JP2008111875A - 演算増幅器及び表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】演算増幅器1は、NチャンネルMOSトランジスタMN1、MN2を有する第1差動対と、PチャンネルMOSトランジスタMP1、MP2を有する第2差動対と、出力トランジスタNP3、MN3を有する出力段と、第1及び第2差動対からの差動出力をシングル変換する夫々第1及び第2のスイッチ付き能動負荷11、12と、第1及び第2のスイッチ付き能動負荷11、12の2出力のいずれか一を選択すると共に夫々MP3、MN3のアイドリング電流を決定する夫々第1及び第2のスイッチ付きバイアス回路13、14と、出力端子及び入力端子と第1又は第2差動対のゲートのいずれか一方とを接続する夫々第1及び第2のスイッチSW1、SW2と、スイッチング機能及びスイッチを連動して制御するオフセットキャンセル信号を入力する端子17とを有する。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の実施の形態1にかかるオフセットキャンセル回路付き演算増幅器を示すブロック図である。図1に示すように、本実施の形態にかかるオフセットキャンセル回路付き演算増幅器1は、第1、第2トランジスタとしてのNチャンネルで構成された差動対MOSトランジスタ(MN1/MN2)と、第3、第4トランジスタとしてのPチャンネルで構成された差動対MOSトランジスタ(MP1/MP2)と、第1の定電流源I1、第2の定電流源I2と、第1のスイッチ付き能動負荷11と、第2のスイッチ付き能動負荷12と、第1のスイッチ付きバイアス回路13と、第2のスイッチ付きバイアス回路14と、第5トランジスタとしてのPチャンネルMOS出力トランジスタMP3と、第6トランジスタとしてのNチャンネルMOS出力トランジスタMN3と、第1のスイッチSW1、第2のスイッチSW2と、第1の位相補償回路15と、第2の位相補償回路16と、オフセットキャンセル制御信号端子17とを有する。
VO=VIN+Vos
となる。次にスイッチを切り替え、スイッチの状態をBにしたとすると、スイッチの状態がAのときと逆極性の方向にオフセット電圧が出力され、結果、出力電圧は
VO=VIN−Vos
となる。このように、スイッチを切り替えることにより出力電圧VOは理想出力電圧値VINに対し、対称的に電圧出力されることがわかる。従って、AとBの二つの状態をこれらスイッチで切り替えれば、いわゆる空間的に平均化され、結果としてオフセット電圧が零になりオフセットキャンセルされたことになる。
次に、本発明の実施の形態2について説明する。本実施の形態は、上述の実施の形態1にかかる演算増幅器をより具体化したものである。図2は、本実施の形態にかかる演算増幅器10を示す図である。なお、図2において、図1に示す構成要素と同一構成要素には同一の符号を付しその詳細な説明は省略する。
V(BP1)=VGS(MP6)+VGS(MP5)・・・(1)
VGS(MP6):MP6のゲート−ソース間電圧
VGS(MP5):MP5のゲート−ソース間電圧
実施の形態3.
11 第1のスイッチ付き能動負荷
12 第2のスイッチ付き能動負荷
13 第1のスイッチ付きバイアス回路
14 第2のスイッチ付きバイアス回路
15、16 位相補償回路
17 オフセットキャンセル制御信号端子
111、112、121、122、131、141、201 スイッチ
151、161 抵抗
152、162 容量
211、231、251、252 NチャンネルMOSトランジスタ
221、232、261、262 PチャンネルMOSトランジスタ
233、253、263、273 インバータ
241 トランスファ型スイッチ
271、272 トランジスタ対
Claims (6)
- 第1導電型の第1トランジスタ及び第2トランジスタを有する第1差動対と、
第2導電型の第3トランジスタ及び第4トランジスタを有する第2差動対と、
第5トランジスタ及び第6トランジスタを有する出力段と、
前記第1差動対からの差動出力をシングル変換する第1のスイッチ付き能動負荷と、
前記第2差動対からの差動出力をシングル変換する第2のスイッチ付き能動負荷と、
前記第1のスイッチ付き能動負荷の2出力のいずれか一を選択すると共に前記第5トランジスタのアイドリング電流を決定する第1のスイッチ付きバイアス回路と、
前記第2のスイッチ付き能動負荷の2出力のいずれか一を選択すると共に前記第6トランジスタのアイドリング電流を決定する第2のスイッチ付きバイアス回路と、
出力端子と、前記第1又は第2差動対の制御端子のいずれか一方とを接続する第1のスイッチと、
入力端子と、前記第1又は第2の差動対の制御端子のいずれか一方とを接続する第2のスイッチと、
前記第1及び第2のスイッチ付き能動負荷におけるスイッチング機能、前記第1及び第2のスイッチ付きバイアス回路におけるスイッチング機能、並びに前記第1及び第2のスイッチを連動して制御する制御信号を入力する制御信号端子とを有する演算増幅器。 - 前記第1のスイッチ付き能動負荷は、ソースがお互いに共通接続されて第1の電源に接続され、ゲートが共通接続された第2導電型の第7及び第8トランジスタと、当該第7及び第8トランジスタの共通接続されたゲートと各ドレインとの間に接続された第3及び第4スイッチとを有し、
前記第2のスイッチ付き能動負荷は、ソースがお互いに共通接続されて第2の電源に接続され、ゲートが共通接続された第1導電型の第9及び第10トランジスタと、当該第9及び第10トランジスタの共通接続されたゲートと各ドレインとの間に接続された第5及び第6スイッチとを有する
ことを特徴とする請求項1記載の演算増幅器。 - 前記第1のスイッチ付きバイアス回路は、前記第7及び第8トランジスタの各ドレインと前記5トランジスタのゲートとの間に接続された第7スイッチと、前記第1の電源と前記第5トランジスタのゲートとの間に接続された第1の定電流源と、ゲートが定電圧でバイアスされ、ソースが前記第5トランジスタのゲートに接続され、ドレインが前記第6トランジスタのゲートに接続された第11トランジスタとを有し、
前記第2のスイッチ付きバイアス回路は、前記第9及び第10トランジスタの各ドレインと前記6トランジスタのゲートとの間に接続された第8スイッチと、前記第2の電源と前記第6トランジスタのゲートとの間に接続された第2の定電流源と、ゲートが定電圧でバイアスされ、ソースが前記第6トランジスタのゲートに接続され、ドレインが前記第5トランジスタのゲートに接続された第12トランジスタとを有する
ことを特徴とする請求項1又は2記載の演算増幅器。 - 前記第5及び第6トランジスタの制御端子にそれぞれ第1及び第2位相補償回路が接続されている
ことを特徴とする請求項1記載の演算増幅器。 - 前記第1及び第2の位相補償回路は、直列接続された抵抗及び容量を有し、それぞれ第5トランジスタのゲートとドレインとの間、及び前記第6トランジスタのゲートとドレインとの間に接続されている
ことを特徴とする請求項4記載の演算増幅器。 - 奇数番目の出力に接続される第1の演算増幅器と、
偶数番目の出力に接続され、前記第1の演算増幅器と共通のオフセットキャンセル信号が入力される第2の演算増幅器と、
前記第1の演算増幅器の正転入力端子にその共通端子側が接続され、正側のディジタルアナログ変換器からの出力電圧を受けるか負側のディジタルアナログ変換器からの出力電圧を受けるかを選択する第1のトランスファ型スイッチと、
前記第2の演算増幅器の正転入力端子にその共通端子側が接続され、正側のディジタルアナログ変換器からの出力電圧を受けるか負側のディジタルアナログ変換器からの出力電圧を受けるかを選択する第2のトランスファ型スイッチとを有し、
前記第1及び第2の演算増幅器は、
第1導電型の第1トランジスタ及び第2トランジスタを有する第1差動対と、
第2導電型の第3トランジスタ及び第4トランジスタを有する第2差動対と、
第5トランジスタ及び第6トランジスタを有する出力段と、
前記第1差動対からの差動出力をシングル変換する第1のスイッチ付き能動負荷と、
前記第2差動対からの差動出力をシングル変換する第2のスイッチ付き能動負荷と、
前記第1のスイッチ付き能動負荷の2出力のいずれか一を選択すると共に前記第5トランジスタのアイドリング電流を決定する第1のスイッチ付きバイアス回路と、
前記第2のスイッチ付き能動負荷の2出力のいずれか一を選択すると共に前記第6トランジスタのアイドリング電流を決定する第2のスイッチ付きバイアス回路と、
出力端子と、前記第1又は第2差動対の制御端子のいずれか一方とを接続する第1のスイッチと、
入力端子と、前記第1又は第2の差動対の制御端子のいずれか一方とを接続する第2のスイッチと、
前記第1及び第2のスイッチ付き能動負荷におけるスイッチング機能、前記第1及び第2のスイッチ付きバイアス回路におけるスイッチング機能、並びに前記第1及び第2のスイッチを連動して制御するオフセットキャンセル信号を入力する制御信号端子とを有する表示装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006293182A JP4861791B2 (ja) | 2006-10-27 | 2006-10-27 | 演算増幅器及び表示装置 |
US11/976,751 US7535302B2 (en) | 2006-10-27 | 2007-10-26 | Operational amplifier and display device |
CN2007101674919A CN101170299B (zh) | 2006-10-27 | 2007-10-29 | 运算放大器和显示器件 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006293182A JP4861791B2 (ja) | 2006-10-27 | 2006-10-27 | 演算増幅器及び表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008111875A true JP2008111875A (ja) | 2008-05-15 |
JP4861791B2 JP4861791B2 (ja) | 2012-01-25 |
Family
ID=39329406
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006293182A Expired - Fee Related JP4861791B2 (ja) | 2006-10-27 | 2006-10-27 | 演算増幅器及び表示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7535302B2 (ja) |
JP (1) | JP4861791B2 (ja) |
CN (1) | CN101170299B (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101996596A (zh) * | 2009-08-10 | 2011-03-30 | 瑞萨电子株式会社 | 使用运算放大器的lcd驱动电路和使用其的lcd显示设备 |
CN102034420A (zh) * | 2009-10-07 | 2011-04-27 | 瑞萨电子株式会社 | 输出放大电路以及使用该电路的显示装置的数据驱动器 |
CN102110425A (zh) * | 2009-12-24 | 2011-06-29 | 硅工厂股份有限公司 | 液晶显示装置的源极驱动器电路 |
US9607568B2 (en) | 2013-03-11 | 2017-03-28 | Synaptics Japan Gk | Display panel driver and display device |
JP2017083303A (ja) * | 2015-10-28 | 2017-05-18 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置およびセル電圧の測定方法 |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5226248B2 (ja) * | 2006-08-02 | 2013-07-03 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 温度検出回路及び半導体装置 |
JP4466735B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2010-05-26 | ソニー株式会社 | 信号線駆動回路および表示装置、並びに電子機器 |
US8368673B2 (en) * | 2008-09-30 | 2013-02-05 | Himax Technologies Limited | Output buffer and source driver using the same |
KR101322002B1 (ko) * | 2008-11-27 | 2013-10-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 |
US8531209B2 (en) * | 2009-01-16 | 2013-09-10 | Tektronix, Inc. | Multifunction word recognizer element |
JP5328461B2 (ja) * | 2009-04-21 | 2013-10-30 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 演算増幅器 |
JP2011008028A (ja) * | 2009-06-25 | 2011-01-13 | Sony Corp | 信号線駆動回路および表示装置、並びに電子機器 |
JP2011061611A (ja) * | 2009-09-11 | 2011-03-24 | Ricoh Co Ltd | 演算増幅器 |
JP2011166555A (ja) * | 2010-02-12 | 2011-08-25 | Renesas Electronics Corp | ソースドライバ及び液晶表示装置 |
JP5625955B2 (ja) * | 2010-03-26 | 2014-11-19 | 富士通株式会社 | 増幅回路及びその増幅回路を含むアナログデジタル変換回路 |
JP5502549B2 (ja) * | 2010-03-26 | 2014-05-28 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 電圧出力装置 |
TWI430238B (zh) * | 2011-05-17 | 2014-03-11 | Realtek Semiconductor Corp | 應用於背光源的操作電路及其相關方法 |
CN102802297B (zh) * | 2011-05-23 | 2015-05-27 | 瑞昱半导体股份有限公司 | 应用于背光源的操作电路及其相关方法 |
TWI460703B (zh) * | 2012-08-29 | 2014-11-11 | Au Optronics Corp | 驅動電路與顯示器驅動方法 |
KR101928815B1 (ko) * | 2012-12-04 | 2018-12-13 | 한국전자통신연구원 | 전자소자 신뢰성 측정 시스템 및 그에 따른 신뢰성 측정 방법 |
TWI513181B (zh) * | 2013-04-23 | 2015-12-11 | Sitronix Technology Corp | Folding operation amplifier circuit |
TWI524663B (zh) * | 2014-03-19 | 2016-03-01 | 聯詠科技股份有限公司 | 運算放大器及其驅動電路 |
CN105024545B (zh) * | 2014-04-25 | 2018-12-07 | 深圳市中兴微电子技术有限公司 | 一种开关控制方法、开关控制电路及调控器 |
US9312825B2 (en) * | 2014-05-09 | 2016-04-12 | Analog Devices Global | Amplifier input stage and amplifier |
JP6420104B2 (ja) * | 2014-09-16 | 2018-11-07 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 増幅回路 |
US10083668B2 (en) * | 2016-03-09 | 2018-09-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device, and electronic device |
CN106558293B (zh) * | 2016-12-30 | 2019-05-17 | 北京集创北方科技股份有限公司 | 显示系统及其驱动方法、装置 |
CN107800394A (zh) * | 2017-12-08 | 2018-03-13 | 成都前锋电子仪器有限责任公司 | 一种可变增益控制电路 |
CN108398243B (zh) * | 2018-02-28 | 2021-01-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其检测方法、显示装置 |
CN109358690B (zh) * | 2018-10-09 | 2021-03-12 | 湖南国科微电子股份有限公司 | 跨导恒定控制电路及轨对轨运算放大器 |
CN109714031B (zh) * | 2018-12-11 | 2023-03-17 | 中山芯达电子科技有限公司 | 一种轨到轨高性能比较器 |
TWI674757B (zh) * | 2019-02-13 | 2019-10-11 | 奕力科技股份有限公司 | 緩衝電路 |
CN112349234B (zh) * | 2019-08-09 | 2024-04-26 | 奇景光电股份有限公司 | 源极驱动器及其输出缓冲器 |
US11386836B1 (en) * | 2021-07-12 | 2022-07-12 | Novatek Microelectronics Corp. | Amplifier for driving display panel and related control method |
CN114333713B (zh) * | 2021-12-30 | 2023-03-31 | 北京奕斯伟计算技术股份有限公司 | Led驱动电路、背光模组、显示装置 |
CN115942549B (zh) * | 2022-12-28 | 2023-10-31 | 珠海巨晟科技股份有限公司 | 一种恒流驱动io电路及恒流驱动io芯片 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03286606A (ja) * | 1990-04-03 | 1991-12-17 | Nec Corp | 演算増幅回路 |
JPH11305735A (ja) * | 1998-04-17 | 1999-11-05 | Sharp Corp | 差動増幅回路及びそれを用いた演算増幅器回路並びにその演算増幅器回路を用いた液晶駆動回路 |
JP2002175052A (ja) * | 2000-12-06 | 2002-06-21 | Nec Yamagata Ltd | 演算増幅器及びそれを用いた液晶パネル駆動用回路 |
JP2003158427A (ja) * | 2001-11-20 | 2003-05-30 | Sony Corp | 増幅回路 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09232883A (ja) * | 1996-02-23 | 1997-09-05 | Oki Micro Design Miyazaki:Kk | 演算増幅回路 |
JPH11504791A (ja) * | 1996-03-05 | 1999-04-27 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 演算増幅器 |
CN1149776A (zh) * | 1996-09-03 | 1997-05-14 | 江西涤纶厂 | 一种瞬时电压降补偿方法及其装置 |
JP3550016B2 (ja) | 1998-03-03 | 2004-08-04 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 液晶表示装置の駆動方法および映像信号電圧の出力方法 |
US6300834B1 (en) * | 2000-12-12 | 2001-10-09 | Elantec Semiconductor, Inc. | High performance intermediate stage circuit for a rail-to-rail input/output CMOS operational amplifier |
JP4564285B2 (ja) * | 2003-06-20 | 2010-10-20 | 株式会社東芝 | 半導体集積回路 |
KR100560413B1 (ko) * | 2003-10-13 | 2006-03-14 | 삼성전자주식회사 | 에이비급 레일-투-레일 연산 증폭기 |
KR100674913B1 (ko) * | 2004-09-24 | 2007-01-26 | 삼성전자주식회사 | 캐스코드 형태의 클래스 ab 제어단을 구비하는 차동증폭 회로 |
-
2006
- 2006-10-27 JP JP2006293182A patent/JP4861791B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-10-26 US US11/976,751 patent/US7535302B2/en active Active
- 2007-10-29 CN CN2007101674919A patent/CN101170299B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03286606A (ja) * | 1990-04-03 | 1991-12-17 | Nec Corp | 演算増幅回路 |
JPH11305735A (ja) * | 1998-04-17 | 1999-11-05 | Sharp Corp | 差動増幅回路及びそれを用いた演算増幅器回路並びにその演算増幅器回路を用いた液晶駆動回路 |
JP2002175052A (ja) * | 2000-12-06 | 2002-06-21 | Nec Yamagata Ltd | 演算増幅器及びそれを用いた液晶パネル駆動用回路 |
JP2003158427A (ja) * | 2001-11-20 | 2003-05-30 | Sony Corp | 増幅回路 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101996596A (zh) * | 2009-08-10 | 2011-03-30 | 瑞萨电子株式会社 | 使用运算放大器的lcd驱动电路和使用其的lcd显示设备 |
CN102034420A (zh) * | 2009-10-07 | 2011-04-27 | 瑞萨电子株式会社 | 输出放大电路以及使用该电路的显示装置的数据驱动器 |
CN102110425A (zh) * | 2009-12-24 | 2011-06-29 | 硅工厂股份有限公司 | 液晶显示装置的源极驱动器电路 |
US9607568B2 (en) | 2013-03-11 | 2017-03-28 | Synaptics Japan Gk | Display panel driver and display device |
JP2017083303A (ja) * | 2015-10-28 | 2017-05-18 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置およびセル電圧の測定方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101170299B (zh) | 2011-08-31 |
US20080100380A1 (en) | 2008-05-01 |
CN101170299A (zh) | 2008-04-30 |
US7535302B2 (en) | 2009-05-19 |
JP4861791B2 (ja) | 2012-01-25 |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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S531 | Written request for registration of change of domicile |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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