JP2008078634A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. ゲート電極層、ゲート絶縁層、半導体層、一導電性を有する半導体層、ソース電極層及びドレイン電極層を有する逆スタガ型トランジスタを備えた半導体装置の作製方法であって、
   前記ゲート電極層を形成する第１の工程と、
   前記ゲート絶縁層を形成する第２の工程と、
   前記半導体層及び前記一導電性を有する半導体層を形成する第３の工程と、
   前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層を形成する第４の工程と、
   を有し、
   前記第１の工程は、
   第１の導電層を形成する工程と、
   前記第１の導電層上に第１の光吸収層を形成する工程と、
   第１のフォトマスクを介し、前記第１の光吸収層側から第１のレーザビームを照射することによって、前記第１のレーザビームが照射された領域の前記第１の光吸収層を除去する工程と、
   残存する前記第１の光吸収層を第１のマスクとし、前記第１の導電層をエッチングすることによって前記ゲート電極層を形成する工程と、
   前記第１のマスクとして用いた前記第１の光吸収層を除去する工程と、を含み、
   前記第２の工程は、
   前記ゲート電極層上に前記ゲート絶縁層を形成する工程を含み、
   前記第３の工程は、
   前記ゲート絶縁層上に第１の半導体層を形成する工程と、
   前記第１の半導体層上に一導電性を有する第２の半導体層を形成する工程と、
   前記第２の半導体層上に第２の光吸収層を形成する工程と、
   第２のフォトマスクを介し、前記第２の光吸収層側から第２のレーザビームを照射することによって、前記第２のレーザビームが照射された領域の前記第２の光吸収層を除去する工程と、
   残存する前記第２の光吸収層を第２のマスクとし、前記第２の半導体層及び前記第１の半導体層をエッチングすることによって、それぞれ、前記一導電性を有する半導体層及び前記半導体層を形成する工程と、
   前記第２のマスクとして用いた前記第２の光吸収層を除去する工程と、を含み、
   前記第４の工程は、
   前記一導電性を有する半導体層上に第２の導電層を形成する工程と、
   前記第２の導電層上に第３の光吸収層を形成する工程と、
   第３のフォトマスクを介し、前記第３の光吸収層側から第３のレーザビームを照射することによって、前記第３のレーザビームが照射された領域の前記第３の光吸収層を除去する工程と、
   残存する前記第３の光吸収層を第３のマスクとし、前記第２の導電層をエッチングすることによって前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層を形成する工程と、
   前記第３のマスクとして用いた前記第３の光吸収層を除去する工程と、を含み、
   前記第１乃至第３の光吸収層は、それぞれ、前記第１乃至第３のレーザビームを吸収する材料で形成する
   ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. ゲート電極層、ゲート絶縁層、半導体層、一導電性を有する半導体層、ソース電極層及びドレイン電極層を有する逆スタガ型トランジスタを備えた半導体装置の作製方法であって、
   前記ゲート電極層を形成する第１の工程と、
   前記ゲート絶縁層を形成する第２の工程と、
   前記半導体層及び前記一導電性を有する半導体層を形成する第３の工程と、
   前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層を形成する第４の工程と、
   を有し、
   前記第１の工程は、
   第１の導電層を形成する工程と、
   前記第１の導電層上に第１の光吸収層を形成する工程と、
   第１のフォトマスクを介し、前記第１の光吸収層側から第１のレーザビームを照射することによって、前記第１のレーザビームが照射された領域の前記第１の光吸収層を除去する工程と、
   残存する前記第１の光吸収層を第１のマスクとし、前記第１の導電層をエッチングすることによって前記ゲート電極層を形成する工程と、
   前記第１のマスクとして用いた前記第１の光吸収層を除去する工程と、を含み、
   前記第２の工程は、
   前記ゲート電極層上に前記ゲート絶縁層を形成する工程を含み、
   前記第３の工程は、
   前記ゲート絶縁層上に第１の半導体層を形成する工程と、
   前記第１の半導体層上に一導電性を有する第２の半導体層を形成する工程と、
   前記第２の半導体層上に第２の光吸収層を形成する工程と、
   第２のフォトマスクを介し、前記第２の光吸収層側から第２のレーザビームを照射することによって、前記第２のレーザビームが照射された領域の前記第２の光吸収層を除去する工程と、
   残存する前記第２の光吸収層を第２のマスクとし、前記第２の半導体層及び前記第１の半導体層をエッチングすることによって、それぞれ、前記一導電性を有する半導体層及び前記半導体層を形成する工程と、を含み、
   前記第４の工程は、
   第３のフォトマスクを介し、前記第２のマスクとして用いた前記第２の光吸収層側から第３のレーザビームを照射することによって、前記第３のレーザビームが照射された領域の前記第２の光吸収層を除去して、残存する前記第２の光吸収層を前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層とする工程と、を含み、
   前記第１の光吸収層は、前記第１のレーザビームを吸収する材料で形成し、
   前記第２の光吸収層は、前記第２及び第３のレーザビームを吸収する材料で形成する
   ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 請求項１において、
   前記第３の光吸収層は、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）のうち、少なくとも１つの元素を用いて形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
4. 請求項１乃至３のいずれか一において、
   前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層をマスクとし、前記一導電性を有する半導体層をエッチングすることによって、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層の間で前記半導体層の一部を露出させる工程を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. 請求項４において、
   前記半導体層の露出部は、前記半導体層の他の部分に比べて凹むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
   前記第１乃至第２の光吸収層は、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）のうち、少なくとも１つの元素を用いて形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。