JP2008094700A - 炭化珪素単結晶エピタキシャルウェハ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】炭化珪素単結晶基板上にエピタキシャル薄膜を有する炭化珪素単結晶エピタキシャルウェハであって、エピタキシャル薄膜が炭化珪素単結晶基板上に形成された第1のエピタキシャル薄膜とこの第1のエピタキシャル薄膜内に形成された第2のエピタキシャル薄膜とを有する炭化珪素単結晶エピタキシャルウェハ及びその製造方法。
【選択図】図1
Description
(1) SiC単結晶基板上にエピタキシャル薄膜を有するSiC単結晶エピタキシャルウェハであって、該エピタキシャル薄膜が前記炭化珪素単結晶基板上に形成された第1のエピタキシャル薄膜とこの第1のエピタキシャル薄膜内に形成された第2のエピタキシャル薄膜とを有することを特徴とするSiC単結晶エピタキシャルウェハ、
(3) 前記SiC単結晶基板の[0001]面からのオフセット方向が[1-100]方向である(1)に記載のSiC単結晶エピタキシャルウェハ、
(4) 前記SiC単結晶基板の[0001]面からのオフセット角度が1°以上12°以下である(1)〜(3)のいずれかに記載のSiC単結晶エピタキシャルウェハ、
(5) 前記第1のエピタキシャル薄膜の厚みが0.1μm以上1000μm以下である(1)に記載のSiC単結晶エピタキシャルウェハ、
(6) 前記第1のエピタキシャル薄膜がSiC薄膜である(1)又は(5)に記載のSiC単結晶エピタキシャルウェハ、
(7) 前記第2のエピタキシャル薄膜は、前記第1のエピタキシャル薄膜に形成された複数の溝部を埋めてなる(1)〜(6)のいずれかに記載のSiC単結晶エピタキシャルウェハ、
(8) 前記溝部の側壁が、[0001]面から60°以上120°以下の傾角を有する面である(7)に記載のSiC単結晶エピタキシャルウェハ、
(9) 前記溝部の幅が0.1μm以上500μm以下である(7)又は(8)に記載のSiC単結晶エピタキシャルウェハ、
(10) 前記溝部の深さを溝部の幅で除した溝部のアスペクト比が0.1以上10以下である(7)〜(9)のいずれかに記載のSiC単結晶エピタキシャルウェハ、
(11) 前記溝部の形成方向とSiC単結晶基板のオフセット方向との間のなす角度が-15°以上15°以下である(7)〜(10)のいずれかに記載のSiC単結晶エピタキシャルウェハ、
(12) 前記第2のエピタキシャル薄膜の転位密度が1×103cm-2以下である(1)、(7)〜(11)のいずれかに記載のSiC単結晶エピタキシャルウェハ、
(13) 前記第2のエピタキシャル薄膜の転位密度が1×102cm-2以下である(1)、(7)〜(11)のいずれかに記載のSiC単結晶エピタキシャルウェハ、
(14) 前記第2のエピタキシャル薄膜がSiC薄膜である(1)、(7)〜(13)のいずれかに記載のSiC単結晶エピタキシャルウェハ、
(15) 前記第2のエピタキシャル薄膜形成後にエピタキシャル薄膜表面を研磨してなるエピタキシャルウェハである(1)〜(14)のいずれかに記載のSiC単結晶エピタキシャルウェハ、
(16) 前記SiC単結晶エピタキシャルウェハの口径が50mm以上300mm以下である(1)〜(15)のいずれかに記載のSiC単結晶エピタキシャルウェハ、
(20) 前記SiC単結晶基板の[0001]面からのオフセット方向が[1-100]方向である(18)に記載のSiC単結晶エピタキシャルウェハの製造方法、
(21) 前記SiC単結晶基板の[0001]面からのオフセット角度が1°以上12°以下である(18)〜(20)のいずれかに記載のSiC単結晶エピタキシャルウェハの製造方法、
(22) 前記第1のエピタキシャル薄膜の厚みが0.1μm以上1000μm以下である(18)に記載のSiC単結晶エピタキシャルウェハの製造方法、
(23) 前記第1のエピタキシャル薄膜がSiC薄膜である(18)又は(22)に記載のSiC単結晶エピタキシャルウェハの製造方法、
(24) 前記溝部の側壁が、[0001]面から60°以上120°以下の傾角を有する面である(18)〜(21)のいずれかに記載のSiC単結晶エピタキシャルウェハの製造方法、
(25) 前記溝部の幅が0.1μm以上500μm以下である(18)又は(24)に記載のSiC単結晶エピタキシャルウェハの製造方法、
(26) 前記溝部の深さを溝部の幅で除した溝部のアスペクト比が0.1以上10以下である(18)、(24)又は(25)に記載のSiC単結晶エピタキシャルウェハの製造方法、
(27) 前記溝部の形成方向とSiC単結晶基板のオフセット方向との間のなす角度が-15°以上15°以下である(24)〜(26)のいずれかに記載のSiC単結晶エピタキシャルウェハの製造方法、
(28) 前記第2のエピタキシャル薄膜がSiC薄膜である(18)、(24)〜(27)のいずれかに記載のSiC単結晶エピタキシャルウェハの製造方法、
(29) 前記第2のエピタキシャル薄膜形成後にエピタキシャル薄膜の表面を研磨する(18)〜(27)のいずれかに記載のSiC単結晶エピタキシャルウェハの製造方法、
である。
以下に、本発明の実施例を述べる。
まず、改良レーリー法により予め製造しておいた4H型のSiC単結晶インゴットから、口径50.8mm、厚さ0.4mmの[0001]面SiC単結晶基板(基板のオフセット方向:[11-20]方向、オフセット角度:8°)を2枚用意した。一枚は、エピタキシャルウェハ製造用で、もう一枚は転位密度計測用である。用意したSiC単結晶基板を研磨した後、基板の貫通転位密度及び基底面転位密度を計測する目的で、上記SiC単結晶基板の内、一枚を約520℃の溶融KOHによりエッチングした。エッチングしたSiC単結晶基板の表面に現れたエッチピット(転位が表面と交差している箇所が選択的にエッチングされてピットが発生する)を観察・測定し、貫通転位、及び基底面転位に起因したエッチピット密度として、それぞれ1.6×104cm-2、2.1×103cm-2という値を得た。
実施例1と同様に、改良レーリー法により予め製造しておいた4H型のSiC単結晶インゴットから、口径50.8mm、厚さ0.4mmの{0001}面SiC単結晶基板(基板のオフセット方向:[1-100]方向、オフセット角度:8°)を2枚用意した。一枚は、エピタキシャルウェハ製造用で、もう一枚は転位密度計測用である。用意したSiC単結晶基板を研磨した後、基板の貫通転位密度及び基底面転位密度を計測する目的で、上記SiC単結晶基板の内、一枚を約520℃の溶融KOHによりエッチングした。エッチングしたSiC単結晶基板の表面に現れたエッチピットを観察・測定し、貫通転位、及び基底面転位に起因したエッチピット密度として、それぞれ2.1×104cm-2、1.8×103cm-2という値を得た。
本比較例では、第2のエピタキシャル薄膜成長を伴わない、通常のSiC単結晶エピタキシャルウェハの転位密度評価結果を示す。
まず、実施例と同様に、改良レーリー法により予め製造しておいた4H型のSiC単結晶インゴットから、口径50.8mm、厚さ0.4mmの[0001]面SiC単結晶基板(基板のオフセット方向:[11-20]方向、オフセット角度:8°)を2枚用意した。一枚は、エピタキシャルウェハ製造用で、もう一枚は転位密度計測用である。
Claims (30)
- 炭化珪素単結晶基板上にエピタキシャル薄膜を有する炭化珪素単結晶エピタキシャルウェハであって、該エピタキシャル薄膜が前記炭化珪素単結晶基板上に形成された第1のエピタキシャル薄膜とこの第1のエピタキシャル薄膜内に形成された第2のエピタキシャル薄膜とを有することを特徴とする炭化珪素単結晶エピタキシャルウェハ。
- 前記炭化珪素単結晶基板の[0001]面からのオフセット方向が[11-20]方向である請求項1に記載の炭化珪素単結晶エピタキシャルウェハ。
- 前記炭化珪素単結晶基板の[0001]面からのオフセット方向が[1-100]方向である請求項1に記載の炭化珪素単結晶エピタキシャルウェハ。
- 前記炭化珪素単結晶基板の[0001]面からのオフセット角度が1°以上12°以下である請求項1〜3のいずれかに記載の炭化珪素単結晶エピタキシャルウェハ。
- 前記第1のエピタキシャル薄膜の厚みが0.1μm以上1000μm以下である請求項1に記載の炭化珪素単結晶エピタキシャルウェハ。
- 前記第1のエピタキシャル薄膜が炭化珪素薄膜である請求項1又は5に記載の炭化珪素単結晶エピタキシャルウェハ。
- 前記第2のエピタキシャル薄膜は、前記第1のエピタキシャル薄膜に形成された複数の溝部を埋めてなる請求項1〜6のいずれかに記載の炭化珪素単結晶エピタキシャルウェハ。
- 前記溝部の側壁が、[0001]面から60°以上120°以下の傾角を有する面である請求項7に記載の炭化珪素単結晶エピタキシャルウェハ。
- 前記溝部の幅が0.1μm以上500μm以下である請求項7又は8に記載の炭化珪素単結晶エピタキシャルウェハ。
- 前記溝部の深さを溝部の幅で除した溝部のアスペクト比が0.1以上10以下である請求項7〜9のいずれかに記載の炭化珪素単結晶エピタキシャルウェハ。
- 前記溝部の形成方向と炭化珪素単結晶基板のオフセット方向との間のなす角度が-15°以上15°以下である請求項7〜10のいずれかに記載の炭化珪素単結晶エピタキシャルウェハ。
- 前記第2のエピタキシャル薄膜の転位密度が1×103cm-2以下である請求項1、7〜11のいずれかに記載の炭化珪素単結晶エピタキシャルウェハ。
- 前記第2のエピタキシャル薄膜の転位密度が1×102cm-2以下である請求項1、7〜11のいずれかに記載の炭化珪素単結晶エピタキシャルウェハ。
- 前記第2のエピタキシャル薄膜が炭化珪素薄膜である請求項1、7〜13のいずれかに記載の炭化珪素単結晶エピタキシャルウェハ。
- 前記第2のエピタキシャル薄膜形成後にエピタキシャル薄膜表面を研磨してなるエピタキシャルウェハである請求項1〜14のいずれかに記載の炭化珪素単結晶エピタキシャルウェハ。
- 前記炭化珪素単結晶エピタキシャルウェハの口径が50mm以上300mm以下である請求項1〜15のいずれかに記載の炭化珪素単結晶エピタキシャルウェハ。
- 請求項1〜16のいずれかに記載の炭化珪素単結晶エピタキシャルウェハ上に絶縁膜、金属膜を順次形成してなることを特徴とする金属-絶縁膜-半導体素子。
- 炭化珪素単結晶基板上に第1のエピタキシャル薄膜を形成した後に、該第1のエピタキシャル薄膜に複数の溝部を形成し、該溝部の内部に第2のエピタキシャル薄膜を形成することを特徴とする炭化珪素単結晶エピタキシャルウェハの製造方法。
- 前記炭化珪素単結晶基板の[0001]面からのオフセット方向が[11-20]方向である請求項18に記載の炭化珪素単結晶エピタキシャルウェハの製造方法。
- 前記炭化珪素単結晶基板の[0001]面からのオフセット方向が[1-100]方向である請求項18に記載の炭化珪素単結晶エピタキシャルウェハの製造方法。
- 前記炭化珪素単結晶基板の[0001]面からのオフセット角度が1°以上12°以下である請求項18〜20のいずれかに記載の炭化珪素単結晶エピタキシャルウェハの製造方法。
- 前記第1のエピタキシャル薄膜の厚みが0.1μm以上1000μm以下である請求項18に記載の炭化珪素単結晶エピタキシャルウェハの製造方法。
- 前記第1のエピタキシャル薄膜が炭化珪素薄膜である請求項18又は22に記載の炭化珪素単結晶エピタキシャルウェハの製造方法。
- 前記溝部の側壁が、[0001]面から60°以上120°以下の傾角を有する面である請求項18〜21のいずれかに記載の炭化珪素単結晶エピタキシャルウェハの製造方法。
- 前記溝部の幅が0.1μm以上500μm以下である請求項18又は24に記載の炭化珪素単結晶エピタキシャルウェハの製造方法。
- 前記溝部の深さを溝部の幅で除した溝部のアスペクト比が0.1以上10以下である請求項18、24又は25に記載の炭化珪素単結晶エピタキシャルウェハの製造方法。
- 前記溝部の形成方向と炭化珪素単結晶基板のオフセット方向との間のなす角度が-15°以上15°以下である請求項24〜26のいずれかに記載の炭化珪素単結晶エピタキシャルウェハの製造方法。
- 前記第2のエピタキシャル薄膜が炭化珪素薄膜である請求項18、24〜27のいずれかに記載の炭化珪素単結晶エピタキシャルウェハの製造方法。
- 前記第2のエピタキシャル薄膜形成後にエピタキシャル薄膜の表面を研磨する請求項18〜27のいずれかに記載の炭化珪素単結晶エピタキシャルウェハの製造方法。
- 請求項18〜29のいずれかに記載の製造方法で得られた炭化珪素単結晶エピタキシャルウェハ上に、絶縁膜、金属膜を順次形成することを特徴とする金属-絶縁膜-半導体素子の製造方法。
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