JP7031238B2 - 窒化物半導体装置とその製造方法 - Google Patents
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20:窒化物半導体層
22:ドリフト領域
22a:ドリフト層
22b:JFET領域
24:ボディ領域
24a:埋め込み領域
24b:チャネル領域
26:ソース領域
32:ドレイン電極
34:ソース電極
36:絶縁ゲート部
36a:ゲート絶縁膜
36b:ゲート電極
38:ボディ電極
38T:溝
38a:ボディ表面電極
38b:ボディ充填電極
Claims (3)
- n型のJFET領域の両側に隣接して埋め込まれているp型の埋め込み領域を有する窒化物半導体層の表面から前記JFET領域の両側に隣接する前記埋め込み領域の各々に複数の溝を形成する溝形成工程であって、前記複数の溝の各々が前記埋め込み領域内に侵入する、溝形成工程と、
前記複数の溝の各々の側面の一部及び底面に前記埋め込み領域が露出した状態でアニール処理を実施するアニール工程と、
前記アニール工程の後に、前記複数の溝内に充填電極を充填する電極充填工程と、
前記溝形成工程と前記電極充填工程の間に、前記複数の溝の各々の側面をウェットエッチングするウェットエッチング工程と、を備え、
前記ウェットエッチング工程で用いられるエッチャントが、水酸化テトラメチルアンモニウムであり、
前記窒化物半導体層の前記表面がc面であり、
前記複数の溝の各々の側面がm面であり、
前記窒化物半導体層の前記表面に直交する方向から観測したときに、前記複数の溝の各々が六角形状であり、
前記窒化物半導体層は、
前記埋め込み領域上に設けられており、前記窒化物半導体層の前記表面に露出しており、前記埋め込み領域よりも不純物濃度が薄いp型のチャネル領域、をさらに有しており、
前記溝形成工程では、前記チャネル領域を貫通して前記埋め込み領域内に侵入するように前記複数の溝が形成され、
前記埋め込み領域の厚みは、前記チャネル領域の厚みよりも薄い、窒化物半導体装置の製造方法。 - 窒化物半導体層と、
前記窒化物半導体層の表面から深部に向けて伸びる複数の溝内に充填されている充填電極と、を備えており、
前記窒化物半導体層は、
n型のJFET領域と、
前記JFET領域の両側に隣接しており、前記窒化物半導体層内に埋め込まれているp型の埋め込み領域と、を有しており、
前記JFET領域の両側に隣接する前記埋め込み領域の各々に前記複数の溝が形成されており、
前記充填電極は、前記埋め込み領域内に侵入しており、その側面の一部及び底面で前記埋め込み領域に接しており、
前記窒化物半導体層の前記表面がc面であり、
前記複数の溝の各々の側面がm面であり、
前記窒化物半導体層の前記表面に直交する方向から観測したときに、前記複数の溝の各々が六角形状であり、
前記窒化物半導体層は、
前記埋め込み領域上に設けられており、前記窒化物半導体層の前記表面に露出しており、前記埋め込み領域よりも不純物濃度が薄いp型のチャネル領域、をさらに有しており、
前記充填電極が、前記チャネル領域を貫通して前記埋め込み領域内に侵入しており、
前記埋め込み領域の厚みは、前記チャネル領域の厚みよりも薄い、窒化物半導体装置。 - 前記窒化物半導体層の前記表面の一部に設けられている絶縁ゲート部と、
前記窒化物半導体層の前記表面の他の一部に設けられているソース電極と、をさらに備えており、
前記窒化物半導体層は、
前記チャネル領域によって前記JFET領域から隔てられており、前記窒化物半導体層の前記表面に露出するn型のソース領域、をさらに有しており、
前記絶縁ゲート部は、前記JFET領域と前記ソース領域を隔てている前記チャネル領域に対向しており、
前記ソース電極は、前記ソース領域に接している、請求項2に記載の窒化物半導体装置。
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