JP2009047880A - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】表示に影響を与えることなく視認性に優れたマークを得る。
【解決手段】第1の基板と第2の基板との間に電気光学物質が介在されて構成された電気光学パネル100と、前記第1及び第2の基板の少なくとも一方に取り付けられる第3の基板150,250と、前記第3の基板に設けられるマーク77とを具備したことを特徴とする。
【選択図】図1
【解決手段】第1の基板と第2の基板との間に電気光学物質が介在されて構成された電気光学パネル100と、前記第1及び第2の基板の少なくとも一方に取り付けられる第3の基板150,250と、前記第3の基板に設けられるマーク77とを具備したことを特徴とする。
【選択図】図1
Description
本発明は、製品の管理を容易にする電気光学装置及び電子機器に関する。
一般に電気光学装置、例えば、電気光学物質に液晶を用いて所定の表示を行う液晶装置は、一対の基板間に液晶が挟持された構成となっている。アクティブマトリクス駆動方式の液晶装置においては、一対の基板のうちの一方は、縦横に夫々配列された多数の走査線(ゲート線)及びデータ線(ソース線)の各交点に対応して、画素電極及びスイッチング素子が配列されたアクティブマトリクス基板であり、他方は、共通電極が形成された対向基板である。
TFT基板と、TFT基板に対向配置される対向基板とは、別々に製造される。両基板は、パネル組立工程において高精度に貼り合わされた後、液晶が封入される。パネル組立工程においては、先ず、各基板工程において夫々製造されたTFT基板と対向基板との対向面、即ち、対向基板及びTFT基板の液晶層と接する面上に配向膜が形成され、次いでラビング処理が行われる。
次に、一方の基板上の端辺に接着剤となるシール部が形成される。TFT基板と対向基板とをシール部を用いて貼り合わせ、アライメントを施しながら圧着硬化させるのである。こうして液晶装置が製造される。なお、液晶装置をプロジェクタ等に用いる場合には、液晶装置の表面へのゴミの付着による投影画像の品質低下を防止するために、液晶装置の表面に防塵ガラスを貼り付けて用いることが一般的である。
ところで、液晶装置製造後、投影検査等の各種検査が行われる。しかしながら、検査の結果、液晶パネルに不良が発生していた場合、例えばトランジスタ特性に異常が発生していた場合には、トランジスタが形成されたTFT基板の製造No(以下、チップNoという)や、TFT基板が構成されていた大板の製造No(以下、ウエハNoという)や、複数枚、例えば20枚の大板を1組にした組毎の製造No(以下、ロットNoという)等の情報から、不良解析を行う必要が生じる。なお、不良解析は、製造後の検査に限らず、液晶装置を用いてプロジェクタを製造、販売した後、製品不良が発生した戻入品であっても同様に行う必要が生じる。
また、不良解析に留まらず、製造後の液晶パネルに用いるTFT基板のチップNoやウエハNo、ロットNo等の情報を管理する、所謂トレーサビリティ管理を行うことは、液晶装置の製造を管理し、製造の歩留まりを向上させる上で重要である。
このような事情に鑑み、特許文献1においては、半導体チップに用いる基板の各種薄膜が形成される面側と反対側の面に、ロットNoや、機種名等の情報を表すバーコード表示を、印刷やレーザ加工により形成する技術が開示されている。これらの各種Noを観察することにより、製造者は、装置製造後であっても、不良解析や、トレーサビリティ管理を容易に行うことができる。
特開2000−228489号公報
ところで、特許文献1は半導体チップを対象としており裏面に各種表示を形成しても問題は生じない。しかしながら、完成後の液晶パネルに適用した場合、印字等のためのレーザ照射によって、液晶に気泡が生じたり、積層された各種薄膜に剥がれが生じたりすることがあるという問題があった。
また、露光パターニングの工程を利用して、各種表示を形成する技術も考えられている。しかしながら、この技術を実現するためには、各種表示を形成するための露光装置を別途用意する必要があり、システムの規模が増大するという欠点がある。
本発明は、表示パネルについての情報を、表示パネルに取り付ける防塵ガラス等にマークを形成することによって、表示に悪影響を受けることなく、視認性に優れたマークを得ることができる電気光学装置及び電子機器を提供することを目的とする。
本発明に係る電気光学装置は、第1の基板と第2の基板との間に電気光学物質が介在されて構成された電気光学パネルと、前記第1及び第2の基板の少なくとも一方に取り付けられる第3の基板と、前記第3の基板に設けられるマークとを具備したことを特徴とする。
このような構成によれば、第1及び第2の基板によって構成される電気光学パネルに第3の基板が取り付けられ、この第3の基板にマークが設けられる。マークによって、例えば、電気光学パネルに関する情報を提示可能である。マークは第3の基板に設けられており、マーク形成のために第1及び第2の基板が何らかの処理を受けることはなく、電気光学パネルに対する悪影響を防止することができる。
また、前記マークは、文字又は情報を含む模様であることを特徴とする。
このような構成によれば、マークによって、例えば電気光学パネルに関する情報を提示することができる。
また、前記マークは、2次元コードであることを特徴とする。
このような構成によれば、比較的小さい占有面積で、文字情報よりも多くの情報を提示可能である。
また、前記マークは、前記電気光学パネルの有効表示領域以外の領域に形成されることを特徴とする。
このような構成によれば、マークによって電気光学パネルの視認性が悪化することを防止することができる。
また、前記マークは、前記第1及び第2の基板の少なくとも一方と前記第3の基板とが対向する面側に設けられることを特徴とする。
このような構成によれば、第3の基板の表面にゴミ等が付着している場合でも、デフォーカス作用によって、マークの視認性に優れている。
また、前記マークは、前記第1及び第2の基板の少なくとも一方と前記第3の基板とが対向する面の反対側の面側に設けられることを特徴とする。
このような構成によれば、電気光学パネルと第3の基板との貼り合わせの影響を受けないので、マークの厚みの自由度が高い。また、マークによって第1及び第2の基板に対するUV硬化接着材への光の入射が遮られることがないので、UV硬化を確実に行うことが可能である。
また、前記マークは、前記第3の面に形成した凹部又は凸部によって構成されることを特徴とする。
このような構成によれば、例えば、レーザやインクジェット等を用いて簡単にマークを形成することができるので、比較的小さいシステム規模で製造可能である。
本発明に係る電子機器は、上記電気光学装置を具備したことを特徴とする。
このような構成によれば、マーク形成時の悪影響を受けていない電気光学パネルを有するので、表示性能に優れた機器が得られる。
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。
(第1の実施の形態)
図1は本発明の第1の実施の形態に係る電気光学装置を示す平面図である。本実施の形態は電気光学装置として液晶装置に適用した例を示している。図2は図1のH−H'線の位置で切断して示す断面図であり、素子基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封入する組立工程終了後の液晶装置を示している。また、図3は液晶装置の画素領域を構成する複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。図4はマーキングの一例を示す平面図である。
図1は本発明の第1の実施の形態に係る電気光学装置を示す平面図である。本実施の形態は電気光学装置として液晶装置に適用した例を示している。図2は図1のH−H'線の位置で切断して示す断面図であり、素子基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封入する組立工程終了後の液晶装置を示している。また、図3は液晶装置の画素領域を構成する複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。図4はマーキングの一例を示す平面図である。
液晶装置1は、図1及び図2に示すように、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板を用いたTFT基板10と、これに対向配置される、例えばガラス基板や石英基板を用いた対向基板20との間に液晶50を封入して構成される。対向配置されたTFT基板10と対向基板20とは、各対向面10f,20f同士が端部においてシール材52によって貼り合わされている。
TFT基板10の液晶50と接する領域に、液晶パネル100の表示領域40を構成するTFT基板10の表示領域10hが構成されている。この表示領域10hには、TFT基板10の対向面10f側において、画素を構成するとともに、後述する対向電極21とともに液晶50に駆動電圧を印加する、透明電極、例えばITO膜から構成された画素電極9がマトリクス状に配置されている。
また、対向基板20の対向面20fには、液晶50と接する領域に、液晶50に画素電極9とともに駆動電圧を印加する透明電極、例えばITO膜から構成された対向電極21が全面に亘って設けられており、表示領域10hに対向する対向電極21の領域には、液晶パネル100の表示領域40を構成する対向基板20の表示領域20hが構成されている。
TFT基板10の画素電極9上に、ラビング処理が施された配向膜16が設けられており、また、対向基板20上の全面に渡って形成された対向電極21上にも、ラビング処理が施された配向膜26が設けられている。各配向膜16,26は、例えば、ポリイミド膜等の透明な有機膜からなる。なお、各配向膜16、26は、斜方蒸着されることによりラビング処理が不要な、SiO2やSiO等のシリコン酸化物等の絶縁物により構成された複数本の柱状構造を有する無機配向膜から構成されていても構わない。
また、TFT基板10の表示領域10hにおいては、対向面10f側において、複数本の走査線11a(図3参照)と複数本のデータ線6aとが交差するように配線され、走査線11aとデータ線6aとで区画された領域に画素電極9がマトリクス状に配置される。そして、走査線11aとデータ線6aとの各交差部分に対応して薄膜トランジスタ(TFT)30が設けられ、このTFT30毎に画素電極9が電気的に接続されている。
TFT30は走査線11aのON信号によってオンとなり、これにより、データ線6aに供給された画像信号が画素電極9に供給される。この画素電極9と対向基板20に設けられた対向電極21との間の電圧が液晶50に印加される。
対向基板20に、液晶パネル100の表示領域40を規定する額縁としての遮光膜53が設けられている。液晶50がTFT基板10と対向基板20との間に、既知の液晶注入方式で注入される場合、シール材52は、シール材52の1辺の一部において欠落して塗布されている。シール材52の欠落した箇所は、TFT基板10と対向基板20との間のシール材52により囲まれた領域に液晶50を注入するための切り欠きである液晶注入口108を構成している。液晶注入口108は、液晶注入後、封止剤109によって封止されている。
シール材52の外側の領域に、TFT基板10のデータ線6aに画像信号を所定のタイミングで供給して該データ線6aを駆動するドライバであるデータ線駆動回路101と外部回路との接続のための外部接続端子102とが、TFT基板10の液晶注入口108が位置する1辺に沿って設けられている。なお、外部接続端子102は、対向基板20に設けられていても構わない。
外部接続端子102に、液晶パネル100を、他の機器であるプロジェクタ等の電子機器と電気的に接続する、図示しない特定の長さを有する柔軟なフレキシブル配線基板(Flexible Printed Circuits、以下FPCという)の一端が接続される。FPCの他端がプロジェクタ等の電子機器に接続されることにより、液晶パネル100と電子機器とは電気的に接続される。
外部接続端子102が設けられたTFT基板10の1辺に隣接する2辺に沿って、TFT基板10の走査線11a及びゲート電極3aに、走査信号を所定のタイミングで供給することにより、ゲート電極3aを駆動するドライバである走査線駆動回路103、104が設けられている。走査線駆動回路103、104は、シール材52の内側の遮光膜53に対向する位置において、TFT基板10上に形成されている。
また、TFT基板10上に、データ線駆動回路101、走査線駆動回路103、104、外部接続端子102及び上下導通端子107を接続する配線105が、遮光膜53の3辺に対向して設けられている。
上下導通端子107は、シール材52のコーナー部の4箇所のTFT基板10の対向面10f側に形成されている。そして、TFT基板10と対向基板20相互間に、下端が上下導通端子107に接触し上端が対向電極21に接触する上下導通材106が設けられており、該上下導通材106によって、TFT基板10と対向基板20との間で電気的な導通がとられている。
このようにTFT基板10と対向基板20とが貼り合わされて構成された液晶パネル100の両面、即ち、TFT基板10の対向面10fの反対側の表面10r及び対向基板20の対向面20fの反対側の表面20rには夫々第3の基板としての防塵用基板150,250が設けられている。防塵用基板150,250は、夫々表面10r,20rを保護するために、表面10r,20rに貼着されている。防塵用基板150,250としては、石英やガラス等の透明基板を用いることができる。液晶パネル100に防塵用基板150,250が貼り合わされて液晶装置110が構成される。
本実施の形態においては、TFT基板10の表面10rに対向する防塵用基板150の面(以下、内側面という)150f及び対向基板20の表面20rに対向する防塵用基板250の面(以下、内側面という)250fの少なくとも一方の内側面に、マーク77が形成されている。図2では防塵用基板150の内側面にのみマーク77を形成した例を示している。マーク77は、表示領域40以外の領域に形成される。なお、表示領域40内に有効表示領域だけでなく無効表示領域が存在する場合には、この無効表示領域にもマーク77を形成可能である。図2においては領域180はマーク77の形成可能領域を示し、領域170はマーク77の形成が禁止される領域を示している。図2の例では、マーク77は、防塵用基板150の内側面150fにおいて、平面的には領域180内のデータ線駆動回路101と重なる位置に、形成されている。
図4はマーク77の一例を示す説明図である。
マーク77は、液晶パネル100の製品についての情報を示すものである。マーク77としては、情報を提示可能なものであれば、どのようなものでもよく、例えば文字情報でもよく、1次元コード或いは2次元コード等の模様でもよい。或いは、マーク77として色彩を用いたものでもよい。図4は2次元コードの一例として、既知のマトリックス式の2次元バーコードを示している。
マーク77は、レーザガラスダイレクトマーキングによる手法、インクジェットを用いた手法又はレーザによる金属箔転写法等の手法によって形成可能である。マーク77は、例えば500μm角程度の平面サイズで、厚さが50μm程度で形成されている。
マーク77をレーザガラスダイレクトマーキングによって形成する場合には、図4の塗り潰し部分は、レーザによって基板表面が削られて形成された凹部を示している。また、マーク77をインクジェットを用いて形成する場合には、図4の塗り潰し部分は、基板表面にインクが吐出されて形成された凸部を示している。また、マーク77を金属箔転写法を用いて形成する場合には、図4の塗り潰し部分は、基板表面に金属箔が転写されて形成された凸部を示している。なお、図2の例は、マーク77を、防塵用基板150から突出した凸部によって構成した例を示している。なお、マーク77を、防止用基板150の表面を削って形成した凹部によって構成してもよい。
例えば、マーク77は、英数で15〜20桁くらいの文字情報を含むことができる。これにより、マーク77は、液晶パネル100についての各種情報、例えば、機種、チップNo、ロットNo、ウエハNo、アドレス等の情報を含む。なお、マーク77は、図4に示すようなマトリックス式に限らず、既知のスタック式の2次元バーコード等によって構成されていても構わない。
なお、このように形成されたマーク77は、防塵用基板150の内側面150fの反対側の面(以下、外側面という)150r側から、既知の読み取り機等によって読み取り可能である。なお、防塵用基板250の内側面250fに形成されたマークについては、防塵用基板250の内側面250fの反対側の面(以下、外側面という)250r側から読み取り可能である。
次に、このように構成された電気光学装置の組立工程を図5のフローチャート及び図6の説明図を参照して説明する。なお、図5は本実施の形態の電気光学装置をアレイ製造によって製造する場合の例を示している。また、図6はアレイ製造時の組立工程を示している。
生産性及び歩留まりの観点から、TFT基板については、TFTマザー基板投入時のサイズのままで処理を進めるアレイ製造を採用すると共に、TFTマザー基板上に配列された各TFT基板に、単体に分断した対向基板を各TFT基板毎に貼り合わせ、液晶封入後に各TFT基板を分断することで、単体の液晶装置を得るチップマウント方式が採用されることがある。
図5のステップS1,S2においては、このように対向基板が夫々各TFT基板に貼り合わされたTFT基板アレイ80と防塵用マザー基板84とを用意する。TFT基板アレイ80は、製造時に投入したTFTマザー基板81を分断することなく成膜及びフォトリソグラフィ工程を繰返して形成される。複数のTFT基板用の各素子をTFTマザー基板81上に同時に形成してTFT基板アレイ80が得られる。そして、TFT基板アレイ80上の各TFT基板に対向させて、各対向基板82を貼り付けることにより、組立後のTFT基板アレイ80が得られる。また、防塵用マザー基板84としては、石英又はガラス基板を採用することができる。
本実施の形態においては、ステップS3において、防塵用マザー基板84にマーク85(図2のマーク77)を形成する。各TFT基板毎の非表示領域に対応した位置に、夫々マーク85が形成される。マーク85は、例えば、インクジェット、レーザを用いた金属箔転写法又はレーザによるガラスダイレクトマーキング等の手法によって形成される。
マーク85としては、TFT基板アレイ80との接着を考慮すると、膜厚を比較的薄い、例えば50μm程度に形成した方がよい。また、視認性及びTFT基板の非表示領域に形成することを考慮して平面サイズを例えば500μm程度に形成する。マーク85のサイズ及び情報量を考慮すると、マーク85としては2次元コードが適している。マーク85によって、例えば、機種、チップNo、ロットNo、ウエハNo、アドレス等の情報を識別可能である。
次に、ステップS4において、マーク85が形成された防塵用マザー基板84とTFT基板アレイ80とを貼り合わせる。この場合には、防塵用マザー基板84のマーク86の形成面側がTFTマザー基板81と対向するように、TFTマザー基板81と防塵用マザー基板84とを接着材83によって貼り合わせる。
最後に、TFTマザー基板80を分断することで、液晶パネル100に防塵用基板150が貼り付けられて構成された液晶装置110を得る(ステップS5)。
このように構成された電気光学装置においては、各液晶パネルに貼り付けられた防塵用基板にマーク85(77)が形成されている。防塵用基板は透明であり、防塵用基板の外側面の外部から防塵用基板を通してマークを視認可能である。各液晶パネルに対応してマーク85(77)が設けられており、このマーク85(77)を確認することで、マーク85(77)に含まれる各液晶パネルの情報を取得することができる。
また、マーク85(77)は防塵用基板の内側面に形成されており、少なくとも防塵用基板の厚み分以上離間した位置からマーク85(77)の読み取りを行うことになる。従って、防塵用基板の外側面にゴミ等が付着している場合でも、マーク85(77)の形成面(内側面)はデフォーカスされ、ゴミの影響等を受けることなく、確実な読み取りが可能である。
このように本実施の形態においては、液晶パネルについての情報含むマークを、液晶パネルに取り付ける防塵用基板に形成するようになっている。そして、貼り合わせ前の防塵用基板に対して液晶パネルの情報を有するマークを形成しており、液晶パネルに対してマーク形成のためのレーザ照射等を施す必要が無く、液晶に気泡が生じたり、積層された各種薄膜に剥がれが生じたりすることを防止することができる。また、防塵用基板に対してレーザやインクジェット等を用いて簡単にマークを形成することができるので、液晶パネルの情報の印字に必要なシステム規模は比較的小さくて済む。また、マークは、素子形成部分であっても液晶パネルの有効表示領域以外の部分であれば自由に設けることができ、マーク配置の自由度が高く、比較的平面サイズが大きいマークを形成可能であるという利点もある。このように、本実施の形態では、簡単な装置で、表示に悪影響を受けることなく、視認性に優れたマークを得ることができる。
(第2の実施の形態)
図7は本発明の第2の実施の形態を示す断面図である。図7において図2と同一の構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
図7は本発明の第2の実施の形態を示す断面図である。図7において図2と同一の構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
本実施の形態は防塵用基板と液晶パネルとの対向面である内側面にマークを形成するのではなく、外側面にマークを形成する点が第1の実施の形態と異なる。例えば、マークをガラスダイレクトマーキングを用いて形成する場合等のように、防塵用基板の表面に凹部を形成してマーキングを行う場合には、防塵用基板と液晶パネルとの接着に際してマークの凹部に接着材が充填される。一般的に、視認性を考慮して、防塵用基板と接着材との屈折率は略同一である。従って、マークの凹部に接着材が充填されると、防塵用基板の外部から凹部によるマークを視認しにくくなってしまう。この理由から、ガラスダイレクトマーキングの手法は内側面には適用しにくい。従って、ガラスダイレクトマーキングの手法を採用する場合等においては、防塵用基板の外側面にマークの凹部を形成した方がよい。
図7において、液晶パネル100には、防塵用基板151,250が貼り付けられている。本実施の形態の防塵用基板151は、マーク77に代えてマーク86を設けた点が第1の実施の形態と異なる。マーク86は、液晶パネル100の有効表示領域以外の部分に形成される。マーク86は、防塵用基板151の外側面150rにおいて、平面的には領域180内のデータ線駆動回路101と重なる位置に、形成されている。マーク86は、配置される位置が第1の実施の形態と異なるのみであり、形成方法、マークの形状及び情報の内容等は第1の実施の形態におけるマーク77と同様である。
図8はチップマウント方式のアレイ製造を採用した場合における組立工程を説明するための説明図である。
図8に示すように、防塵用マザー基板84にマーク87(図7のマーク86)を形成する。各TFT基板毎の非表示領域に対応した位置に、夫々マーク87が形成される。マーク87が形成された防塵用マザー基板84とTFT基板アレイ80とを貼り合わせる。この場合には、防塵用マザー基板84のマーク非形成面側がTFTマザー基板81と対向するように、TFTマザー基板81と防塵用マザー基板84とを接着材83によって貼り合わせる。最後に、TFTマザー基板80を分断することで、液晶パネル100に防塵用基板151が貼り付けられて構成された液晶装置111を得る。
なお、マーク87は、例えば、インクジェット、レーザを用いた金属箔転写法又はレーザによるガラスダイレクトマーキング等の手法によって形成することができる。ガラスダイレクトマーキングの手法を採用する場合には、短波長、例えば、波長が1064nm又はその1/4波長の266nmのYAGレーザを用いたレーザダイレクトマーキング処理が行われる。このように形成されたマーク87は、防塵基板151の外側から視認可能である。
このように構成された実施の形態においても、第1の実施の形態と同様の効果を得ることができる。即ち、マークは、各液晶パネルに貼り付けられた防塵用基板に形成されており、防塵用基板の外側面側の外部からマークを視認可能である。また、マークは防塵基板の外側面に設けられていることから、防塵ガラスの接着に用いるUV硬化接着剤のUV硬化時に、マークが接着材へのUV光の入射を阻止することがない。従って、本実施の形態においては、確実なUV硬化が可能であるという利点がある。また、マークとして凹部を有するマークを採用した場合でも、この凹部に接着材が充填されることがないので、マークの確実な視認が可能である。また、液晶パネルと防塵基板との貼り合わせの影響を受けないので、マークの厚みの自由度が高い。
更に、マークを防塵基板の外側面に設ける場合には、このマークを防塵基板とTFT基板との貼り付け時のアライメントマークとして利用することができるという利点もある。
また、液晶パネルは、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上述した液晶装置は、TFT(薄膜トランジスタ)等のアクティブ素子(能動素子)を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールを例に挙げて説明したが、これに限らず、TFD(薄膜ダイオード)等のアクティブ素子(能動素子)を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールであっても構わない。
さらに、本実施の形態においては、電気光学装置は、液晶装置を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されず、エレクトロルミネッセンス装置、特に、有機エレクトロルミネッセンス装置、無機エレクトロルミネッセンス装置等や、プラズマディスプレイ装置、FED(Field Emission Display)装置、SED(Surface−Conduction Electron−Emitter Display)装置、LED(発光ダイオード)表示装置、電気泳動表示装置、薄型のブラウン管または液晶シャッター等を用いた小型テレビを用いた装置などの各種の電気光学装置に適用できる。
また、電気光学装置は、半導体基板に素子を形成する表示用デバイス、例えばLCOS(Liquid Crystal On Silicon)等であっても構わない。LCOSでは、素子基板として単結晶シリコン基板を用い、画素や周辺回路に用いるスイッチング素子としてトランジスタを単結晶シリコン基板に形成する。また、画素には、反射型の画素電極を用い、画素電極の下層に画素の各素子を形成する。
また、電気光学装置は、片側の基板の同一層に、一対の電極が形成される表示用デバイス、例えばIPS(In-Plane Switching)や、片側の基板において、絶縁膜を介して一対の電極が形成される表示用デバイスFFS(Fringe Field Switching)等であっても構わない。
さらに、本発明の液晶装置が用いられる電子機器としては、投写型表示装置、具体的には、プロジェクタが挙げられる。図9は図1の液晶装置が3つ配設されたプロジェクタの構成を示す図である。
同図に示すように、プロジェクタ1100に、液晶パネル100を具備する液晶装置は、各々RGB用のライトバルブとして、例えば3つ(100R’,100G’,100B’)配設されている。
プロジェクタ1100では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット1102から投写光が発せされると、3枚のミラー1106及び2枚のダイクロイックミラー1108によって、RGBの3原色に対応する光成分R、G、Bに分けられ、各色に対応するライトバルブ100R’,100G’,100B’に各々導かれる。
この際、特にB光は、長い光路による光損失を防ぐため、入射レンズ1122、リレーレンズ1123及び出射レンズ1124からなるリレーレンズ系1121を介して導かれる。
そして、ライトバルブ100R’,100G’,100B’により各々変調された3原色に対応する光成分は、ダイクロイックプリズム1112により再度合成された後、投写レンズ1114を介してスクリーン1120にカラー画像として投写される。
1…液晶装置、10…素子基板、10a…画素領域、20…対向基板、52…シール材、53…遮光膜、77…識別マーク。
Claims (8)
- 第1の基板と第2の基板との間に電気光学物質が介在されて構成された電気光学パネルと、
前記第1及び第2の基板の少なくとも一方に取り付けられる第3の基板と、
前記第3の基板に設けられるマークと
を具備したことを特徴とする電気光学装置。 - 前記マークは、文字又は情報を含む模様であることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。
- 前記マークは、2次元コードであることを特徴とする請求項2に記載の電気光学装置。
- 前記マークは、前記電気光学パネルの有効表示領域以外の領域に形成されることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。
- 前記マークは、前記第1及び第2の基板の少なくとも一方と前記第3の基板とが対向する面側に設けられることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。
- 前記マークは、前記第1及び第2の基板の少なくとも一方と前記第3の基板とが対向する面の反対側の面側に設けられることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。
- 前記マークは、前記第3の面に形成した凹部又は凸部によって構成されることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。
- 請求項1乃至請求項7のいずれか1つに記載の電気光学装置を具備したことを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007213368A JP2009047880A (ja) | 2007-08-20 | 2007-08-20 | 電気光学装置及び電子機器 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2007213368A JP2009047880A (ja) | 2007-08-20 | 2007-08-20 | 電気光学装置及び電子機器 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2014086066A1 (zh) * | 2012-12-05 | 2014-06-12 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶面板的制作装置及液晶面板 |
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2007
- 2007-08-20 JP JP2007213368A patent/JP2009047880A/ja not_active Withdrawn
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