JP2020021767A - ダイオード - Google Patents
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Abstract
Description
12 :半導体基板
14 :凸状半導体層
14a :p型領域
20 :ソース領域
22 :ボディ領域
24 :電界緩和領域
26 :ドリフト領域
28 :ドレイン領域
40 :ドレイン電極
50 :絶縁膜
52 :アノード電極
54 :ゲート電極
56 :ソース電極
58 :ボディコンタクト電極
60 :層間絶縁膜
62 :表面主電極
Claims (1)
- ダイオードであって、
n型半導体層と、
前記n型半導体層の表面から突出するように設けられており、前記n型半導体層の前記表面において前記n型半導体層に接するp型半導体層と、
前記p型半導体層の表面に設けられており、前記p型半導体層を貫通して前記n型半導体層に達するコンタクトホールと、
前記コンタクトホール内に設けられており、前記コンタクトホールの側面で前記p型半導体層にオーミック接触し、前記コンタクトホールの底面で前記n型半導体層とショットキー接触するアノード電極、
を有するダイオード。
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- 2018-07-30 JP JP2018142514A patent/JP2020021767A/ja active Pending
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