JP2008070284A - 半導体センサ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体センサ1は、錘部4と、錘部4の周囲に設けられた支持部6と、錘部4と支持部6の間で支持部6の一表面側に設けられた可撓部8と、可撓部8に設けられたピエゾ抵抗体10と、錘部4上及び可撓部8上に、錘部4及び可撓部8とは間隔をもって設けられたカバー板24と、錘部4のカバー板24が設けられている表面上に設けられた錘側突起部21と、カバー板24の錘部4に対向する内側面に錘側突起部21に対向して設けられたカバー側突起部24bを備えている。
【選択図】図1
Description
半導体センサは、例えば走行中の自動車に加わる進行方向又は横方向の加速度の測定やビデオカメラの手ぶれ測定などに用いられる。
特許文献2に記載されている半導体センサでは、支持部表面の複数箇所にカバー板を固定するための凹部を設け、その凹部において接着剤を用いて支持部にカバー板を固定して可撓部上及び錘部上にカバー板を配置している。
また、特許文献3及び4に記載されている半導体センサでは、カバー板を陽極接合により支持部表面に固定している。
半導体センサ1aは、シリコン層2aと、シリコン層2a下に形成された絶縁層2bと、絶縁層2b下に形成されたシリコン層2cにより構成されるSOI(Silicon on Insulator)基板2により形成されている。
SOI基板2からなる枠状の支持部6のSOI基板2の一表面側に連続してシリコン層2aからなる可撓部8が形成されている。可撓部8のシリコン層2aにピエゾ抵抗体10が形成されている。
支持部6の中央側に、支持部6とは間隔をもって錘部4が配置されている。錘部4の一表面側はシリコン層2aによって可撓部8と連続して形成されており、錘部4は可撓部8によって支持されている。
金属配線パターン20の形成領域を含んで絶縁膜12上に保護膜21((A)での図示は省略)が形成されている。電極パッド16上の保護膜21には開口部が形成されており、電極パッド16の表面は露出している。
支持部6の裏面にガラス基板3が陽極接合により接合されている。錘部4の端面とガラス基板3は間隔をもっている。
錘部とカバー板の間隔を大きくとって錘部がカバー板に貼り付くのを防止することも考えられるが、この場合には、接合時に静電気力によって錘部がカバー板に引き寄せられ、可撓部が折れてしまうという問題が生じる。
また、上記錘側突起部は、上方から見て上記錘部の重心の真上近傍の前記一表面に配置されている例を挙げることができる。
また、複数組の前記錘側突起部及び前記カバー側突起部を備えているようにしてもよい。
さらに、上記錘側突起部の金属材料は上記金属配線パターンと同じ金属材料であり、上記錘側突起部は上記金属配線パターンと同時に形成されたものであるようにしてもよい。
錘部4の周囲に錘部4とは間隔をもって設けられ、錘部4を支持するための枠状の支持部6が形成されている。支持部6はシリコン層2a、絶縁層2b及びシリコン層2cによって形成されている。
支持部6のシリコン層2bの下面にガラス基板からなる台座7が錘部4の下面とは間隔をもって陽極接合により接合されている。
可撓部8において、可撓部8の歪に応じて抵抗値が変化するピエゾ抵抗体10がシリコン層2aに形成されている。ピエゾ抵抗体10は例えばP型不純物イオンであるボロンが導入されて形成されたP型拡散層によって形成されている。
絶縁膜12上で金属配線パターン14及び電極パッド16とは異なる領域にダミーパターン20,20a,20bが形成されている。ダミーパターン20,20a,20bは金属配線パターン14及び電極パッド16と同時に形成されたものである。
ダミーパターン20aは錘部4及び可撓部8を囲んでカバー板固定領域18に配置されている。
ダミーパターン20aで囲まれた領域側の不純物拡散層28の端部上の絶縁膜12にスルーホール12cが形成されている。金属配線パターン14はスルーホール12bを介して不純物拡散層28の一端と電気的に接続されている。
ダミーパターン20aで囲まれた領域の外側の不純物拡散層28の端部上の絶縁膜12にスルーホール12cが形成されている。ダミーパターン20aで囲まれた領域の外に金属配線パターン14aはスルーホール12cを介して不純物拡散層28の他端と電気的に接続されている。金属配線パターン14aの他端は電極パッド16に接続されている。
ダミーパターン20,20aは、不純物拡散層28の形成領域とは異なる領域でスルーホール12aを介してシリコン層2aと電気的に接続されて、シリコン層2aと同じ電位にされている。ダミーパターン20b下にはスルーホールは形成されていない。
カバー板24の周縁部(凹部24aが形成されていない部分)は陽極接合によってカバー板固定領域18に接合されている。
シリコン層2aにピエゾ抵抗体10が形成され、シリコン層2a上に絶縁膜12、スルーホール12a、金属配線パターン14、電極パッド16、ダミーパターン20,20a,20b及び絶縁膜22が形成されたSOI基板2のシリコン層2c、絶縁層2b、シリコン層2a及び絶縁膜22にシリコン層2c側からエッチング処理が施されて錘部4、支持部6及び可撓部8が形成される。そのエッチング処理は例えば2段階に分けて行なわれる。
図3は陽極接合時の状態を示す図であり、(A)は図1(A)のA−A’位置での断面図、(B)は(A)の錘部の中央部上の錘側突起部及びカバー側突起部の近傍を拡大して示す断面図である。
これにより、両突起部21,24bがない場合に比べて錘部4及びカバー板24が接触する面積を小さくすることができ、錘部4とカバー板24が貼り付くのを防止することができる。また、錘側突起部21上の絶縁膜22とカバー側突起部24bが貼り付いても軽い振動や衝撃を与える等により容易に剥がすことができる。
さらに、錘側突起部21は金属配線パターン14やダミーパターン20及びシリコン層2aとは電気的に独立しているので、陽極接合時に錘側突起部21がカバー板24に接触しても、シリコン層2aから錘側突起部21を通ってカバー板24に電流が流れることがなく、錘側突起部21がカバー板24に貼り付くのを防止することができる。
そこで、本発明の半導体センサの製造方法においては、錘側突起部及びカバー側突起部にレーザ光を照射して張り付いている錘側突起部及びカバー側突起部を剥がす工程を含む。
これにより、カバー側突起部24bの高さがカバー板24の周縁部に比べて低いカバー板24を形成することができる。
また、ビーズブラスト処理により凹部を形成した場合にはカバー板を介して半導体センサ内部を目視することは困難であるが、エッチング処理によって形成したカバー板24は半導体センサ内部を目視することができる。
また、本発明の半導体センサにおいて、カバー板はエッチング技術によって形成されたものに限定されるものではない。
この実施例によれば、上方から見て錘部4の重心の真上の部分は陽極接合時に最もカバー板24側に吸い寄せられやすい部分なので、錘部4とカバー板24が貼り付くのを確実に防止することができる。
この実施例でも、図1に示した実施例と同様に、錘部4とカバー板24が貼り付くのを確実に防止し、貼り付いても容易に剥がすことができる。
また、図3に示した実施例と同様に、錘側突起部30及びカバー側突起部24bを1組だけ備えていてもよい。
(1)半導体センサ1の形成領域について半導体センサ1の良否テストをウェハ状態で行なう。半導体センサ1の良否テストはピエゾ抵抗素子10につながるパッド電極16にプローブ針を接触させ、ピエゾ抵抗素子10に電圧を印加することにより行なう。テスト項目としては、例えばピエゾ抵抗素子10の拡散抵抗値測定とピエゾ抵抗素子10のホイートストンブリッジのオフセット電圧測定を挙げることができる。測定時に振動を与えることにより錘部4及び可撓部8を振動させ、オフセット電圧の変動で良否判定を行なう。
トリミング開口部38を介して所定のヒューズ素子36にレーザ光の照射を行なってトリミング処理を行なう。半導体センサ装置の出力特性の調整を行なうことにより、半導体センサ装置の出力の信頼性を向上させることができる。
また、錘部4、支持部6及び可撓部8の上に絶縁膜22が形成されているが、絶縁膜22は形成されていなくてもよい。
また、多層メタル配線構造の半導体センサにも本発明を適用することができる。
また、半導体センサは3軸半導体加速度センサに限らず、半導体圧力センサや半導体各速度センサであってもよい。
2a,2c シリコン層
2b 絶縁層
4 錘部
6 支持部
7 台座
8 可撓部
10 ピエゾ抵抗体
14 金属配線パターン
16 電極パッド
18 カバー板固定領域
21 錘側突起部
24 カバー板
24a カバー板の凹部(内側面)
24b カバー側突起部
Claims (9)
- 錘部と、前記錘部の周囲に設けられ、少なくともシリコン層をもつ支持部と、前記錘部と前記支持部の間で前記支持部の一表面側に設けられ、前記錘部を支持するための可撓部と、前記可撓部に設けられたピエゾ抵抗体と、少なくとも前記支持部の前記一表面上に形成され、前記ピエゾ抵抗体と電気的に接続された金属配線パターン及び電極パッドと、前記錘部及び前記可撓部の上方に、前記錘部及び前記可撓部とは間隔をもって前記支持部の前記一表面側に配置され、前記支持部の前記一表面に設けられたカバー板固定領域に固定されたカバー板を備えた半導体センサにおいて、
前記一表面側の前記錘部の表面上に設けられた1つ又は複数の錘側突起部と、
前記カバー板の前記錘部に対向する内側面に前記錘側突起部に対向して設けられた1つ又は複数のカバー側突起部を備えていることを特徴とする半導体センサ。 - 前記カバー側突起部の前記カバー板の前記内側面からの高さは、前記カバー板固定領域に対応するカバー板部分の前記内側面からの高さに比べて低く形成されている請求項1に記載の半導体センサ。
- 前記錘側突起部は前記錘部の重心の真上近傍の前記一表面に配置されている請求項1又は2に記載の半導体センサ。
- 前記錘側突起部及び前記カバー側突起部を1組だけ備えている請求項1、2又は3に記載の半導体センサ。
- 複数組の前記錘側突起部及び前記カバー側突起部を備えている請求項1、2又は3に記載の半導体センサ。
- 前記カバー板はレーザ光を透過する程度に透明であり、前記錘側突起部は金属材料を含んでいる請求項1から5のいずれかに記載の半導体センサ。
- 前記錘側突起部の金属材料は前記金属配線パターンと同じ金属材料であり、前記錘側突起部は前記金属配線パターンと同時に形成されたものである請求項6に記載の半導体センサ。
- 前記カバー板はレーザ光を透過する程度に透明であり、前記錘側突起部はシリコン膜を含んでいる請求項1から5のいずれかに記載の半導体センサ。
- 請求項4から8のいずれかに記載の半導体センサの製造方法であって、
前記カバー板を前記支持部に陽極接合により固定した後、前記カバー板を介して前記カバー側突起部及び前記錘側突起部にレーザ光を照射する工程を含む半導体センサの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006250386A JP5089115B2 (ja) | 2006-09-15 | 2006-09-15 | 半導体センサ及びその製造方法 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2008070284A true JP2008070284A (ja) | 2008-03-27 |
JP5089115B2 JP5089115B2 (ja) | 2012-12-05 |
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JP (1) | JP5089115B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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