０ｒを保護する防塵用基板２５０が貼着されている。

また、防塵用基板１５０の第２の面１０ｒに貼着された第３の面１５０ｆと反対側の第４の面１５０ｒにおいて、平面視した状態で第１の領域１７０を避ける第２の領域１８０の所定の位置に、上述した２次元バーコード７７が形成されている。

尚、２次元バーコード７７及び該２次元バーコード７７を形成する第２の領域１８０の所定の位置に対する具体的な位置については、上述した第１実施の形態と同様であるため、その説明は省略する。

次に、このように構成された液晶パネル２００の製造方法を、図９を用いて概略的に説明する。図９は、本実施の形態の液晶パネルの製造方法を概略的に示すフローチャートである。

先ず、図９に示すように、ステップＳ１１において、上述した図３に示したように、第１の面１０ｆ側に、複数の薄膜が配向膜１６まで形成されたＴＦＴ基板１０に対し、複数の薄膜が配向膜２６まで形成された対向基板２０を、シール材５２を介して貼り合わせる第１の貼着工程を行う。尚、この際、ＴＦＴ基板１０は、大板に複数構成されている。よって、第１の貼着工程は、大板に複数構成されたＴＦＴ基板１０に対して、チップ状の対向基板２０を各ＴＦＴ基板１０に対向するようそれぞれ貼り合わせるか、大板に複数構成された各対向基板２０を、大板に複数構成された各ＴＦＴ基板１０にそれぞれ対向するよう貼り合わせるかによって行う。

次いで、ステップＳ１２において、ＴＦＴ基板１０の第２の面１０ｒに、防塵用基板１５０を貼着する第２の貼着工程を行う。尚、この第２の貼着工程において、対向基板２０の面２０ｒにも、防塵用基板２５０を貼着する。

また、防塵用基板１５０は、チップ状のものを、ＴＦＴ基板１０に貼着しても構わないし、大板状のものをＴＦＴ基板１０に貼着しても構わない。さらに、対向基板２０も同様であって、対向基板２０がチップ状であれば、対向基板２０にチップ状の防塵用基板２５０を貼着し、対向基板２０が大板に複数構成されておれば、対向基板２０が複数構成された大板に大板状の防塵用基板２５０を貼着する。

次いで、ステップＳ２において、上述した液晶介在工程を行い、次いで、ステップＳ１３において、防塵用基板１５０の第４の面１５０ｒの第２の領域１８０の所定の位置に、２次元バーコード７７を形成する２次元バーコード形成工程を行う。尚、本実施の形態における２次元バーコードを形成する手法は、上述した第１実施の形態の手法と同様であるため、その説明は省略する。

最後に、ステップＳ１４において、ＴＦＴ基板１０が複数構成された大板から、対向基板２０が貼着された複数のＴＦＴ基板１０を、それぞれ分断する分断工程を行う。尚、対向基板２０も大板に複数構成されておれば、ステップＳ１４の分断工程において、大板から対向基板２０を複数分断する。また、防塵用基板１５０、２５０も各大板に複数構成されておれば、ステップＳ１４の分断工程において、各大板から防塵用基板１５０、２５０をそれぞれ複数分断する。

このように、本実施の形態においては、防塵用基板１５０の第４の面１５０ｒの第２の領域の所定の位置に、チップＮｏ、ウエハＮｏ、ロットＮｏを表す２次元バーコード７７が形成されていると示した。

このことによれば、ＴＦＴ基板１０のトレーサビリティ管理や不良解析に用いるＴＦＴ基板１０のチップＮｏ、ウエハＮｏ、ロットＮｏを表す２次元バーコード７７を、防塵用基板１５０の第４の面１５０ｒにおける第２の領域１８０の所定の位置に形成できることから、液晶パネル２００の小型化を図っても、形成領域が制限されることなく２次元バーコード７７を、省スペースにて確実に、防塵用基板１５０に対し形成することができる。

よって、２次元バーコード７７が、防塵用基板１５０に形成できることから、液晶パネル２００製造後であっても、２次元バーコード７７から、ＴＦＴ基板１０のチップＮｏ、ウエハＮｏ、ロットＮｏを読み取ることができるため、ＴＦＴ基板１０の不良解析が行いやすくなるばかりか、ＴＦＴ基板１０のトレーサビリティ管理が行いやすくなるため、液晶パネル２００製造の際の歩留まりの向上が図られた液晶装置を提供することができる。尚、その他の効果は、上述した第１実施の形態と同様である。

尚、以下、図１０、図１１を参照して、変形例を説明する。図１０は、２次元バーコードを平面視した状態で覆う島状の遮光膜がＴＦＴ基板の第１の面側に形成されている変形例を示すＴＦＴ基板の部分拡大平面図、図１１は、図１０中のＸＩ−ＸＩ線に沿うＴＦＴ基板の部分断面図である。

上述した第１実施の形態において、ＴＦＴ基板１０の第２の面１０ｒに形成された２次元バーコード７７を、図示しない読み取り機で読み取る際、ＴＦＴ基板１０は、石英等の透明な基板から構成されているため、ＴＦＴ基板１０の第１の面１０ｆ側に積層された配線パターン１９０等も第２の面１０ｒ側から視認可能であることから、読み取りの際のピントが、例えば外部接続端子１０２周辺の配線１９０等に焦合してしまい、２次元バーコードが読み取り難い場合がある。

そこで、図１０、図１１に示すように、ＴＦＴ基板１０における第１の面１０ｆの第２の領域１８０の所定の位置に対し、平面視した状態で２次元バーコード７７を覆うように、島状の遮光膜１１０が形成されていても構わない。

尚、島状の遮光膜１１０は、上述した遮光膜を兼ねた走査線１１ａ（図３参照）と同一層に形成されている。即ち、島状の遮光膜１１０は、走査線１１ａを形成する工程において、同時に形成される。その結果、島状の遮光膜１１０は、走査線１１ａと同一材料から形成されている。

その後、２次元バーコード７７を上述したようにＴＦＴ基板１０の第２の面１０ｒの第２の領域１８０の所定の位置に対し形成する場合は、第２の面１０ｒに対し平面視した状態で島状の遮光膜１１０と重なる位置に形成する。

このように、ＴＦＴ基板１０の第１の面１０ｆ側の、２次元バーコード７７と平面視した状態で重なる位置に、島状の遮光膜１１０が形成されておれば、第１の面１０ｆ側に形成された島状の遮光膜１１０は、第２の面１０ｒに形成された２次元バーコード７７に対して、ＴＦＴ基板１０上の第１の面１０ｆ側の島状の遮光膜１１０の上層に形成された、例えば外部接続端子１０２周辺の配線１９０等を遮光する。よって、島状の遮光膜１１０を第１の面１０ｆ側に設ければ、配線１９０等の影響なく、確実に、２次元バーコード７７を、第２の面１０ｒ側から読み取ることができる。

尚、以上の図１０、図１１に示した構成は、上述した第２実施の形態に適用する場合であっても同様である。

また、上述した第１実施の形態及び第２実施の形態においては、２次元バーコード７７は、ＴＦＴ基板１０のチップＮｏ、ウエハＮｏ、ロットＮｏを表していると示したが、これに限らず、ＴＦＴ基板１０の不良解析や、トレーサビリティ管理に用いられる情報であれば、上述したＮｏ以外の他の情報を表していても構わない。

さらに、上述した第１実施の形態及び第２実施の形態においては、２次元バーコード７７を形成する第２の領域１８０の所定の位置として、図５に示すような平面視した状態で、外部接続端子１０２と重なる位置１８１や、図６に示すような平面視した状態で、上下導通端子１０７と重なる位置１８２を例に挙げて示したが、これに限らず、第２の領域１８０上であれば、２次元バーコード７７を、どこに形成しても構わないということは勿論である。

また、液晶パネルは、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上述した液晶装置は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールを例に挙げて説明したが、これに限らず、ＴＦＤ（薄膜ダイオード）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールであっても構わない。

さらに、本実施の形態においては、電気光学装置は、液晶装置を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されず、エレクトロルミネッセンス装置、特に、有機エレクトロルミネッセンス装置、無機エレクトロルミネッセンス装置等や、プラズマディスプレイ装置、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）装置、ＳＥＤ(Ｓｕｒｆａｃｅ−Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−Ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌａｙ)装置、ＬＥＤ（発光ダイオード）表示装置、電気泳動表示装置、薄型のブラウン管または液晶シャッター等を用いた小型テレビを用いた装置などの各種の電気光学装置に適用できる。

また、電気光学装置は、半導体基板に素子を形成する表示用デバイス、例えばＬＣＯＳ（Liquid Crystal On Silicon）等であっても構わない。ＬＣＯＳでは、素子基板として単結晶シリコン基板を用い、画素や周辺回路に用いるスイッチング素子としてトランジスタを単結晶シリコン基板に形成する。また、画素には、反射型の画素電極を用い、画素電極の下層に画素の各素子を形成する。

また、電気光学装置は、片側の基板の同一層に、一対の電極が形成される表示用デバイス、例えばＩＰＳ（In-Plane Switching）や、片側の基板において、絶縁膜を介して一対の電極が形成される表示用デバイスＦＦＳ（Fringe Field Switching）等であっても構わない。

さらに、本発明の液晶装置が用いられる電子機器としては、投写型表示装置、具体的には、プロジェクタが挙げられる。図１２は、図１の液晶装置が３つ配設されたプロジェクタの構成を示す図である。

同図に示すように、プロジェクタ１１００に、液晶パネル１００を具備する液晶装置は、各々ＲＧＢ用のライトバルブとして、例えば３つ（１００Ｒ’，１００Ｇ’，１００Ｂ’）配設されている。

プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投写光が発せされると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によって、ＲＧＢの３原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ、Ｂに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ’，１００Ｇ’，１００Ｂ’に各々導かれる。

この際、特にＢ光は、長い光路による光損失を防ぐため、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。

そして、ライトバルブ１００Ｒ’，１００Ｇ’，１００Ｂ’により各々変調された３原色に対応する光成分は、ダイクロイックプリズム１１１２により再度合成された後、投写レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー画像として投写される。

本実施の形態を示す液晶装置における液晶パネルの平面図。 図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿って切断した液晶パネルの断面図。 一つの画素に着目した図１の液晶パネルの模式的断面図。 図２のＴＦＴ基板の第２の面に形成された２次元バーコードを示す拡大平面図。 図２のＴＦＴ基板の第２の面における外部接続端子に平面視した状態で重なる領域に形成された２次元バーコードを示す部分拡大平面図。 図２のＴＦＴ基板の第２の面における上下導通端子に平面視した状態で重なる領域に形成された２次元バーコードを示す部分拡大平面図。 第１実施の形態の液晶パネルの製造方法を概略的に示すフローチャート。 本実施の形態を示す液晶パネルの断面図。 第２実施の形態の液晶パネルの製造方法を概略的に示すフローチャート。 ２次元バーコードを平面視した状態で覆う島状の遮光膜がＴＦＴ基板の第１の面側に形成されている変形例を示すＴＦＴ基板の部分拡大平面図。 図１０中のＸＩ−ＸＩ線に沿うＴＦＴ基板の部分断面図。 図１の液晶装置が３つ配設されたプロジェクタの構成を示す図。

符号の説明

１０…ＴＦＴ基板、１０ｆ…第１の面、１０ｒ…第２の面、２０…対向基板、３０…ＴＦＴ、５０…液晶、７７…２次元バーコード、１００…液晶パネル、１０２…外部接続端子、１０６…上下導通材、１０７…上下導通端子、１１０…島状の遮光膜、１５０…防塵用基板、１５０ｆ…第３の面、１５０ｒ…第４の面、１７０…第１の領域、１８０…第２の領域、２００…液晶パネル、１１００…プロジェクタ。

Claims (10)

1. 第１の面側にトランジスタが形成された第１の基板と、該第１の基板の前記第１の面に対向する第２の基板との間に電気光学物質が介在された電気光学パネルを具備する電気光学装置であって、
   前記第１の基板における前記第１の面と反対側の第２の面において、平面視した状態で前記トランジスタが形成された第１の領域を避ける第２の領域の所定の位置に、２次元バーコードが形成されていることを特徴とする電気光学装置。
2. 第１の面側にトランジスタが形成された第１の基板と、該第１の基板の前記第１の面に対向する第２の基板との間に電気光学物質が介在された電気光学パネルを具備する電気光学装置であって、
   前記第１の基板における前記第１の面と反対側の第２の面に、第３の基板が貼着されており、
   前記第３の基板における前記第１の基板に貼着された第３の面と反対側の第４の面において、平面視した状態で前記トランジスタが形成された第１の領域を避ける第２の領域の所定の位置に、２次元バーコードが形成されていることを特徴とする電気光学装置。
3. 前記所定の位置は、前記第１の基板と前記第２の基板とを電気的に接続する上下導通材が電気的に接続された、前記第１の基板の前記第１の面側に形成された上下導通端子に対し、平面視した状態で重なる位置であることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
4. 前記所定の位置は、前記電気光学パネルを他の機器と電気的に接続する基板が電気的に接続される、前記第１の基板の前記第１の面側に形成された外部接続端子に対し、平面視した状態で重なる位置であることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
5. 前記第１の基板の前記第１の面側に、前記トランジスタを前記第２の面側から平面視した状態で覆って遮光する遮光膜が形成されており、
   前記遮光膜の一部が、前記第２の領域の前記所定の位置において島状に形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の電気光学装置。
6. 前記２次元バーコードは、前記第１の基板の製造ナンバと、前記第１の基板が構成される大板の製造ナンバと、複数枚の前記大板を１組にした組毎の製造ナンバとを表していることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の電気光学装置。
7. 第１の面側にトランジスタが形成された第１の基板に、前記第１の面に対向するよう第２の基板を貼り合わせる貼着工程と、
   前記第１の基板と前記第２の基板との間に、電気光学物質を介在させる電気光学物質介在工程と、
   前記第１の基板を該第１の基板が構成された大板から分断する分断工程と、
   を具備し、
   前記電気光学物質介在工程後、前記分断工程に先立って、前記第１の基板の前記第１の面と反対側の第２の面に対し、平面視した状態で前記トランジスタが形成された第１の領域を避ける第２の領域の所定の位置に、２次元バーコードを形成する２次元バーコード形成工程を具備していることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
8. 第１の面側にトランジスタが形成された第１の基板に、前記第１の面に対向するよう第２の基板を貼り合わせる第１の貼着工程と、
   前記第１の基板の前記第１の面と反対側の第２の面に、第３の基板を貼り合わせる第２の貼着工程と、
   前記第１の基板と前記第２の基板との間に、電気光学物質を介在させる電気光学物質介在工程と、
   前記第１の基板及び前記第３の基板を、前記第１の基板及び前記第３の基板が構成された各大板からそれぞれ分断する分断工程と、
   を具備し、
   前記電気光学物質介在工程後、前記分断工程に先立って、前記第３の基板の前記第１の基板に対向する第３の面と反対側の第４の面に対し、平面視した状態で前記トランジスタが形成された第１の領域を避ける第２の領域の所定の位置に、２次元バーコードを形成する２次元バーコード形成工程を具備していることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
9. 前記第１の基板の前記第１の面側に前記トランジスタを形成するに先立って、前記トランジスタを前記第２の面側から平面視した状態で覆って遮光する遮光膜を前記第１の面側に形成する工程を具備し、
   前記遮光膜を形成する工程において、前記第２の領域に形成される前記２次元バーコードを平面視した状態で覆う位置に、前記遮光膜の一部を島状に形成することを特徴とする請求項７または８に記載の電気光学装置の製造方法。
10. 請求項１〜６のいずれか１項に記載の電気光学装置を具備することを特徴とする電子機器。

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