JP2012153544A - 炭化珪素単結晶の製造方法、炭化珪素単結晶ウェハ、炭化珪素半導体素子の製造方法及び炭化珪素半導体素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】結晶成長面5からの傾斜面6の角度が40度以上90度以下であり頂面3Tを有する六角錐状の凸部3を有する種基板2の表面に炭化珪素単結晶層4を成長させることで、種基板2の貫通らせん転位を、炭化珪素単結晶層4で基底面内欠陥9に変換すると共に、貫通らせん転位を凸部3の頂面3Tに制限する。
【選択図】図1
Description
2 種基板
3、3A、3B 凸部
4 炭化珪素単結晶層
5 結晶成長面
6 傾斜面
7、7A、7B、7c 貫通らせん転位
8 低欠陥部位
9 基底面内欠陥
10 ガラスマスク
Claims (11)
- 傾斜面の結晶成長面からの角度が40度以上90度以下である凸部を有する炭化珪素種基板の表面に炭化珪素単結晶層を成長させることで、
前記炭化珪素種基板の貫通らせん転位を、前記炭化珪素単結晶層で、前記凸部を中心にして前記炭化珪素種基板の外側に延びる方向の欠陥に変換すると共に、貫通らせん転位を前記凸部の頂面に制限する
ことを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。 - 請求項1に記載する炭化珪素単結晶の製造方法において、
前記凸部の頂面に制限する貫通らせん転位は5個以下である
ことを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。 - 請求項1又は請求項2に記載する炭化珪素単結晶の製造方法において、
前記凸部の頂面に制限する貫通らせん転位は1、3又は5個の何れかである
ことを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。 - 請求項1〜請求項3の何れか一項に記載する炭化珪素単結晶の製造方法において、
前記凸部は、前記炭化珪素種基板の略中央部に設けられている
ことを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。 - 請求項1〜請求項4の何れか一項に記載する炭化珪素単結晶の製造方法において、
前記凸部は、六角錐の上部に平面を設けた形状である
ことを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。 - 請求項1〜請求項4の何れか一項に記載する炭化珪素単結晶の製造方法において、
前記凸部は、多角柱、円柱、多角錐、円錐、又は多角錐若しくは円錐の上部に平面を設けた形状である
ことを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。 - 請求項1〜請求項6の何れか一項に記載する炭化珪素単結晶の製造方法において、
前記炭化珪素種基板上に形成された炭化珪素単結晶層の上に、さらに前記凸部を設けて炭化珪素単結晶層を形成する工程を複数回行う
ことを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。 - 請求項1〜請求項7の何れか一項に記載する炭化珪素単結晶の製造方法により作製され、貫通らせん転位が低減した部位をスライスすることにより得られたことを特徴とする炭化珪素単結晶ウェハ。
- 請求項1〜請求項7の何れか一項に記載する炭化珪素単結晶の製造方法により作製されたことを特徴とする炭化珪素単結晶ウェハ。
- 請求項8又は請求項9に記載する炭化珪素単結晶ウェハを用いて製造されることを特徴とする炭化珪素半導体素子の製造方法。
- 請求項10に記載する炭化珪素半導体素子の製造方法により得られたことを特徴とする炭化珪素半導体素子。
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