JP2006220706A - 電気光学装置の製造方法、電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

電気光学装置の製造方法、電気光学装置及び電子機器 Download PDF

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JP2006220706A JP2005031483A JP2005031483A JP2006220706A JP 2006220706 A JP2006220706 A JP 2006220706A JP 2005031483 A JP2005031483 A JP 2005031483A JP 2005031483 A JP2005031483 A JP 2005031483A JP 2006220706 A JP2006220706 A JP 2006220706A
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Toshihiro Otake
俊裕 大竹
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Abstract

【課題】 セルギャップを均一にすることができ、かつ、製造工程が煩雑でなく、製造コ
ストを押さえることができる電気光学装置の製造方法、電気光学装置及び電子機器を提供
すること。
【解決手段】 オーバーコート層20aとスペーサ部20bとを一体的に形成する(オー
バーコート部20)ことにより、オーバーコート層20aを形成した後であらためてスペ
ーサ部20bをパターニングする必要が無く、オーバーコート層20aとスペーサ20b
とを一の工程で形成することができる。これにより、製造工程を簡略化することができ、
その分のコストを抑えることができる。また、このように形成されたスペーサ部20bに
よりセルギャップを均一にすることができる。
【選択図】 図2

Description

本発明は、電気光学装置の製造方法、電気光学装置及び電子機器に関する。
電気光学装置のうち例えば液晶装置においては、対向して貼り合わされた一対の基板に
より液晶が挟持されている。このような液晶装置では、例えば画像コントラスト等の表示
特性を高い水準に保つため、液晶層の厚さ(セルギャップ)を均一にすることが要求され
ている。
この要求に対して、例えば一対の基板を貼り合わせる工程で、いずれか一方の基板上に
例えば球状スペーサ等を散布するスペーサ散布方法が知られている。しかし、スペーサ散
布では、散布されたスペーサが基板上に偏って配置されることが多く、スペーサを基板上
に均一に配置するのが困難である。偏って配置されたスペーサの周辺では光漏れ現象が発
生し、表示特性が低下してしまう。
例えばTFT(Thin Film Transistor)をスイッチング素子として用いたアクティブマ
トリクス型の液晶装置においては、このような表示特性の低下を抑止するため、カラーフ
ィルタが形成される基板又はTFT素子が形成される基板上に柱状スペーサを形成する技
術が開示されている(例えば、特許文献1参照)。具体的には、基板上にカラーフィルタ
を形成し、カラーフィルタ上に保護膜を形成した後、当該保護膜上に柱状スペーサを形成
する工程が開示されている。
特開2003−207788号公報
しかしながら、特許文献1の記載によれば、基板上にカラーフィルタ及び保護層を形成
した後、保護層上に柱状スペーサをあらためてパターニングする必要があるため、例えば
スペーサを散布する方法と比べて製造工程が煩雑であり、コストも高くついてしまう。
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、製造工程を簡略化することができ、コスト
を抑えることができる電気光学装置の製造方法、電気光学装置及び電子機器を提供するこ
とにある。
上記目的を達成するため、本発明に係る電気光学装置の製造方法は、対向する一対の基
板を貼り合わせてなる電気光学装置の製造方法であって、前記一対の基板のうち一方の基
板に、該一方の基板上で少なくとも表示領域に形成された絶縁膜からなる保護層と、前記
一対の基板を貼り合わせた状態で前記一対の基板のうち他方の基板側に当接するスペーサ
とを同一の材料を用いて同時に形成することを特徴とする。
本願発明において、電気光学装置とは、電界により物質の屈折率が変化して光の透過率
を変化させる電気光学効果を有するものの他、電気エネルギーを光学エネルギーに変換す
るもの等も含んで総称している。具体的には、電気光学物質として液晶を用いる液晶表示
装置、有機EL(Electro-Luminescence)を用いる有機EL装置、無機ELを用いる無機E
L装置、電気光学物質としてプラズマ用ガスを用いるプラズマディスプレイ装置等がある
。さらには、電気泳動ディスプレイ装置(EPD:Electrophoretic Display)、フィー
ルドエミッションディスプレイ装置(FED:電界放出表示装置:Field Emission Displ
ay)等がある。
本発明によれば、保護層とスペーサとを同一の材料を用いて同時に形成することにより
、保護層を形成した後であらためてスペーサをパターニングする必要が無く、保護層とス
ペーサとを1つの工程で形成することができる。これにより、製造工程を簡略化すること
ができ、その分のコストを抑えることができる。
また、前記一方の基板上に感光性材料を含んだレジスト層を形成するレジスト形成工程
と、前記レジスト層上にフォトマスクを配置して露光を行う露光工程と、前記露光された
レジスト層に現像液を供給して現像を行う現像工程とを具備し、前記フォトマスクの光透
過率が、前記レジスト層のうち前記保護層を形成する部分に平面的に重なる領域と、前記
レジスト層のうち前記スペーサを形成する部分に平面的に重なる領域の光透過率とで異な
っていることが好ましい。
本発明によれば、レジスト層のうち保護層を形成する部分とスペーサを形成する部分と
で露光光の照射量が異なるように露光することができる。例えば、レジスト層がポジ型の
感光性材料を含んでいる場合、現像工程で残す部分(現像液に溶解しない部分。例えば、
スペーサの部分)には露光光が照射されないようにフォトマスクの光透過率を調節する。
また、レジスト層がネガ型の感光性材料を含んでいる場合、現像工程で残す部分に露光光
が照射されるようにフォトマスクの光透過率を調節する。この方法により、高さの異なる
保護層及びスペーサを一の工程で一体的に形成することができる。
また、前記保護層が、前記一方の基板を覆うオーバーコート層であることが好ましい。

例えばTFT(Thin Film Transistor)がスイッチング素子とし
て用いられるアクティブマトリクス型の電気光学装置の場合、例えば一方の基板上にカラ
ーフィルタ又はTFT素子が形成され、その上に当該カラーフィルタ又はTFT素子を保
護するためにオーバーコート層が設けられる。オーバーコート層は、一般的に透明で絶縁
性の高い樹脂等を材料として形成されている。スペーサにおいても透明で絶縁性が高いこ
とが好ましいのは勿論である。本発明では、このオーバーコート層とスペーサとを同じ好
適な材料を用いて一体的に形成することにより、当該オーバーコート層とスペーサとを一
の工程で形成することができる。これにより、製造工程を簡略化することができ、その分
のコストを抑えることができる。
また、前記保護層が、前記一方の基板の表面に設けられる下地層であることが好ましい

下地層は一般的には透明で絶縁性の高い材料(例えばSiO等)で形成されている。
このため、下地層及びスペーサについても、同じ好適な材料を用いて一体的に形成するこ
とが可能となる。
本発明の別の観点に係る電気光学装置は、対向する一対の基板を貼り合わせてなる電気
光学装置であって、前記一対の基板のうち一方の基板に、該一方の基板上で少なくとも表
示領域に形成された絶縁膜からなる保護層と、前記一対の基板を貼り合わせた状態で前記
一対の基板のうち他方の基板との間隙を保持するスペーサと、を同一の材料を用いて一体
的に形成されていることを特徴とする。
本発明によれば、保護層とスペーサとが一の工程で形成されているので、低コストで容
易に製造可能な電気光学装置を得ることができる。また、保護層とスペーサとを別々に形
成した場合、一対の基板を貼り合わせた状態で外力が加えられると、スペーサと保護層と
の継ぎ目で剥がれが生じ、保護層上でスペーサが倒れたりする可能性も考えられる。これ
に対して本発明では、保護層とスペーサとが一体的に形成されており、スペーサが保護層
との間に継ぎ目無くしっかりと設けられるため、スペーサが保護層上で倒れる可能性が低
い。これにより、より確実にセルギャップを均一にすることができる。
本発明の別の観点に係る電子機器は、上記の電気光学装置が搭載されていることを特徴
とする。
本発明によれば、セルギャップを均一にすることができ、低コストで容易に製造可能な
電気光学装置が搭載されているため、画像コントラスト等の表示特性の高い電子機器を得
ることができる。
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。
図1は、本実施形態に係る液晶装置1の構成を示す平面図である。以下の図では、各部
材を認識可能な大きさとするため、縮尺を適宜変更している。
同図に示すように、液晶装置1は、液晶パネル2と、バックライト3とを主体として構
成されている。当該液晶装置1は、例えばスイッチング素子としてTFTが形成されたア
クティブマトリクス型の構造となっている。
液晶パネル2は、TFTアレイ基板4とカラーフィルタ基板5とがシール材6を介して
貼り合わされ、当該TFTアレイ基板4、カラーフィルタ基板5及びシール材6で囲まれ
た領域に液晶7が封入されるように構成されている。液晶パネル2の外側、すなわち、T
FTアレイ基板4の外側表面及びカラーフィルタ基板5の外側表面には、それぞれ入射光
を偏光させる偏光板や、干渉色を補償するための位相差板等が適宜貼着されている(図示
省略)。液晶パネル2のうち液晶7が封入される領域には、当該領域の周縁部に周辺見切
り10が設けられている。周辺見切り10の内側の領域は、画像や動画等を表示可能な表
示領域11となっている。シール材6は開口部6aを有しており、当該開口部6aでは封
止材12により封止されている。
TFTアレイ基板4は、例えばガラスや石英、プラスチック等の透明あるいは光透過性
の高い材料からなる矩形の基板である。TFTアレイ基板4の内側表面(液晶を保持する
面)には、走査線やデータ線等の配線(図示省略)が形成されている。走査線は、主とし
て表示領域11内にX方向に沿って形成されている。データ線は、主として表示領域11
内にY方向に沿って形成されている。走査線とデータ線とで囲まれた領域には、ITO(
Indium Tin Oxide)等の透明な導電材料からなる画素電極8や、スイッ
チング素子としてのTFT(Thin Film Transistor:図示省略)等
が設けられている。
TFTアレイ基板4の周縁は、カラーフィルタ基板5から張り出した領域(以下、「張
出領域」という。)4aとなっている。張出領域4aには、走査線に駆動信号を送出する
走査線駆動回路30や、データ線に信号を送出するデータ線駆動回路31、外部(例えば
電源等)に電気的に接続するための接続端子33等が設けられている。当該接続端子33
は、例えば張出領域4aに形成された配線32により、走査線駆動回路30及びデータ線
駆動回路31電気的に接続されている。ここでは、例えば外部の電源から走査線駆動回路
30及びデータ線駆動回路31に電力信号が供給され、走査線駆動回路30及びデータ線
駆動回路31が当該電力信号に基づいて走査線及びデータ線に駆動信号を送出するように
なっている。
カラーフィルタ基板5は、TFTアレイ基板4と同様に、ガラスや石英、プラスチック
等の透明あるいは光透過性の高い材料から形成されている。カラーフィルタ基板5には、
表示領域11の各画素(ピクセル)ごとに、赤色(15R)、緑色(15G)及び青色(
15B)の3色のカラーフィルタ15が形成されている。
図2は、図1におけるA−A断面の一部を示した断面図である。
TFTアレイ基板4の面4b上には、画素毎に画素電極8が形成されている。この画素
電極8を覆うようにオーバーコート層16が形成されており、オーバーコート層16上に
は、配向膜17が形成されている。
カラーフィルタ基板5の面5b上には、酸化シリコン等からなる下地絶縁層18が形成
されている。下地絶縁層18上には、例えばアルミニウム等からなる反射膜19が例えば
画素毎に設けられている。反射膜19は、各画素を覆うように設けられており、画素のほ
ぼ中央には開口部19aが形成されている。
この反射膜19により、TFTアレイ基板4から入射した光を当該TFTアレイ基板4
へと反射し、バックライト3から射出されてカラーフィルタ基板5を透過した光が開口部
19aからTFTアレイ基板4側へ抜けるようになっている。また、バックライト3から
射出されて反射膜19で反射された光については、再利用できるようになっている。
各反射膜19上にはカラーフィルタ15(赤色:15R、緑色:15G、青色:15B
)が形成されている。カラーフィルタ15の一部が隣接するカラーフィルタ15の上に一
部重なるように形成されている。例えば、カラーフィルタ15Rの右端部(図2中)には
、カラーフィルタ15Gの一部が重ねられている。当該カラーフィルタ15Gの重なり部
分の上には、さらにカラーフィルタ15Bが別途形成されている。このように、カラーフ
ィルタ15Rとカラーフィルタ15Gとカラーフィルタ15Bとを重ねることで、光を遮
光するブラックマトリクスとしての役割を果たしている(いわゆる「重ねブラックマトリ
クス」。図2中、符号15aで示している)。
各カラーフィルタ15上には、当該カラーフィルタ15及び下地絶縁層18を覆うよう
にオーバーコート部20が形成されている。オーバーコート部20は、例えばNN803
(商品名、JSR製)等の感光性樹脂から構成されており、保護層としてのオーバーコー
ト層20aと、スペーサとしてのスペーサ部20bとを有している。
オーバーコート層20aは、各カラーフィルタ15(15R、15G及び15B)の間
を埋めるように設けられており、カラーフィルタ15や下地絶縁層18を覆って保護する
と共に、カラーフィルタ15が設けられている領域とカラーフィルタ15が設けられてい
ない領域とを平坦化している。オーバーコート層20aの層厚t2は、2.0μm程度で
ある。
スペーサ部20bは、オーバーコート層20aと一体的に形成されており、オーバーコ
ート層20aのうちカラーフィルタ15が設けられていない領域からTFTアレイ基板4
側に向けて、柱状に突出するように形成されている。また、当該スペーサ部20bは、例
えば各スペーサ部20bの先端の面20cが面一状態になるように形成されている。面一
になっている各面20cがTFTアレイ基板4上の配向膜17に当接することにより、T
FTアレイ基板4とカラーフィルタ基板5とで形成されるセルギャップを均一に保ってい
る。スペーサ部20bの長さt1は、2.5μm程度である。
オーバーコート部20のうちオーバーコート層20a上には、共通電極21が形成され
ている。共通電極21は、例えばITO等の透明な導電材料からなり、表示領域11内の
各画素を跨ぐように形成されている。当該共通電極21上には、配向膜22が形成されて
いる。配向膜22は、液晶7の各液晶分子を所定の方向に配向させるように、当該液晶7
に接する面にラビング処理が施されている。
図3は、液晶7が封入されている領域からカラーフィルタ基板5側を見たときの平面構
成の一部を示したものである(液晶7の図示は省略)。反射膜19、カラーフィルタ15
(図3ではカラーフィルタ15R及びカラーフィルタ15G)、オーバーコート部20、
共通電極21及び配向膜22の平面的な位置関係を示している。
同図に示すように、オーバーコート部20のうちスペーサ部20bが、カラーフィルタ
15Rとカラーフィルタ15Gとの間の領域に設けられている。また、共通電極21及び
配向膜22は、スペーサ部20bを取り囲むようにオーバーコート部20のオーバーコー
ト層20a上に形成されている。
なお、図3においては、スペーサ部20bが、図中横方向に隣接するカラーフィルタ1
5の間の領域に形成されることとしたが、これに限られるものではなく、例えば図中上下
方向に隣接するカラーフィルタ15の間の領域(20d)に形成しても良いし、図中斜め
方向に隣接するカラーフィルタ15の間の領域(20e)に形成しても良い。
次に、上記のように構成された液晶装置1の製造方法を説明する。
本実施形態では、大面積のマザー基板を用いて複数の液晶セルを一括して形成し、当該
マザー基板を切断することによって個々の液晶装置1に分離する方法を例に挙げて説明す
る。
図4は、液晶装置1の製造工程を示すフローチャートである。
当該製造工程では、カラーフィルタ15が形成されるカラーフィルタ側マザー基板とT
FTが形成されるTFT側マザー基板とを別個に形成し、形成した画素電極側マザー基板
と共通電極側マザー基板とを貼り合わせ、貼り合わせた各マザー基板の間に液晶を注入す
ることによって液晶装置1を製造する。以下、各工程について順に説明する。
まず、カラーフィルタ側マザー基板を形成する工程(ST1〜ST6)について説明す
る。
ガラスや石英、プラスチック等の透明な材料からなる基材のうちカラーフィルタ基板5
の表示領域11となる複数の領域に下地絶縁層18を形成する(ST1)。下地絶縁層1
8を形成したら、当該下地絶縁層18の上に、各画素に対応する位置にアルミニウム等に
よって反射膜19を形成し、各反射膜19上にカラーフィルタ15を形成する(ST2)
カラーフィルタ15を形成したら、当該カラーフィルタ15上にオーバーコート部20
を形成する(ST3)。ここで、当該オーバーコート部20の形成について具体的に説明
する。
図5に示すように、カラーフィルタ15の上から、例えばNN803等、ネガ型レジス
トを含んだ感光性樹脂からなるレジスト層30を形成する。カラーフィルタ側マザー基板
を、例えば700〜1000rpmで回転させながら、液状のNN803をおよそ8.5
秒間滴下し続ける。レジスト層30を形成したら、当該レジスト層30を、約80℃〜1
00℃の温度で約120秒間プリベークする。プリベーク後は、レジスト層30を露光す
る。
図6は、レジスト層30を露光する際に用いるフォトマスクの構成を示す図である。
同図に示すように、フォトマスク40は、領域によって露光光の透過率が段階的に異な
っている。具体的には、露光光を透過させない領域40aと、露光光をほぼ50%透過さ
せる領域40bと、ほぼ100%透過させる領域40cとに区画されている。ここでは、
レジスト層30のうち、オーバーコート部20を形成しない領域(領域1)が領域40a
で覆われ、オーバーコート部20のうちオーバーコート層20aを形成する領域(領域2
)が領域40bで覆われ、オーバーコート部20のうちスペーサ部20bを形成する領域
(領域3)が領域40cで覆われるように区画されている。
レジスト層30にこのフォトマスク40を被せて図7に示すように露光光を照射すると
、フォトマスク40の領域40aに到達した露光光は、当該領域40aを完全に遮光する
。そのためレジスト層30の領域1では、感光しない。フォトマスク40の領域40bに
到達した露光光は、そのうちのほぼ50%が領域40bを透過する。当該露光光により、
レジスト層30の領域2では、表面からほぼ半分の高さの部分まで感光する。フォトマス
ク40の領域40cに到達した露光光は、当該領域40cほぼ100%透過する。
このように露光されたレジスト層30を、アルカリ濃度が約0.2%〜0.4%の現像
液で約50秒〜80秒間現像し、約220℃で約40分〜50分間焼成すると、図8に示
すように、オーバーコート層20aとスペーサ部20bを有するオーバーコート部20が
形成される。
オーバーコート部20を形成したら、当該オーバーコート部20上にITO等により共
通電極21を形成し(ST4)、当該共通電極21の上に配向膜を形成して(ST5)、
当該配向膜22に対してラビング処理を行う(ST6)。配向膜22は、例えばポリイミ
ドを塗布又は印刷することによって形成することができる。
以上、ST1〜ST6の工程によって、カラーフィルタが設けられたカラーフィルタ側
マザー基板が形成される。
次に、TFT側マザー基板の形成工程(ST11〜ST16)について簡単に説明する

ガラスや石英、プラスチック等の透明な材料からなる基材に下地絶縁層18を形成し(
ST11)、当該下地絶縁層18の上に画素電極8やTFT素子、走査線、データ線、駆
動回路等を形成し(ST12)、その後これら画素電極8、TFT素子、走査線及びデー
タ線の上にオーバーコート層16を形成する(ST13)。
走査線やデータ線については、例えば基材の表面にITO等の透光性導電膜をスパッタ
し、これをエッチングすることによって一括的に形成することができる。平坦化層を形成
したら、各画素領域内にポリイミド等からなる配向膜を形成し(ST14)、この配向膜
に対してラビング処理を行う(ST15)。
配向膜にラビング処理がなされたら、シール材6を形成する(ST16)。TFTアレ
イ基板4のうち表示領域11となる部分を囲むように、エポキシ樹脂等からなるシール材
6を矩形枠状に形成する。シール材の一部に、液晶を注入するための開口部6aが形成さ
れるようにする。
以上、ST11〜ST15の工程によって、画素電極8や配線、スイッチング素子等が
設けられたTFT側マザー基板が形成される。
次に、カラーフィルタ側マザー基板とTFT側マザー基板との位置合わせをする(ST
21)。例えば、画像処理を使用した自動アライメント装置等を用い、カラーフィルタ側
マザー基板及びTFT側マザー基板に予め形成しておいたアライメントマークの位置を合
わせるようにすることができる。
位置合わせを行った後、カラーフィルタ側マザー基板とTFT側マザー基板とを貼り合
わせて液晶パネルを形成する(ST22)。位置を合わせた状態で、TFT側マザー基板
がカラーフィルタ側マザー基板上のシール材に接着するように両基板を近接させる。
また、カラーフィルタ側マザー基板とTFT側マザー基板とが貼り合わされると同時に
、図2に示すように、各スペーサ部20bの面20cがTFTアレイ基板4の配向膜17
に当接し、TFTアレイ基板4とカラーフィルタ基板5とのセルギャップを均一に維持し
ている。
カラーフィルタ側マザー基板とTFT側マザー基板とを貼り合わせたら、両マザー基板
の列方向にスクライブ溝を形成し、貼り合わせたままの状態でスクライブ溝に沿って両マ
ザー基板を切断して、短冊状のパネルを形成する(ST23)。この短冊状のパネルは、
液晶注入口がすべて一方の露出した状態になっている。短冊状のパネルを形成したら、液
晶注入口が露出した切断片側から液晶を注入する(ST24)。液晶注入後、各液晶注入
口をエポキシ樹脂等の封止材によって封止する(ST25)。
液晶を注入し、液晶注入口を封止したら、短冊状のパネルの行方向にスクライブ溝を形
成し、当該スクライブ溝に沿って短冊状のパネルを切断し、個々のパネルに分離する(S
T26)。短冊状のパネルを分離したら、分離した各パネルの洗浄を行い、各パネルの両
表面に偏光板を貼り付ける(ST27)。
以上により、液晶装置が完成する。
このように、本実施形態によれば、オーバーコート層20aとスペーサ部20bとを同
一の材料を用いて同時に形成する(オーバーコート部20)ことにより、オーバーコート
層20aを形成した後であらためてスペーサ部20bをパターニングする必要が無く、オ
ーバーコート層20aとスペーサ20bとを一の工程で形成することができる。これによ
り、製造工程を簡略化することができ、その分のコストを抑えることができる。
(第2実施形態)
次に、本発明の第2実施形態を説明する。第1実施形態と同様、以下の図では、各部材
を認識可能な大きさとするため、縮尺を適宜変更している。また、第1実施形態と同一の
構成要素についてはその説明を省略する。本実施形態では、主としてスペーサ部の構成が
第1実施形態と異なっているため、この点を中心に説明する。
図9は、本実施形態に係る液晶装置101の構成を示す断面図である。
TFTアレイ基板104の面104b上には、画素毎に画素電極108が形成されてい
る。この画素電極108を覆うようにオーバーコート層116が形成されており、オーバ
ーコート層116上には、配向膜117が形成されている。
カラーフィルタ基板105の面105b上には、酸化シリコン等からなる下地絶縁部1
18が形成されている。下地絶縁部118は、保護層としての下地絶縁層118aと、ス
ペーサとしてのスペーサ部118bとを有している。
下地絶縁層118aは、カラーフィルタ基板105の面105aを覆うように設けられ
ており、当該面105aを保護している。
スペーサ部118bは、下地絶縁層118aと一体的に形成されており、下地絶縁層1
18aのうち平面視して画素が形成されない部分からTFTアレイ基板104側に向けて
、柱状に突出するように形成されている。また、当該スペーサ部118bは、各スペーサ
部118bの先端の面118cが面一状態になるように形成されており、面一になってい
る各面118cがTFTアレイ基板104上の配向膜117に当接することにより、TF
Tアレイ基板104とカラーフィルタ基板105とで形成されるセルギャップが均一に保
たれるようになっている。
下地絶縁層118上には、例えばアルミニウム等からなる反射膜119が画素毎に設け
られている。反射膜119は、各画素の周縁部分を覆うように設けられており、画素のほ
ぼ中央には開口部119aが形成されている。また、各反射膜119上にはカラーフィル
タ115が形成されている。カラーフィルタ115の間の領域には、カラーフィルタ15
R、カラーフィルタ15G及びカラーフィルタ15Bにより、重ねブラックマトリクス1
15aが形成されている。カラーフィルタ115上には、当該カラーフィルタ115及び
下地絶縁層118を覆うようにオーバーコート層120が形成されている。
オーバーコート層120上には、共通電極121が形成されている。共通電極121は
、例えばITO等の透明な導電材料からなり、表示領域内の各画素に跨って形成されてい
る。当該共通電極121上には、配向膜122が形成されている。配向膜122は、液晶
に接する面にラビング処理が施されている。
このように、本実施形態では、前記下地絶縁層118aとスペーサ部118bとが一体
的に形成されている。下地絶縁層118を構成する材料は、一般的には透明で絶縁性の高
い材料(例えばSiO等)である。このため、下地絶縁層118a及びスペーサ部11
8bについて、同じ好適な材料を用いて一体的に形成することが可能となる。これにより
、製造工程を簡略化することができ、その分のコストを抑えることができる。
(電子機器)
次に、本発明に係る電子機器について、携帯電話を例に挙げて説明する。
図10は、携帯電話300の全体構成を示す斜視図である。
携帯電話300は、筺体301、複数の操作ボタンが設けられた操作部302、画像や
動画、文字等を表示する表示部303を有する。表示部303には、本発明に係る液晶装
置1又は液晶装置101が搭載される。
このように、セルギャップを均一にすることができ、低コストで容易に製造可能な液晶
装置1又は液晶装置101が搭載されているため、画像コントラスト等の表示特性の高い
電子機器を得ることができる。
本発明の第1実施形態に係る液晶装置の構成を示す斜視図である。 本実施形態に係る液晶装置の構成を示す断面図である。 本実施形態に係る液晶装置の構成を示す平面図である。 本実施形態に係る液晶装置の製造工程を示すフローチャートである。 本実施形態に係る液晶装置の製造の様子を示す図(その1)である。 本実施形態に係る液晶装置の製造に用いるフォトマスクを示す図である。 本実施形態に係る液晶装置の製造の様子を示す図(その2)である。 本実施形態に係る液晶装置の製造の様子を示す図(その3)である。 本発明の第2実施形態に係る液晶装置の構成を示す断面図である。 本発明に係る電子機器の構成を示す斜視図である。
符号の説明
1、101…液晶装置 5、105…カラーフィルタ基板 20…オーバーコート部
20a…オーバーコート層 20b、118b…スペーサ部 20c、118c…面 4
0…フォトマスク 40a…領域 40b…領域 40c…領域 118…下地絶縁部
118a…下地絶縁層 300…携帯電話

Claims (6)

  1. 対向する一対の基板を貼り合わせてなる電気光学装置の製造方法であって、
    前記一対の基板のうち一方の基板に、該一方の基板上で少なくとも表示領域に形成され
    た絶縁膜からなる保護層と、前記一対の基板を貼り合わせた状態で前記一対の基板のうち
    他方の基板側に当接するスペーサとを同一の材料を用いて同時に形成することを特徴とす
    る電気光学装置の製造方法。
  2. 前記一方の基板上に感光性材料を含んだレジスト層を形成するレジスト形成工程と、
    前記レジスト層上にフォトマスクを配置して露光を行う露光工程と、
    前記露光されたレジスト層に現像液を供給して現像を行う現像工程と
    を具備し、
    前記フォトマスクの光透過率が、前記レジスト層のうち前記保護層を形成する部分に平
    面的に重なる領域と、前記レジスト層のうち前記スペーサを形成する部分に平面的に重な
    る領域の光透過率とで異なっていることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置の製
    造方法。
  3. 前記保護層が、前記一方の基板を覆うオーバーコート層であることを特徴とする請求項
    1又は請求項2に記載の電気光学装置の製造方法。
  4. 前記保護層が、前記一方の基板の表面に設けられる下地層であることを特徴とする請求
    項1に記載の電気光学装置の製造方法。
  5. 対向する一対の基板を貼り合わせてなる電気光学装置であって、
    前記一対の基板のうち一方の基板に、該一方の基板上で少なくとも表示領域に形成され
    た絶縁膜からなる保護層と、前記一対の基板を貼り合わせた状態で前記一対の基板のうち
    他方の基板との間隙を保持するスペーサと、を同一の材料を用いて一体的に形成されてい
    ることを特徴とする電気光学装置。
  6. 請求項5に記載の電気光学装置が搭載されていることを特徴とする電子機器。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104932152A (zh) * 2015-06-23 2015-09-23 武汉华星光电技术有限公司 液晶显示面板及液晶显示面板的制造方法
JP2016090896A (ja) * 2014-11-07 2016-05-23 株式会社 オルタステクノロジー 液晶表示装置

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