JP2008047772A - 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ - Google Patents
絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008047772A JP2008047772A JP2006223443A JP2006223443A JP2008047772A JP 2008047772 A JP2008047772 A JP 2008047772A JP 2006223443 A JP2006223443 A JP 2006223443A JP 2006223443 A JP2006223443 A JP 2006223443A JP 2008047772 A JP2008047772 A JP 2008047772A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor region
- region
- semiconductor
- type base
- insulated gate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006223443A JP2008047772A (ja) | 2006-08-18 | 2006-08-18 | 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ |
TW096120053A TWI346387B (en) | 2006-08-18 | 2007-06-05 | Insulated gate bipolar transistor |
CNB2007101275177A CN100536162C (zh) | 2006-08-18 | 2007-06-28 | 绝缘栅型双极晶体管 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006223443A JP2008047772A (ja) | 2006-08-18 | 2006-08-18 | 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008047772A true JP2008047772A (ja) | 2008-02-28 |
Family
ID=39095339
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006223443A Pending JP2008047772A (ja) | 2006-08-18 | 2006-08-18 | 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008047772A (zh) |
CN (1) | CN100536162C (zh) |
TW (1) | TWI346387B (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012244049A (ja) * | 2011-05-23 | 2012-12-10 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JPWO2013031212A1 (ja) * | 2011-08-29 | 2015-03-23 | 富士電機株式会社 | 双方向素子、双方向素子回路および電力変換装置 |
WO2018225571A1 (ja) * | 2017-06-09 | 2018-12-13 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101275458B1 (ko) * | 2011-12-26 | 2013-06-17 | 삼성전기주식회사 | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
CN103681813B (zh) * | 2012-09-02 | 2018-07-24 | 朱江 | 一种背沟槽结构绝缘栅双极晶体管及其制备方法 |
CN103872110B (zh) * | 2012-12-07 | 2018-03-30 | 中国科学院微电子研究所 | 逆导型igbt的背面结构及其制备方法 |
CN104253152A (zh) * | 2013-06-28 | 2014-12-31 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 一种igbt及其制造方法 |
CN104299990A (zh) * | 2013-07-19 | 2015-01-21 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 绝缘栅双极晶体管及其制造方法 |
JP5821925B2 (ja) * | 2013-10-21 | 2015-11-24 | トヨタ自動車株式会社 | バイポーラトランジスタ |
CN110676314B (zh) * | 2019-10-23 | 2021-05-04 | 广东美的白色家电技术创新中心有限公司 | 一种绝缘栅双极型晶体管、功率模块及生活电器 |
CN117558751A (zh) * | 2022-08-04 | 2024-02-13 | 无锡华润上华科技有限公司 | 场截止型绝缘栅双极晶体管及其制造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03155677A (ja) * | 1989-08-19 | 1991-07-03 | Fuji Electric Co Ltd | 伝導度変調型mosfet |
JP2003249654A (ja) * | 2002-02-26 | 2003-09-05 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004363477A (ja) * | 2003-06-06 | 2004-12-24 | Sanken Electric Co Ltd | 絶縁ゲート型半導体装置 |
JP2005057028A (ja) * | 2003-08-04 | 2005-03-03 | Sanken Electric Co Ltd | 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ |
-
2006
- 2006-08-18 JP JP2006223443A patent/JP2008047772A/ja active Pending
-
2007
- 2007-06-05 TW TW096120053A patent/TWI346387B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-06-28 CN CNB2007101275177A patent/CN100536162C/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03155677A (ja) * | 1989-08-19 | 1991-07-03 | Fuji Electric Co Ltd | 伝導度変調型mosfet |
JP2003249654A (ja) * | 2002-02-26 | 2003-09-05 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004363477A (ja) * | 2003-06-06 | 2004-12-24 | Sanken Electric Co Ltd | 絶縁ゲート型半導体装置 |
JP2005057028A (ja) * | 2003-08-04 | 2005-03-03 | Sanken Electric Co Ltd | 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012244049A (ja) * | 2011-05-23 | 2012-12-10 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JPWO2013031212A1 (ja) * | 2011-08-29 | 2015-03-23 | 富士電機株式会社 | 双方向素子、双方向素子回路および電力変換装置 |
US9478645B2 (en) | 2011-08-29 | 2016-10-25 | Fuji Electric Co., Ltd. | Bidirectional device, bidirectional device circuit and power conversion apparatus |
WO2018225571A1 (ja) * | 2017-06-09 | 2018-12-13 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
CN110100314A (zh) * | 2017-06-09 | 2019-08-06 | 富士电机株式会社 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 |
JPWO2018225571A1 (ja) * | 2017-06-09 | 2019-11-07 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
US10672762B2 (en) | 2017-06-09 | 2020-06-02 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI346387B (en) | 2011-08-01 |
CN101127365A (zh) | 2008-02-20 |
TW200812080A (en) | 2008-03-01 |
CN100536162C (zh) | 2009-09-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN109964317B (zh) | 半导体装置 | |
JP2008047772A (ja) | 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ | |
JP5787853B2 (ja) | 電力用半導体装置 | |
JP4609656B2 (ja) | トレンチ構造半導体装置 | |
JP5636808B2 (ja) | 半導体装置 | |
WO2017155122A1 (ja) | 半導体装置 | |
CN110462838B (zh) | 半导体装置 | |
JP6958011B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP5537359B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2009188178A (ja) | 半導体装置 | |
JP5687582B2 (ja) | 半導体素子およびその製造方法 | |
JP6980692B2 (ja) | 絶縁ゲートパワー半導体デバイスおよびその製造方法 | |
JP5512455B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5261893B2 (ja) | トレンチ型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ | |
JP2008042073A (ja) | 半導体装置 | |
JP2014154739A (ja) | 半導体装置 | |
JP5751125B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6173987B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP4177229B2 (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
JPH11204789A (ja) | 絶縁ゲ−ト形トランジスタ | |
JP5246638B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2005150348A (ja) | 半導体装置 | |
KR101366982B1 (ko) | 트렌치 게이트형 전력 반도체 소자 | |
JP2013069871A (ja) | 半導体装置 | |
JP6058712B2 (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20090803 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120717 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120719 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120912 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20120913 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20121009 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130305 |