JP2008041834A - コンタクトホールの形成方法とコンタクトホールを有する半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】図1aのように、C面を表面とするp−GaN層10上にn−GaN層11を形成する。次に、SiO2 膜12を形成し、コンタクトホールを形成したい部分のSiO2 膜12を除去する(図1b)。次に、SiO2 膜12をマスクとしてn−GaN層11の一部をp−GaN層10の表面が露出するまでエッチングし、コンタクトホールを形成する(図1c)。このとき、露出したp−GaN層10の表面には、ダメージ層13が形成される。次に、SiO2 膜12を残したまま、TMAH水溶液によりコンタクトホール側面をウェットエッチングをする(図1d)。その後SiO2 膜12を除去することで、低抵抗なコンタクトホールが形成される(図1e)。
【選択図】図1
Description
まず、図1aのように、C面を主面とするp−GaN層10(本発明の第1層に対応)上にn−GaN層11(本発明の第2層に対応)をMOCVD法により形成する。したがって、第2層の主面もC面である。次に、SiO2 膜12をCVD法により形成し、フォトエッチングによりコンタクトホールを形成したい部分のSiO2 膜12を除去する(図1b)。ここで、SiO2 膜12を除去する領域の幅L1は、最終的に作成したいコンタクトホールの幅L2よりも小さくする。
11:n−GaN層
12:SiO2 膜
13:ダメージ層
14:コンタクト側面
15:ダメージのないp−GaN層表面
16:積層膜
21:n+ −GaN層
22:n- −GaN層
23:p−GaN層
24:AlGaN層
26:Ni膜
Claims (8)
- 半導体層にコンタクトホールを形成する方法において、
C面を主面とするGaを必須成分とするIII 族窒化物半導体から成る第1層を形成する工程と、
前記第1層上にIII 族窒化物半導体から成る第2層を形成する工程と、
前記第2層の上方の所定の位置にマスクを形成し、前記第1層が露出するまで前記第2層をドライエッチングすることで前記コンタクトホールを形成する工程と、
前記コンタクトホール側面である前記第2層をアルカリ溶液を用いてウェットエッチングして前記コンタクトホールを拡大する工程と、
を有することを特徴とするコンタクトホールの形成方法。 - 前記第1層は、p型であることを特徴とする請求項1に記載のコンタクトホール形成方法。
- 前記第2層は、C面を主面とするGaを必須成分とするIII 族窒化物半導体から成ることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のコンタクトホール形成方法。
- 前記マスクを残したままウェットエッチングすることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載のコンタクトホール形成方法。
- 前記アルカリ溶液は、TMAH、KOH、NaOHのいずれかを含む溶液であることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載のコンタクトホール形成方法。
- 前記アルカリ溶液は、TMAH水溶液であることを特徴とする請求項5に記載のコンタクトホール形成方法。
- 請求項1ないし請求項6のいずれか1項に記載のコンタクトホール形成方法によりコンタクトホールを形成する工程と、
前記コンタクトホール底面にコンタクトをとる電極膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1ないし請求項6のいずれか1項に記載のコンタクトホール形成方法により形成されたコンタクトホールを有することを特徴とする半導体装置。
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