JP2007532938A - カタジオプトリック投影対物レンズ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】自身の物体平面内に配置される軸外有効物体フィールドを自身の像面内に配置される軸外有効像フィールド上に結像させるカタジオプトリック投影対物レンズにおいて、有効物体フィールドが、全面的に光軸の外側に配置されるとともに、第1の方向に長さAを、前記第1の方向に対して垂直な第2の方向に幅Bを有する。前記有効物体フィールドを外囲する最小限の大きさの円形部分が、
【数1】
にしたがって前記有効物体フィールドの半径REOFを規定するようになっている。円形設計物体フィールドが前記光軸を中心とする、設計物体フィールド半径RDOFを有する。投影対物レンズは、本質的に、RDOFより小さい半径座標を有する区域内において像収差に関して補正される。投影対物レンズは、RDOFより大きい半径座標を有する区域内において完全に補正されるわけではない円形設計物体フィールドとを含む。
RDOF=γREOFかつ1≦γ<1.4の条件が満たされるカタジオプトリック投影対物レンズ。
【選択図】 図4
Description
光軸と;
全面的に前記光軸の外側に配置されるとともに、第1の方向の長さAと前記第1の方向に垂直な第2の方向の幅Bとを有して、自身を外囲する最小限の大きさの円形部分が、
前記光軸を中心とする、設計物体フィールド半径RDOFを有する円形設計物体フィールドであって、RDOFより小さい半径座標を有する区域において、投影対物レンズが像面収差に関して本質的に補正され、RDOFより大きい半径座標を有する区域においては、投影対物レンズは完全には補正されない円形設計物体フィールドとからなり、
RDOF=γREOF
かつ
1≦γ<1.4
の条件が満たされるカタジオプトリック投影対物レンズを提供するものである。
前記有効物体フィールドから到来する放射を鏡群の鏡群入口の方へと収束させる正の屈折力を有する前側レンズ群と;
物体側の鏡群入口と像側の鏡群出口とを有する前記鏡群と;
前記鏡群出口から出射する放射を前記有効像面上に集束させる正の屈折力を有する後側レンズ群とを光軸に沿って前記の順序で含み、
前記鏡群は、少なくとも2個の曲面鏡を含み、1個の曲面鏡は、前記有効物体フィールドから前記有効像フィールドへと通過する投影ビームの放射を第1の反射部分内において受ける曲面鏡面を有し、前記曲面鏡面は、該鏡面を含むとともに前記曲面鏡の縁部を超えて延在する曲率面を形成し、
前記投影ビームは、前記曲率面上において前記第1の反射部分から偏移する第2の部分内に少なくとも1回入射し、
全ての曲面鏡において、
(1) |RCRH|<1/αまたは|RCRH|>α
かつ
(2) α=1.4
の条件が、前記第1の反射部分における主光線の第1の主光線高さCRH1と、関連ある前記第2の部分における同じ主光線の第2の主光線高さCRH2との間における主光線高さ比RCRH=CRH1/CRH2に関して満たされるカタジオプトリック投影対物レンズを提供するものである。
に関して、以下の条件が成り立つ:
γ=RDOF/REOF
共心有効物体フィールドを有する設計は、γ=1の最適エタンデュ比を有することとなり、相対的に大きい有効物体フィールドが、相対的に小さい寸法の設計物体フィールドを用いて結像せしめられうることがわかる。
は、以下の条件を満たすことになる:
の合理的な最低値は、以下の条件において観察されると考えられる:
1≦γ<1.4
である。
|RCRH|<1/α または |RCRH|>α
かつ
α=1.4
の条件が、第1の反射部分における第1の主光線高さと関連ある第2の部分における第2の主光線高さCRH2との間における主光線高さ比RCRH=CRH1/CRH2に関して満たされるべきである。前記第2の部分は、投影ビームが、第1の反射が起こる曲面鏡により形成される曲率面を透過する透光部分でありうる。さらにまた、前記第2の部分は、第1の反射が起こる曲面鏡により形成される曲率面に近接する鏡面を有する鏡群のまた他の曲面鏡の反射面に付随することも可能である。好ましくは、α≧1.6、より好ましくは、α≧1.8、さらに一層好ましくは、α≧2.0である。図3の実施形態において、TOでの出射ビームと第3の鏡での反射(R3)との間において像側で測定すると、α=2.92となる。
d=(|Y1|―|y1|)−(|Y2|+|y2|)>d0
ここで、Yiは、それぞれの位置における主光線高さであり、yiは、周辺光線高さである。d0>0の値は、フットプリント間における余裕高に対応する。この簡略化された方法では、物体フィールドの縁部の主光線は、有効物体フィールドの縁部における主光線と一致すると仮定されている。この限定事例は、図2(d)の略図に示される、最小設計エタンデュを有する最小構成においてのみ可能である。より現実的な方法では、フットプリント間における最小距離は、環状フィールドの斜めフィールド点から発するビーム束、中間像の収差量、環状フィールドの形状等に影響される。しかし、前記の条件にしたがった側方距離dの推定値は、良好な近似値となる。
|Y1|>|Y2|
の場合に可能となり、ここで、y1およびy2は小さい。
Claims (46)
- 自身の物体平面内に配置される軸外有効物体フィールドを自身の像面内に配置される軸外有効像フィールド上に結像させるカタジオプトリック投影対物レンズにおいて:
光軸と;
全面的に前記光軸の外側に配置されるとともに、第1の方向に長さAを、前記第1の方向に対して垂直な第2の方向に幅Bを有する有効物体フィールドであって、前記有効物体フィールドを外囲する最小限の大きさの円形部分が、
前記光軸を中心とする、設計物体フィールド半径RDOFを有する円形設計物体フィールドであって、投影対物レンズは、本質的に、RDOFより小さい半径座標を有する区域内において像収差に関して補正され、投影対物レンズは、RDOFより大きい半径座標を有する区域内において完全に補正されるわけではない円形設計物体フィールドとを含み、
RDOF=γREOF
かつ
1≦γ<1.4
の条件が満たされるカタジオプトリック投影対物レンズ。 - 1≦γ<1.2である請求項1に記載の投影対物レンズ。
- 前記有効物体フィールドは、弓形の形状を有する環状フィールドであり、前記光軸に対向する前記有効物体フィールドの内側縁部と前記光軸から遠い前記有効物体フィールドの外側縁部とは、第1の方向に対して直交方向に整合するとともに、同じ弓形の形状を有し、前記内側縁部と前記外側縁部との間における前記第1の方向の並進的偏移が、前記有効物体フィールドの前記長さAを規定する請求項1に記載の投影対物レンズ。
- 前記外側縁部は、前記光軸上に曲率中心を有し、縁部半径は、前記設計物体フィールドの前記半径RDOFに等しい請求項3に記載の投影対物レンズ。
- 前記環状フィールドは、長さ方向に対して垂直な幅方向(第2の方向)における前記有効物体フィールドの側方縁部領域が、前記光軸を通る交差メリジオナル平面と重複し、前記内側縁部の中心区域が、前記光軸からある半径距離を有するような寸法とされる請求項3に記載の投影対物レンズ。
- 前記有効物体フィールドは、幅Bと長さAとの間においてアスペクト比AR=B/Aを有し、前記アスペクト比は、2:1〜10:1の範囲内である請求項1に記載の投影対物レンズ。
- 偶数個の鏡を有する請求項1に記載の投影対物レンズ。
- 偶数個の曲面鏡を有し、全ての曲面鏡は、凹面鏡である請求項1に記載の投影対物レンズ。
- 前記偶数は、2および4の一方である請求項8に記載の投影対物レンズ。
- 全ての光学素子に共通の1本の直線状光軸を有するインラインシステムである請求項1に記載の投影対物レンズ。
- 物体側の鏡群入口と像側の鏡群出口と前記光軸に対して直交方向に整合するとともに幾何学的に前記鏡群入口と前記鏡群出口との間において配置される鏡群平面とを有する少なくとも1個の鏡群において:
前記鏡群入口から到来する放射を第1の反射部分において受ける第1の鏡面を有する第1の鏡と;
前記第1の鏡から到来する放射を第2の反射部分において受ける、前記第1の鏡面に対向する第2の鏡面を有する少なくとも1個の第2の鏡とを含む鏡群であって、
前記第1および第2の鏡の少なくとも一方は、前記光軸上において鏡軸を形成する曲率平面を有する凹面状の鏡面を有する凹面鏡であり、
前記鏡群の前記鏡は、少なくとも1個の中間像が、鏡群入口と鏡群出口との間において前記鏡群内に配置され、前記鏡群入口から到来する放射が、前記鏡群平面を少なくとも4回通過するとともに、前記鏡群の凹面状鏡面上において少なくとも2回反射された後に前記鏡群出口において前記鏡群から出射するように構成される鏡群をさらに含む請求項1に記載の投影対物レンズ。 - 前記鏡群は、純反射性の(カトプトリック)鏡群である請求項11に記載の投影対物レンズ。
- 前記鏡群は、前記鏡群入口からの放射を第1の反射部分上において受ける第1の鏡と;前記第1の鏡から反射される放射を第2の反射部分上において受ける第2の鏡と;前記第2の鏡から反射される放射を第3の反射部分上において受ける第3の鏡と;前記第3の鏡から反射される放射を第4の反射部分上において受けるとともに、前記放射を前記鏡群出口へと反射する第4の鏡とを含む請求項11に記載の投影対物レンズ。
- 前記第1、第2、第3および第4の鏡は、凹面鏡である請求項13に記載の投影対物レンズ。
- 前記鏡群は、鏡対の凹面鏡間に設けられる透光部を有する共通の鏡基板上に設けられる共通の曲率面を共有する鏡面を有する2個の凹面鏡によって構成される少なくとも1個の鏡対を含む請求項11に記載の投影対物レンズ。
- 前記透光部は、前記光軸を含む請求項15に記載の投影対物レンズ。
- 前記透光部は、鏡基板内の穴によって形成される請求項15に記載の投影対物レンズ。
- 物体側の鏡群入口と像側の鏡群出口とを有する少なくとも1個の鏡群をさらに含み、投影対物レンズの軸方向鏡群長さMGLと軌跡全長TTとの間における長さ比LRは、50%未満であり、ここで、前記鏡群長さは、前記物体面に最も近接する鏡の頂点と前記像面に最も近接する鏡の頂点との間における軸方向距離であり、前記軌跡全長は、物体面と前記像面との間における軸方向距離である請求項1に記載の投影対物レンズ。
- 前記鏡群入口は、幾何学的に投影対物レンズの前側瞳面に接近して配置されて、前記物体フィールドから発する放射ビームが前記鏡群入口の領域内において前記光軸を含むようになる請求項11に記載の投影対物レンズ。
- 単一回のフーリエ変換または奇数回の連続するフーリエ変換を行なうフーリエレンズ群として設計される前側レンズ群が、前記物体面と前記鏡群入口との間において配置される請求項19に記載の投影対物レンズ。
- 前記前側レンズ群は、純屈折性であるとともに、単一回のフーリエ変換を行なう請求項20に記載の投影対物レンズ。
- 前記鏡群出口は、前記前側瞳面と光学的に共役の後側瞳面に幾何学的に接近して配置される請求項19に記載の投影対物レンズ。
- 2個および3個の中間像の1個が、前記鏡群内において形成される請求項11に記載の投影対物レンズ。
- 前記鏡群入口は、幾何学的に投影対物レンズの前側瞳面に接近して配置されて、前記有効物体フィールドから発する放射ビームが前記鏡群入口の領域内において前記光軸を含むようになり、前記鏡群出口は、幾何学的に、前記前側瞳面と光学的に共役の後側瞳面に接近して配置され、2個および3個の中間像の1個が、前記鏡群内において形成される請求項11に記載の投影対物レンズ。
- 前記鏡群出口は、幾何学的に後側瞳面に接近して配置され、後側レンズ群が、該後側レンズ群のくびれ領域内において中間像を形成するフーリエレンズ群と、前記フーリエレンズ群によって形成される前記中間像を前記像面上にある縮尺で結像させる結像サブシステムとして設計される、前記中間像の下流のレンズ群とを含んで設けられる請求項19に記載の投影対物レンズ。
- 前記鏡群の前記鏡上の全ての反射部分は、前記光軸の外側に配置される請求項11に記載の投影対物レンズ。
- 前記鏡群の前記鏡の全ての反射部分は、瞳面から光学的に遠くに配置される請求項11に記載の投影対物レンズ。
- 物体側の鏡群入口と、像側の鏡群出口と、前記鏡群入口から到来する放射を第1の反射部分内において受ける第1の鏡面を有する第1の鏡と、前記第1の鏡から到来する放射を第2の反射部分内において受けるとともに、前記放射を前記鏡群出口の方へと反射する、前記第1の鏡面に対向する第2の鏡面を有する正確に1個の第2の鏡とを有する鏡群であって、
前記第1および第2の鏡は、前記光軸上において鏡軸を形成する曲率面を有する凹面状の鏡面を有するとともに、前記光軸の相反する側に配置される凹面鏡であり、
前記第1および第2の反射部分は、瞳面から光学的に遠くに配置される鏡群をさらに含む請求項1に記載の投影対物レンズ。 - 前記鏡群は、純反射性の(カトプトリック)鏡群である請求項28に記載の投影対物レンズ。
- 前記鏡群入口は、幾何学的に投影対物レンズの前側瞳面に接近して配置されて、前記有効物体フィールドから発する放射ビームが前記鏡群入口の領域内において前記光軸を含むようになる請求項29に記載の投影対物レンズ。
- 単一回のフーリエ変換を行なうフーリエレンズ群として設計される屈折性の前側レンズ群が、前記物体面と前記鏡群入口との間において配置される請求項30に記載の投影対物レンズ。
- 前記鏡群出口は、前記光軸の外側において中間像に光学的に接近して配置され、該中間像を前記像面上にある縮尺で結像させる結像サブシステムとして設計される後側レンズ群が、前記鏡群出口と前記像面との間において配置される請求項28に記載の投影対物レンズ。
- 収差に関して、最後の光学素子と前記像平面との間における像側作動距離が、実質的に1より大きい屈折率を有する浸漬媒質により満たされるように適合化せしめられる浸漬用対物レンズとして設計される請求項1に記載の投影対物レンズ。
- 浸漬媒質とともに用いられる場合に、NA>1.1の像側開口数を有する請求項1に記載の投影対物レンズ。
- 自身の物体面内に配置される軸外有効物体フィールドを自身の像面内に配置される軸外有効像フィールド上に結像させるカタジオプトリック投影対物レンズにおいて:
前記有効物体フィールドから到来する放射を鏡群の鏡群入口の方へと収束させる正の屈折力を有する前側レンズ群と;
前記物体側鏡群入口と像側鏡群出口とを有する前記鏡群と;
前記鏡群出口から出射する放射を前記有効像面上に集束させる正の屈折力を有する後側レンズ群とを光軸に沿って前記の順序で含み、
前記鏡群は、少なくとも2個の曲面鏡を含み、1個の曲面鏡は、前記有効物体フィールドから前記有効像フィールドへと通過する投影ビームの放射を第1の反射部分内において受ける曲面状の鏡面を有し、前記曲面状の鏡面は、前記鏡面を含むとともに、前記曲面鏡の縁部を超えて延在する曲率面を形成し、
前記投影ビームは、前記第1の反射部分に対して偏移する第2の部分内において前記曲率面上に少なくとも1回入射し、
全ての曲面鏡において、前記第1の反射部分内における主光線の第1の主光線高さCRH1と、関連ある第2の部分内における同じ主光線の第2の主光線高さCRH2との間における主光線高さ比RCRH=CRH1/CRH2に関して、
(1) |RCRH|<1/α または |RCRH|>α
かつ
(2) α=1.4
の条件が満たされるカタジオプトリック投影対物レンズ。 - α=1.8である請求項35に記載の投影対物レンズ。
- 前記第2の部分は、前記投影ビームが前記曲面鏡の鏡縁部を通る前記曲率面を透過する前記鏡面に対して横方向に偏移する透光部分である請求項35に記載の投影対物レンズ。
- 前記第2の部分は、前記曲面鏡の前記曲率面に近接するか、または該曲率面と一致する鏡面を有する前記鏡群のまた他の曲面鏡の反射部分に関連ある請求項35に記載の投影対物レンズ。
- 全ての曲面鏡は、凹面鏡である請求項35に記載の投影対物レンズ。
- 全ての光学素子に共通の1本の直線状光軸を有するインラインシステムである請求項35に記載の投影対物レンズ。
- 収差に関して、最後の光学素子と前記像平面との間における像側作動距離が、実質的に1より大きい屈折率を有する浸漬媒質により満たされるように適合化せしめられる浸漬用対物レンズとして設計される請求項35に記載の投影対物レンズ。
- 浸漬媒質とともに用いられる場合に、NA>1.1の像側開口数を有する請求項35に記載の投影対物レンズ。
- 投影露光システムにおいて:
光源から光を受けるとともに、自身の出射面において自身の光軸の外側に配置される軸外照明フィールドを形成する照明システムと;
自身の物体面内に配置されるパターン構造を自身の像面上に投影するカタジオプトリック投影対物レンズであって、
前記投影対物レンズの前記物体面は、前記照明システムの前記出射面と一致し、前記照明システムの前記照明フィールドは、前記投影対物レンズの光軸の外側に配置される前記投影対物レンズの軸外有効物体フィールドの大きさと形状とを規定するカタジオプトリック投影対物レンズと;
前記パターン構造を前記投影対物レンズの前記光軸に対して垂直な走査方向に移動させる走査装置と;
前記走査方向の長さAと、前記走査方向に対して垂直な幅Bとを有して、自身を外囲する最小限の大きさの円形部分が、
設計物体フィールド半径RDOFを有する、前記光軸を中心とする円形の設計物体フィールドであって、前記投影対物レンズは、RDOFより小さい半径座標を有する区域内において像収差に関して本質的に補正され、前記投影対物レンズは、RDOFより大きい半径座標を有する区域内において完全には補正されない円形設計物体フィールドとからなり、
RDOF=γREOF
かつ
1≦γ<1.4
の条件が満たされる投影露光システム。 - 前記有効物体フィールドは、弓形の形状を有する環状フィールドであり、前記光軸に対向する前記有効物体フィールドの内側縁部と前記光軸から遠い前記有効物体フィールドの外側縁部とは、前記走査方向に対して直交方向に整合するとともに、同じ弓形の形状を有し、前記内側縁部と前記外側縁部との間における前記走査方向の並進的偏移は、前記長さAを規定する請求項43に記載の投影露光システム。
- 前記環状フィールドは、前記走査方向に対して垂直な幅方向における前記有効物体フィールドの側方縁部領域が、前記光軸を通る交差メリジオナル平面と重複し、前記内側縁部の中心区域が、前記光軸からある半径距離を有するような寸法とされる請求項44に記載の投影露光システム。
- 前記外側縁部は、前記光軸上に曲率中心を有する請求項44に記載の投影露光システム。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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PCT/EP2005/003646 WO2005098506A1 (en) | 2004-04-08 | 2005-04-07 | Catadioptric projection objective |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007532938A true JP2007532938A (ja) | 2007-11-15 |
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ID=34962386
Family Applications (2)
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---|---|---|---|
JP2007506724A Pending JP2007532938A (ja) | 2004-04-08 | 2005-04-07 | カタジオプトリック投影対物レンズ |
JP2007506723A Expired - Fee Related JP4801047B2 (ja) | 2004-04-08 | 2005-04-07 | 鏡群を有するカタジオプトリック投影対物レンズ |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007506723A Expired - Fee Related JP4801047B2 (ja) | 2004-04-08 | 2005-04-07 | 鏡群を有するカタジオプトリック投影対物レンズ |
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Country | Link |
---|---|
US (4) | US7712905B2 (ja) |
EP (2) | EP1733271A1 (ja) |
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CN (1) | CN1965259B (ja) |
WO (3) | WO2005098504A1 (ja) |
Families Citing this family (99)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9482966B2 (en) | 2002-11-12 | 2016-11-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG121819A1 (en) | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US10503084B2 (en) | 2002-11-12 | 2019-12-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE10261775A1 (de) | 2002-12-20 | 2004-07-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems |
EP3301511A1 (en) | 2003-02-26 | 2018-04-04 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
SG10201803122UA (en) | 2003-04-11 | 2018-06-28 | Nikon Corp | Immersion lithography apparatus and device manufacturing method |
WO2004090577A2 (en) | 2003-04-11 | 2004-10-21 | Nikon Corporation | Maintaining immersion fluid under a lithographic projection lens |
ATE542167T1 (de) | 2003-04-17 | 2012-02-15 | Nikon Corp | Lithographisches immersionsgerät |
EP2672307A3 (en) | 2003-05-06 | 2014-07-23 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
US7348575B2 (en) * | 2003-05-06 | 2008-03-25 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
TWI614794B (zh) | 2003-05-23 | 2018-02-11 | Nikon Corp | 曝光方法及曝光裝置以及元件製造方法 |
TWI518742B (zh) | 2003-05-23 | 2016-01-21 | 尼康股份有限公司 | A method of manufacturing an exposure apparatus and an element |
KR20060009956A (ko) | 2003-05-28 | 2006-02-01 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 |
US7213963B2 (en) | 2003-06-09 | 2007-05-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101520591B1 (ko) | 2003-06-13 | 2015-05-14 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법, 기판 스테이지, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 |
CN101436003B (zh) | 2003-06-19 | 2011-08-17 | 株式会社尼康 | 曝光装置及器件制造方法 |
EP2853943B1 (en) | 2003-07-08 | 2016-11-16 | Nikon Corporation | Wafer table for immersion lithography |
EP1646075B1 (en) | 2003-07-09 | 2011-06-15 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
WO2005006418A1 (ja) | 2003-07-09 | 2005-01-20 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
WO2005006416A1 (ja) | 2003-07-09 | 2005-01-20 | Nikon Corporation | 結合装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP4524669B2 (ja) | 2003-07-25 | 2010-08-18 | 株式会社ニコン | 投影光学系の検査方法および検査装置 |
KR101599649B1 (ko) | 2003-07-28 | 2016-03-14 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법, 그리고 노광 장치의 제어 방법 |
EP1503244A1 (en) | 2003-07-28 | 2005-02-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method |
US7779781B2 (en) | 2003-07-31 | 2010-08-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101380989B1 (ko) | 2003-08-29 | 2014-04-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
TWI263859B (en) | 2003-08-29 | 2006-10-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4288426B2 (ja) | 2003-09-03 | 2009-07-01 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィのための流体の供給装置及び方法 |
JP4444920B2 (ja) | 2003-09-19 | 2010-03-31 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US8208198B2 (en) | 2004-01-14 | 2012-06-26 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Catadioptric projection objective |
KR101441840B1 (ko) | 2003-09-29 | 2014-11-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법 |
KR20060126949A (ko) | 2003-10-08 | 2006-12-11 | 가부시키가이샤 니콘 | 기판 반송 장치와 기판 반송 방법, 노광 장치와 노광 방법,및 디바이스 제조 방법 |
KR101203028B1 (ko) | 2003-10-08 | 2012-11-21 | 가부시키가이샤 자오 니콘 | 기판 반송 장치 및 기판 반송 방법, 노광 장치 및 노광 방법, 디바이스 제조 방법 |
TW200514138A (en) | 2003-10-09 | 2005-04-16 | Nippon Kogaku Kk | Exposure equipment and exposure method, manufacture method of component |
US7411653B2 (en) | 2003-10-28 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
KR101394764B1 (ko) | 2003-12-03 | 2014-05-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법, 그리고 광학 부품 |
KR101547037B1 (ko) | 2003-12-15 | 2015-08-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 스테이지 장치, 노광 장치, 및 노광 방법 |
US7466489B2 (en) | 2003-12-15 | 2008-12-16 | Susanne Beder | Projection objective having a high aperture and a planar end surface |
JP5102492B2 (ja) | 2003-12-19 | 2012-12-19 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結晶素子を有するマイクロリソグラフィー投影用対物レンズ |
US20080151365A1 (en) * | 2004-01-14 | 2008-06-26 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective |
US7589822B2 (en) | 2004-02-02 | 2009-09-15 | Nikon Corporation | Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method |
KR101227211B1 (ko) | 2004-02-03 | 2013-01-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US8054448B2 (en) | 2004-05-04 | 2011-11-08 | Nikon Corporation | Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography |
KR20160085375A (ko) | 2004-05-17 | 2016-07-15 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 중간이미지를 갖는 카타디옵트릭 투사 대물렌즈 |
US7616383B2 (en) | 2004-05-18 | 2009-11-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN100594430C (zh) | 2004-06-04 | 2010-03-17 | 卡尔蔡司Smt股份公司 | 用于测量光学成像系统的图像质量的系统 |
EP2966670B1 (en) | 2004-06-09 | 2017-02-22 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
US7463330B2 (en) | 2004-07-07 | 2008-12-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101433491B1 (ko) | 2004-07-12 | 2014-08-22 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
EP1801853A4 (en) | 2004-08-18 | 2008-06-04 | Nikon Corp | EXPOSURE DEVICE AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD |
US7701550B2 (en) | 2004-08-19 | 2010-04-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7397533B2 (en) | 2004-12-07 | 2008-07-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8692973B2 (en) | 2005-01-31 | 2014-04-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
KR20160135859A (ko) | 2005-01-31 | 2016-11-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US7282701B2 (en) | 2005-02-28 | 2007-10-16 | Asml Netherlands B.V. | Sensor for use in a lithographic apparatus |
USRE43576E1 (en) | 2005-04-08 | 2012-08-14 | Asml Netherlands B.V. | Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2007071569A1 (en) * | 2005-12-23 | 2007-06-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective of a microlithographic projection exposure apparatus |
US7649611B2 (en) | 2005-12-30 | 2010-01-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7649612B2 (en) * | 2006-01-27 | 2010-01-19 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Phase shifting photolithography system |
WO2007086220A1 (ja) * | 2006-01-30 | 2007-08-02 | Nikon Corporation | 反射屈折結像光学系、露光装置、およびデバイスの製造方法 |
EP1852745A1 (en) | 2006-05-05 | 2007-11-07 | Carl Zeiss SMT AG | High-NA projection objective |
DE102006028222A1 (de) * | 2006-06-14 | 2007-12-27 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zum Betreiben von Projektionsbelichtungsanlagen und Verwendung eines Projektionsobjektivs |
EP1890191A1 (en) * | 2006-08-14 | 2008-02-20 | Carl Zeiss SMT AG | Catadioptric projection objective with pupil mirror |
EP1906251A1 (en) | 2006-09-26 | 2008-04-02 | Carl Zeiss SMT AG | Projection exposure method and projection exposure system |
EP1950594A1 (de) * | 2007-01-17 | 2008-07-30 | Carl Zeiss SMT AG | Abbildende Optik, Projektionsbelichtunsanlage für die Mikrolithographie mit einer derartigen abbildenden Optik, Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauteils mit einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage, durch das Herstellungsverfahren gefertigtes mikrostrukturiertes Bauelement sowie Verwendung einer derartigen abbildenden Optik |
DE102007033967A1 (de) * | 2007-07-19 | 2009-01-29 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv |
DE102008040819A1 (de) | 2007-09-14 | 2009-03-26 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Herstellung eines optischen Elements für ein Objektiv einer Projektionsbelichtungsanlage der Mikrolithographie |
US8077401B2 (en) * | 2007-10-03 | 2011-12-13 | Ricoh Co., Ltd. | Catadioptric imaging system |
JP5902884B2 (ja) | 2007-10-26 | 2016-04-13 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結像光学系及びこの種の結像光学系を含むマイクロリソグラフィ用の投影露光装置 |
DE102007051671A1 (de) | 2007-10-26 | 2009-05-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einer derartigen abbildenden Optik |
KR101592136B1 (ko) | 2007-10-26 | 2016-02-04 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 결상 광학 시스템 및 이러한 유형의 결상 광학 시스템을 갖는 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치 |
CN101874221B (zh) * | 2007-11-28 | 2012-06-13 | 日本电气株式会社 | 光学扫描装置和图像输出设备 |
EP2128703A1 (en) | 2008-05-28 | 2009-12-02 | ASML Netherlands BV | Lithographic Apparatus and a Method of Operating the Apparatus |
US8705170B2 (en) * | 2008-08-29 | 2014-04-22 | Nikon Corporation | High NA catadioptric imaging optics for imaging A reticle to a pair of imaging locations |
DE102008049589A1 (de) * | 2008-09-30 | 2010-04-08 | Carl Zeiss Smt Ag | Optische Abbildungseinrichtung und Abbildungsverfahren für die Mikroskopie |
US8600186B2 (en) * | 2010-04-26 | 2013-12-03 | City University Of Hong Kong | Well focused catadioptric image acquisition |
US8493670B2 (en) | 2010-09-10 | 2013-07-23 | Coherent, Inc. | Large-field unit-magnification catadioptric projection system |
US8659823B2 (en) | 2011-04-22 | 2014-02-25 | Coherent, Inc. | Unit-magnification catadioptric and catoptric projection optical systems |
US9205734B1 (en) | 2011-10-06 | 2015-12-08 | XL Hybrids | Motor integration assembly |
US9390062B1 (en) | 2012-02-01 | 2016-07-12 | XL Hybrids | Managing vehicle information |
JP6028350B2 (ja) * | 2012-03-16 | 2016-11-16 | 株式会社ニコン | 基板処理装置、デバイス製造システム及びデバイス製造方法 |
TWI486454B (zh) | 2012-03-19 | 2015-06-01 | Jfe Steel Corp | Steel manufacturing method |
US9329373B2 (en) * | 2013-02-13 | 2016-05-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Catadioptric optical system with multi-reflection element for high numerical aperture imaging |
DE102013204391B3 (de) | 2013-03-13 | 2014-05-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsobjektiv mit Wellenfrontmanipulator |
US9298102B2 (en) | 2013-03-13 | 2016-03-29 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projection lens with wavefront manipulator |
US9651872B2 (en) | 2013-03-13 | 2017-05-16 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projection lens with wavefront manipulator |
US10365152B1 (en) * | 2013-03-14 | 2019-07-30 | Wavefront Research, Inc. | Compact annular field imager and method for imaging electromagnetic radiation |
US8670888B1 (en) * | 2013-06-18 | 2014-03-11 | XL Hybrids | Dynamically assisting hybrid vehicles |
US9818240B1 (en) | 2013-09-06 | 2017-11-14 | XL Hybrids | Comparing vehicle performance |
US9922469B1 (en) | 2013-11-07 | 2018-03-20 | XL Hybrids | Route-based vehicle selection |
CN104062746B (zh) * | 2014-06-23 | 2016-08-24 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种大数值孔径的折反射浸没投影光学系统 |
CN105807410B (zh) * | 2014-12-31 | 2018-11-09 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种基于高数值孔径的折反射式投影物镜 |
KR20160091085A (ko) * | 2015-01-23 | 2016-08-02 | 삼성전자주식회사 | 반사 굴절 광학계 및 이미지 촬영 장치 |
US10527830B2 (en) * | 2016-08-12 | 2020-01-07 | Kla-Tencor Corporation | Off-axis reflective afocal optical relay |
DE102017207542A1 (de) | 2017-05-04 | 2017-06-29 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen abbildenden Optik |
DE102018207277A1 (de) | 2018-05-09 | 2019-11-14 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Lithografiemaske, optisches System zur Übertragung von Original Strukturabschnitten der Lithografiemaske sowie Projektionsoptik zur Abbildung eines Objektfeldes, in dem mindestens ein Original-Strukturabschnitt einer Lithografiemaske anordenbar ist |
TWI831849B (zh) * | 2018-12-07 | 2024-02-11 | 日商索尼股份有限公司 | 圖像顯示裝置及投射光學系統 |
DE102021202847A1 (de) | 2021-03-24 | 2022-09-29 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für eine Projektionsbelichtungsanlage für die Lithografie |
CN116263565A (zh) * | 2021-12-13 | 2023-06-16 | 长鑫存储技术有限公司 | 光刻胶图案的形成方法和投影式曝光装置 |
DE102022205272A1 (de) * | 2022-05-25 | 2023-11-30 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Katadioptrisches Projektionsobjektiv, Projektionsbelichtungsanlage und Projektionsbelichtungsverfahren |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001166210A (ja) * | 1999-11-05 | 2001-06-22 | Carl Zeiss:Fa | 2つの中間像を持つ反射屈折対物レンズ |
JP2002277742A (ja) * | 2000-10-23 | 2002-09-25 | Nikon Corp | 反射屈折光学系および該光学系を備えた露光装置 |
JP2003114387A (ja) * | 2001-10-04 | 2003-04-18 | Nikon Corp | 反射屈折光学系および該光学系を備える投影露光装置 |
US20040012866A1 (en) * | 2000-10-20 | 2004-01-22 | Carl-Zeiss Smt Ag | 8-Mirror microlithography projection objective |
Family Cites Families (119)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2380887A (en) | 1941-05-22 | 1945-07-31 | Taylor Taylor & Hobson Ltd | Optical system |
DE1064734B (de) | 1953-09-23 | 1959-09-03 | Optische Ind De Oude Delft Nv | Optisches Abbildungssystem |
SU124665A1 (ru) | 1959-03-30 | 1959-11-30 | В.А. Панов | Безиммерсионный зеркально-линзовый ахроматический объектив микроскопа |
NL269391A (ja) | 1961-09-19 | |||
JPS6019484B2 (ja) | 1975-11-07 | 1985-05-16 | キヤノン株式会社 | 複写用レンズ |
US4293186A (en) | 1977-02-11 | 1981-10-06 | The Perkin-Elmer Corporation | Restricted off-axis field optical system |
CH624776A5 (ja) | 1977-12-08 | 1981-08-14 | Kern & Co Ag | |
US4241390A (en) | 1978-02-06 | 1980-12-23 | The Perkin-Elmer Corporation | System for illuminating an annular field |
CH651943A5 (de) | 1980-08-16 | 1985-10-15 | Ludvik Dr Canzek | Katadioptrisches objektiv hoher oeffnung. |
JPS5744115A (en) | 1980-08-30 | 1982-03-12 | Asahi Optical Co Ltd | Reflex telephoto zoom lens system |
US4346164A (en) | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
US4469414A (en) | 1982-06-01 | 1984-09-04 | The Perkin-Elmer Corporation | Restrictive off-axis field optical system |
JPS60184223A (ja) | 1984-03-01 | 1985-09-19 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 反射屈折式望遠レンズ |
US4812028A (en) | 1984-07-23 | 1989-03-14 | Nikon Corporation | Reflection type reduction projection optical system |
US4701035A (en) | 1984-08-14 | 1987-10-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Reflection optical system |
US4834515A (en) | 1984-11-29 | 1989-05-30 | Lockheed Missiles & Space Company, Inc. | Catadioptric imaging system with dioptric assembly of the petzval type |
US4779966A (en) | 1984-12-21 | 1988-10-25 | The Perkin-Elmer Corporation | Single mirror projection optical system |
JPS61156737A (ja) | 1984-12-27 | 1986-07-16 | Canon Inc | 回路の製造方法及び露光装置 |
US4711535A (en) | 1985-05-10 | 1987-12-08 | The Perkin-Elmer Corporation | Ring field projection system |
DE3787035T2 (de) | 1986-03-12 | 1994-03-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Optisches Projektionssystem für Präzisionskopien. |
US4757354A (en) | 1986-05-02 | 1988-07-12 | Matsushita Electrical Industrial Co., Ltd. | Projection optical system |
EP0947882B1 (en) | 1986-07-11 | 2006-03-29 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray reduction projection exposure system of reflection type |
GB2197962A (en) | 1986-11-10 | 1988-06-02 | Compact Spindle Bearing Corp | Catoptric reduction imaging apparatus |
US4951078A (en) | 1988-05-16 | 1990-08-21 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Camera system including catadioptric lens and catadioptric lens system used therein |
US5004331A (en) | 1989-05-03 | 1991-04-02 | Hughes Aircraft Company | Catadioptric projector, catadioptric projection system and process |
US5063586A (en) | 1989-10-13 | 1991-11-05 | At&T Bell Laboratories | Apparatus for semiconductor lithography |
US5114238A (en) | 1990-06-28 | 1992-05-19 | Lockheed Missiles & Space Company, Inc. | Infrared catadioptric zoom relay telescope |
US5031976A (en) | 1990-09-24 | 1991-07-16 | Kla Instruments, Corporation | Catadioptric imaging system |
GB9020902D0 (en) | 1990-09-26 | 1990-11-07 | Optics & Vision Ltd | Optical systems,telescopes and binoculars |
US5315629A (en) | 1990-10-10 | 1994-05-24 | At&T Bell Laboratories | Ringfield lithography |
US5734496A (en) | 1991-06-03 | 1998-03-31 | Her Majesty The Queen In Right Of New Zealand | Lens system |
US5212588A (en) | 1991-04-09 | 1993-05-18 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Reflective optical imaging system for extreme ultraviolet wavelengths |
US5220590A (en) | 1992-05-05 | 1993-06-15 | General Signal Corporation | X-ray projection lithography camera |
US5353322A (en) | 1992-05-05 | 1994-10-04 | Tropel Corporation | Lens system for X-ray projection lithography camera |
JP3246615B2 (ja) | 1992-07-27 | 2002-01-15 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置、及び露光方法 |
US5477304A (en) | 1992-10-22 | 1995-12-19 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
US6078381A (en) | 1993-02-01 | 2000-06-20 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus |
US5636066A (en) | 1993-03-12 | 1997-06-03 | Nikon Corporation | Optical apparatus |
JP3635684B2 (ja) | 1994-08-23 | 2005-04-06 | 株式会社ニコン | 反射屈折縮小投影光学系、反射屈折光学系、並びに投影露光方法及び装置 |
US5410434A (en) | 1993-09-09 | 1995-04-25 | Ultratech Stepper, Inc. | Reflective projection system comprising four spherical mirrors |
US5515207A (en) * | 1993-11-03 | 1996-05-07 | Nikon Precision Inc. | Multiple mirror catadioptric optical system |
US5488229A (en) | 1994-10-04 | 1996-01-30 | Excimer Laser Systems, Inc. | Deep ultraviolet microlithography system |
IL113350A (en) | 1995-04-12 | 1998-06-15 | State Rafaelel Ministry Of Def | Catadioptric optics working staring detector system |
US5650877A (en) | 1995-08-14 | 1997-07-22 | Tropel Corporation | Imaging system for deep ultraviolet lithography |
US5805365A (en) | 1995-10-12 | 1998-09-08 | Sandia Corporation | Ringfield lithographic camera |
JP3456323B2 (ja) | 1995-11-01 | 2003-10-14 | 株式会社ニコン | 顕微鏡対物レンズ |
US5815310A (en) | 1995-12-12 | 1998-09-29 | Svg Lithography Systems, Inc. | High numerical aperture ring field optical reduction system |
JPH09251097A (ja) | 1996-03-15 | 1997-09-22 | Nikon Corp | X線リソグラフィー用反射縮小結像光学系 |
US5686728A (en) | 1996-05-01 | 1997-11-11 | Lucent Technologies Inc | Projection lithography system and method using all-reflective optical elements |
US5729376A (en) | 1996-07-01 | 1998-03-17 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Catadioptric multi-functional optical assembly |
US5717518A (en) | 1996-07-22 | 1998-02-10 | Kla Instruments Corporation | Broad spectrum ultraviolet catadioptric imaging system |
US5999310A (en) | 1996-07-22 | 1999-12-07 | Shafer; David Ross | Ultra-broadband UV microscope imaging system with wide range zoom capability |
US6169627B1 (en) | 1996-09-26 | 2001-01-02 | Carl-Zeiss-Stiftung | Catadioptric microlithographic reduction objective |
US6631036B2 (en) | 1996-09-26 | 2003-10-07 | Carl-Zeiss-Stiftung | Catadioptric objective |
US5825043A (en) | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
DE69738910D1 (de) | 1996-11-28 | 2008-09-25 | Nikon Corp | Ausrichtvorrichtung und belichtungsverfahren |
US5956192A (en) | 1997-09-18 | 1999-09-21 | Svg Lithography Systems, Inc. | Four mirror EUV projection optics |
US5920380A (en) | 1997-12-19 | 1999-07-06 | Sandia Corporation | Apparatus and method for generating partially coherent illumination for photolithography |
US6097537A (en) | 1998-04-07 | 2000-08-01 | Nikon Corporation | Catadioptric optical system |
JPH11316343A (ja) | 1998-05-01 | 1999-11-16 | Nikon Corp | カタディオプトリックレンズ |
EP1293830A1 (en) | 1998-06-08 | 2003-03-19 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method |
US6213610B1 (en) | 1998-09-21 | 2001-04-10 | Nikon Corporation | Catoptric reduction projection optical system and exposure apparatus and method using same |
JP2000100694A (ja) | 1998-09-22 | 2000-04-07 | Nikon Corp | 反射縮小投影光学系、該光学系を備えた投影露光装置および該装置を用いた露光方法 |
KR20010041257A (ko) | 1998-12-25 | 2001-05-15 | 오노 시게오 | 반사굴절 결상 광학계 및 그 광학계를 구비한 투영 노광장치 |
EP1772775B1 (de) | 1999-02-15 | 2008-11-05 | Carl Zeiss SMT AG | Mikrolithographie-Reduktionsobjektiveinrichtung sowie Projektionsbelichtungsanlage |
US6033079A (en) | 1999-03-15 | 2000-03-07 | Hudyma; Russell | High numerical aperture ring field projection system for extreme ultraviolet lithography |
US6188513B1 (en) | 1999-03-15 | 2001-02-13 | Russell Hudyma | High numerical aperture ring field projection system for extreme ultraviolet lithography |
US6426506B1 (en) * | 1999-05-27 | 2002-07-30 | The Regents Of The University Of California | Compact multi-bounce projection system for extreme ultraviolet projection lithography |
JP4717974B2 (ja) | 1999-07-13 | 2011-07-06 | 株式会社ニコン | 反射屈折光学系及び該光学系を備える投影露光装置 |
EP1093021A3 (en) | 1999-10-15 | 2004-06-30 | Nikon Corporation | Projection optical system as well as equipment and methods making use of said system |
EP1094350A3 (en) | 1999-10-21 | 2001-08-16 | Carl Zeiss | Optical projection lens system |
US6995930B2 (en) * | 1999-12-29 | 2006-02-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with geometric beam splitting |
US7187503B2 (en) | 1999-12-29 | 2007-03-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Refractive projection objective for immersion lithography |
TW538256B (en) | 2000-01-14 | 2003-06-21 | Zeiss Stiftung | Microlithographic reduction projection catadioptric objective |
US6285737B1 (en) | 2000-01-21 | 2001-09-04 | Euv Llc | Condenser for extreme-UV lithography with discharge source |
JP2001228401A (ja) | 2000-02-16 | 2001-08-24 | Canon Inc | 投影光学系、および該投影光学系による投影露光装置、デバイス製造方法 |
US7301605B2 (en) | 2000-03-03 | 2007-11-27 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method, catadioptric optical system and manufacturing method of devices |
JP2001343589A (ja) | 2000-03-31 | 2001-12-14 | Canon Inc | 投影光学系、および該投影光学系による投影露光装置、デバイス製造方法 |
JP2002083766A (ja) | 2000-06-19 | 2002-03-22 | Nikon Corp | 投影光学系、該光学系の製造方法、及び前記光学系を備えた投影露光装置 |
US6486940B1 (en) | 2000-07-21 | 2002-11-26 | Svg Lithography Systems, Inc. | High numerical aperture catadioptric lens |
US6842298B1 (en) | 2000-09-12 | 2005-01-11 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Broad band DUV, VUV long-working distance catadioptric imaging system |
JP2002217095A (ja) * | 2000-11-14 | 2002-08-02 | Canon Inc | 露光装置、半導体デバイス製造方法、半導体製造工場及び露光装置の保守方法並びに位置検出装置 |
JP2004514943A (ja) | 2000-11-28 | 2004-05-20 | カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー | 157nmリソグラフィ用の反射屈折投影系 |
JP2002208551A (ja) | 2001-01-10 | 2002-07-26 | Nikon Corp | 反射屈折光学系及び投影露光装置 |
DE10127227A1 (de) | 2001-05-22 | 2002-12-05 | Zeiss Carl | Katadioptrisches Reduktionsobjektiv |
US6995886B2 (en) | 2001-06-21 | 2006-02-07 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Optical scanning device |
JP2003015040A (ja) | 2001-07-04 | 2003-01-15 | Nikon Corp | 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置 |
JP2003233005A (ja) * | 2002-02-07 | 2003-08-22 | Canon Inc | 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2003233002A (ja) | 2002-02-07 | 2003-08-22 | Canon Inc | 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
DE10332112A1 (de) | 2003-07-09 | 2005-01-27 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsbelichtungsverfahren und Projektionsbelichtungssystem |
DE10210899A1 (de) | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Zeiss Carl Smt Ag | Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie |
US6912042B2 (en) * | 2002-03-28 | 2005-06-28 | Carl Zeiss Smt Ag | 6-mirror projection objective with few lenses |
JP2003309059A (ja) | 2002-04-17 | 2003-10-31 | Nikon Corp | 投影光学系、その製造方法、露光装置および露光方法 |
JP4292497B2 (ja) | 2002-04-17 | 2009-07-08 | 株式会社ニコン | 投影光学系、露光装置および露光方法 |
US7362508B2 (en) | 2002-08-23 | 2008-04-22 | Nikon Corporation | Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same |
US8675276B2 (en) | 2003-02-21 | 2014-03-18 | Kla-Tencor Corporation | Catadioptric imaging system for broad band microscopy |
JP2004335575A (ja) | 2003-05-01 | 2004-11-25 | Canon Inc | 露光装置 |
EP2672307A3 (en) | 2003-05-06 | 2014-07-23 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
US7348575B2 (en) | 2003-05-06 | 2008-03-25 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
JP2005003982A (ja) | 2003-06-12 | 2005-01-06 | Nikon Corp | 投影光学系、露光装置および露光方法 |
US7085075B2 (en) | 2003-08-12 | 2006-08-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3 |
US8208198B2 (en) | 2004-01-14 | 2012-06-26 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Catadioptric projection objective |
US7466489B2 (en) | 2003-12-15 | 2008-12-16 | Susanne Beder | Projection objective having a high aperture and a planar end surface |
US7385764B2 (en) | 2003-12-15 | 2008-06-10 | Carl Zeiss Smt Ag | Objectives as a microlithography projection objective with at least one liquid lens |
US7460206B2 (en) | 2003-12-19 | 2008-12-02 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective for immersion lithography |
US20050185269A1 (en) | 2003-12-19 | 2005-08-25 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with geometric beam splitting |
JP5102492B2 (ja) | 2003-12-19 | 2012-12-19 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結晶素子を有するマイクロリソグラフィー投影用対物レンズ |
US7463422B2 (en) | 2004-01-14 | 2008-12-09 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection exposure apparatus |
KR101288187B1 (ko) * | 2004-01-14 | 2013-07-19 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 반사굴절식 투영 대물렌즈 |
US20080151365A1 (en) | 2004-01-14 | 2008-06-26 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective |
WO2005081067A1 (en) | 2004-02-13 | 2005-09-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus |
WO2005081030A1 (en) | 2004-02-18 | 2005-09-01 | Corning Incorporated | Catadioptric imaging system for high numerical aperture imaging with deep ultraviolet light |
US20060244938A1 (en) | 2004-05-04 | 2006-11-02 | Karl-Heinz Schuster | Microlitographic projection exposure apparatus and immersion liquid therefore |
US7224520B2 (en) | 2004-09-28 | 2007-05-29 | Wavefront Research, Inc. | Compact fast catadioptric imager |
US20060082905A1 (en) | 2004-10-14 | 2006-04-20 | Shafer David R | Catadioptric projection objective with an in-line, single-axis configuration |
DE102005045862A1 (de) | 2004-10-19 | 2006-04-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Optisches System für Ultraviolettlicht |
US20060198018A1 (en) | 2005-02-04 | 2006-09-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Imaging system |
DE102005056721A1 (de) | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsbelichtungsobjektiv mit zentraler Obskuration und Zwischenbildern zwischen den Spiegeln |
JP2006309220A (ja) | 2005-04-29 | 2006-11-09 | Carl Zeiss Smt Ag | 投影対物レンズ |
-
2005
- 2005-03-22 WO PCT/EP2005/003032 patent/WO2005098504A1/en active Application Filing
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-
2012
- 2012-12-17 US US13/717,439 patent/US20130120728A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001166210A (ja) * | 1999-11-05 | 2001-06-22 | Carl Zeiss:Fa | 2つの中間像を持つ反射屈折対物レンズ |
US20040012866A1 (en) * | 2000-10-20 | 2004-01-22 | Carl-Zeiss Smt Ag | 8-Mirror microlithography projection objective |
JP2002277742A (ja) * | 2000-10-23 | 2002-09-25 | Nikon Corp | 反射屈折光学系および該光学系を備えた露光装置 |
JP2003114387A (ja) * | 2001-10-04 | 2003-04-18 | Nikon Corp | 反射屈折光学系および該光学系を備える投影露光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1733271A1 (en) | 2006-12-20 |
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KR100991584B1 (ko) | 2010-11-04 |
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US20110261444A1 (en) | 2011-10-27 |
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