CN103681811A - 一种非完全发射区的绝缘栅双极晶体管及其制备方法 - Google Patents
一种非完全发射区的绝缘栅双极晶体管及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103681811A CN103681811A CN201210320231.1A CN201210320231A CN103681811A CN 103681811 A CN103681811 A CN 103681811A CN 201210320231 A CN201210320231 A CN 201210320231A CN 103681811 A CN103681811 A CN 103681811A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- igbt
- emitter region
- resilient coating
- type
- base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 20
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 20
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 16
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 12
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 6
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 4
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 18
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 14
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 description 6
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
- H01L29/7393—Insulated gate bipolar mode transistors, i.e. IGBT; IGT; COMFET
- H01L29/7395—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT
- H01L29/7396—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT with a non planar surface, e.g. with a non planar gate or with a trench or recess or pillar in the surface of the emitter, base or collector region for improving current density or short circuiting the emitter and base regions
- H01L29/7397—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT with a non planar surface, e.g. with a non planar gate or with a trench or recess or pillar in the surface of the emitter, base or collector region for improving current density or short circuiting the emitter and base regions and a gate structure lying on a slanted or vertical surface or formed in a groove, e.g. trench gate IGBT
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/0804—Emitter regions of bipolar transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66234—Bipolar junction transistors [BJT]
- H01L29/66325—Bipolar junction transistors [BJT] controlled by field-effect, e.g. insulated gate bipolar transistors [IGBT]
- H01L29/66333—Vertical insulated gate bipolar transistors
- H01L29/66348—Vertical insulated gate bipolar transistors with a recessed gate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/36—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the concentration or distribution of impurities in the bulk material
Abstract
本发明公开了一种非完全发射区的绝缘栅双极晶体管，本发明的绝缘栅双极晶体管将器件背面部分区域设置为P+发射区，通过器件导通时电流自动调节P+发射区的开启导通，调节背P+发射区向N型基区注入空穴的效率，提高器件的高频特性应用范围。本发明还提供了一种非完全发射区的绝缘栅双极晶体管的制备方法。
Description
技术领域
本发明涉及到一种非完全发射区的绝缘栅双极晶体管，本发明还涉及一种非完全发射区的绝缘栅双极晶体管的制备方法。
背景技术
绝缘栅双极晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor,简称IGBT）是一种集金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）的栅电极电压控制特性和双极晶体管（BJT）的低导通电阻特性于一身的半导体功率器件，具有电压控制、输入阻抗大、驱动功率小、导通电阻小、开关损耗低及工作频率高等特性，是比较理想的半导体功率开关器件，有着广阔的发展和应用前景。
一般说来，从IGBT的正面结构区分，可以把IGBT分为平面型和沟槽栅型两种结构；从IGBT击穿特性区分，可以分为穿通型和非穿通型两种结构，穿通型在器件背面P+表面具有N+缓冲层，其通态压降比非穿通型要小，同时穿通型器件也增加了器件的制造难度。
发明内容
本发明提供一种非完全发射区的绝缘栅双极晶体管及其制备方法。
一种非完全发射区的绝缘栅双极晶体管，其特征在于：包括：N型基区，由N+缓冲层和N-基区叠加组成；P型基区、N+集电区、栅氧化层和栅极介质，位于N型基区上方；背P+发射区，位于N型基区的N+缓冲层下方部分区域，同时器件背面N+缓冲层表面为欧姆接触区或肖特基势垒结，其中器件背面的背P+发射区的最大宽度小于等于10um，器件背面的N+缓冲层的最大宽度小于等于10um。
一种绝缘栅双极晶体管的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：对N型片进行双面N型杂质扩散；通过减薄抛光去除上表面N型杂质扩散层和去除下表面部分N型杂质扩散层：在上表面形成P型基区、N+集电区、栅氧化层和栅极介质；在下表面通过掩膜注入P型杂质，然后退火形成背P+发射区。
传统绝缘栅双极晶体管的背P+发射区完全覆盖器件背面，本发明的绝缘栅双极晶体管将器件背面部分区域设置为P+发射区，通过器件导通时电流自动调节P+发射区的开启导通，调节背P+发射区向N型基区注入空穴的效率，提高器件高频特性的应用范围。
附图说明
图1为本发明的一种非完全发射区的绝缘栅双极晶体管剖面示意图；
图2为本发明的第二种非完全发射区的绝缘栅双极晶体管剖面示意图。
其中，1、背P+发射区；2、N+缓冲层；3、N-基区；4、P型基区；5、N+集电区；6、栅氧化层；7、栅极介质；8、肖特基势垒结；9、欧姆接触区。
具体实施方式
实施例1
图1为本发明的一种非完全发射区的绝缘栅双极晶体管的剖面图，下面结合图1详细说明本发明的半导体装置。
一种绝缘栅双极晶体管，包括：N+缓冲层2，为N传导类型的半导体硅材料，磷原子掺杂浓度为5E13cm-3~1E16cm-3，厚度为30um；背P+发射区1，为P传导类型半导体硅材料，均匀分布N+缓冲层2背面，宽度和间距为5um，深度为5um，硼原子表面掺杂浓度为5E18cm-3；N-基区3，位于N+缓冲层2之上，为N传导类型的半导体硅材料，厚度为200um，磷原子掺杂浓度为5E13cm-3；P型基区4，位于N-基区3之上，为硼原子重掺杂的半导体硅材料，厚度为5um；N+集电区5，位于P型基区4之上，为磷原子重掺杂的半导体硅材料，厚度为2um；栅氧化层6，为硅材料的氧化物，位于器件表面；栅极介质7，位于栅氧化层6表面，为重掺杂的多晶半导体硅材料；肖特基势垒结8，位于器件N+缓冲层2表面，为金属与半导体材料形成的肖特基势垒结。
本实施例的工艺制造流程如下：
第一步，对N型硅片进行双面磷杂质扩散；
第二步，通过减薄抛光去除上表面N型杂质扩散层和去除下表面部分N型杂质扩散层，形成N+缓冲层2和N-基区3：
第三步，在上表面形成P型基区4、N+集电区5、栅氧化层6和栅极介质7；
第四步，在下表面光刻腐蚀形成胶掩膜，注入硼杂质退火形成背P+发射区1，背面淀积金属烧结形成肖特基势垒结8，如图1所示。
然后在此基础上，淀积金属铝，然后光刻腐蚀进行反刻铝，为器件引出集电极和栅电极，通过背面金属化工艺为器件引出发射极。
实施例2
图2为本发明的第二种非完全发射区的绝缘栅双极晶体管的剖面图，下面结合图2详细说明本发明的半导体装置。
一种绝缘栅双极晶体管，包括：N+缓冲层2，为N传导类型的半导体硅材料，磷原子掺杂浓度为5E13cm-3~1E17cm-3，厚度为30um；背P+发射区1，为P传导类型半导体硅材料，均匀分布N+缓冲层2背面，宽度和间距为5um，厚度为5um，硼原子表面掺杂浓度为5E18cm-3；N-基区3，位于N+缓冲层2之上，为N传导类型的半导体硅材料，厚度为200um，磷原子掺杂浓度为5E13cm-3；P型基区4，位于N-基区3之上，为硼原子重掺杂的半导体硅材料，厚度为5um；N+集电区5，位于P型基区4之上，为磷原子重掺杂的半导体硅材料，厚度为2um；栅氧化层6，为硅材料的氧化物，位于器件沟槽内；栅极介质7，位于沟槽内栅氧化层6表面，为重掺杂的多晶半导体硅材料。
本实施例的工艺制造流程如下：
第一步，对N型硅片进行双面磷杂质扩散；
第二步，通过减薄抛光去除上表面N型杂质扩散层和去除下表面部分N型杂质扩散层，形成N+缓冲层2和N-基区3：
第三步，在上表面形成P型基区4、N+集电区5、沟槽结构栅氧化层6和沟槽结构栅极介质7；
第四步，在下表面光刻腐蚀形成胶掩膜，注入硼杂质退火形成背P+发射区1，如图2所示。
然后在此基础上，淀积金属铝，然后光刻腐蚀进行反刻铝，为器件引出集电极和栅电极，通过背面金属化工艺为器件引出发射极。
通过上述实例阐述了本发明，同时也可以采用其它实例实现本发明，本发明不局限于上述具体实例，因此本发明由所附权利要求范围限定。
Claims (10)
1.一种非完全发射区的绝缘栅双极晶体管，其特征在于：包括：
N型基区，由N+缓冲层和N-基区叠加组成；
P型基区、N+集电区、栅氧化层和栅极介质，位于N型基区上方；
背P+发射区，位于N型基区下方部分区域，同时器件背面N+缓冲层表面为欧姆接触区或肖特基势垒结。
2.如权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于：所述的背P+发射区均匀分布于N型基区的N+缓冲层下方表面内，器件背面的背P+发射区的最大宽度小于等于10um，器件背面表面的N+缓冲层的最大宽度小于等于10um。
3.如权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于：所述的背P+发射区表面的掺杂浓度大于等于1E17cm-3。
4.如权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于：所述的N+缓冲层的厚度5um~30um。
5.如权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于：所述的N+缓冲层的掺杂浓度1E14cm-3~1E17cm-3。
6.如权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于：所述的N+缓冲层的掺杂浓度从下向上逐渐降低。
7.如权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于：所述的N-基区的掺杂浓度为1E13cm-3~1E17cm-3。
8.如权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于：所述的栅氧化层和栅极介质可以位于器件表面，为平面结构。
9.如权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于：所述的栅氧化层和栅极介质可以位于器件沟槽内，为沟槽结构。
10.如权利要求1所述的一种绝缘栅双极晶体管的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
1）对N型片进行双面N型杂质扩散；
2）通过减薄抛光去除上表面N型杂质扩散层和去除下表面部分N型杂质扩散层：
3）在上表面形成P型基区、N+集电区、栅氧化层和栅极介质；
4）在下表面通过掩膜注入P型杂质，然后退火形成背P+发射区。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210320231.1A CN103681811A (zh) | 2012-09-01 | 2012-09-01 | 一种非完全发射区的绝缘栅双极晶体管及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210320231.1A CN103681811A (zh) | 2012-09-01 | 2012-09-01 | 一种非完全发射区的绝缘栅双极晶体管及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103681811A true CN103681811A (zh) | 2014-03-26 |
Family
ID=50318769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201210320231.1A Pending CN103681811A (zh) | 2012-09-01 | 2012-09-01 | 一种非完全发射区的绝缘栅双极晶体管及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103681811A (zh) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105895665A (zh) * | 2014-10-21 | 2016-08-24 | 南京励盛半导体科技有限公司 | 一种半导体功率器件的背面掺杂区的结构 |
| CN105990406A (zh) * | 2015-01-28 | 2016-10-05 | 南京励盛半导体科技有限公司 | 一种制造在外延硅片上功率器件的背面结构 |
| CN108010964A (zh) * | 2017-11-29 | 2018-05-08 | 吉林华微电子股份有限公司 | 一种igbt器件及制造方法 |
| CN113571577A (zh) * | 2021-06-04 | 2021-10-29 | 西安电子科技大学 | 一种由肖特基结势垒控制的逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制作方法 |
| CN114334867A (zh) * | 2022-03-15 | 2022-04-12 | 合肥阿基米德电子科技有限公司 | 一种自动温度控制功率芯片结构及制备方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04180680A (ja) * | 1990-02-15 | 1992-06-26 | Fuji Electric Co Ltd | 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタおよびその製造方法 |
| JPH06196705A (ja) * | 1992-12-24 | 1994-07-15 | Hitachi Ltd | 逆導通型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ及びその製造方法 |
| US20020013030A1 (en) * | 2000-07-28 | 2002-01-31 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Insulated gate semiconductor device with high minority carrier injection and low on-voltage by enlarged pn-junction area |
| JP2005129747A (ja) * | 2003-10-24 | 2005-05-19 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ |
| CN1790735A (zh) * | 2004-11-08 | 2006-06-21 | 株式会社电装 | 碳化硅半导体装置及其制造方法 |
-
2012
- 2012-09-01 CN CN201210320231.1A patent/CN103681811A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04180680A (ja) * | 1990-02-15 | 1992-06-26 | Fuji Electric Co Ltd | 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタおよびその製造方法 |
| JPH06196705A (ja) * | 1992-12-24 | 1994-07-15 | Hitachi Ltd | 逆導通型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ及びその製造方法 |
| US20020013030A1 (en) * | 2000-07-28 | 2002-01-31 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Insulated gate semiconductor device with high minority carrier injection and low on-voltage by enlarged pn-junction area |
| JP2005129747A (ja) * | 2003-10-24 | 2005-05-19 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ |
| CN1790735A (zh) * | 2004-11-08 | 2006-06-21 | 株式会社电装 | 碳化硅半导体装置及其制造方法 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105895665A (zh) * | 2014-10-21 | 2016-08-24 | 南京励盛半导体科技有限公司 | 一种半导体功率器件的背面掺杂区的结构 |
| CN105990406A (zh) * | 2015-01-28 | 2016-10-05 | 南京励盛半导体科技有限公司 | 一种制造在外延硅片上功率器件的背面结构 |
| CN108010964A (zh) * | 2017-11-29 | 2018-05-08 | 吉林华微电子股份有限公司 | 一种igbt器件及制造方法 |
| CN108010964B (zh) * | 2017-11-29 | 2020-09-08 | 吉林华微电子股份有限公司 | 一种igbt器件及制造方法 |
| CN113571577A (zh) * | 2021-06-04 | 2021-10-29 | 西安电子科技大学 | 一种由肖特基结势垒控制的逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制作方法 |
| CN113571577B (zh) * | 2021-06-04 | 2023-07-04 | 西安电子科技大学 | 一种由肖特基结势垒控制的逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制作方法 |
| CN114334867A (zh) * | 2022-03-15 | 2022-04-12 | 合肥阿基米德电子科技有限公司 | 一种自动温度控制功率芯片结构及制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101976683B (zh) | 一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法 | |
| CN103715072B (zh) | 用于生产半导体器件的方法和场效应半导体器件 | |
| CN111403486B (zh) | 一种沟槽型mosfet结构及其制作方法 | |
| CN114664929B (zh) | 一种集成异质结二极管的分离栅SiC MOSFET及其制作方法 | |
| CN115241286B (zh) | 一种SiC半超结结型栅双极型晶体管器件及其制作方法 | |
| CN113571415B (zh) | Igbt器件及其制作方法 | |
| CN105932055A (zh) | 一种平面栅igbt及其制作方法 | |
| CN108461537A (zh) | 一种沟槽栅电荷存储型igbt及其制作方法 | |
| CN103681811A (zh) | 一种非完全发射区的绝缘栅双极晶体管及其制备方法 | |
| CN113644117A (zh) | 具有新型深沟槽的碳化硅jbs器件元胞结构及其制备方法 | |
| CN115799344A (zh) | 一种碳化硅jfet元胞结构及其制作方法 | |
| CN110190128B (zh) | 一种碳化硅双侧深l形基区结构的mosfet器件及其制备方法 | |
| CN102184945A (zh) | 一种槽栅型mosfet器件 | |
| CN109065608B (zh) | 一种横向双极型功率半导体器件及其制备方法 | |
| WO2016112047A1 (en) | Reverse-conducting gated-base bipolar-conduction devices and methods with reduced risk of warping | |
| CN111129137B (zh) | 具有NiO/SiC pn异质结的SiC绝缘栅双极晶体管 | |
| CN110504313B (zh) | 一种横向沟槽型绝缘栅双极晶体管及其制备方法 | |
| CN108010964A (zh) | 一种igbt器件及制造方法 | |
| CN103681814A (zh) | 一种背部沟槽结构绝缘栅双极晶体管及其制备方法 | |
| CN103367396B (zh) | 一种超级结肖特基半导体装置及其制备方法 | |
| CN209804661U (zh) | 一种碳化硅双侧深l形基区结构的mosfet器件 | |
| CN103681790A (zh) | 一种背部沟槽绝缘栅双极晶体管及其制备方法 | |
| CN112366227A (zh) | 一种绝缘栅双极晶体管及其制备方法 | |
| CN103219371B (zh) | 一种带有双面扩散残留层的沟槽栅型igbt及其制造方法 | |
| CN105552110A (zh) | 一种高雪崩耐量的功率半导体晶体管结构及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20140326 |
|
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |