JP5935396B2 - Mems素子及びmems素子の製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施形態1に係るMEMS素子の平面図および断面図の一例を示す。すなわち、図1(A)はMEMS素子100を上面からみた場合の平面図を示しており、図1(B)および図1(C)はMEMS素子100のI−I断面線における断面図を示す。図1(B)と図1(C)とは異なる実施形態に係るMEMS素子100の断面図である。
101 キャップ構造
102 基板
103 電極パッド
105 可動部
106 接合部
107 突起部
Claims (5)
- 第1の基板に感光性樹脂材料を配設し、
前記感光性樹脂材料にパターン露光を行ない、前記第1の基板に前記感光性樹脂材料を含む接合部及び突起部を形成し、
可動部を含むMEMS素子本体が形成された第2の基板を準備し、
前記突起部と前記可動部とを対向させ、前記第1の基板と前記第2の基板とを前記接合部により接合することを含む、MEMS素子の製造方法。 - 前記突起部となる部位の前記感光性材料に対して、露光光の合焦位置を前記第1の基板に垂直な方向にずらして、パターン露光を行うことを特徴とする請求項1に記載の、MEMS素子の製造方法。
- 前記突起部は、前記第1の基板側に向かうにつれ裾が拡がったテーパー形状に形成されることを特徴とする請求項2に記載の、MEMS素子の製造方法。
- 前記接合部の高さは、前記突起部の高さより大きいことを特徴とする請求項2または3に記載の、MEMS素子の製造方法。
- 可動部を有する基板と、前記可動部を覆うように配置されたキャップ構造とを少なくとも含んで構成され、
前記キャップ構造の前記可動部と対向する側に樹脂材料を含む接合部及び突起部を備え、前記接合部により前記基板と前記キャップ構造とが接合され、前記突起部は前記可動部と対向し、前記突起部の先端の幅は前記キャップ構造に接する裾幅よりも小さいことを特徴とするMEMS素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2012046325A JP5935396B2 (ja) | 2012-03-02 | 2012-03-02 | Mems素子及びmems素子の製造方法 |
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JP2013181863A JP2013181863A (ja) | 2013-09-12 |
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JP (1) | JP5935396B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022507515A (ja) * | 2018-11-15 | 2022-01-18 | ロベルト・ボッシュ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング | マイクロエレクトロメカニカルセンサを製造する方法およびマイクロエレクトロメカニカルセンサ |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6587870B2 (ja) * | 2015-09-01 | 2019-10-09 | アズビル株式会社 | 微細機械装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008051658A (ja) * | 2006-08-24 | 2008-03-06 | Mitsumi Electric Co Ltd | Ic一体型加速度センサ及びその製造方法 |
JP5089115B2 (ja) * | 2006-09-15 | 2012-12-05 | 株式会社リコー | 半導体センサ及びその製造方法 |
JP5493691B2 (ja) * | 2009-10-21 | 2014-05-14 | 大日本印刷株式会社 | ストッパの形成方法、力学量センサの製造方法及び力学量センサ |
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2012
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JP7083428B2 (ja) | 2018-11-15 | 2022-06-10 | ロベルト・ボッシュ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング | マイクロエレクトロメカニカルセンサを製造する方法およびマイクロエレクトロメカニカルセンサ |
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Publication number | Publication date |
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JP2013181863A (ja) | 2013-09-12 |
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