JP2006332401A - 炭化ケイ素半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 第1導電型の高濃度炭化ケイ素基板表面上に形成された第1導電型の低濃度の第1の炭化ケイ素堆積膜と、該第1の炭化ケイ素堆積膜上に選択的に切り欠かれている第1の領域を有する第2導電型の高濃度ゲート領域からなる第2の炭化ケイ素堆積膜と、前記第1の領域とその上に形成された前記第1の領域の幅未満の幅を持つ第2の領域と第2導電型の低濃度ゲート領域と該第2導電型の低濃度ゲート領域内に形成された第1導電型の高濃度ソース領域とからなる前記第2の炭化ケイ素堆積膜上の第3の炭化ケイ素堆積膜と、前記第1の炭化ケイ素堆積膜に接し、前記第1の領域及び第2の領域に形成されている第1導電型の低濃度ベース領域と、を少なくとも有する縦型MOSFETである。
【選択図】 図1
Description
以上のことから、この構造は高耐圧の縦型MOSFETを得るためには適していないといえる。
低濃度p型堆積層内に形成された低濃度のゲート領域を有する炭化ケイ素縦型MOSFETの低濃度n型ベース領域の抵抗を低減できるため、オン抵抗を低減することができ、低いオン抵抗、かつ高耐圧の炭化ケイ素縦型MOSFETの製造が可能となる。
前記第4実施例の動作は、図1における第1実施例とほぼ同じであった。また、第4実施例は、前記第1実施例ないし第3実施例と共に、適用することもできる。
2・・・低濃度n型ドリフト層(第1の堆積層)
3・・・p型ウェル層
3a・・p型不純物イオン注入
4・・・低濃度n型ベース領域
4a・・n型不純物イオン注入
5・・・高濃度n+型ソース領域
5a・・n型不純物イオン注入
6・・・ゲート絶縁膜
7・・・ゲート電極
7a・・多結晶シリコン
8・・・層間絶縁膜
9・・・ソース電極
10・・ドレイン電極
11・・チャネル領域(低濃度ゲート領域)
12・・イオン注入マスク
13・・イオン注入マスク
14・・イオン注入マスク
15・・イオン注入マスク
24・・n型ベース層のn型ドリフト層と接する部分
31・・高濃度p+型層(第2の堆積層)
32・・低濃度p型層(第3の堆積層)
34・・重なり部
41・・第1の領域
42・・第2の領域
43・・第3の領域
46・・凹部
91・・埋め込みチャネル領域
Claims (9)
- 第1導電型の高濃度炭化ケイ素基板表面上に形成された第1導電型の低濃度の第1の炭化ケイ素堆積膜と、
該第1の炭化ケイ素堆積膜上に選択的に切り欠かれている第1の領域を有する第2導電型の高濃度ゲート領域からなる第2の炭化ケイ素堆積膜と、
前記第1の領域とその上に形成された前記第1の領域の幅未満の幅を持つ第2の領域と第2導電型の低濃度ゲート領域と該第2導電型の低濃度ゲート領域内に形成された第1導電型の高濃度ソース領域とからなる前記第2の炭化ケイ素堆積膜上の第3の炭化ケイ素堆積膜と、
前記第1の炭化ケイ素堆積膜に接し、前記第1の領域及び第2の領域に形成されている第1導電型の低濃度ベース領域と、
少なくとも前記第3の炭化ケイ素堆積膜の表面上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して、少なくとも前記低濃度ゲート領域上に形成されたゲート電極と、
前記第1導電型の炭化ケイ素基板の裏面に低抵抗接続されたドレイン電極と、
前記第1導電型の高濃度ソース領域及び第2導電型の低濃度ゲート領域の一部に低抵抗接続されているソース電極と、
から構成されている炭化ケイ素半導体装置。 - 前記第1導電型の低濃度ベース領域内で、前記第2の領域の上には、第2の領域よりも高濃度の第1導電型の第3の領域が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の炭化ケイ素半導体装置。
- 前記第1導電型の低濃度ベース領域における上面には、前記ゲート絶縁膜と接する部分の一部に凹部が設けられていることを特徴とする請求項1又は2に記載の炭化ケイ素半導体装置。
- 前記第2導電型の低濃度ゲート領域内の前記ゲート絶縁膜と接する部分には、第1導電型の埋め込みチャネル領域を有することを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の炭化ケイ素半導体装置。
- 前記第1導電型の炭化ケイ素基板表面の結晶学的面指数は、(11−20)面又は(000−1)面に対して平行な面であることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載の炭化ケイ素半導体装置。
- 第1導電型の高濃度炭化ケイ素基板表面上に形成された第1導電型の低濃度炭化ケイ素下部堆積膜と、
第1導電型の低濃度炭化ケイ素が残されている第1の領域を有するように前記低濃度炭化ケイ素下部堆積膜内に選択的に形成された第2導電型の高濃度ゲート領域と、
前記第1の領域上に形成された前記第1の領域の幅未満の幅を持つ第2の領域からなる第1導電型の低濃度ベース領域と第2導電型の低濃度ゲート領域と該第2導電型の低濃度ゲート領域内に形成された第1導電型の高濃度ソース領域とからなる炭化ケイ素上部堆積膜と、
前記上部堆積膜の表面上に形成されたゲート絶縁膜と、
該ゲート絶縁膜を介して、少なくとも前記低濃度ゲート領域上に形成されたゲート電極と、
前記第1導電型の炭化ケイ素基板の裏面に低抵抗接続されたドレイン電極と、
前記第1導電型の高濃度ソース領域及び第2導電型の低濃度ゲート領域の一部に低抵抗接続されているソース電極と、
から構成されている炭化ケイ素半導体装置。 - 前記第1導電型の低濃度ベース領域内で、前記第2の領域の上には、第2の領域よりも高濃度の第1導電型の第3の領域が形成されていることを特徴とする請求項6に記載の炭化ケイ素半導体装置。
- 前記第2導電型の低濃度ゲート領域内の前記ゲート絶縁膜と接する部分には、第1導電型の埋め込みチャネル領域を有することを特徴とする請求項6又は7に記載の炭化ケイ素半導体装置。
- 前記第1導電型の炭化ケイ素基板表面の結晶学的面指数は、(11−20)面又は(000−1)面に対して平行な面であることを特徴とする請求項6ないし8のいずれか1項に記載の炭化ケイ素半導体装置。
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- 2005-05-27 JP JP2005154962A patent/JP2006332401A/ja active Pending
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