JP2005208347A - 電気光学装置の製造方法 - Google Patents
電気光学装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005208347A JP2005208347A JP2004014905A JP2004014905A JP2005208347A JP 2005208347 A JP2005208347 A JP 2005208347A JP 2004014905 A JP2004014905 A JP 2004014905A JP 2004014905 A JP2004014905 A JP 2004014905A JP 2005208347 A JP2005208347 A JP 2005208347A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mother substrate
- substrate
- mother
- temporary fixing
- electro
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Abstract
【課題】大板組立方式の電気光学装置の製造方法において、一対のマザー基板を精度良く貼り合わせることのできる電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】素子基板が複数個構成された第1のマザー基板と該第1のマザー基板に対向配置される第2のマザー基板の少なくとも一方のマザー基板上に仮止め材を1箇所形成する工程、及び上記素子基板の周縁部を囲むように配置されるシール材を形成する工程と、上記第1のマザー基板と、上記第2のマザー基板とを、上記シール材及び上記1箇所の仮止め材を介して貼り合わせ、対向配置させる工程と、上記第1のマザー基板と上記第2のマザー基板とを上記1箇所の仮止め材によって仮止めする工程と、を有することを特徴とする。
【選択図】図1
【解決手段】素子基板が複数個構成された第1のマザー基板と該第1のマザー基板に対向配置される第2のマザー基板の少なくとも一方のマザー基板上に仮止め材を1箇所形成する工程、及び上記素子基板の周縁部を囲むように配置されるシール材を形成する工程と、上記第1のマザー基板と、上記第2のマザー基板とを、上記シール材及び上記1箇所の仮止め材を介して貼り合わせ、対向配置させる工程と、上記第1のマザー基板と上記第2のマザー基板とを上記1箇所の仮止め材によって仮止めする工程と、を有することを特徴とする。
【選択図】図1
Description
本発明は、電気光学装置の製造方法、詳しくは、素子基板が複数個構成された第1のマザー基板と、該第1のマザー基板に対向配置される第2のマザー基板とを仮止め材を介して仮止めする工程を有する電気光学装置の製造方法に関する。
一般に電気光学装置、例えば、電気光学物質に液晶を用いて所定の表示を行う液晶装置は、一対の基板間に液晶が挟持された構成となっている。このうち、TFT(Thin Film Transistor)駆動、TFD(Thin Film Diode)駆動等によるアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置等の電気光学装置においては、縦横に夫々配列された多数のゲート電極となるゲート線である走査線及びソース線であるデータ線の各交点に対応して、画素電極及び薄膜トランジスタであるスイッチング素子をアクティブマトリクス基板上に設けて構成される。
スイッチング素子を構成するTFT素子は、ゲート線に供給されるオン信号によってオンとなり、ソース線を介して供給される画像信号をソース・ドレイン路が形成されたソース・ドレイン領域を介して透明電極(ITO)である画素電極に書込む。
これにより、画素電極と画素電極に対向する電極相互間の液晶層に画像信号に基づく電圧を印加して、液晶分子の配列を変化させる。こうして、画素の透過率を変化させ、画素電極及び液晶層を通過する光を画像信号に応じて変化させて画像表示を行う。
また、画素電極を配置した、例えばTFT基板等の素子基板と、このTFT基板に相対して配置され、対向電極等の構成要素を配置した基板(以下、対向基板と称す)とは、別々に製造され、その後、パネル組立工程において高精度に貼り合わされた後、液晶が封入され液晶表示装置が製造されるようになっている。
尚、このパネル組立工程に、例えば多数のTFT基板を構成した石英等の一方のマザーガラス基板と、多数の対向基板となる対向電極等の構成要素が全面に構成された他方のマザーガラス基板とを高精度に貼り合わせた後、上記TFT基板毎にそれぞれ切断し、液晶が封入されて液晶表示装置が複数個同時に製造できる大板組立方式が知られており、例えば特許文献1に開示されている。
特許文献1に開示された大板組立方式は、先ず、1個または複数個のTFT基板を構成した一方のマザーガラス基板と、対向電極等の構成要素が全面に構成された他方のマザーガラス基板との、液晶層と接する面上に、液晶分子を基板面に沿って配向させるための配向膜を形成する。この配向膜は、例えばポリイミドを約数十ナノメータの厚さで印刷することにより形成される。その後、焼成を行い、さらに、電圧無印加時の液晶分子の配列を決定させるためのラビング処理を施す。
次いで、1個または複数個のTFT基板を構成した一方のマザーガラス基板と他方のマザーガラス基板とを対向させ、1個または複数個のTFT基板上の周縁に切り欠きを有する接着剤となる主成分が熱硬化型樹脂により構成されたシール材を描画する。また、一方のマザーガラス基板、または他方のマザーガラス基板の4隅に、主成分が紫外線硬化型樹脂により構成された仮止め材を4箇所形成する。
このシール材及び4箇所の仮止め材を用いて一方のマザーガラス基板と他方のマザーガラス基板とを貼り合わせる。その後、この状態でアライメント誤差が5μ以内となるようアライメントを施しながら対向基板を400kgfの荷重で加圧しながら、4つの仮止め材に紫外線を照射して硬化させる。
次いで、仮止めされた一方のマザーガラス基板と他方のマザーガラス基板とを焼成炉へと搬送し、熱硬化型樹脂により形成されたシール材を硬化させる。さらに、シール材の一部に設けられた切り欠きを介して液晶を封入し、封止材により切り欠きを封止した後、TFT基板毎に切断することにより液晶表示装置が複数個形成される。
このように、大板組立方式を用いることにより、一度に多数の液晶表示装置を製造できるため、液晶表示装置の製造に、高い生産性を得ることができる。
特開2002−250912号公報
ところで、特許文献1に開示された大板組立方式では、一対のマザー基板は、4隅の仮止め材によって仮止めされているため、一対のマザー基板が薄い場合に、加圧開放後、焼成炉に搬送される際、上記マザー基板が撓んでしまい、シール材の強度が低下してしまう、またはアライメントにズレが生じてしまうといった問題がある。
また、一対のマザー基板が厚い場合には、上記マザー基板が一定の方向に微少な反りを有していると、一方のマザー基板に他方のマザー基板をシール材及び仮止め材を介して加圧した後、4隅の仮止め材によって仮止めされると、一対のマザー基板に、上記反り方向に力が働く。
よって、この状態においてシール材を硬化させてしまうと、切断後、上記反り方向の力による基板のひずみが残留したまま液晶表示装置が製造されてしまう可能性が有り、液晶表示装置のシール材の強度の低下、信頼性の低下、または液晶表示装置のセルギャップの経時的変化をもたらす原因となる。
本発明は、これらの問題点に鑑みてなされたものであり、大板組立方式の電気光学装置の製造方法において、一対のマザー基板を精度良く貼り合わせることのできる電気光学装置の製造方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために本発明に係る電気光学装置の製造方法は、素子基板が複数個構成された第1のマザー基板と該第1のマザー基板に対向配置される第2のマザー基板の少なくとも一方のマザー基板上に仮止め材を1箇所形成する工程、及び上記素子基板の周縁部を囲むように配置されるシール材を形成する工程と、上記第1のマザー基板と、上記第2のマザー基板とを、上記シール材及び上記1箇所の仮止め材を介して貼り合わせ、対向配置させる工程と、上記第1のマザー基板と上記第2のマザー基板とを上記1箇所の仮止め材によって仮止めする工程と、を有することを特徴とする。
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、第1のマザー基板と第2のマザー基板とを仮止めする際、少なくとも一方のマザー基板上の1箇所の仮止め材によって仮止めすることにより、貼り合わせ後の各マザー基板の撓み、または各マザー基板の反り等にかかわらず、仮止め材の形成量を少なくして第1のマザー基板と第2のマザー基板とを高精度かつ低コストにより貼り合わせることができるという効果を有する。
また、上記目的を達成するために本発明に係る電気光学装置の製造方法は、素子基板が複数個構成された第1のマザー基板と該第1のマザー基板に対向配置される第2のマザー基板の少なくとも一方のマザー基板上に仮止め材を1箇所形成する工程、及び上記素子基板の周縁部を切り欠きを有して囲むように配置されるシール材を形成する工程と、上記第1のマザー基板と、上記第2のマザー基板とを、上記シール材及び上記1箇所の仮止め材を介して貼り合わせ、対向配置させる工程と、上記第1のマザー基板と上記第2のマザー基板とにアライメントを施して上記1箇所の仮止め材を硬化させる工程と、上記切り欠きを有するシール材を硬化させる工程と、上記複数個の素子基板を上記第2のマザー基板とともにそれぞれ切断する工程と、上記素子基板と該素子基板に対向する切断された上記第2のマザー基板との間に上記シール材の切り欠きから電気光学物質を注入する工程と、上記切り欠きに封止材を注入して硬化する工程と、を有することを特徴とする。
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、第1のマザー基板と第2のマザー基板とを仮止めする際、少なくとも一方のマザー基板上の1箇所の仮止め材によって仮止めすることにより、貼り合わせ後の各マザー基板の撓み、または各マザー基板の反り等にかかわらず、仮止め材の形成量を少なくして切断後の電気光学装置のセルギャップを、各基板の影響なく高精度に保つことができ、また低コストにより電気光学装置を製造することができるという効果を有する。
さらに、上記目的を達成するために本発明に係る電気光学装置の製造方法は、素子基板が複数個構成された第1のマザー基板と上記第1のマザー基板に対向配置される第2のマザー基板の少なくとも一方のマザー基板上に仮止め材を1箇所形成する工程、及び上記素子基板の周縁部を囲むように配置されるシール材を形成する工程と、上記第1のマザー基板、または上記第2のマザー基板に真空下において電気光学物質を滴下する工程と、上記第1のマザー基板と、上記第2のマザー基板とを、真空下において上記シール材及び上記1箇所の仮止め材を介して貼り合わせ、対向配置させる工程と、上記第1のマザー基板と上記第2のマザー基板とにアライメントを施して上記1箇所の仮止め材を硬化させる工程と、上記シール材を硬化させる工程と、上記複数個の素子基板を上記第2のマザー基板とともにそれぞれ切断する工程と、を有することを特徴とする。
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、液晶滴下方式を用いて電気光学装置を製造する場合であっても、第1のマザー基板と第2のマザー基板とを仮止めする際、少なくとも一方のマザー基板上の1箇所の仮止め材によって仮止めすることにより、貼り合わせ後の各マザー基板の撓み、または各マザー基板の反り等にかかわらず、仮止め材の形成量を少なくして切断後の電気光学装置のセルギャップを、基板形状の影響なく高精度に保つことができ、また低コストにより電気光学装置を製造することができるという効果を有する。
また、上記仮止め材は、上記第1のマザー基板または上記第2のマザー基板から、上記素子基板若しくは該素子基板に対向する部位を切断されない位置に形成されることを特徴とする。さらに、上記仮止め材は、上記第1のマザー基板、または上記第2のマザー基板の重心位置を含む重心位置の近傍の、上記第1のマザー基板と上記第2のマザー基板の少なくとも一方のマザー基板上に形成されることを特徴とする。
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、第1のマザー基板と第2のマザー基板とを仮止めする1箇所の仮止め材を、第1のマザー基板または第2のマザー基板の重心位置を含む重心位置近傍の、上記第1のマザー基板と上記第2のマザー基板の少なくとも一方のマザー基板上に形成することにより、1箇所の仮止め材は、貼り合わせ後の各マザー基板の撓みまたは反り等による各基板のひずみを最小にすることから、切断後の電気光学装置のセルギャップを、貼り合わせ後の各マザー基板の撓み、または各マザー基板の反り等の影響なく高精度に保つことができるという効果を有する。
また、上記仮止め材は、上記第1のマザー基板、または上記第2のマザー基板が丸形状の基板である場合は、上記第1のマザー基板と上記第2のマザー基板の少なくとも一方のマザー基板の中心を含む領域に、上記両マザー基板が角形状の基板である場合は、上記第1のマザー基板と上記第2のマザー基板の少なくとも一方のマザー基板の対角線の交点を含む領域に形成されることを特徴とする。
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、第1のマザー基板と第2のマザー基板とを仮止めする1箇所の仮止め材を、上記第1のマザー基板、または上記第2のマザー基板が丸形状の基板である場合は、上記第1のマザー基板と上記第2のマザー基板の少なくとも一方のマザー基板の中心を含む領域に、上記両マザー基板が角形状の基板である場合は、上記第1のマザー基板と上記第2のマザー基板の少なくとも一方のマザー基板の対角線の交点を含む領域に形成することにより、1箇所の仮止め材は、貼り合わせ後の各マザー基板の撓みまたは反り等による各基板のひずみを最小にすることから、切断後の電気光学装置のセルギャップを、貼り合わせ後の各マザー基板の撓み、または各マザー基板の反り等の影響なく高精度に保つことができるという効果を有する。
また、上記仮止め材は、主成分が紫外線硬化型樹脂により構成されていることを特徴とする。
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、紫外線を1箇所の仮止め材に照射するだけにより、仮止め材は硬化するため、短時間により、仮止め材を硬化させることができるという効果を有する。
さらに、上記仮止め材は、円状に形成されることを特徴とする。
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、仮止め材は、円状に形成されることにより、貼り合わせ後の各マザー基板の撓み、または各マザー基板の反り等による各基板のひずみを最小にすることから、切断後の電気光学装置のセルギャップを、貼り合わせ後の各マザー基板の撓み、または各マザー基板の反り等の影響なく高精度に保つことができるという効果を有する。
また、上記仮止め材は、十字状に形成されることを特徴とする。
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、仮止め材は、十字状に形成されることにより、貼り合わせ後の各マザー基板の撓み、または反り等による各基板のひずみを最小にすることから、切断後の電気光学装置のセルギャップを、貼り合わせ後の各マザー基板の撓み、または各マザー基板の反り等の影響なく高精度に保つことができるという効果を有する。
さらに、上記仮止め材は、上記第1のマザー基板、または上記第2のマザー基板を切断するための切断線を除く4つのL字からなる十字路状に形成されることを特徴とする。
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、仮止め材は、第1のマザー基板、または第2のマザー基板を切断するための切断線を除く4つのL字からなる十字路状に形成されることにより、切断の際の妨げにならず、貼り合わせ後の各マザー基板の撓み、または各マザー基板の反り等による各基板のひずみを最小にすることから、容易にマザー基板を切断でき、また、切断後の電気光学装置のセルギャップを、貼り合わせ後の各マザー基板の撓み、または各マザー基板の反り等の影響なく高精度に保つことができるという効果を有する。
また、上記仮止め材は、環状に形成されることを特徴とする。
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、仮止め材は、環状に形成されることにより、貼り合わせ後の各マザー基板の撓み、または各マザー基板の反り等による各基板のひずみを最小にすることから、切断後の電気光学装置のセルギャップを、貼り合わせ後の各マザー基板の撓み、または各マザー基板の反り等の影響なく高精度に保つことができるという効果を有する。
さらに、上記仮止め材は、点に形成されることを特徴とする。
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、仮止め材は、点に形成されることにより、貼り合わせ後の各マザー基板の撓み、または各マザー基板の反り等による各基板のひずみを仮止め材の形成量を少なくして最小にすることから、切断後の電気光学装置のセルギャップを、低コストにより貼り合わせ後の各マザー基板の撓み、または各マザー基板の反り等の影響なく高精度に保つことができるという効果を有する。
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。尚、本実施の形態は、電気光学装置は、素子基板であるTFTを用いた液晶表示装置を例に挙げて説明する。よって、液晶表示装置に用いる一対の基板の内、一方の基板は、TFT基板となり、また他方の基板は、TFT基板に対向する基板(以下、対向基板と称す)となる。さらに、電気光学物質は、液晶となる。
図1は、本発明の一実施の形態を示す液晶表示装置の製造方法を示すフローチャート、図2は、液晶表示装置のTFT基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板側から見た平面図、図3は、TFT基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封入する組立工程終了後の液晶表示装置を、図2中のIII−III線に沿って切断した断面図、図4は、図2の液晶表示装置の製造工程のおける分断前の複数個のTFT基板が構成されたマザー基板の平面図、図5は、図4のマザー基板の他の例を示した平面図、図6は、複数個のTFT基板が構成された図4のマザー基板に、全面に対向電極等の構成要素が形成されたマザー基板をシール材及び仮止め材を介して貼り合わせたものの部分分解斜視図、図7は、図6のマザー基板同士を貼り合わせた後VII−VII線に沿って切断した断面図、図8〜図11は、図4のマザー基板に形成された仮止め材の他の形状を示した平面図である。
先ず、図2、図3を参照して、本実施の形態の液晶表示装置の製造方法によって、製造される液晶表示装置の構成について説明する。
同図に示すように、液晶表示装置100は、TFT基板10とそれに対向して設けられる対向基板20との間に液晶50を封入して構成される。TFT基板10上に画素を構成する画素電極9a等がマトリクス状に配置される。
同図に示すように、液晶表示装置100は、TFT基板10とそれに対向して設けられる対向基板20との間に液晶50を封入して構成される。TFT基板10上に画素を構成する画素電極9a等がマトリクス状に配置される。
対向基板20に表示領域を区画する額縁としての遮光膜(BM)42が設けられている。遮光膜42は、例えば遮光性材料によって形成される。
遮光膜42の外側の領域に、液晶を封入するシール材41がTFT基板10と対向基板20との間に形成されている。シール材41は、対向基板20の輪郭形状に略一致するように配置され、TFT基板10と対向基板20とを相互に固着する。
シール材41は、TFT基板10の1辺の一部において欠落しており、貼り合わされたTFT基板10及び対向基板20の相互の間隙に、液晶50を注入するための切り欠きである液晶注入口78が形成されている。液晶注入口78より液晶50が注入された後、液晶注入口78は、封止材79により封止される。
TFT基板10のシール材41の外側の領域に、データ線駆動回路61及び実装端子62がTFT基板10の一辺に沿って設けられており、この一辺に隣接する2辺に沿って、走査線駆動回路63が設けられている。
TFT基板10の残る一辺に、画面表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路63間を接続する複数の配線64が設けられている。また、対向基板20のコーナー部の少なくとも1箇所においては、TFT基板10と対向基板20との間を電気的に導通させる導通材65が設けられている。
次に、このように構成される液晶表示装置100の製造方法について、図1,図4〜図11を用いて説明する。
図1に示すように、TFT基板10と対向基板20(いずれも図2参照)とは、前述したように別々に製造される。先ず、TFT基板10を複数個構成する第1のマザー基板300の製造方法を説明する。
図1に示すように、TFT基板10と対向基板20(いずれも図2参照)とは、前述したように別々に製造される。先ず、TFT基板10を複数個構成する第1のマザー基板300の製造方法を説明する。
ステップS1において、先ず、第1のマザー基板であるマザー基板300に、図4に示すように、既知の成膜工程により画素電極9a等の構成要素が形成されたTFT基板10を、マザー基板300の計算より求めた重心位置を含む重心位置の近傍と重ならない位置に複数個構成して、ステップS2に移行する。尚、マザー基板300は、図4に示すように、四角状を有しており、例えば石英から構成されている。ステップS2では、マザー基板300の一方の面(以下、内面と称す)の全面に配向膜を約数十ナノメータの厚さで形成してステップS3に移行する。
ステップS3では、ステップS2において形成された配向膜に、液晶表示装置100の電圧無印加時の液晶分子の配列を決定させるためのラビング処理を施してステップS4に移行し、さらにステップS4では、上記ラビング処理によって生じた塵埃を除去するための洗浄を行ってステップS5に移行する。
ステップS5では、TFT基板10及び対向基板20を貼り合わせるための接着剤の役割をする、例えば主成分が熱硬化型樹脂により構成されたシール材41を、図4に示すように、マザー基板300の内面の配向膜上であって、TFT基板10の周縁部を、後述する液晶注入用の液晶注入口78を有して囲むように、例えば9μm〜15μmの高さで描画する。尚、この際、TFT基板10及び対向基板20を電気的に導通させる導通材65(図2参照)も塗布する、その後、ステップS6に移行する。
ステップS6では、マザー基板300の内面の配向膜上に仮止め材77を1箇所形成する。仮止め材77は、マザー基板300の重心位置を含む重心位置の近傍に、図4に示すように円形に描画または印刷することにより形成する。尚、上記重心位置を含む重心位置の近傍は、上述したように、計算より求めた、後述するマザー基板300からTFT基板10を切断する際に、マザー基板300から切断されない位置、即ちマザー基板300上のTFT基板10が構成されていない位置となっている。
このように、仮止め材77は、重心位置を含む重心位置の近傍に円状に形成されることにより、後述するマザー基板300とマザー基板400とを貼り合わせた際の各マザー基板300,400の撓み、または各マザー基板300,400の反り等によるひずみを最小限にする。よって、後述する切断後の電気光学装置100のセル厚であるセルギャップを、一定に保つことができる。
また、仮止め材77は、複数個のTFT基板10が構成されたマザー基板300及び複数個の対向基板20となる第2のマザー基板であるマザー基板400(図6参照)を貼り合わせるための接着剤の役割をするものであり、例えば主成分が紫外線硬化型樹脂により構成されている。
尚、仮止め材77は、円形に限らず、図8に示すように十字状、図9に示すように環状に形成しても良い。よって、仮止め材77は、重心位置を含む重心位置の近傍に十字状または環状に形成されることにより、貼り合わせ後の各マザー基板300,400の撓み、または各マザー基板300,400の反り等によるひずみを最小限にする。よって、切断後の電気光学装置100のセルギャップを、一定に保つことができる。
また、仮止め材77は、図10に示すように点に形成しても良い。よって、仮止め材77は、重心位置を含む重心位置の近傍に、例えば径が1mm以上の点に形成されることにより、貼り合わせ後の各マザー基板300,400の撓み、または各マザー基板300,400の反り等によるひずみを仮止め材77の形成量を少なくして最小限にする。よって、切断後の電気光学装置100のセルギャップを、一定に保つことができる。
さらに、仮止め材77は、図11に示すようにマザー基板300からTFT基板10を切断する際の切断線300aを除く4つのL字からなる十字路状に形成されていても良い。よって、仮止め材77は、重心位置を含む重心位置の近傍にTFT基板10を切断するための切断線300aを除く4つのL字からなる十字路状に形成されることにより、切断の際の妨げにならず、貼り合わせ後の各マザー基板300,400の撓みまたは各マザー基板300,400の反り等によるひずみを最小限にする。よって、容易にマザー基板300からTFT基板10を切断でき、また、切断後の電気光学装置のセルギャップを、一定に保つことができる
図1に戻って、仮止め材77を形成後、図4に示すように、マザー基板300とマザー基板400とを貼り合わせる際の位置合わせのためのアライメントマーク300bを形成する。その後、ステップ11に移行する。
図1に戻って、仮止め材77を形成後、図4に示すように、マザー基板300とマザー基板400とを貼り合わせる際の位置合わせのためのアライメントマーク300bを形成する。その後、ステップ11に移行する。
次に、対向基板20となる第2のマザー基板400の製造方法を説明する。
先ず、ステップS7において、第2のマザー基板であるマザー基板400に、既知の成膜工程により対向電極400a(いずれも図6参照)等の構成要素を一方の面(以下、内面と称す)の全面、または第1のマザー基板300と第2のマザー基板400とを貼り合わせた際、第1のマザー基板300に複数個構成されたTFT基板10に対向する位置に複数形成して、ステップS8に移行する。尚、マザー基板400は、図4に示すマザー基板300と同一形状を有しており、例えば石英から構成されている。
先ず、ステップS7において、第2のマザー基板であるマザー基板400に、既知の成膜工程により対向電極400a(いずれも図6参照)等の構成要素を一方の面(以下、内面と称す)の全面、または第1のマザー基板300と第2のマザー基板400とを貼り合わせた際、第1のマザー基板300に複数個構成されたTFT基板10に対向する位置に複数形成して、ステップS8に移行する。尚、マザー基板400は、図4に示すマザー基板300と同一形状を有しており、例えば石英から構成されている。
ステップS8では、マザー基板400の内面の全面に、配向膜を約数十ナノメータの厚さで形成してステップS9に移行し、ステップS9では、ステップS8で形成された配向膜に、液晶表示装置100の電圧無印加時の液晶分子の配列を決定させるためのラビング処理を施してステップS10に移行し、さらにステップS10では、上記ラビング処理によって生じた塵埃を除去するための洗浄を行ってステップS11に移行する。
尚、上述した、マザー基板300及びマザー基板400は、図4に示すように、角状であるとしたが、マザー基板300とマザー基板400とが同一の形状であれば、図5に示めすように、各マザー基板300,400は、例えば位置決め用の切り欠きであるオリエンテーションフラット300cが形成された略円形状であってもよい。
ステップS11では、上述したように形成されたマザー基板300及びマザー基板400を、図6に示すように、仮止め材77を介して貼り合わせる。その際、仮止め材77は、マザー基板300の重心位置を含む重心位置近傍に1箇所形成されているため、仮に、各マザー基板300,400が薄かったとしても、1箇所の仮止め材77は、貼り合わせ後の各マザー基板300,400の撓みを最小限にすることができる。
また、仮に各マザー基板300,400が厚かったとしても、各マザー基板300,400の反りによるひずみを最小限にする。よって、後述する切断後の電気光学装置のセル厚(セルギャップ)を、マザー基板の撓みまたは反り等の影響なく高精度に保つことができる。その後、ステップS12に移行する。
ステップS12では、マザー基板300に貼り合わせたマザー基板400の内面を、アライメントマーク300bを用いてアライメントを保ちながら(例えばアライメント誤差1μ以内)、例えば加圧ヘッドにより圧着する。
このとき、マザー基板400を、マザー基板300に形成された未硬化の仮止め材77を押しつぶすように押圧し、図7に示すように、同じくマザー基板300に描画されたシール材41の高さ位置まで貼り合わせる。このように貼り合わせれば、液晶表示装置100のセルギャップは、シール材41の高さによって規定することができるため、上記セル厚を高精度に設定することができる。その後、ステップS13に移行する。
ステップS13では、例えば2000mJ,10〜30mw/cm2の条件によって、仮止め材77に紫外線を、3〜7sec間一括照射する。このことにより、紫外線硬化型樹脂により構成された仮止め材77は硬化し、マザー基板300とマザー基板400とは仮止めされる。よって、仮止め材77に紫外線硬化型樹脂を用いることにより、短時間により、仮止め材77を硬化させることができる。その後、ステップS14に移行する。
ステップS14では、仮止め材77によって仮止めされて貼り合わされたマザー基板300とマザー基板400とを、加圧解放後、焼成炉に搬送して、ステップS15に移行する。この際、上記各マザー基板300,400が薄い場合であって、複数個の仮止め材77を用いている場合に、搬送の途中において、上記各マザー基板300,400が撓んでしまい、シール材41の強度が低下してしまう、またはアライメントにズレが生じてしまう等の問題がある。
しかしながら、本実施の形態においては、各マザー基板300,400の重心位置を含む重心近傍に1箇所形成された仮止め材77により各マザー基板300,400は仮止めされているため、また、貼り合わせ後のマザー基板の反りの中心は、該マザー基板の重心位置を含む重心位置近傍に位置することが既知であることから、1箇所の仮止め材77は、貼り合わせ後の各マザー基板300,400の撓みを最小限にすることより、アライメントずれなく上記各マザー基板300,400を搬送することができる。
ステップS15では、焼成炉を用いて、例えば温度100°の雰囲気下において3〜7時間熱焼成を行い、シール材41を硬化する。その後、ステップS16に移行する。
ステップS16では、貼り合わされたマザー基板300と、マザー基板400とから、TFT基板10毎にTFT基板10とそれに対向するマザー基板400とを切断する。このことから、マザー基板400は、TFT基板10に対向する対向基板20となる。その後、ステップS17に移行する。
この際、上記各マザー基板300,400が厚い場合であって、複数個の仮止め材を用いている場合に、切断後、上記各マザー基板300,400の反り方向の力が残留したまま電気光学装置が製造されてしまう可能性が有り、電気光学装置のシール材41の強度の低下、信頼性の低下、または電気光学装置のセルギャップの経時的変化をもたらす原因となっていた。
しかしながら、本実施の形態においては、各マザー基板300,400の重心位置を含む重心近傍に1箇所形成された仮止め材77により各マザー基板300,400は仮止めされているため、また、貼り合わせ後の各マザー基板300,400の反りの中心は、該マザー基板300,400の重心位置を含む重心位置近傍に位置することが既知であることから、1箇所の仮止め材77は、各マザー基板300,400の反りによる応力ひずみを最小限にすることより、電気光学装置のシール材41の強度の低下、信頼性の低下、または電気光学装置のセルギャップの経時的変化なく上記各マザー基板300,400を切断することができる。
ステップS17では、TFT基板10と対向基板との間に配置されたシール材41の液晶注入口(図6参照)から液晶を注入してステップS18に移行し、該ステップS18では、液晶注入口を封止材79(図2参照)を用いて封止して、ステップS19に移行し、最後にステップS19では、封止材79を硬化させて液晶表示装置100の製造は完了する。
このように、本発明の一実施の形態における液晶表示装置の製造方法においては、複数個のTFT基板10が構成されたマザー基板300と対向基板20となるマザー基板400とを仮止め材77を介して貼り合わせる際、仮止め材77をマザー基板300の重心位置を含む重心位置の近傍に1箇所形成した。
このことにより、マザー基板300と第2のマザー基板とを仮止めする際、仮止め材77は、各マザー基板300,400が、薄いまたは厚いことにより発生する、撓み若しくは反り等にかかわらず、切断後の電気光学装置のセルギャップを、各マザー基板300,400の影響なく高精度に保つことができ、また仮止め材77は、1箇所でよいことから低コストにより電気光学装置100を製造することができる。
尚、本実施の形態においては、液晶をシール材41の液晶注入口より注入して電気光学装置100を製造すると示したが、これに限らず、最初にTFT基板または対向基板に液晶を滴下した後、TFT基板と対向基板を貼り合わせる、所謂液晶滴下方式を用いた電気光学装置の製造方法に適用しても、本実施の形態と同様の効果を得ることができる。
詳しくは、図12を用いて説明する。図12は、液晶滴下方式による液晶表示装置の製造方法を示すフローチャートである。
先ず、TFT基板10を構成するマザー基板300の製造方法を説明する。ステップS1〜ステップS6までは、シール材41に切り欠きを有さないよう形成すること以外は、図1において上述した製造方法と同一である。
先ず、TFT基板10を構成するマザー基板300の製造方法を説明する。ステップS1〜ステップS6までは、シール材41に切り欠きを有さないよう形成すること以外は、図1において上述した製造方法と同一である。
ステップS6において、仮止め材77を形成後、ステップS20に移行し、該ステップS20では、マザー基板300を真空雰囲気下に移動させてステップS11に移行する。
次に、対向基板20となるマザー基板400の製造方法を説明する。
ステップS7〜ステップS10は、図1で上述した製造方法と同一である。ステップS10において、上記ラビング処理によって生じた塵埃を除去するための洗浄を行った後、ステップS23に移行する。
ステップS7〜ステップS10は、図1で上述した製造方法と同一である。ステップS10において、上記ラビング処理によって生じた塵埃を除去するための洗浄を行った後、ステップS23に移行する。
ステップS23では、マザー基板400を真空雰囲気下に移動させてステップS24に移行し、ステップS24では、既知の液晶滴下方式により、規定量の液晶50を、配向膜の上面に滴下してステップS25に移行する。ここで、真空下において、液晶を滴下するのは、液晶滴下中に気泡が紛れ込むのを防止するためである。
ステップS25では、真空下において、上述したように形成されたマザー基板300及びマザー基板400を、仮止め材77を介して貼り合わせる。その際、仮止め材77は、マザー基板300の重心位置を含む重心位置近傍に1箇所形成されているため、1箇所の仮止め材77は、貼り合わせ後の各マザー基板300,400の撓みまたは反り等によるひずみを最小限にする。
よって、後述する切断後の電気光学装置のセルギャップを、各マザー基板300,400の影響なく高精度に保つことができる。その後、ステップS12に移行する。尚、以下ステップS12〜ステップS16は、図1において上述した製造方法と同一である。
液晶滴下方式では、ステップS16において、貼り合わされたマザー基板300と、マザー基板400とから、TFT基板10毎にTFT基板10とそれに対向するマザー基板400とを切断することにより、マザー基板400は、TFT基板10に対向する対向基板20となり、液晶表示装置の製造は完了する。
このように、液晶滴下方式を用いた電気光学装置の製造方法に適用しても、本実施の形態と同様の効果を得ることができる。
また、本実施の形態においては、シール材41及び仮止め材77は、マザー基板300に形成されると示したが、これに限らず、マザー基板400に形成してもよいことは勿論である。さらに、マザー基板300、マザー基板400の両方に仮止め材77を形成して、仮止め材77同士を貼り合わせるようにしてもよい。
さらに、仮止め材77には、主成分が紫外線硬化型樹脂から構成されるものを用いたが、これに限らず、硬化時間を無視すれば、主成分が熱硬化型樹脂、及び紫外線/熱併用型樹脂から構成されるものを用いても本実施の形態と同様の効果を得ることができる。
さらに、仮止め材77を硬化させるため、2000mJ,10〜30mw/cm2の条件によって、仮止め材77に紫外線を、3〜7sec間一括照射すると示したが、この照射条件に限定されないことは勿論である。
また、本シール材41を硬化させるため、焼成炉を用いて、温度100°の雰囲気下において3〜7時間熱焼成を行い、シール材41を硬化させると示したが、この焼成条件に限定されないことは云うまでもない。
さらに、仮止め材77は、マザー基板300とマザー基板400の少なくとも一方の、マザー基板上の重心位置を含む重心位置の近傍に形成されると示したが、これに限らず、仮止め材77は、マザー基板300、またはマザー基板400が丸形状の基板である場合は、マザー基板300とマザー基板400の少なくとも一方のマザー基板の中心を含む領域に、上記両マザー基板が角形状の基板である場合は、マザー基板300とマザー基板400の少なくとも一方のマザー基板の対角線の交点を含む領域に形成してもよい。
このように仮止め材77を形成しても、マザー基板300とマザー基板400とを貼り合わせた際の各マザー基板300,400の撓み、または各マザー基板300,400の反り等による応力ひずみを最小限にする。よって、後述する切断後の電気光学装置100のセル厚であるセルギャップを、一定に保つことができる。さらに、本実施の形態における電気光学装置の製造方法によって製造される電気光学装置は、液晶表示装置を、また電気光学物質は液晶を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されず、エレクトロルミネッセンス装置、特に、有機エレクトロルミネッセンス装置、無機エレクトロルミネッセンス装置等や、プラズマディスプレイ装置、FED(Field Emission Display)装置、SED(Surface-Conduction Electron-Emitter Display)装置、LED(発光ダイオード)表示装置、電気泳動表示装置、薄型のブラウン管または液晶シャッター等を用いた小型テレビ、デジタルマイクロミラーデバイス(DMD)を用いた装置などの各種の電気光学装置に適用できる。
また、本実施の形態における電気光学装置の製造方法によって製造される本発明の電気光学装置は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上述した液晶表示装置は、TFT(薄膜トランジスタ)等のアクティブ素子(能動素子)を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールを例に挙げて説明したが、これに限らず、TFD(薄膜ダイオード)等のアクティブ素子(能動素子)を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールにも適用することができる。
10…TFT基板、41…シール材、50…液晶、77…仮止め材、78…液晶注入口、79…封止材、100…液晶表示装置、300…一方のマザー基板、300a…切断線、400…他方のマザー基板。
Claims (12)
- 素子基板が複数個構成された第1のマザー基板と該第1のマザー基板に対向配置される第2のマザー基板の少なくとも一方のマザー基板上に仮止め材を1箇所形成する工程、及び上記素子基板の周縁部を囲むように配置されるシール材を形成する工程と、
上記第1のマザー基板と、上記第2のマザー基板とを、上記シール材及び上記1箇所の仮止め材を介して貼り合わせ、対向配置させる工程と、
上記第1のマザー基板と上記第2のマザー基板とを上記1箇所の仮止め材によって仮止めする工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 素子基板が複数個構成された第1のマザー基板と該第1のマザー基板に対向配置される第2のマザー基板の少なくとも一方のマザー基板上に仮止め材を1箇所形成する工程、及び上記素子基板の周縁部を切り欠きを有して囲むように配置されるシール材を形成する工程と、
上記第1のマザー基板と、上記第2のマザー基板とを、上記シール材及び上記1箇所の仮止め材を介して貼り合わせ、対向配置させる工程と、
上記第1のマザー基板と上記第2のマザー基板とにアライメントを施して上記1箇所の仮止め材を硬化させる工程と、
上記切り欠きを有するシール材を硬化させる工程と、
上記複数個の素子基板を上記第2のマザー基板とともにそれぞれ切断する工程と、
上記素子基板と該素子基板に対向する切断された上記第2のマザー基板との間に上記シール材の切り欠きから電気光学物質を注入する工程と、
上記切り欠きに封止材を注入して硬化する工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 素子基板が複数個構成された第1のマザー基板と上記第1のマザー基板に対向配置される第2のマザー基板の少なくとも一方のマザー基板上に仮止め材を1箇所形成する工程、及び上記素子基板の周縁部を囲むように配置されるシール材を形成する工程と、
上記第1のマザー基板、または上記第2のマザー基板に真空下において電気光学物質を滴下する工程と、
上記第1のマザー基板と、上記第2のマザー基板とを、真空下において上記シール材及び上記1箇所の仮止め材を介して貼り合わせ、対向配置させる工程と、
上記第1のマザー基板と上記第2のマザー基板とにアライメントを施して上記1箇所の仮止め材を硬化させる工程と、
上記シール材を硬化させる工程と、
上記複数個の素子基板を上記第2のマザー基板とともにそれぞれ切断する工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 上記仮止め材は、上記第1のマザー基板または上記第2のマザー基板から、上記素子基板若しくは該素子基板に対向する部位を切断されない位置に形成されることを特徴とする請求項1,2または3に記載の電気光学装置の製造方法。
- 上記仮止め材は、上記第1のマザー基板、または上記第2のマザー基板の重心位置を含む重心位置の近傍の、上記第1のマザー基板と上記第2のマザー基板の少なくとも一方のマザー基板上に形成されることを特徴とする請求項1,2,3または4に記載の電気光学装置の製造方法。
- 上記仮止め材は、上記第1のマザー基板、または上記第2のマザー基板が丸形状の基板である場合は、上記第1のマザー基板と上記第2のマザー基板の少なくとも一方のマザー基板の中心を含む領域に、上記両マザー基板が角形状の基板である場合は、上記第1のマザー基板と上記第2のマザー基板の少なくとも一方のマザー基板の対角線の交点を含む領域に形成されることを特徴とする請求項1,2,3または4に記載の電気光学装置の製造方法。
- 上記仮止め材は、主成分が紫外線硬化型樹脂により構成されていることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の電気光学装置の製造方法。
- 上記仮止め材は、円状に形成されることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の電気光学装置の製造方法。
- 上記仮止め材は、十字状に形成されることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の電気光学装置の製造方法。
- 上記仮止め材は、上記第1のマザー基板、または上記第2のマザー基板を切断するための切断線を除く4つのL字からなる十字路状に形成されることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の電気光学装置の製造方法。
- 上記仮止め材は、環状に形成されることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の電気光学装置の製造方法。
- 上記仮止め材は、点に形成されることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の電気光学装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004014905A JP2005208347A (ja) | 2004-01-22 | 2004-01-22 | 電気光学装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004014905A JP2005208347A (ja) | 2004-01-22 | 2004-01-22 | 電気光学装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005208347A true JP2005208347A (ja) | 2005-08-04 |
Family
ID=34900552
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004014905A Withdrawn JP2005208347A (ja) | 2004-01-22 | 2004-01-22 | 電気光学装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005208347A (ja) |
-
2004
- 2004-01-22 JP JP2004014905A patent/JP2005208347A/ja not_active Withdrawn
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8016181B2 (en) | Method of producing electro-optical device using anisotropic conductive adhesive containing conductive particles to bond terminal portions and electro-optical device | |
US10090490B2 (en) | Method of producing curved display panel | |
JP4240111B2 (ja) | 電気光学装置の製造方法 | |
US10866446B2 (en) | Method of producing a display panel | |
JP2009172626A (ja) | 電気光学装置の製造方法及び電気光学装置 | |
JP3767254B2 (ja) | 電気光学装置および投射型表示装置 | |
WO2017038670A1 (ja) | 表示パネルの製造方法及び表示パネル | |
JP3702902B2 (ja) | 電気光学装置の製造方法 | |
JP2005208347A (ja) | 電気光学装置の製造方法 | |
JP2007047240A (ja) | 仮止め材及びそれを用いた液晶表示装置の製造方法 | |
JP2006078929A (ja) | 電気光学装置、及び電子機器、電気光学装置の製造方法 | |
JP4311248B2 (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
JP4882672B2 (ja) | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置の製造装置 | |
JP5003349B2 (ja) | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置の製造装置 | |
JP2005148523A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
JP2009175307A (ja) | 電気光学装置の製造方法及び電気光学装置 | |
US20210240029A1 (en) | Electronic apparatus and method for manufacturing the same | |
JP2007010706A (ja) | 液晶装置及びその製造方法 | |
JP4356681B2 (ja) | 液晶装置の製造方法 | |
JP4274096B2 (ja) | 電気光学装置の製造装置及び製造方法 | |
JP2009186538A (ja) | 基板の製造方法 | |
JP2008116779A (ja) | 電気光学装置の製造方法 | |
JP2000338893A (ja) | 電気光学装置の製造方法及び電気光学装置 | |
JP2009047880A (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
JP2003270644A (ja) | 液晶装置及びその製造方法並びに接着材 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070403 |