CN103681813B - 一种背沟槽结构绝缘栅双极晶体管及其制备方法 - Google Patents
一种背沟槽结构绝缘栅双极晶体管及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103681813B CN103681813B CN201210320248.7A CN201210320248A CN103681813B CN 103681813 B CN103681813 B CN 103681813B CN 201210320248 A CN201210320248 A CN 201210320248A CN 103681813 B CN103681813 B CN 103681813B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- type
- bipolar transistor
- base area
- groove structure
- insulated gate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 24
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 15
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 14
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 5
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 21
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 description 8
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 6
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 6
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 210000004209 hair Anatomy 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
- H01L29/7393—Insulated gate bipolar mode transistors, i.e. IGBT; IGT; COMFET
- H01L29/7395—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT
- H01L29/7396—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT with a non planar surface, e.g. with a non planar gate or with a trench or recess or pillar in the surface of the emitter, base or collector region for improving current density or short circuiting the emitter and base regions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/0804—Emitter regions of bipolar transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66234—Bipolar junction transistors [BJT]
- H01L29/66325—Bipolar junction transistors [BJT] controlled by field-effect, e.g. insulated gate bipolar transistors [IGBT]
- H01L29/66333—Vertical insulated gate bipolar transistors
- H01L29/6634—Vertical insulated gate bipolar transistors with a recess formed by etching in the source/emitter contact region
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/36—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the concentration or distribution of impurities in the bulk material
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thyristors (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明公开了一种背沟槽结构绝缘栅双极晶体管，传统绝缘栅双极晶体管的背P+发射区完全覆盖器件背面，本发明的绝缘栅双极晶体管通过沟槽将器件背面部分或全部区域设置为多晶P+发射区，以此调节背P+发射区向N型基区注入空穴的效率，提高器件高频特性的应用范围。本发明还提供了一种背沟槽结构绝缘栅双极晶体管的制备方法。
Description
技术领域
本发明涉及到一种背沟槽结构绝缘栅双极晶体管，本发明还涉及一种背沟槽结构绝缘栅双极晶体管的制备方法。
背景技术
绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,简称IGBT)是一种集金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的栅电极电压控制特性和双极晶体管(BJT)的低导通电阻特性于一身的半导体功率器件，具有电压控制、输入阻抗大、驱动功率小、导通电阻小、开关损耗低及工作频率高等特性，是比较理想的半导体功率开关器件，有着广阔的发展和应用前景。
一般说来，从IGBT的正面结构区分，可以把IGBT分为平面型和沟槽栅型两种结构；从IGBT击穿特性区分，可以分为穿通型和非穿通型两种结构，穿通型在器件背面P+表面具有N+缓冲层，其通态压降比非穿通型要小，同时穿通型器件也增加了器件的制造难度。
发明内容
本发明提供一种背沟槽绝缘栅双极晶体管及其制备方法。
一种背沟槽结构绝缘栅双极晶体管，其特征在于：包括：N型基区，由N+缓冲层和N-基区叠加组成；P型基区、N+源区、栅氧化层和栅极介质，位于N型基区上方；背沟槽多晶P+发射区，为多个沟槽结构，位于N型基区下方，P型多晶半导体材料临靠沟槽内壁，同时背沟槽内填充电极金属。
一种背沟槽绝缘栅双极晶体管的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：对N型片进行双面N型杂质扩散；通过减薄抛光去除上表面N型杂质扩散层和去除下表面部分N型杂质扩散层：在上表面形成P型基区、N+源区、栅氧化层和栅极介质；在下表面通过掩膜刻蚀形成沟槽，淀积形成P型多晶半导体材料。
传统绝缘栅双极晶体管的背P+发射区完全覆盖器件背面，本发明的绝缘栅双极晶体管通过沟槽将器件背面部分或全部区域设置为多晶P+发射区，以此调节背P+发射区向N型基区注入空穴的效率，提高器件高频特性的应用范围。
附图说明
图1为本发明的一种背沟槽结构绝缘栅双极晶体管剖面示意图；
图2为本发明的第二种背沟槽结构绝缘栅双极晶体管剖面示意图；
图3为本发明的第三种背沟槽结构绝缘栅双极晶体管剖面示意图；
图4为本发明的第四种背沟槽结构绝缘栅双极晶体管剖面示意图；
图5为本发明的第五种背沟槽结构绝缘栅双极晶体管剖面示意图；
图6为本发明的第六种背沟槽结构绝缘栅双极晶体管剖面示意图。
其中，1、背沟槽多晶P+发射区；2、N+缓冲层；3、N-基区；4、P型基区；5、N+源区；6、栅氧化层；7、栅极介质；10、背面氧化层。
具体实施方式
实施例1
图1为本发明的一种背沟槽结构绝缘栅双极晶体管的剖面图，下面结合图1详细说明本发明的半导体装置。
一种绝缘栅双极晶体管，包括：N+缓冲层2，为N传导类型的半导体硅材料，磷原子掺杂浓度为5E13cm-3～5E16cm-3，厚度为30um；背沟槽多晶P+发射区1，为P传导类型多晶半导体硅材料，分布背面沟槽内壁和N+缓冲层2表面，沟槽宽度和间距为5um，沟槽深度为50um，硼原子表面掺杂浓度为5E17cm-3；N-基区3，位于N+缓冲层2之上，为N传导类型的半导体硅材料，厚度为200um，磷原子掺杂浓度为5E13cm-3；P型基区4，位于N-基区3之上，为硼原子重掺杂的半导体硅材料，厚度为5um；N+源区5，位于P型基区4之上，为磷原子重掺杂的半导体硅材料，厚度为2um；栅氧化层6，为硅材料的氧化物，位于器件表面；栅极介质7，位于栅氧化层6表面，为重掺杂的多晶半导体硅材料。
本实施例的工艺制造流程如下：
第一步，对N型硅片进行双面磷杂质扩散；
第二步，通过减薄抛光去除上表面N型杂质扩散层和去除下表面部分N型杂质扩散层，形成N+缓冲层2和N-基区3：
第三步，在上表面形成P型基区4、N+源区5、栅氧化层6和栅极介质7；
第四步，在下表面光刻腐蚀形成胶掩膜，刻蚀形成沟槽，淀积P型多晶半导体材料，如图1所示。
然后在此基础上，淀积金属铝，然后光刻腐蚀进行反刻铝，为器件引出N+源区电极和栅电极，通过背面金属化工艺为器件引出背沟槽多晶P+发射区电极。同时图1实施例中表面栅氧化层6和栅极介质7也可以为沟槽结构，如图2所示。
实施例2
图3为本发明的第三种背沟槽结构绝缘栅双极晶体管的剖面图，下面结合图3详细说明本发明的半导体装置。
一种绝缘栅双极晶体管，包括：N+缓冲层2，为N传导类型的半导体硅材料，磷原子掺杂浓度为5E13cm-3～5E16cm-3，厚度为30um；背沟槽多晶P+发射区1，为P传导类型多晶半导体硅材料，分布背面沟槽内壁和N+缓冲层2表面，沟槽宽度和间距为5um，沟槽深度为50um，硼原子表面掺杂浓度为5E17cm-3；N-基区3，位于N+缓冲层2之上，为N传导类型的半导体硅材料，厚度为200um，磷原子掺杂浓度为5E13cm-3；P型基区4，位于N-基区3之上，为硼原子重掺杂的半导体硅材料，厚度为5um；N+源区5，位于P型基区4之上，为磷原子重掺杂的半导体硅材料，厚度为2um；栅氧化层6，为硅材料的氧化物，位于器件表面；栅极介质7，位于栅氧化层6表面，为重掺杂的多晶半导体硅材料；背面氧化层10，位于N+缓冲层2表面。
本实施例的工艺制造流程如下：
第一步，对N型硅片进行双面磷杂质扩散；
第二步，通过减薄抛光去除上表面N型杂质扩散层和去除下表面部分N型杂质扩散层，形成N+缓冲层2和N-基区3：
第三步，在上表面形成P型基区4、N+源区5、栅氧化层6和栅极介质7；
第四步，在下表面光刻腐蚀形成氧化层掩膜，刻蚀形成沟槽，淀积P型多晶半导体材料，如图3所示。
然后在此基础上，淀积金属铝，然后光刻腐蚀进行反刻铝，为器件引出N+源区电极和栅电极，通过背面金属化工艺为器件引出背沟槽多晶P+发射区电极。同时图3实施例中表面栅氧化层6和栅极介质7也可以为沟槽结构，如图4所示。
实施例3
图5为本发明的第五种背沟槽结构绝缘栅双极晶体管的剖面图，下面结合图5详细说明本发明的半导体装置。
一种绝缘栅双极晶体管，包括：N+缓冲层2，为N传导类型的半导体硅材料，磷原子掺杂浓度为5E13cm-3～5E16cm-3，厚度为30um；背沟槽多晶P+发射区1，为P传导类型多晶半导体硅材料，分布沟槽内壁，沟槽宽度和间距为5um，沟槽深度为5um，硼原子表面掺杂浓度为5E17cm-3；N-基区3，位于N+缓冲层2之上，为N传导类型的半导体硅材料，厚度为200um，磷原子掺杂浓度为5E13cm-3；P型基区4，位于N-基区3之上，为硼原子重掺杂的半导体硅材料，厚度为5um；N+源区5，位于P型基区4之上，为磷原子重掺杂的半导体硅材料，厚度为2um；栅氧化层6，为硅材料的氧化物，位于器件表面；栅极介质7，位于栅氧化层6表面，为重掺杂的多晶半导体硅材料。
本实施例的工艺制造流程如下：
第一步，对N型硅片进行双面磷杂质扩散；
第二步，通过减薄抛光去除上表面N型杂质扩散层和去除下表面部分N型杂质扩散层，形成N+缓冲层2和N-基区3：
第三步，在上表面形成P型基区4、N+源区5、栅氧化层6和栅极介质7；
第四步，在下表面光刻腐蚀形成胶掩膜，刻蚀形成沟槽，淀积P型多晶半导体材料，进行背面减薄，如图5所示。
然后在此基础上，淀积金属铝，然后光刻腐蚀进行反刻铝，为器件引出N+源区电极和栅电极，通过背面金属化工艺为器件引出背沟槽多晶P+发射区电极。同时图5实施例中表面栅氧化层6和栅极介质7也可以为沟槽结构，如图6所示。
通过上述实例阐述了本发明，同时也可以采用其它实例实现本发明，本发明不局限于上述具体实例，因此本发明由所附权利要求范围限定。
Claims (2)
1.一种背沟槽结构绝缘栅双极晶体管的制备方法，其特征在于：依次包括如下步骤：
1)对N型片进行双面N型杂质扩散；
2)通过减薄抛光去除上表面N型杂质扩散层和去除下表面部分N型杂质扩散层：
3)在N型片上表面形成P型基区、N+源区、栅氧化层和栅极介质；
4)在N型片下表面通过掩膜刻蚀形成背沟槽，在背沟槽内壁表面淀积形成P型多晶半导体材料。
2.一种如权利要求1制备方法所述的背沟槽结构绝缘栅双极晶体管，其特征在于：包括：
N型基区，由N+缓冲层和N-基区叠加组成，N-基区位于N+缓冲层上方；
P型基区、N+源区、栅氧化层和栅极介质，位于N型基区上方；
背沟槽多晶P+发射区，为多个背沟槽结构，背沟槽位于N型基区N+缓冲层内下方，整个P+发射区由P型多晶半导体材料构成，P型多晶半导体材料临靠背沟槽内壁，同时背沟槽内填充电极金属。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210320248.7A CN103681813B (zh) | 2012-09-02 | 2012-09-02 | 一种背沟槽结构绝缘栅双极晶体管及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210320248.7A CN103681813B (zh) | 2012-09-02 | 2012-09-02 | 一种背沟槽结构绝缘栅双极晶体管及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103681813A CN103681813A (zh) | 2014-03-26 |
| CN103681813B true CN103681813B (zh) | 2018-07-24 |
Family
ID=50318771
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201210320248.7A Active CN103681813B (zh) | 2012-09-02 | 2012-09-02 | 一种背沟槽结构绝缘栅双极晶体管及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103681813B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103681790A (zh) * | 2012-09-06 | 2014-03-26 | 朱江 | 一种背部沟槽绝缘栅双极晶体管及其制备方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07107935B2 (ja) * | 1988-02-04 | 1995-11-15 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
| JP2008066694A (ja) * | 2006-03-16 | 2008-03-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2008047772A (ja) * | 2006-08-18 | 2008-02-28 | Sanken Electric Co Ltd | 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ |
| JP2008140828A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Rohm Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| CN102386220A (zh) * | 2010-08-27 | 2012-03-21 | 比亚迪股份有限公司 | 一种具有背注增强结构的igbt及其制造方法 |
-
2012
- 2012-09-02 CN CN201210320248.7A patent/CN103681813B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103681813A (zh) | 2014-03-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101976683B (zh) | 一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法 | |
| CN104241348B (zh) | 一种低导通电阻的SiC IGBT及其制备方法 | |
| CN105047700B (zh) | 一种轻穿通igbt器件的制备方法 | |
| CN108091685A (zh) | 一种提高耐压的半超结mosfet结构及其制备方法 | |
| CN104409507B (zh) | 低导通电阻vdmos器件及制备方法 | |
| CN102945806B (zh) | 集成肖特基二极管的mos器件的制造方法 | |
| CN106653824A (zh) | 一种沟槽型金属氧化物半导体功率器件及其制作方法 | |
| CN103137710B (zh) | 一种具有多种绝缘层隔离的沟槽肖特基半导体装置及其制备方法 | |
| CN107305909A (zh) | 一种逆导型igbt背面结构及其制备方法 | |
| CN103681811A (zh) | 一种非完全发射区的绝缘栅双极晶体管及其制备方法 | |
| CN103137688B (zh) | 一种沟槽mos结构半导体装置及其制造方法 | |
| CN105226091B (zh) | 一种绝缘栅双极晶体管及其制备方法 | |
| CN108010964A (zh) | 一种igbt器件及制造方法 | |
| CN111129137B (zh) | 具有NiO/SiC pn异质结的SiC绝缘栅双极晶体管 | |
| CN103681813B (zh) | 一种背沟槽结构绝缘栅双极晶体管及其制备方法 | |
| CN110504313B (zh) | 一种横向沟槽型绝缘栅双极晶体管及其制备方法 | |
| CN103137689B (zh) | 一种具有超结沟槽mos结构的半导体装置及其制造方法 | |
| CN113497132A (zh) | 超级结绝缘栅双极型晶体管及其制作方法 | |
| CN103681814A (zh) | 一种背部沟槽结构绝缘栅双极晶体管及其制备方法 | |
| CN103515450B (zh) | 一种沟槽电荷补偿肖特基半导体装置及其制造方法 | |
| CN109192780A (zh) | 一种横向mosfet器件及其制备方法 | |
| CN103681810B (zh) | 一种绝缘栅双极晶体管 | |
| CN103681790A (zh) | 一种背部沟槽绝缘栅双极晶体管及其制备方法 | |
| CN108346692A (zh) | 功率半导体器件及其制造方法 | |
| CN103887240B (zh) | 一种逆导型igbt器件的制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20210425 Address after: Room 301, 3rd floor, building 16, Guangxi Huike Technology Co., Ltd., No. 336, East extension of Beihai Avenue, Beihai Industrial Park, 536000, Guangxi Zhuang Autonomous Region Patentee after: Beihai Huike Semiconductor Technology Co.,Ltd. Address before: Hangzhou City, Zhejiang province Xiasha 310018 three Avenue Yuyuan apartment No. 1 room 603 Patentee before: Zhu Jiang |
|
| TR01 | Transfer of patent right |