JP2005260172A - 半導体装置及び半導体レーザ装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置及び半導体レーザ装置の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】基板1の上にIII-V族窒化物半導体からなる半導体層11を積層し、半導体層11をエッチングすることによりゲートリセス5aを形成する。その後、半導体層11の上にシリコン膜6を堆積し、シリコン膜6と共に半導体層11を熱処することにより半導体層11に生じるエッチングダメージを回復させる。これにより高周波特性及び高出力特性が改善されたIII-V族窒化物系電子デバイスを用意に製造することが可能となる。
【選択図】 図1
Description
本発明に係る第1の実施形態について図1を参照しながら説明する。
以下に、本発明に係る第1の実施形態の第1変形例について図3を参照しながら第1の実施形態との差異のみについて説明する。
以下に、本発明に係る第1の実施形態の第2変形例について図4を参照しながら第1の実施形態との差異のみについて説明する。
以下に、本発明に係る第1の実施形態の第3変形例について図5を参照しながら第1の実施形態との差異についてのみ説明する。
以下に、本発明に係る第1の実施形態の第4変形例について図6を参照しながら第1の実施形態の第2変形例との差異のみについて説明する。
以下に、本発明に係る第1の実施形態の第5変形例について図7を参照しながら第1の実施形態との差異のみについて説明する。
以下に、本発明に係る第2の実施形態について図8を参照しながら説明する。
以下に、本発明に係る第2の実施形態の変形例について図9を参照しながら第2の実施形態との差異のみについて説明する。
以下に、本発明に係る第3の実施形態について図10を参照しながら説明する。
以下に、本発明に係る第3の実施形態の第1変形例について図11を参照しながら第3の実施形態との差異のみについて説明する。
以下に、本発明に係る第2の実施形態の第2変形例について図12を参照しながら第3の実施形態との差異のみについて説明する。
以下に、本発明に係る第4の実施形態について図13を参照しながら説明する。
以下に、本発明に係る第4の実施形態の一変形例について図14を参照しながら説明する。
以下に、本発明に係る第5の実施形態について図15を参照しながら説明する。
2 バッファ層
3 動作層
4 障壁層
5 キャップ層
5a ゲートリセス部
5b オーミック掘り込み部
5c 第2のゲートリセス部
6 シリコン膜
7 ソース電極
8 ドレイン電極
9 ゲート電極
11 III-V族窒化物半導体層
15 窒化シリコン膜
16 酸窒化シリコン膜
21 基板
22 バッファ層
23 動作層
24 障壁層
25 キャップ層
26 シリコン膜
27 ソース電極
28 ドレイン電極
29 ゲート電極
31 III-V族窒化物半導体層
31a 素子分離領域
31b メサ
36 酸窒化シリコン膜
41 半導体素子
42 半導体素子
51 基板
52 バッファ層
53 i型GaN層
54 n型半導体層
55 Al0.1Ga0.9N層
56 p型半導体層
57 Al0.25Ga0.75N層
59 電極
61 III-V族窒化物半導体層
66 シリコン膜
67 マグネシウム膜
81 基板
82 バッファ層
83 動作層
84 障壁層
85 キャップ層
85a ゲートリセス部
86 シリコン膜
87 ソース電極
88 ドレイン電極
89 ゲート電極
90 電極
91 III-V族窒化物半導体層
91a 素子分離領域
91b メサ
92a ビアホール
92b ビアプラグ
96 酸窒化シリコン膜
161 n側オーミック電極
162 基板
163 バッファ層
164 n型クラッド層
165 活性層
166 p型クラッド層
166a リッジ部
167 p型コンタクト層
168 p側オーミック電極
177 マグネシウム膜
Claims (26)
- 基板の上にIII-V族窒化物半導体からなる半導体層を積層する半導体層積層工程と、
前記半導体層をエッチングするエッチング工程と、
前記エッチング工程の後に、前記半導体層の上に保護膜を堆積し、堆積された保護膜と共に前記半導体層を熱処理するダメージ回復工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記保護膜の堆積と前記熱処理を同時に行うことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記保護膜は、シリコンからなることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記保護膜は、シリコンを含む酸化膜又はシリコンを含む窒化膜であることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記熱処理は、200℃以上且つ1200℃未満の温度で行うことを特徴とする請求項3又は4に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ダメージ回復工程の後に、前記保護膜をフッ酸と硝酸との混合溶液を用いて剥離する剥離工程をさらに有していることを特徴とする請求項3又は4に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記保護膜は、マグネシウムからなることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記熱処理は、100℃以上且つ650℃未満の温度で行うことを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ダメージ回復工程の後に、前記保護膜を硫酸を用いて剥離する剥離工程をさらに備えていることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体層積層工程の後に、前記半導体層の上に絶縁膜を堆積する絶縁膜堆積工程をさらに備え、
前記エッチング工程は、前記半導体層及び前記絶縁膜をエッチングする工程であることを特徴とする請求項1から9のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記絶縁膜は、酸窒化シリコン膜、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、酸化アルミニウム膜又は窒化アルミニウム膜であることを特徴とする請求項10に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体層積層工程は、それぞれがIII-V族窒化物半導体からなる動作層、障壁層及びキャップ層を積層する工程を含み、
前記エッチング工程は、前記キャップ層の一部を前記障壁層が露出するまでエッチングすることにより、ゲートリセス部を形成するゲートリセス形成工程を含むことを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記ゲートリセス形成工程は、前記ゲートリセス部の底面における前記障壁層の一部をエッチングすることにより、第2のゲートリセス部を形成する工程を含むことを特徴とする請求項12に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記キャップ層におけるオーミック電極形成領域を前記障壁層が露出するまでエッチングすることにより、前記オーミック電極形成領域にリセス構造を形成する工程をさらに備えていることを特徴とする請求項12又は13に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記エッチング工程は、前記半導体層の一部をエッチングすることにより、素子分離領域を形成する工程を含むことを特徴とする請求項3又は12から14のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記エッチング工程は、前記III-V族窒化物半導体層及び前記基板をエッチングすることによりビアホールを形成する工程を含むことを特徴とする請求項3又は12から15のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ダメージ回復工程は、前記熱処理を酸素を含むガス雰囲気中において行うことにより、前記保護膜から絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程を含むことを特徴とする、請求項3又は12から16のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記酸素を含むガスは、酸素、酸化窒素若しくは酸化二窒素の単体ガス又はこれらのうち少なくとも1つを含む混合ガスであることを特徴とする請求項17に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記絶縁膜形成工程により形成される前記絶縁膜は、ゲート絶縁膜であることを特徴とする請求項17又は19に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記絶縁膜形成工程により形成される前記絶縁膜は、素子分離領域を保護する絶縁保護膜であること特徴とする請求項17又は20に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記絶縁膜形成工程により形成される前記絶縁膜は、ビアホールの壁面を保護する絶縁保護膜であることを特徴とする請求項17又は18に記載の半導体装置の製造方法。
- 基板の上に、それぞれがIII-V族窒化物半導体からなり、n型半導体層と、前記n型半導体層の上に形成されたp型半導体層とを含む半導体層を積層する半導体層積層工程と、
前記半導体層をエッチングすることにより前記p型半導体層の一部を露出させるエッチング工程と、
前記エッチング工程の後に、前記p型半導体層を含む前記半導体層の上にマグネシウムからなる保護膜を堆積し、堆積された保護膜と共に前記半導体層を熱処理するダメージ回復工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 基板の上に、それぞれがIII-V族窒化物半導体からなり、n型半導体層と、前記n型半導体層の上に形成されたp型半導体層とを含む半導体層を積層する半導体層積層工程と、
前記半導体層をエッチングすることにより前記n型半導体層の一部を露出させるエッチング工程と、
前記エッチング工程の後に、前記n型半導体層を含む前記半導体層の上にシリコンからなる保護膜を堆積し、堆積された保護膜と共に前記半導体層を熱処理するダメージ回復工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 基板の上に、それぞれがIII-V族窒化物半導体からなり、n型半導体層と、前記n型半導体層の上に形成されたp型半導体層とを含む半導体層を積層する半導体層積層工程と、
前記半導体層をエッチングすることにより前記p型半導体層の一部及び前記n型半導体層の一部を露出させるエッチング工程と、
前記半導体層のダメージを回復するダメージ回復工程とを備え、
前記ダメージ回復工程は、前記p型半導体層の上にマグネシウムからなる第1の保護膜を堆積する第1の保護膜堆積工程と、
前記保護膜を含む前記半導体層の上にシリコンからなる第2の保護膜を堆積する第2の保護膜堆積工程と、
前記第1の保護膜及び前記第2の保護膜と共に前記半導体層を熱処理する熱処理工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - それぞれがIII-V族窒化物半導体からなり、n型半導体層、活性層及びp型半導体層を含む半導体層を順次積層する半導体層積層工程と、
前記p型半導体層をエッチングすることにより、前記p型半導体層に断面が凸状のリッジ部を形成するエッチング工程と、
前記エッチング工程の後に、マグネシウムからなる保護膜を堆積し、堆積した保護膜と共に前記p型半導体層に対して熱処理を行うダメージ回復工程とを備えていることを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。 - それぞれがIII-V族窒化物半導体からなり、n型半導体層、活性層及びp型半導体層を含む半導体層を順次積層する半導体層積層工程と、
前記n型半導体層をエッチングすることにより、前記n型半導体層に断面が凸状のリッジ部を形成するエッチング工程と、
前記エッチング工程の後に、シリコンからなる保護膜を堆積し、堆積した保護膜と共に前記n型半導体層に対して熱処理を行うダメージ回復工程とを備えていることを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
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