JP5056658B2 - ガードリング構造,その形成方法および半導体デバイス - Google Patents
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Description
1つの構造は、ショットキーバリアダイオードに適用される構造である。その場合、第2導電型GaN半導体領域が第1導電型GaN半導体領域から突出して、半導体デバイスの一部であるショットキー電極の側面を囲んでいる。そして、ショットキー電極と第1導電型GaN半導体領域とがショットキー接触している。一方、ショットキー電極とガードリングの側面(あるいは、側面および上面)とはオーミック接触している。
半導体デバイスがダイオードである場合には、ダイオードの電極がガードリングにオーミック接触していることにより、耐圧特性が向上する。
これにより、上述の作用効果が得られ、高耐圧の半導体デバイスが実現する。
まず、GaNのc面基板上の第1導電型GaN半導体領域の上に、第2導電型GaN半導体領域をエピタキシャル成長させる。次に、第2導電型GaN半導体領域の上に、該第2導電型GaN半導体領域のm面に沿った側面を有するマスク膜を形成する。次に、マスク膜を用いて、前記第2導電型GaN半導体領域をエッチングして、リング状のガードリングを形成する。さらに、第1導電型GaN半導体領域の上に、ガードリングに囲まれる電極を形成する。リング状のガードリングを形成する際には、プラズマエッチングを行なった後、異方性ウエットエッチングを行うことが好ましい。
まず、GaNのc面基板上の第1導電型GaN半導体領域の上に、該第1導電型GaN半導体領域のm面に沿った側面を有するマスク膜を形成する。次に、マスク膜を用いて第1導電型GaN半導体領域をエッチングして、凹部を形成する。さらに、凹部に第2導電型GaN半導体を埋め込んで、第1導電型GaN半導体領域の一部を囲むリング状のガードリングを形成する。この方法によって、ガードリングで囲まれる第1導電型GaN半導体領域の一部が、半導体デバイスの活性領域になる。凹部を形成する際には、プラズマエッチングを行なった後、異方性ウエットエッチングを行うことが好ましい。
図1(a),(b)は、本発明の実施形態1に係るショットキーバリアダイオード(以下、「SBD」と略称する)の構造を示す断面図および平面図である。
このSBD10は、GaN層13,バッファ層14およびGaN基板11のうち、ショットキー電極15下方の領域を活性領域として動作する。
まず、図2(a)に示す工程で、GaN基板11の上に、バッファ層14およびGaN層13を成長させる。成長に際しては、周知の有機金属成長法を用いる。バッファ層14にはキャリア濃度が約1×1017cm−3のn型ドーパントを含ませる。GaN層13にはキャリア濃度が約5×1015cm−3(1×1016cm−3以下)のn型ドーパントを含ませる。なお、GaN層13は、アンドープ層であってもよい。
なお、レジストマスク20の側面は、必ずしもm面である必要はない。レジストマスク20の側面が円形であっても、異方性ウェットエッチングにより、
なお、レジストマスク20の側面は、必ずしもm面である必要はない。レジストマスク20の側面が円形であっても、長時間異方性ウェットエッチングを行うと、最終的には、m面が現れるからである。ただし、本実施の形態の方法により、能率よく工程を進めることができる。
蒸着前洗浄として、10%塩酸にて3分間洗浄を行う。
この構造により、ショットキー電極15に対して、GaN層13とはショットキー接触させつつ、ガードリング30とはオーミック接触させる構造が確実に得られることで、電界緩和効果が大きくなる。
第1導電型領域であるGaN層15と、第2導電型半導体領域であるガードリング30との境界層にpn接合が形成されている。ガードリング30の側面30a,30bはm面であり、結晶構造上、c面に垂直な面である(図1(b)左図参照)。
m面はa面等に比較してエッチング速度が遅い。したがって、エッチングによってパターニングすると、第2導電型半導体領域の側面は、凹凸の小さい平面となる。これにより、ガードリング30の側面の側方における凹凸が大きい場合に比べ、電界の局部的集中が緩和される。よって、SBD10の活性領域であるGaN層13におけるリーク電流が低減される。このリーク電流の低減により、SBD10の耐圧が向上する。
なお、ウエットエッチングにより、GaN層13の上面全体も平滑化されるので、SBDの動作特性も改善される。
図3(a),(b)は、本発明の実施形態2に係るショットキーバリアダイオード(以下、「SBD」と略称する)の構造を示す断面図および平面図である。本実施の形態においては、実施の形態1と同じ部材については、同じ符号を付して説明を省略する。
まず、図2(a)に示す工程で、GaN基板11の上に、バッファ層14およびGaN層13を成長させる。成長条件は、実施の形態1と同様である。続いて、GaN層13の上にSiO2膜32xを堆積する。
GaN層13を深さ0.1μm程度掘り込んだ地点で、プラズマエッチングを終了する。
以上の処理により、本実施の形態のSBD10が形成される。
第1導電型領域であるGaN層15と、第2導電型半導体領域であるガードリング40との境界層にpn接合が形成されている。そして、ガードリング40の側面40a,40bが凹凸の小さい平面となる。これにより、電界の局部的集中が緩和され、SBD10の活性領域であるGaN層13におけるリーク電流が低減される。このリーク電流の低減により、SBD10の耐圧が向上する。
この方法においても、ウエットエッチングにより、GaN層13の上面全体も平滑化されるので、SBD10の動作特性も改善される。
11 GaN基板
13 GaN層
13e 溝
13f,13g 側面
14 バッファ層
15 ショットキー電極
15a 端部
16 裏面電極
20 レジストマスク
20a 内側面
20b 外側面
30 ガードリング
30a 内側面
30b 外側面
30c 上面
31 マスクパターン
32 マスクパターン
40 ガードリング
40a 内側面
40b 外側面
40c 上面
Claims (10)
- GaNの{ 0 0 0 1}面基板上の第1導電型GaN半導体領域と、
前記第1導電型GaN半導体領域に、活性領域の少なくとも一部を有する半導体デバイスの一部を囲むガードリングとを備え、
前記ガードリングは、第2導電型GaN半導体からなり、
前記ガードリングの側面は、前記第2導電型GaN半導体の{ 1-1 0 0}面である、ガードリング構造。 - 請求項1記載のガードリング構造において、
前記ガードリングの側面は、異方性ウエットエッチングされている、ガードリング構造。 - 請求項1または2記載のガードリング構造において、
前記半導体デバイスは、前記第1導電型GaN半導体領域上にショットキー電極を有するショットキーバリアダイオードであり、
前記ガードリングは、前記第1導電型GaN半導体領域から突出して、前記ショットキー電極の側面を囲んでおり、
前記ショットキー電極は、前記第1導電型GaN半導体領域にショットキー接触する一方、前記ガードリングの少なくとも側面にオーミック接触する、ガードリング構造。 - 請求項1または2記載のガードリング構造において、
前記ガードリングは、前記活性領域を囲むように、前記第1導電型GaN半導体領域に埋め込まれている、ガードリング構造。 - 請求項4記載のガードリング構造において、
前記半導体デバイスは、前記第1導電型GaN半導体領域上にアノード電極またはカソード電極を有するダイオードであり、
前記アノード電極またはカソード電極は、前記ガードリングの上面にオーミック接触している、ガードリング構造。 - 請求項1〜5のうちいずれか1つに記載のガードリングを備えている半導体デバイス。
- GaNの{ 0 0 0 1}面基板上の第1導電型GaN半導体領域の上に、第2導電型GaN半導体領域をエピタキシャル成長させる工程(a)と、
前記第2導電型GaN半導体領域の上に、側面が該第2導電型GaN半導体領域の{ 1-1 0 0}面に沿ったリング状のマスク膜を形成する工程(b)と、
前記マスク膜を用いて、前記第2導電型GaN半導体領域をエッチングして、リング状のガードリングを形成する工程(c)と、
前記第1導電型GaN半導体領域の上に、前記ガードリングに囲まれる電極を形成する工程(d)と、
を含むガードリング構造の形成方法。 - 請求項7記載のガードリング構造の形成方法において、
前記工程(c)では、プラズマエッチングを行なった後、異方性ウエットエッチングを行う、ガードリング構造の形成方法。 - GaNの{ 0 0 0 1}面基板上の第1導電型GaN半導体領域の上に、該第1導電型GaN半導体領域の{ 1-1 0 0}面に沿った側面を有するマスク膜を形成する工程(a)と、
前記工程(a)の後で、前記マスク膜を用いて、前記第1導電型GaN半導体領域をエッチングして、凹部を形成する工程(b)と、
前記凹部に、第2導電型GaN半導体を埋め込んで、前記第1導電型GaN半導体領域の一部を囲むリング状のガードリングを形成する工程(c)と、
を含むガードリング構造の形成方法。 - 請求項9記載のガードリング構造の形成方法において、
前記工程(b)では、プラズマエッチングを行なった後、異方性ウエットエッチングを行う、ガードリング構造の形成方法。
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