JP2008098536A - 炭化ケイ素半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電子通電路となる打ち返し層(40)に対して左右等距離の位置に第2の打ち返し層(41,42)を設け、これらの打ち返し層を同じマスクを用いた同時のイオン注入により形成することにより、素子内のチャネル領域の間隔をすべて均一にすることで解決する。
【選択図】図4
Description
以上では、一つの単位セル内における左右のチャネル領域の長さの相違について説明したが、実際のデバイスにおいては、数mm角サイズの半導体チップの中に数万個を超える多数のセルが並列配置されているので、チップ内のセルの間でもチャネル領域の長さに差違が生じることが考えられる。そのため、一つのデバイス内ではチャネル領域の長さの不均一はさらに拡大する。
本発明では、単位セル内の左右のチャネル長ならびに半導体デバイス内のすべてのチャネル長がすべてほぼ均一な長さにできるのでチャネル長の部分的な短小に起因した耐電圧の低下が起こらない。また、チャネル長のばらつきが少なくなるので、長さの設定値を1.0μm、もしくはそれ以下の長さに設定しても耐電圧の部分的な低下が起こらなくなる。したがって、低オン抵抗化と高耐圧化を同時に満たすSiC縦型MOSFETの実現が可能となった。
[実施形態1]
図1は本発明第1の実施形態のSiC縦型MOSFETの単位セルの断面図である。この構造では、高濃度に窒素がドープされたn型SiC基板1上に、ドーピング濃度が約5x1015 cm-3、厚さ15umのn型ドリフト層2が堆積される。その表面から深さ0.5umに渡ってアルミニウムがドーピングされたp型層31が形成され、該p型層31には幅1.0〜2.0μmの部分欠如部24が設けられる。p型層31の表面ならびに部分欠如部24のn型ドリフト層2の表面上に厚さ約0.5μmのp型層 32が堆積される。p型層32の部分欠如部24の厚さ方向に投影された付近には窒素のドーピングによってp型からn型へ打ち返された第1の打ち返し層40がp型層32を貫通してn型層2に達する深さにまで形成される。該第1の打ち返し層40の両端から距離aだけ離れた位置に第1の打ち返し層40と同じくp型からn型へ打ち返された第2の打ち返し層41,42が形成される。該第1の打ち返し層40と第2の打ち返し層41および42とによて挟まれた部分のp型層32の表面層にチャネル領域11および12が形成され、それぞれのチャネル領域の間隔は同じである。該第2の打ち返し層内に少なくとも一方の端が位置するように高濃度のリンがドーピングされたn型ソース層51および52が形成されている。前記した第1の打ち返し層40,チャネル領域11,12,および第2の打ち返し層41,42とn型ソース層51,52の表面上の部分にはゲート絶縁膜6を介して多結晶シリコン膜のゲート電極7設けられ、ゲート電極7上には層間絶縁膜8を介してn型ソース層51および52の表面とp型層32表面に低抵抗接続されたソース電極9が形成される。また、高濃度n型基板1の裏面にはドレイン電極10が低抵抗接続されている。
図4は本発明第2の実施形態のSiC縦型MOSFETの単位セルの断面図である。図中の各部の部位を示す番号のうち前記した図1と同じ番号の部位は同じ部分を指す。セルの基本的な構造は図1の実施形態1と同じである。実施形態1と相違するところは、第2の打ち返し層41,42とn型ソース層51,52の相対的な位置関係だけである。すなわち、実施形態1では、n型ソース層51,52は、それぞれ少なくとも一方の端が前記第2の打ち返し層の内部に位置するように形成されているが、n型ソース層の他方の端の位置については特に規定していない。これに対して、本実施形態2では、n型ソース層51,52は第2の打ち返し層41,42とほぼ同じ位置にあって、すべてが打ち返し層の表面部分に位置するよう具備される点が異なっている。
図6は本発明第3の実施形態のSiC縦型MOSFETの断面図である。図中の各部の部位を示す番号のうち前記した実施形態2の図4と同じ番号の部位は同じ部分を指す。チャネル領域11と12の間隔が同じで、且つ、n型ソース層51と52が第2の打ち返し層41、42と同じ位置に設けられている点などは実施形態2と同じである。相違するところは、n型ドリフト層2および高濃度p型層31と低濃度p型堆積層32との間に低濃度n型堆積層33が介在されている点である。低濃度n型層の介在によってオフ時のゲート酸化膜の絶縁破壊を防ぎ、さらなる高耐圧化が可能になる。介在する低濃度n型堆積層33の作用効果などは特開2006−147789に詳細記述されている。すなわち、該低濃度n型堆積層33を十分な厚さにすることにより、高濃度p型層31から広がる空乏層がその開口部においてピンチオフするまえに空乏層がゲート酸化膜6に到達し、ゲート電極7と前記第1の打ち返し層40の間に介在するゲート酸化膜に強い電界が印加されるのを防止できる。
2. 低濃度n型ドリフト層
3. 高濃度p型ウエル層
3a. p型不純物イオン注入
4a. n型不純物イオン注入
5a. n型不純物イオン注入
6. ゲート絶縁膜
7. ゲート電極
8. 層間絶縁膜
9. ソース電極
10.ドレイン電極
11、12. チャネル領域
24.p型層の部分欠如部
31.高濃度p型層
32.低濃度p型堆積膜
33.低濃度n型堆積膜
40、41、42.n型打ち返し層
51,52.高濃度n型ソース層
00,100、200,300.単位セル断面
130、140,150,160.イオン注入マスク
141,142.マスク140の開口部
151,152.マスク150の開口部
Claims (12)
- 第1伝導型の高濃度炭化ケイ素基板(1)表面に形成された第1伝導型の低濃度炭化ケイ素の第1の堆積膜(2)と、
その上に形成された第2伝導型の低濃度炭化ケイ素の第2の堆積膜(32)と、
第1伝導型の低濃度炭化ケイ素が残された部分欠如部(24)を有するように前記第1の堆積膜内に選択的に形成された第2伝導型の高濃度ゲート領域(31)と、
前記第2の堆積膜内に形成される前記部分欠如部が投影される領域に該第2の堆積膜を貫通する第1伝導型の第1の低濃度打ち返し領域(40)と該第1の低濃度打ち返し領域に隣接した第2伝導型の低濃度ゲート領域(11,12)と該第2の堆積膜を貫通する第1伝導型の第2の低濃度打ち返し領域(41,42)と該第2の低濃度打ち返し領域に少なくともその一部が形成された第1伝導型の高濃度ソース領域(51,52)と、
前記第2の堆積膜の表面上に形成されたゲート絶縁膜(6)と、
該ゲート絶縁膜を介して、少なくとも前記低濃度ゲート領域上に形成されたゲート電極(7)と、
前記第1伝導型の高濃度炭化ケイ素基板の裏面に低抵抗接続されたドレイン電極(10)と、
前記第1伝導型の高濃度ソース領域および第2伝導型の第2の堆積膜の一部に低抵抗接続されているソース電極(9)と、
から構成されている炭化ケイ素半導体装置。 - 前記第1の低濃度打ち返し領域(40)の一方に隣接する前記第2伝導型の低濃度ゲート領域(11)と他方に隣接する前記第2伝導型の低濃度ゲート領域(12)の長さが同じである請求項1に記載の炭化ケイ素半導体装置。
- 前記第2伝導型の低濃度ゲート領域(11,12)の長さが2.0μm以下である請求項1又は請求項2に記載の炭化ケイ素半導体装置。
- 前記第1伝導型の高濃度ソース領域(51,52)の少なくとも前記第1の打ち返し領域(40)側の端部が前記第2の打ち返し領域(41,42)の内部に形成される請求項1又は請求項2に記載の炭化ケイ素半導体装置。
- 前記第1伝導型の高濃度ソース領域(51,52)が前記第2の打ち返し領域(41,42)の内部に形成される請求項1又は請求項2に記載の炭化ケイ素半導体装置。
- 第1伝導型の高濃度炭化ケイ素基板(1)表面に形成された第1伝導型の低濃度炭化ケイ素の第1の堆積膜(2)と、
その上に形成された第1伝導型の低濃度炭化ケイ素の第3の堆積膜(33)と、
その上に形成された第2伝導型の低濃度炭化ケイ素の第2の堆積膜(32)と、
第1伝導型の低濃度炭化ケイ素が残された部分欠如部(24)を有するように前記第1の堆積膜内に選択的に形成された第2伝導型の高濃度ゲート領域(31)と、
前記第2の堆積膜内に形成される前記部分欠如部が投影される領域に該第3の堆積膜を貫通する第1伝導型の第1の低濃度打ち返し領域(40)と該第1の低濃度打ち返し領域に隣接した第2伝導型の低濃度ゲート領域(11,12)と該第2の堆積膜を貫通する第1伝導型の第2の低濃度打ち返し領域(41,42)と該第2の低濃度打ち返し領域に少なくともその一部が形成された第1伝導型の高濃度ソース領域(51,52)と、
前記第2の堆積膜の表面上に形成されたゲート絶縁膜(6)と、
該ゲート絶縁膜を介して、少なくとも前記低濃度ゲート領域上に形成されたゲート電極(7)と、
前記第1伝導型の高濃度炭化ケイ素基板の裏面に低抵抗接続されたドレイン電極(10)と、
前記第1伝導型の高濃度ソース領域および前記第2伝導型の高濃度ゲート領域の表面の一部に低抵抗接続されているソース電極(9)と、
から構成されている炭化ケイ素半導体装置。 - 前記第1の低濃度打ち返し領域(40)の一方に隣接する前記第2伝導型の低濃度ゲート領域(11)と他方に隣接する前記第2伝導型の低濃度ゲート領域(12)の長さが同じである請求項6に記載の炭化ケイ素半導体装置。
- 前記第1伝導型の高濃度ソース領域(51,52)が前記第2の打ち返し領域(41,42)の内部に形成される請求項6又は請求項7に記載の炭化ケイ素半導体装置。
- 第1伝導型の高濃度炭化ケイ素基板(1)表面に第1伝導型の低濃度炭化ケイ素の第1の堆積膜(2)を形成する工程(a)と、
該第1の堆積膜上に第1伝導型の低濃度炭化ケイ素が残された部分欠如部(24)を有するように選択的に第2伝導型の高濃度ゲート領域(31)を形成する工程(b)と、
該第2伝導型の高濃度ゲート層上および前記部分欠如部において露出している前記第1の堆積膜上に第2伝導型の第2の堆積膜(32)を形成する工程(c)と、
該第2伝導型の第2の堆積膜の前記部分欠如部が投影される領域ならびに該領域から左右に一定距離だけ離れた領域の表面から前記高濃度ゲート領域に達する深さに第1伝導型不純物イオンを選択的に注入し、第2伝導型から第1伝導型に反転されたそれぞれ第1の打ち返し領域(40)ならびに第2の打ち返し領域(41,42)を形成する工程(d)と、
前記第2の堆積膜の前記第2の打ち返し領域の表面から第1伝導型不純物イオンを選択的に高濃度に注入して高濃度ソース領域(51,52)を形成する工程(e)と、
を有する炭化ケイ素半導体装置の製造方法。 - 第1伝導型の高濃度炭化ケイ素基板(1)表面に第1伝導型の低濃度炭化ケイ素の第1の堆積膜(2)を形成する工程と、
該第1の堆積膜上に第1伝導型の低濃度炭化ケイ素が残された部分欠如部(24)を有するように選択的に第2伝導型の高濃度ゲート領域(31)を形成する工程と、
該第2伝導型の高濃度ゲート層上および前記部分欠如部において露出している前記第1の堆積膜上に第1伝導型の低濃度炭化ケイ素の第3の堆積膜(33)を形成する工程と、
該第3の堆積膜上に第2伝導型の低濃度炭化ケイ素の第2の堆積膜を形成する工程と、
該第2伝導型の第2の堆積膜の前記部分欠如部が投影される領域ならびに該領域から左右に一定距離だけ離れた領域の表面から前記高濃度ゲート領域に達する深さに第1伝導型不純物イオンを選択的に注入し、第2伝導型から第1伝導型に反転されたそれぞれ第1の打ち返し領域(40)ならびに第2の打ち返し領域(41,42)を形成する工程と、
前記第2の堆積膜の前記第2の打ち返し領域の表面から第1伝導型不純物イオンを選択的に高濃度に注入して高濃度ソース領域(51,52)を形成する工程と、
を有する炭化ケイ素半導体装置の製造方法。 - 前記第1の打ち返し領域(40)と前記第2の打ち返し領域(41,42)を第1伝導型不純物の選択的なイオン注入により形成する工程において、該第1及び第2の打ち返し領域を同じ注入マスク(140)を用いて同時に注入する請求項9又は請求項10に記載の炭化ケイ素半導体装置の製造方法。
- 前記高濃度ソース領域(51,52)を第1伝導型不純物の選択的な高濃度イオン注入により形成する工程において、前記第2の打ち返し領域を形成する工程の注入マスク(140)を用いて注入する請求項11に記載の炭化ケイ素半導体装置の製造方法。
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