JP2007532938A - カタジオプトリック投影対物レンズ - Google Patents

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Abstract

【課題】相対的に少量の透明光学材料を用いて製造されうる小型のカタジオプトリックインライン投影対物レンズを提供する。
【解決手段】自身の物体平面内に配置される軸外有効物体フィールドを自身の像面内に配置される軸外有効像フィールド上に結像させるカタジオプトリック投影対物レンズにおいて、有効物体フィールドが、全面的に光軸の外側に配置されるとともに、第1の方向に長さAを、前記第1の方向に対して垂直な第2の方向に幅Bを有する。前記有効物体フィールドを外囲する最小限の大きさの円形部分が、
【数1】
Figure 2007532938

にしたがって前記有効物体フィールドの半径REOFを規定するようになっている。円形設計物体フィールドが前記光軸を中心とする、設計物体フィールド半径RDOFを有する。投影対物レンズは、本質的に、RDOFより小さい半径座標を有する区域内において像収差に関して補正される。投影対物レンズは、RDOFより大きい半径座標を有する区域内において完全に補正されるわけではない円形設計物体フィールドとを含む。
DOF=γREOFかつ1≦γ<1.4の条件が満たされるカタジオプトリック投影対物レンズ。
【選択図】 図4

Description

本発明は、自身の物体面内に配置される軸外有効物体フィールドを自身の像平面内に配置される軸外有効像フィールド上に結像させるカタジオプトリック投影対物レンズに関する。
カタジオプトリック投影対物レンズは、たとえば、半導体素子およびその他の種類の微細素子の製造に用いられるとともに、以下では総称的に「マスク」または「レチクル」と呼ばれるフォトマスクまたはレチクル上のパターンを、感光性被覆材を有する物体上に超高解像度を有してある縮尺で投影する役割を果たす投影露光システム、特にウェーハスキャナまたはウェーハステッパにおいて用いられる。
さらに一層微細な構造を創出するためには、投影対物レンズの像側開口数(NA)を増大させることと、より短い波長、好ましくは約260nm未満の波長を有する紫外光を用いることとの両方が求められる。しかしながら、この波長領域において光学素子の製造に利用することができる十分に透明な材料、特に合成石英ガラスおよびフッ化物結晶は、ごく少数しかない。これらの利用可能な材料のアッベ数は、互いにかなり接近しているため、十分に良好に色補正(色収差を補正)された純粋に屈折性のシステムを得ることは困難である。
関連材料が高価であることと、大型のレンズを製造することができるだけの十分な大きさのフッ化カルシウム結晶の入手可能性が限られていることとが問題となっている。このため、使用されるレンズの個数と大きさとを減じることができ、かつ同時に結像の忠実度の維持または一層の向上に寄与しうる施策が望まれる。
光リソグラフィーにおいては、高解像度と良好な補正状態とが、相対的に大きい、本質的に平面状の像フィールドに関して得られなければならない。あらゆる光学設計に求められうる最も困難な要件は、特に全屈折型の設計である場合は、平らな像を有することであることが指摘されてきた。平らな像を得るためには、相反する屈折力のレンズが必要になり、このことは、レンズの屈折力の増加と、システムの長さの増加と、システムのガラス質量の増加と、レンズの曲率の増加によって引き起こされるより高次の像収差の増加とを招く。像フィールドを平面化するため、すなわちマイクロリソグラフィー用投影対物レンズにおけるペッツヴァルの和を補正するための従来手段は、E.グラッツェル(E. Glatzel)の論文「新規なマイクロリソグラフィー用レンズ(New lenses for microlithography)」、SPIE Vol.237(1980)、pp.310〜320に記載されている。
凹面鏡は、かねてから、色補正と像の平面化との問題解決の一助として用いられてきた。凹面鏡は、正レンズのように正の屈折力を有するが、ペッツヴァル湾曲の符号は逆である。さらにまた、凹面鏡は、色の問題を引き起こさない。したがって、屈折性および反射性の素子、特にレンズと1個以上の凹面鏡とを組み合わせたカタジオプトリックシステムが主として前記の種類の高解像度の投影対物レンズの形成に用いられる。残念ながら、凹面鏡は、放射をまさにそれが到来した方向に送り返すため、光学設計に一体化させにくい。機械的な問題またはビームの口径食または瞳のオブスキュレーションによる問題を引き起こすことなく凹面鏡を一体化させるインテリジェント設計が望ましい。
設計上のまた他の目標は、投影対物レンズにより所定の開口数で口径食を起こすことなく有効に結像せしめられうる物体フィールドの大きさと形状とを最適化させることである。対応する物体フィールドは、以下では、「有効物体フィールド」と呼ばれる。この有効物体フィールドの大きさと、対応する有効像フィールドの大きさとは、投影対物レンズの倍率によって関連付けられる。しばしば、有効フィールドの大きさを最大限にして、投影対物レンズに関連する製造工程の生産性を向上させることが望まれる。任意の物体側開口数において、有効物体フィールドの大きさは、本明細書において物体側開口数と有効物体フィールドを含む最小限の大きさを有する円の半径REOFとの積として定義される「有効な幾何学的光伝導値」(すなわち「有効エタンデュ」)に対応する。
投影対物レンズの設計にあたって注意しなければならないさらに他のパラメータは、所望の性能を得るために投影対物レンズが像収差に関して十分に補正されなければならない物体フィールドの大きさである。これらの収差には、色収差、像面湾曲収差、歪曲、球面収差、非点収差等が含まれる。投影対物レンズが十分に補正されなければならないフィールドは、以下では、「設計物体フィールド」と呼ばれる。光学素子の個数および大きさは、この設計物体フィールドの大きさを増大させると一般に大幅に増加するため、一般に、設計物体フィールドの大きさを最小限にするように設計することが望ましい。任意の物体側開口数において、投影対物レンズは、本明細書において物体側開口数と設計物体フィールドの外側半径RDOF、すなわち物体フィールド半径との間における積として定義される「設計エタンデュ」の固有値を特徴としうる。
純屈折性の投影対物レンズにおいては、光軸を中心とする有効物体フィールドが用いられうる。同様に、共心の有効物体フィールドが、物理的ビームスプリッター、たとえば偏光選択ビーム分割面を有するビームスプリッターを有するカタジオプトリック投影対物レンズ、または中央瞳オブスキュレーションを有するシステムにおいて用いられうる。このようなシステムにおいては、有効エタンデュは、設計エタンデュに等しく(すなわちREOF=RDOF)、最適な大きさの有効フィールドが、最小限の大きさの設計物体フィールドとともに用いられうることがわかる。しかしながら、色補正は、高開口数の屈折性投影対物レンズにおいてますます困難になり、かつ物理的ビームスプリッターを有する設計は、偏光制御の点において操作困難になりうるため、1個以上の平面状折曲鏡による幾何学的ビーム分割を用いる設計と全ての光学素子に共通の1本の真っ直ぐな(折り曲げられない)光軸を有するいわゆる「インラインシステム」とに再分されうる代替のカタジオプトリック設計(軸外システム)が開発された。
これらの軸外システムにおいては、口径食を回避するために、軸外有効物体フィールド、すなわち全面的に光軸の外側に配置される有効物体フィールドが用いられなければならない。矩形の有効物体フィールドと、一般に「円環状フィールド」または「環状フィールド」と呼ばれる弓形の形状を有する有効物体フィールドとの両方が、この種の設計において提案された。
平面状折曲鏡を、瞳面付近または瞳面に位置する凹面鏡と該凹面鏡の前の負の屈折力とを有する単一のカタジオプトリック群と組み合わせて用いる折曲型カタジオプトリック投影対物レンズの代表的な例は、米国特許2003/0234912 A1または米国特許2004/0160677 A1に示されている。これらの種類の設計は、一般に矩形の有効物体フィールドとともに用いられる。
さまざまなカタジオプトリックインライン投影対物レンズが提案された。光学的な観点から、インラインシステムは、平面状折曲鏡を用いることによって引き起こされる偏光効果等の光学的問題が回避されうるため、好適でありうる。さらにまた、製造の観点から、インラインシステムは、光学素子の従来式の取付け技術を用いることができ、以って投影対物レンズの機械的安定性が高まるように設計されうる。
米国特許6,600,608 B1に、投影対物レンズの物体平面内に配置されるパターンを第1の中間像に結像させる第1の純屈折性対物レンズ部分と、前記第1の中間像を第2の中間像に結像させる第2の対物レンズ部分と、前記第2の中間像を直接、すなわちさらに他の中間像を用いることなく像平面上に結像させる第3の対物レンズ部分とを有するカタジオプトリックインライン投影対物レンズが開示されている。前記第2の対物レンズ部分は、中央穴を有する第1の凹面鏡と中央穴を有する第2の凹面鏡とを有するカタジオプトリック対物レンズ部分であり、前記凹面鏡は、互いに向き合うとともに、両者間において鏡間空間またはカタジオプトリック空洞部を形成する鏡面を有する。前記第1の中間像は、物体平面に隣接する前記凹面鏡の中央穴内において形成される一方で、前記第2の中間像は、物体平面に隣接する前記凹面鏡の中央穴内において形成される。この対物レンズは、軸対称性と、光軸を中心とするフィールドとを有するとともに、軸方向および横方向に良好な色補正を達成する。しかしながら、放射にさらされる前記凹面鏡の反射部分が、前記穴により中断されるため、システムの瞳は、オブスキュレーションを有する。
欧州特許1 069 448 B1に、互いに向き合う2個の凹面鏡と、軸外物体および像フィールドとを有するカタジオプトリック投影対物レンズが開示されている。前記凹面鏡は、物体を1個の凹面鏡に隣接して配置される中間像上に結像させる第1のカタジオプトリック対物レンズ部分の一部分である。これは、唯一の中間像であり、前記中間像は、第2の純屈折性対物レンズ部分により像面に結像せしめられる。前記物体とカタジオプトリック結像システムの前記像とは、互いに向き合う鏡によって形成される鏡間空間の外側に配置される。2個の凹面鏡と、共通の直線状光軸と、カタジオプトリック結像システムにより形成されるとともに1個の前記凹面鏡の横に配置される1個の中間像とを有する同様のシステムが、米国特許出願2002/0024741 A1に開示されている。
米国特許出願第2004/0130806号(欧州特許出願第1 336 887号に対応)には、軸外物体および像フィールドと、1本の共通の直線状光軸と、次に記載の順序で、第1の中間像を創出する第1のカタジオプトリック対物レンズ部分と前記第1の中間像から第2の中間像を創出する第2のカタジオプトリック対物レンズ部分と前記第2の中間像から像を形成する屈折性の第3の対物レンズ部分とを有するカタジオプトリック投影対物レンズが開示されている。各カタジオプトリック系は、互いに向き合う2個の凹面鏡を有する。前記中間像は、前記凹面鏡により形成される鏡間空間の外側に位置する。
特開2003−114387号および国際特許出願01/55767 Aには、1本の共通の直線状光軸を有する軸外物体および像フィールドと、中間像を形成する第1のカタジオプトリック対物レンズ部分と、前記中間像をこのシステムの像平面上に結像させる第2のカタジオプトリック対物レンズ部分とを有するカタジオプトリック投影対物レンズが開示されている。凹面および凸面鏡は、組み合わされて用いられる。
米国特許出願2003/0234992 A1に、1本の共通の直線状光軸を有する軸外物体および像フィールドと、中間像を形成する第1のカタジオプトリック対物レンズ部分と、前記中間像を像平面上に結像させる第2のカタジオプトリック対物レンズ部分とを有するカタジオプトリック投影対物レンズが開示されている。各カタジオプトリック対物レンズ部分において、凹面および凸面鏡が、1個の単レンズと組み合わされて用いられる。
国際特許出願2004/107011 A1には、1本の共通の直線状光軸を有する軸外物体および像フィールドを有する、光軸から遠く離れたフィールド中心を有する円弧状の有効物体フィールドを用いる浸漬リソグラフィー用に設計されるさまざまなカタジオプトリック投影対物レンズが開示されている。これらの投影対物レンズは、2個、4個または6個の曲面鏡を有するさまざまな種類の鏡群を含む。2個〜4個の中間像を有する実施形態が開示されている。米国特許出願2004/0218164 A1には、円弧状の形状を有する照明フィールドをもたらすように設計される照明システムが開示されている。さらにまた、偏光選択性の物理的ビームスプリッターを有するカタジオプトリック投影対物レンズとの組み合わせも開示されている。
本出願人の2004年1月14日出願の米国仮出願第60/536,248号には、非常に高いNAを有するとともに、NA>1での浸漬リソグラフィーに適するカタジオプトリック投影対物レンズが開示されている。この投影対物レンズは、物体平面内に設けられるパターンを第1の中間像に結像させる第1の対物レンズ部分と、前記第1の中間像を第2の中間像に結像させる第2の対物レンズ部分と、前記第2の中間像を直接像平面上に結像させる第3の対物レンズ部分とからなる。前記第2の対物レンズ部分は、第1の連続的な鏡面を有する第1の凹面鏡と、第2の連続的な鏡面を有する第2の凹面鏡とを含み、前記凹面状の鏡面は、互いに向き合うとともに、鏡間空間を形成する。全ての鏡は、光学的に瞳面から遠くに配置される。このシステムは、適度な消費量のレンズ質量で非常に高い開口数を得ることができる潜在性を有する。
米国特許2003/0234912 A1 米国特許2004/0160677 A1 米国特許6,600,608 B1 欧州特許1 069 448 B1 米国特許出願2002/0024741 A1 米国特許出願第2004/0130806号 欧州特許出願第1 336 887号 特開2003−114387号 国際特許出願 01/55767 A 米国特許出願2003/0234992 A1 国際特許出願2004/107011 A1 米国特許出願2004/0218164 A1 米国仮出願第60/536,248号 E.グラッツェル(E. Glatzel)の論文「新規なマイクロリソグラフィー用レンズ(New lenses for microlithography)」、SPIE Vol.237(1980)、pp.310〜320
本発明の目的は、相対的に少量の透明光学材料を用いて製造されうる小型のカタジオプトリックインライン投影対物レンズを提供することにある。本発明のさらに他の目的は、NA>1の開口数での浸漬リソグラフィーを可能にする値に達しうる非常に高い像側開口数を得ることができる潜在性を有する、真空紫外(VUV)範囲における使用に適するマイクロリソグラフィー用カタジオプトリックインライン投影対物レンズを提供することにある。本発明のまた他の目的は、投影対物レンズ内における正の屈折力を有するレンズによって引き起こされる像面湾曲収差の補正に有効な、軸方向にコンパクトに配置される鏡を有するカタジオプトリックインライン投影対物レンズを提供することにある。本発明のまた他の目的は、投影に有効に使用される物体フィールドの大きさと、投影対物レンズが像面収差に関して補正されなければならないフィールドの大きさとの間における有利な比を有するカタジオプトリック投影対物レンズを提供することにある。本発明のさらに他の目的は、投影に有効に使用される物体フィールドを最適な形状にして、投影対物レンズが像面収差に関して補正されなければならないフィールドの大きさを最小限に抑えることができるカタジオプトリックインライン投影対物レンズを提供することにある。
発明を実施する形態
前記およびその他の目的を達成する手段として、本発明は、ひとつの態様によれば、自身の物体面内に配置される軸外有効物体フィールドを自身の像面内に配置される軸外有効像フィールド上に結像させるカタジオプトリック投影対物レンズにおいて、
光軸と;
全面的に前記光軸の外側に配置されるとともに、第1の方向の長さAと前記第1の方向に垂直な第2の方向の幅Bとを有して、自身を外囲する最小限の大きさの円形部分が、
Figure 2007532938
にしたがって、自身の半径REOFを規定するようになる有効物体フィールドと;
前記光軸を中心とする、設計物体フィールド半径RDOFを有する円形設計物体フィールドであって、RDOFより小さい半径座標を有する区域において、投影対物レンズが像面収差に関して本質的に補正され、RDOFより大きい半径座標を有する区域においては、投影対物レンズは完全には補正されない円形設計物体フィールドとからなり、
DOF=γREOF
かつ
1≦γ<1.4
の条件が満たされるカタジオプトリック投影対物レンズを提供するものである。
本発明のこの態様にしたがった投影対物レンズは、大きい有効物体フィールドの使用を可能にする一方で、同時に投影対物レンズが十分に補正されなければならない物体フィールド半径を高開口数においても相対的に小さくすることができて、半径方向にコンパクトな大きさの投影対物レンズ、すなわち小さいレンズおよび鏡直径を用いて浸漬リソグラフィー用のNA>1の像側開口数を得ることができるようになる。
好適な実施形態において、γが1.3未満またはさらに1.2未満となりうるようなより小さい値のγが得られる。1から約5%以下だけ外れるγを有する実施形態を以下に説明する。
大きいNA値を得るのに特に適するいくつかの実施形態において、光学設計は、特に、長さ方向に対して垂直な幅方向における有効物体フィールドの側方縁部領域が光軸を通る交差メリジオナル平面と重複する一方で、内側縁部の中心区域が光軸から長さ方向に半径距離Dを有するような寸法とされうる弓形の軸外環状フィールドに対して最適化される。この距離は、かなり小さくなり得、すなわち有効物体フィールドは、光軸に非常に接近して配置されうる。いくつかの実施形態において、前記距離Dは、設計物体フィールド半径RDOFのわずか60%になる。
好適な実施形態は、偶数個の鏡、特に偶数個の曲面鏡を有しており、全ての曲面鏡は、凹面鏡である。いくつかの実施形態においては、正確に2個の凹面鏡が、鏡群内において設けられる。また他の実施形態では、正確に4個の凹面鏡が、鏡群内において設けられる。少なくとも1個の凹面鏡は、非球面鏡とされて、収差、特に瞳の球面収差の補正を向上させることを可能にしうる。
また他の態様によれば、本発明は、自身の物体面内に配置される軸外有効物体フィールドを自身の像面内に配置される軸外有効像フィールド上に結像させるカタジオプトリック投影対物レンズにおいて:
前記有効物体フィールドから到来する放射を鏡群の鏡群入口の方へと収束させる正の屈折力を有する前側レンズ群と;
物体側の鏡群入口と像側の鏡群出口とを有する前記鏡群と;
前記鏡群出口から出射する放射を前記有効像面上に集束させる正の屈折力を有する後側レンズ群とを光軸に沿って前記の順序で含み、
前記鏡群は、少なくとも2個の曲面鏡を含み、1個の曲面鏡は、前記有効物体フィールドから前記有効像フィールドへと通過する投影ビームの放射を第1の反射部分内において受ける曲面鏡面を有し、前記曲面鏡面は、該鏡面を含むとともに前記曲面鏡の縁部を超えて延在する曲率面を形成し、
前記投影ビームは、前記曲率面上において前記第1の反射部分から偏移する第2の部分内に少なくとも1回入射し、
全ての曲面鏡において、
(1) |RCRH|<1/αまたは|RCRH|>α
かつ
(2) α=1.4
の条件が、前記第1の反射部分における主光線の第1の主光線高さCRHと、関連ある前記第2の部分における同じ主光線の第2の主光線高さCRHとの間における主光線高さ比RCRH=CRH/CRHに関して満たされるカタジオプトリック投影対物レンズを提供するものである。
投影ビームの断面を制御して、凹面鏡の領域内における投影ビームの区域が互いに介在しうるか、または寄り添いうるようにすると、大きい軸外有効物体フィールドが、高い開口数において、相対的に小さい設計物体フィールド用の設計に関して得られうることがわかった。これは、投影ビームを案内し、かつ整形して、投影ビームが凹面鏡に対して往復方向に、または凹面鏡の縁部を越えて案内される領域内における比較可能な軸方向位置での投影ビームの主光線高さが有意に異なるようにすると容易であることがわかった。主光線高さを大きく相違させることにより、フィールドフットプリント(たとえばフィールド面に近接するビーム断面)の大きさを有意に異ならせて、フットプリントの相互介在配置が可能になるようにすることができる。
前記の条件(1)および(2)は、1/α<|RCRH|<αかつα=1.4の条件がいずれの凹面鏡に関しても満たされてはならないという意味にも言い表されうる。換言すれば、|RCRH|の値が1に等しくなることまたは1に近くなることは、回避されなければならない。
本発明は、さらにまた、光源から光を受けるとともに、自身の出射面において自身の光軸の外側に配置される軸外照明フィールドを形成する照明システムと、カタジオプトリック投影対物レンズとからなる投影露光システムにおいて、前記照明システムが本発明にしたがったカタジオプトリック投影対物レンズの一実施形態に適合化せしめられる投影露光システムに関する。好ましくは、前記照明システムは、いくつかの実施形態において長さ方向に対して垂直な幅方向における照明フィールドの側方縁部領域が前記光軸を通る交差メリジオナル平面と重複する一方で、内側縁部の中心区域が光軸から長さ方向にある半径距離を有するような寸法とされる円弧状の照明フィールドを創出するように設計される。
前記およびその他の特徴は、特許請求の範囲だけではなく、詳細な説明および図面にも示されており、個別の特徴は、単独または組み合わされた形態のいずれの形でも本発明の一実施形態として、かつその他の分野において用いられうるとともに、個別に有利かつ特許可能な実施形態を表しうる。
以下の本発明の好適な実施例の説明において、「光軸」という用語は、光学素子の曲率中心を通る直線または一連の直線分を指すものとする。本明細書において示されるこれらの例の場合は、物体は、集積回路のパターンまたは何らかのその他のパターン、たとえば格子パターンのいずれかを有するマスク(レチクル)である。本明細書において示される例において、物体の像は、フォトレジスト層により被覆される基板としての役割を果たすウェーハ上に投影されるが、液晶表示装置の構成要素または光学格子等のその他の種類の基板も可能である。
複数個の鏡を有する実施例が説明される。別段の記載がない限り、これらの鏡は、放射が鏡上において反射される順序にしたがって番号付けされる。換言すれば、鏡の番号は、鏡を、幾何学的な位置によるのではなく、放射の光路に沿った位置によって示している。
「前側」および「後側」という用語と、「上流」および「下流」という用語とは、光軸に沿う相対的な位置に関し、「前側」および「上流」は、物体面により近い位置に関する。
それが適切である場合は、異なる実施形態の同一または同様の特徴または特徴群は、同様の参照符号によって示される。参照番号が用いられる場合は、これらの参照番号は、実施形態間において100または100の倍数だけ大きくなっている。
表を用いて、図に示される設計の詳細を開示する場合は、表は、それぞれの図と同じ番号によって示される。
図1に、走査ステップ式の浸漬リソグラフィーによって大規模集積回路構成品を製作するのに用いられるウェーハスキャナWSの形態をとるマイクロリソグラフィー用投影露光システムの略図が示されている。この投影露光システムは、光源として、193nmの動作波長を有するエキシマーレーザーLからなり、その他の動作波長、たとえば157nmまたは248nmもまた可能である。下流の照明システムILLは、自身の出射面ESにおいて、下流のカタジオプトリック投影対物レンズPOのテレセントリック要件に適合せしめられた大型の鮮鋭な境界の均質に照明される照明フィールドIFを生じしめる。この照明システムILLは、照明モードを選択するための装置を有するとともに、本例においては、可変コヒーレンス度を有する従来式軸上照明と軸外照明、特に環状照明(照明システムの瞳面内において環状の照明領域を有する)および双極子または四極子照明との間において切換え可能である。
前記照明システムの下流には、マスクMを保持し、かつ操作して、前記マスクが投影対物レンズPOの物体面OSと一致する照明システムの出射面ES内に位置するとともに、前記平面内において、照明システムと投影対物レンズとに共通の光軸OA(すなわちZ方向)に対して垂直な走査方向(Y方向)に移動せしめられて走査操作されるようにする装置RS(レチクル段)が配置される。
縮小投影対物レンズPOは、マスクにより提供されるパターンの像を4:1の縮尺でフォトレジスト層により被覆されるウェーハW上に結像させるように設計される。その他の縮尺、たとえば5:1または8:1もまた可能である。感光基板としての役割を果たすウェーハWは、フォトレジスト層を有する平面状の基板面SSが本質的に投影対物レンズの平面状の像面ISと一致するように配置される。前記ウェーハは、スキャナ駆動装置からなって、該ウェーハをマスクMと同期的に該マスクと平行に移動させる装置WS(ウェーハ段)によって保持される。この装置WSは、さらにまた、マニピュレータを含んで、前記ウェーハを光軸OAに対して平行なZ方向と前記軸に対して垂直なXおよびY方向とのいずれにも移動させる。前記光軸に対して垂直に延在する少なくとも1本の傾斜軸を有する傾斜装置が一体化される。
ウェーハWを保持するために用いられる前記装置WS(ウェーハ段)は、浸漬リソグラフィー用に構成される。前記装置は、スキャナ駆動装置により移動せしめられうるとともに、その底部がウェーハWを受ける平坦な凹部を有する受容装置RDからなる。周縁部は、液体浸漬媒質IM用の上方に開口する扁平な液密受容部を形成し、前記浸液媒質は、図示されない装置によって前記受容部内に導入されるとともに、前記受容部から排出されうる。前記縁部の高さは、対物レンズの出射面とウェーハ表面との間における作動距離が適正に設定された場合に、充填される前記浸漬媒質がウェーハWの表面SSを完全に覆うことができ、かつ投影対物レンズPOの出射側端部部分が前記浸漬液内に浸りうるような寸法とされる。
投影対物レンズPOは、平凸レンズPCLを像面ISに最も近い最後の光学素子として有し、前記レンズの平面状出射面が投影対物レンズPOの最後の光学面となる。投影露光システムの動作時において、前記最後の光学素子の出射面は、浸漬液IM内に完全に浸されるとともに、前記浸漬液によって濡らされる。本例の場合は、屈折率n≒1.437(193nm)を有する超純水が浸漬液として用いられる。
図1の差込略図に示されているように、照明システムILLは、弓形の形状を有する照明フィールドIF(円環状フィールドまたは環状フィールド)を生じしめることができる。この弓形照明フィールドの大きさおよび形状は、マスク上のパターンの像を投影対物レンズの像面に投影するのに実際に用いられる投影対物レンズの有効物体フィールドOFの大きさおよび形状を決定する。照明フィールドIFは、走査方向に対して平行な長さAと、走査方向に対して垂直な幅Bとを有する。光軸により近い湾曲状内側縁部IEと、光軸からより離れるとともにY方向に長さAだけ半径方向に偏移する外側縁部OEとは、同じ縁部半径を有する。幅方向(X方向)の側方縁部領域は、X方向と光軸(Z方向)とにより形成される交差メリジオナル平面CMPと重複する一方で、Y軸上における内側縁部IEの中心区域は、光軸からある半径方向距離を有する。前記照明フィールドは光軸を含まない(軸外照明フィールド)が、走査方向に対して垂直な交差メリジオナル平面を横切って両側に延在することが独特の特徴である。以下でも図2に関連して説明される、照明システムと投影対物レンズとの間の界面における特定の条件が、以下に詳細に説明されるように、コンパクトな軸方向および半径方向の寸法を有する高いNAの浸漬対物レンズの使用を可能にする。
本発明により解決されるひとつの問題を概説するものとして、図2に、マイクロリソグラフィーの投影工程において実際に用いられる有効物体フィールドOFが、投影対物レンズの設計物体フィールドDOF内においてどのように配置されうるかを示す、投影対物レンズの物体フィールド側における軸方向図のさまざまな略図が示されている。
図2(a)〜(c)に、従来設計の例が示される一方で、図2(d)には、本発明の実施形態が示されている(図1の差込図参照)。RDOFおよびREOFという用語は、(e)に図示されている。全ての例において、有効物体フィールドOFの長さAおよび幅Bに関する大きさ、したがってアスペクト比AR=B/Aは、同一である。好ましくは、前記アスペクト比は、2:1〜10:1の範囲内とされうる。有効物体フィールドを外囲する円形部分は、半径REOFを有しており、この半径は、図2の全ての例において同一である。各々の例において、有効物体フィールドOFは、光軸OAに対して、有効物体フィールド内の全てのフィールド点が、所定の開口数において、投影ビームの口径食を生じることなく結像せしめられるように配置される。
設計物体フィールドDOFは、有効物体フィールドを外囲する、光軸OAと同軸の最小半径RDOFの円形部分である。この設計物体フィールドは、意図されるリソグラフィー工程に関して十分な結像忠実度を有する投影対物レンズにより投影されうる物体面の全てのフィールド点を含む。換言すれば、RDOFより小さい半径座標を有する区域内において、全ての像収差は、意図される投影の目的に関して十分に補正される一方で、少なくとも1つの収差は、設計物体フィールドの外側のフィールド点における所望のスレッショルド値を上回る。有効物体フィールドの形状および位置によって、光軸上および光軸の近傍のフィールド点を含む設計物体フィールドの全てのフィールド点は、十分に補正されうる。軸外有効物体フィールド、特に弓形の形状を有する軸外有効物体フィールド用に設計される投影対物レンズにおいては、十分な補正状態を有するフィールド点が、光軸のまわりにおいて環状区域(有効物体フィールドの位置を含む)を形成する一方で、光軸上および光軸のまわりの領域は、十分に補正されなくてもよい場合もありうる。設計物体フィールドの大きさは、設計物体フィールド半径RDOFを特徴とする。投影対物レンズの補正が容易になるほど、設計物体フィールド半径は小さくなるため、一般に、設計物体フィールド半径を最小限にすることが望ましい。
その一方で、効率的な投影工程を達成して、たとえば微細構造の半導体素子を製造するためには、有効に使用される物体フィールドOFを十分に大きくすることが望ましい。走査操作用に設計されるほとんどの投影露光システムでは、スリット状の物体フィールドOFが用いられ、結像対象のパターンと露光対象の基板とが、投影段階において走査方向Yに同期的に移動せしめられる。従来的に、走査方向Yに対して平行な長さAと、前記走査方向に対して垂直な幅Bとを有する矩形の有効物体フィールドOFが用いられている((a)および(b)参照)。さらにまた、しばしば「円環状フィールド」または「環状フィールド」と呼ばれる弓形の物体フィールドが用いられることも周知である。図(c)に示されるように、弓形のフィールドは、交差走査方向X(走査方向Yに対して垂直)において同じ幅Bを有する寸法とされうる。光軸により近い内側縁部IEと、光軸からさらに遠い外側縁部OEとは、同じ縁部半径Rを有しており、この縁部半径は、偶然にも、図(c)の例においては設計物体フィールド半径RDOFに対応するが、有効物体フィールドのベンディングによっては、前記半径と異なりうる(図6参照)。有効物体フィールドOFの長さAは、走査方向Yにおける内側縁部IEと外側縁部OEとの間の半径方向の偏移によって決定される。
前記のように、有効物体フィールドを外囲する円形部分は、AおよびBにのみ従属するとともに、全ての例に関して、以下のように計算される半径REOFを有する:
Figure 2007532938
(a)の例は、純屈折性の投影対物レンズまたは偏光ビームスプリッター等の物理的ビームスプリッターを有するカタジオプトリック投影対物レンズまたは中心瞳オブスキュレーションを有するカタジオプトリック投影対物レンズに一般的である、光軸OAを中心とする有効物体フィールドを示す。ここで、共心有効物体フィールドの設計物体フィールド直径
Figure 2007532938
に関して、以下の条件が成り立つ:
Figure 2007532938
「有効エタンデュ」は、本明細書において、物体側開口数と有効物体フィールドの半径REOFとの積として定義される一方で、「設計エタンデュ」は、本明細書において、物体側開口数と設計物体フィールドの半径RDOFとの積として定義されることを考慮すると、エタンデュ比γは、以下のように定義される:
γ=RDOF/REOF
共心有効物体フィールドを有する設計は、γ=1の最適エタンデュ比を有することとなり、相対的に大きい有効物体フィールドが、相対的に小さい寸法の設計物体フィールドを用いて結像せしめられうることがわかる。
本明細書の最初に説明されたように、共心の有効物体フィールドは、放射を凹面鏡に、かつ/または凹面鏡から案内する1個以上の平面状の折曲鏡を有するカタジオプトリック投影対物レンズには使用され得ない。その代わりとして、軸外の物体フィールドが用いられなければならない。図(b)に一例が示されている。最小限の要件として、矩形の有効物体フィールドOFの内側縁部IEは、光軸OAのすぐ外側においてY≒0の位置に配置されなければならない。この場合は、この偏心(軸外)有効物体フィールドのまわりにおける設計物体フィールドの半径
Figure 2007532938
は、以下の条件を満たすことになる:
Figure 2007532938
しかし、現実的なシステムにおいては、製造許容差が観察されなければならないため、かつ中間像を正確に折曲鏡上に配置することは一般に推奨されないか、または不可能であるため、有限の偏移OYが、有効物体フィールドOFの内側縁部IEと光軸OAとの間において存在する。したがって、この現実的な場合の矩形の有効物体フィールドにおける設計物体フィールド半径
Figure 2007532938
の合理的な最低値は、以下の条件において観察されると考えられる:
Figure 2007532938
図2(a)および(b)間における比較から、軸外有効物体フィールドを有する投影対物レンズは、一般により大きい半径の設計物体フィールドを必要とすることは明白である。任意の開口数において、この要件は、一般に、共心有効物体フィールドを有する純屈折性のシステムまたはその他のシステムと比べて、レンズおよびその他の光学素子の大きさを増大させる必要性に対応する。
同様の問題は、軸外の弓形フィールドが用いられる場合に認められる(図(c)参照)。一般に、走査方向における最小限の偏移OYが、口径食を回避するために必要とされる。
以下に示されるように、本発明の好適な実施形態にしたがったカタジオプトリックインライン投影対物レンズは、
Figure 2007532938
の半径を有する設計物体フィールド内に配置される長さAおよび幅Bを有する有効物体フィールドを、口径食を生じることなく結像させることを可能にし、ここで、
1≦γ<1.4
である。
矩形の有効物体フィールドを有する好適な設計が、γ≧1.4以上を特徴とすることが見出されたことを考慮すると、より好ましいエタンデュ比に向けたさらなる改良は、投影対物レンズを、所定の形状を有する弓形の有効物体フィールドが口径食を生じることなく結像せしめられうるように設計することによって得られる。ここで、エタンデュ比γ<1.2が得られうる。いくつかの実施形態においては、軸外有効物体フィールドを交差メリジオナル平面CMPと側方縁部領域内で重複させることができる(図2(d)参照)。ここで、エタンデュ比γ<1.1が得られうる。
図1に関連して例証的に説明されたようなマイクロリソグラフィー用投影露光システムに用いられるようにされるカタジオプトリック投影対物レンズの好適な実施形態を以下に詳細に説明する。
以下に示される全ての実施形態において、全ての曲面鏡の曲率面は、鏡群軸をも示す共通の回転対称軸を有する。鏡群軸は、投影対物レンズの光軸OAと一致する。偶数個の鏡を有するカタジオプトリック投影対物レンズ、特にインラインシステムとも呼ばれる軸対称装置が、このようにして得られる。これらの設計においては、いかなる平面状折曲鏡も用いられないか、または必要とされない。有効物体フィールドおよび像フィールドは、軸外であり、すなわち光軸からある半径方向距離に配置される。全ての装置は、光軸を中心とする円形の瞳を有して、以ってマイクロリソグラフィー用投影対物レンズとして使用されうる。
図3に、平面状の物体面OS(物体平面)内に配置されるレチクル上のパターンの像を平面状の像面IS(像平面)上にある縮尺、たとえば4:1で投影する一方で、正確に4個の中間実像IMI1、IMI2、IMI3およびIMI4を創出するように設計されるカタジオプトリック投影対物レンズ300の実施形態のメリジオナル平面(Y−Z平面)におけるレンズ断面図が示されている。光軸OAの外側に配置される軸外有効物体フィールドOFは、これにより、軸外像フィールドIF上に投影される。前記有効物体フィールドOFは、一般に図2(d)にしたがった形状の弓形「環状フィールド」である。メリジオナル平面(図の平面)内における軸外物体フィールドOFの外側フィールド点の主光線CRの軌道は、ビーム路を辿りやすくするために、太線で図示されている。
本出願において、「主光線」(プリンシパルレイとしても知られる)という用語は、有効に使用される物体フィールドOFの最外側フィールド点(光軸から最も遠い)から放射されるとともに、少なくとも1個の瞳面位置において光軸と交差する光線を指す。システムの回転対称性により、主光線は、実証のために図に示されるように、メリジオナル平面において物体高さRDOFを有する同等のフィールド点から選択されうる。物体側において本質的にテレセントリックである投影対物レンズでは、主光線は、物体面から平行に、または光軸に対して非常に小さい角度をなして出射する。結像工程は、さらにまた、周辺光線の軌道を特徴とする。本明細書において用いられるところの「周辺光線」とは、軸方向の物体フィールド点(光軸上)から開口絞りASの縁部へと至る光線である。この周辺光線は、軸外有効物体フィールドが用いられる場合は、口径食により像形成に寄与しないことがある。主光線および周辺光線は、投影対物レンズの光学特性を特徴付けるために選択されうる。
5個のレンズによってもたらされる正の屈折力を有する、物体面のすぐ後続の第1のレンズ群LG1は、結像サブシステムとして作用して、第1の中間像IMI1を形成する。物体面と第1の中間像との間において形成される前側瞳面FPSは、第1のレンズ群LG1の像側端部領域内において、主光線CRが光軸OAと交差する軸方向位置に配置される。
光軸に垂直な鏡群平面MGPに対して鏡面対称に配置される4個の凹面鏡M1、M2、M3およびM4によって構成される純反射性の(カトプトリック)鏡群MGは、前記第1の中間像から第2の中間像IMI2を、かつ前記第2の中間像から第3の中間像IMI3を形成するように設計される。全ての中間像IMI1、IMI2、IMI3は、凹面鏡によって形成されるカタジオプトリック空洞部内に配置される。
4個の正レンズによってもたらされる正の屈折力を有する第2のレンズ群LG2は、前記第3の中間像IMI3から第4の中間像IMI4を形成する結像システムである。第3および第4の中間像間において形成される後側瞳面RPSは、第2のレンズ群の入口領域内において、該レンズ群の第1のレンズの入射面に接近して位置する。
12個のレンズ(2個のみが負レンズ)によってもたらされる正の屈折力を有する第3のレンズ群LG3は、縮小倍率を有する集束レンズ群として設計されて、前記第4の中間像IMI4を像面IS上にある縮尺で結像させる。
極小ビーム直径を特徴とするくびれ領域CONは、第4の中間像IMI4の位置を含んで、第2および第3のレンズ群LG2およびLG3間において形成される。
第1のレンズ群LG1は、物体フィールドから到来する放射を鏡群入口の方へと収束させるように設計される前側レンズ群FLGを形成する。第2のレンズ群LG2と第3のレンズ群LG3とは、組み合わさって、鏡群出口MGOから出射する放射を像面上に集束させる後側レンズ群RLGとしての役割を果たす。
純反射性の(カトプトリック)鏡群MGは、ペッツヴァルの和の強力な過剰補正をもたらして、該鏡群の上流および下流のレンズの正の屈折力の逆の効果を打ち消すように設計される。この目的のために、鏡群MGは、光軸に対して物体フィールドOFとは反対側に配置される第1の凹面鏡M1と、光軸に対して物体フィールド側に配置される第2の凹面鏡M2と、これもまた光軸に対して物体フィールド側に配置される第3の凹面鏡M3と、物体フィールドとは反対側に配置される第4の凹面鏡M4とによって構成される。凹面鏡の各鏡面は、物理的な鏡面の縁部を超えて延在し、かつ該鏡面を含む数学的な面である「曲率面」または「曲率の面」を形成する。全ての凹面鏡は、光軸上において共通の回転対称軸を有する回転対称の曲率面の一部分である。
物体側の鏡M2およびM4は、共通の鏡基板上に形成される共通の曲率面を有する鏡対を形成する。鏡群入口MGIは、鏡M2およびM4間において光軸を含む前記鏡基板内の穴によって形成される。鏡の構成が、光軸に対して垂直な対称面(鏡群平面MGP)に対して鏡面対称であるため、鏡群出口MGOが第3の鏡M3と第1の鏡M1との間において共通の鏡基板内の穴により形成される出口側において、対称条件が得られる。鏡群入口MGIと鏡群出口MGOとのいずれもが光軸を含む。
鏡群入口MGIは、前側瞳面FPSに幾何学的に近接する軸方向位置を有する。主光線高さ(すなわち光軸と主光線との間における半径方向距離)は、前側瞳面において零に等しいため、鏡群入口の透光部における入口主光線高さCRHIは小さい。図3において、点TIは、主光線が鏡群入口を通過する位置を示す。主光線が位置R1(点)において衝突する第1の鏡M1上における反射後に、放射ビームは、光軸を横切って、第2の鏡M2に入射する。第2の鏡の第2の反射部分(フットプリント)は、主光線が第2の鏡に衝突する位置R2(点)を含む。対応する第2の主光線高さCRH2は、第1の主光線高さより大きい(光線高さは、この場合は物体フィールド側を正値として、光軸に対して半径方向に測定される)。第2の中間像の形成および第3の鏡M3(主光線がR3において衝突する)上における反射の後に、放射ビームは、再び光軸を横切って、第4の鏡M4上において、主光線が該第4の鏡上で反射される位置R4(点)を含む第4の反射部分に入射する。対応する第4の主光線高さCRH4は、入口主光線高さCRHIより小さくなる。さらにまた、第2および第4の主光線高さCRH2およびCRH4は、互いに逆の符号を有する。さらにまた、ビームが鏡群から出射する位置(TO)において測定される出口主光線高さCRHOより、第1の主光線高さCRH1は小さく、第3の主光線高さCRH3は大きくなる。また、第1および第3の主光線高さCRH1およびCRH3は、逆の符号を有する。
入口主光線高さCRHIの小さい絶対値は、鏡群入口が瞳面に緊密に近接していることを示す。これに対して、第2および第4の反射における主光線高さの大きい絶対値は、これらの反射が、瞳面から光学的に遠く離れて、近くのフィールド面(第2の反射の場合はIMI2、第4の反射の場合はIMI3)に光学的により接近して起こることを示す。鏡群の対称性により、第1および第3の鏡M1、M3上における反射もまた、瞳面よりフィールド面に接近し、鏡群内における全ての反射が、瞳面から光学的に遠いフィールド面に接近して起こることがわかる。
鏡群の対称性により、前側瞳面FPSは、鏡群入口付近に配置される一方で、光学的に共役の後側瞳面RPSは、鏡群出口付近に位置する。鏡群内において、3個の中間像(フィールド面に対応)が配置される。光の伝搬路に沿って見ると、第1の中間像IMI1は、M1における第1の反射の上流に配置され、第2の中間像IMI2は、M2およびM3間において第2および第3の反射間に配置され、第3の中間像IMI3は、M4における第4の反射のすぐ下流に配置される。鏡群平面MGPは、鏡群入口と鏡群出口との間において、投影ビームにより5回通過される。
物体面に最も近い鏡頂点(鏡M2、M4)と像面に最も近い鏡頂点(鏡M1、M3)との間における軸方向距離として定義される軸方向鏡群長さMGLは、投影対物レンズの軌跡全長TT(物体面と像面間の軸方向距離)の30%未満となり、軸方向にコンパクトな鏡群であることがわかる。
前記第2の中間像は、主光線CRが第2の中間像の領域において光軸に対して略平行に進むという事実によって示されるように、本質的にテレセントリックである。本質的に平行なビームが、第1および第2の鏡M1、M2間において存在して、第2の瞳面P2を第2の鏡の焦点に接近して形成する。同様に、平行ビームは、第3および第4の鏡M3、M4間において存在して、第3の瞳面P3を第3の鏡M3の焦点付近に形成する。
投影対物レンズ300は、対物レンズの出射面と像面との間における高屈折率浸漬液、たとえば純水とともに用いられる場合にNA=1.35の像側開口数を有するλ=193nm用浸漬対物レンズとして設計される。詳細は、表3にまとめられている。最左側欄に、屈折性、反射性またはその他の指定の面の番号が列挙されており、第2欄に、その面の半径r[mm]が列挙され、第3欄には、光学面の「厚さ」と呼ばれるパラメータである、その面と次の面との間における距離d[mm]が列挙され、第4欄には、その光学素子の製造に用いられる材料が列挙され、第5欄には、その材料の屈折率が列挙されている。第6欄には、その光学素子の光学的に利用可能な有効半径[mm]が列挙されている。表中の半径r=0は、平面(無限半径を有する)を示す。
表3の数多くの面は、非球面である。表3Aに、これらの非球面の関連データが列挙されており、このデータから、高さhの関数としての面形状のサジッタまたは突出高さp(h)が、下式を用いて計算されうる:
Figure 2007532938
ここで、半径の逆数(1/r)は、問題の面の面頂点における曲率であり、hは、光軸からその面上の点までの距離である。したがって、サジッタまたは突出高さp(h)は、前記問題の面の頂点から前記点までのz方向、すなわち光軸に沿って測定される距離を表す。定数K、C1、C2等は、表3Aに列挙されている。
図3の実施形態において、物体側の鏡M2およびM4は、同じ曲率面を有して、両方の鏡に共通の鏡基板を用いることが可能になっている。同様に、像側の鏡M1、M3の面曲率は同一であり、これらの鏡に共通の基板を用いることが可能になっている。しかしながら、物体側の鏡と像側の鏡との曲率面は、異なる。また他の実施形態においては、物体側の鏡と像側の鏡とが同一の面曲率を有し得、以って鏡群の鏡の製造が容易になりうる。また、4個の別々の鏡基板を用いて、以って面曲率と各鏡の頂点位置とに関して収差制御の柔軟性を高めることを可能にすることもできる。
有効に使用されるフィールドに関して高い幾何学的光伝導値(エタンデュ、開口数と対応するフィールドの大きさとの積)を得るためのいくつかの考慮事項を以下に示す。前記に説明されたように、放射は、瞳面(前側瞳面FPS)に幾何学的に接近している鏡群入口MGIにおいて4枚鏡式設計に入射し、鏡群出口MGOもまた瞳面(後側瞳面RPS)に幾何学的に接近しており、鏡群が光学システム内において瞳結像を行なうことがわかる。さらに、各々の鏡面は、鏡が光学システムの瞳面よりフィールド面に光学的に接近しているという意味において、フィールド面(中間像)に光学的に接近して配置される。特に、主光線高さは、周辺光線高さより大きく、鏡面において周辺光線高さの2倍をも上回る。瞳面の領域におけるビームの口径食を回避するために、ビームは、鏡群入口または鏡群出口を形成する鏡の幾何学的に最も近い縁部を通過しなければならない。鏡上におけるビームのフットプリントに関しては、フットプリント全体が、口径食を引き起こす鏡の縁部を通過するのではなく、鏡の反射部分上に位置するように注意しなければならない。また他の実際的な要件は、十分に大きい有効物体フィールドを可能な限り光軸の近くに得て、投影対物レンズが十分に補正されなければならない設計物体フィールド直径を最小限に抑えることである。これらの条件下において、瞳の大きさ(すなわち瞳面におけるビームのビーム直径)が、鏡群入口と鏡群出口とに幾何学的に接近する瞳平面において可能な限り小さくなるように光学システムを設計することが有効であることがわかった。この部分における小さい瞳により、幾何学的に接近したフィールド(隣接する鏡上または該鏡の近辺にある)を、ビームを鏡縁部に衝突させることなく、光軸に可能な限り接近させて位置させることが可能になる。さらに近軸主光線角度CRAと瞳の大きさとの積が光学結像システムにおいて定数(ラグランジュの不変量)であることを考慮すると、小さい瞳は、その瞳面における大きい主光線角度に対応する。これに関連して、本明細書に示される種類の鏡群を有するカタジオプトリックインラインシステムにおいては、最大主光線角度CRAmaxを臨界値より大きくして、以って鏡群入口および鏡群出口に近接して小さい瞳と斜めビーム路とを形成させて、さらに、それによって高開口数においても大きい軸外物体フィールドを光軸に近接して位置させることが有効であることがわかった。
鏡群入口に近接する前側瞳面FPSにおける最大主光線角度CRAmaxは、図3において約40°である。CRAmaxの有効値は、約20°〜約50°の間の範囲内でありうる。より低い値では、瞳の大きさが増大して、補正対象となる設計物体フィールド直径を大きくしなければ口径食を回避することがより困難になる。前記上限より高い値では、鏡面を光軸からさらに遠くまで延在させなければならないことがあり、以って鏡群の大きさが半径方向に拡大するとともに、鏡の製造と取付けとがより困難になる。
投影対物レンズは、図2(d)に示されるものと同様の弓形の環状フィールドから発する放射を、口径食を生じることなく投影するようになっている。その結果として、設計物体フィールド半径RDOFは、共心の軸外物体フィールド(図2(a))を有するシステムにおいて得られうる最小設計物体フィールド半径REOFに非常に近くなる。ここで、RDOF=56mmの設計物体フィールド半径が、B=26mmおよびA=5.5mmを有する環状フィールドに関して得られる。REOF=53.15となり、これは、エタンデュ比γ=1.05に対応する。
γの値をさらに一層小さくして、γ=1に近づけること、またはさらにはγ=1にすることが可能である。しかし、この場合は、より極端な形状の環状フィールドが必要になる。
投影対物レンズを透過する投影ビームの特定の特性を以下に図4を参照して説明する。(a)に、図3のシステムが示されており、物体側の鏡M2、M4と像側の鏡M1、M3との曲率面は、各対をなす鏡M1、M3およびM2、M4が1個の鏡対として共通の基板上に形成されうることを示すために、光軸を横切って延在せしめられている。図(b)および(c)には、投影ビームの「フットプリント」が示されている。投影ビームの「フットプリント」は、光軸に対して直交する任意の面における投影ビームの大きさと形状とを表す。前記図のビームのフットプリントは、物体側の鏡または像側の鏡の曲率面上において選択されるフィールド点のフィールド点フットプリントの軸方向投影図(Z方向に対して平行)によって得られる。図4(b)の投影図に、鏡群入口MGIに近接する物体側の鏡M2およびM4上における反射の状態と、投影ビームが鏡群に入射するMGIを形成する透光部における状態とが示されている。これに対して、図4(c)には、鏡群出口MGOに近接する像側の鏡M1およびM3上における状態が図示されており、以って像側の鏡M1、M3上における反射のフットプリントと、投影ビームが鏡群MGから出射する、光軸のまわりの透光部におけるフットプリントとが示されている。
いずれの側においても、光軸を含むとともに鏡群に入射または鏡群から出射する時の投影ビームを表す中央のフットプリントは、光軸のY方向のいずれかの側における鏡上での反射を表す上方または下方の腎臓形のフットプリント(y方向)と重複しない。遷移時(MGIまたはMGOにおける)のフットプリントと、M1〜M4での反射を表すフットプリントとの間における重複がないため、鏡群の入口または出口付近において、ビームの口径食が回避される。
さらに、それぞれM2、M4またはM1、M3での反射を表す上側および下側のフットプリントは重複しない。これらのフットプリントが重複することなく介在し合うことは明らかである。これは、交差走査方向(X方向)の反射フットプリントが有意に異なる寸法を有することによって可能になる。各々の場合において、x方向の上側の反射(それぞれM2またはM3)のフットプリントの直径は、それぞれM1、M4における下側の反射のそれぞれの直径の80%未満または70%未満である。この大きさの相違により、各フットプリントに関して、側方縁部(X方向)が、光軸と交差走査方向であるX方向とによって張られる交差メリジオナル平面CMPを横切って延在するように、フットプリントを介在させることが可能になる。フットプリントを重複させずに、このような態様で介在させることができるため、円弧状の有効物体フィールドOFは、側方縁部(X方向)がX−Z平面(交差メリジオナル平面CMP)を横切って延在するような態様で、物体フィールドに接近して配置されうる(図2(a)参照)。これにより、非常に小さい半径の設計物体フィールドDOFを得ることができて、光学設計が有意に容易になる。
鏡上のフットプリントが、図4(b)、(c)に示されるように重複しない実施形態において、鏡群のそれぞれの鏡は、同一または同様の頂点位置を有しうる物理的に分離された鏡として設計されうる。次に、鏡縁部の実際の形状を限定する鏡の物理的な分離は、口径食を回避するために、反射されるそれぞれのフットプリントの腎臓形の形状に適合せしめられなければならない。
光軸のいずれかの側の2個の鏡が共通の鏡基板上において共通の曲率面を共有する実施形態では、関連ある反射、たとえば物体側の鏡M2およびM4上における反射のフットプリントは、ビームの口径食を引き起こすことなく重複しうることは、注目に値する。
前記に指摘されたように、曲面鏡によって形成される曲率面上における投影ビームのフットプリントが、介在し合うか、または寄り添い合う態様に配置されうるような寸法を有する場合は、小さい設計物体フィールド半径を得ることが有利であることがわかった。たとえば、M2およびM4における反射の腎臓形フットプリントは、鏡群入口MGIにおいて鏡M2およびM4により形成される曲率面を介した投影ビームの透過を表す中央のフットプリントのまわりにおいて寄り添っている。さらにまた、M2およびM4における異なる寸法の反射フットプリントは、該フットプリントが、好ましくはフットプリントの側方縁部領域が交差メリジオナル平面CMPと重複する程度に互いに寄り添い合うことを可能にする。
中間像に近接するフットプリントの寸法は、主に光学システム内におけるそれぞれの位置での投影ビームの主光線高さCRHによって決定されることは、注目に値する。たとえば、反射に対応する主光線高さと幾何学的に近接する透光に対応する主光線高さとが、等しいが、逆の符号を有する場合は、フットプリントの側方縁部は、直接対向し合って、側方縁部が交差メリジオナル平面を超えて延在することはありえないようになる。このような条件下では、図2(d)に略図で示されるような最小限の大きさの円弧状の有効物体フィールドは、一般に不可能である。
観察されるフットプリントが、光学的に共役の中間像の領域内にあるシステムでは、比較されるフットプリントは、本質的に鮮鋭な物体フィールドの像を表す。この場合は、それぞれのフットプリントにおける主光線高さの比は、本質的に、中間像間における倍率に対応する。倍率が単一体と有意に異なる場合は、有意に異なる寸法のフットプリントが得られ、これによって、フットプリントを本質的に図4(b)および(c)に示されるように互いに介在させることが可能になる。しかし、フットプリントの大きさが決定される臨界面が、中間像の有意に外側に位置する場合は、フットプリントの大きさは、それぞれの位置における周辺光線高さにも影響され、これは、本質的に、焦点はずれ量または次の中間像までの光学距離を示す。この場合も、主光線高さの有意な差が、有意に異なる寸法を有するフットプリントを得て、図4(b)および(c)の配置と同様の介在配置を可能にするための前提条件になると思われる。
図5に、鏡群の凹面鏡の所定の曲率面におけるフットプリントの代表的な例が図示されて、第1の反射部分における第1の主光線高さと関連ある第2の部分(反射性または透過性)における同じ主光線の第2の主光線高さCRHとの間における主光線高さ比RCRH=CRH/CRHと、フットプリントの相対的な大きさとの間における関係が示されている。主光線CRの入射位置は、(c)において、それぞれCRおよびCRとして示される。各々の場合において、有効物体フィールドは、一般に、図2(d)にしたがった形状および位置(縁部が交差メリジオナル平面CMPと重複)を有して、極端な環状フィールドにおいてγを1に近づけること、またはγ=1にすることを可能にする。フットプリントは、観察される前記面が正確に中間像によって形成される面内にないことによる焦点はずれを示す円によって取り巻かれる各フィールド点(点)における主光線を示すいくつかの個別のフィールド点によって形成される。
CRH=1(図(a)参照)の場合は、フットプリントは、本質的に同じ大きさを有し、このために、フットプリントは、側方縁部領域において重複することになる。両方のフットプリントが鏡対の同じ鏡面上における反射に対応しない限り、ビームの口径食が起こる。RCRH=1.3(図(b)参照)でも、依然としてフットプリントの重複が起こる。(c)において、第2の部分内における下側のフットプリントの大きさは、主光線高さ比が約RCRH=1.6に増加するため、さらに減じられる。いかなる重複も起こらず、介在し合うフットプリント間において、十分な余裕高(側方距離)が得られて、口径食のない結像が可能になることは明白である。余裕高と大きさの差とは、主光線高さ比が、たとえば、(e)において、RCRH=約8.0に増加すると増加する。鏡面を中間像により接近させて配置することができる場合および/または有効物体フィールドの長さAが、前記の実施形態の場合より小さく選択される場合は、フットプリントの分離が、RCRHがより小さい値、たとえばRCRH=1.4でも得られうる。
したがって、投影ビームが、第1の主光線高さCRHにより表される、鏡群の曲面鏡の第1の反射部分において所定の大きさのフットプリントを生じしめ、投影ビームが、透光または反射のいずれであっても、同じ曲率面上において前記第1の反射部分に対して偏移する第2の部分に入射する場合は、第2の部分内における主光線高さに対応する第2の主光線高さCRHは、第1の反射部分における第1の主光線高さと有意に異なって、それぞれのフットプリントが、口径食を引き起こすことなく、緊密に近接することが可能になる。主光線高さの差は、設計の全ての曲面鏡に関して得られなければならない。好ましくは、
|RCRH|<1/α または |RCRH|>α
かつ
α=1.4
の条件が、第1の反射部分における第1の主光線高さと関連ある第2の部分における第2の主光線高さCRHとの間における主光線高さ比RCRH=CRH/CRHに関して満たされるべきである。前記第2の部分は、投影ビームが、第1の反射が起こる曲面鏡により形成される曲率面を透過する透光部分でありうる。さらにまた、前記第2の部分は、第1の反射が起こる曲面鏡により形成される曲率面に近接する鏡面を有する鏡群のまた他の曲面鏡の反射面に付随することも可能である。好ましくは、α≧1.6、より好ましくは、α≧1.8、さらに一層好ましくは、α≧2.0である。図3の実施形態において、TOでの出射ビームと第3の鏡での反射(R3)との間において像側で測定すると、α=2.92となる。
図3および4の実施形態において、投影対物レンズのそれぞれのフィールド面に近接する反射を表すフットプリント(中間像)は、互いに有意に離間することは明白である。同様に、有意な側方距離が、中央のフットプリント(瞳フットプリント)と、隣接するフィールドフットプリント(反射に対応)との間において存在する。このことは、図4(b)に示されたフットプリントの略図である図6(a)の略図に示されている。こうした条件下において、環状フィールドの大きさは、たとえば長さAを10%または20%または30%だけ増加させることにより、増大せしめられうる。この場合に、より大きい有効物体フィールドが得られて、以って製造工程の生産性が高まる。
また、弓形フィールドの曲率(またはベンディング)を減じること(たとえば、フィールドの内側および外側縁部の縁部半径を増加させることによる)も可能である。これは、図6(b)および(c)の略図に示されている。図6(c)に示されるように、弓形フィールドの曲率または「ベンディング」Bは、B=b/aによりパラメータ化され得、ここで、aは、有効物体フィールドと設計物体フィールドDOFの縁部との間における接点を通る割線と設計物体フィールドDOFの縁部との間における半径方向の距離であり、bは、前記割線と有効物体フィールドの外側縁部との間における半径方向の距離である。ここで、矩形の有効物体フィールドの場合は、B=0であり、対応する設計物体フィールドのように湾曲する外側縁部を有する有効物体フィールドの場合は、B=1である。0<B<1の場合は、メリジオナル断面におけるフットプリントは、互いにより近くに移動する一方で、フィールドの側方縁部(X方向)のフィールド点は、本質的に変化しないままになる。この種の扁平な環状フィールドの使用は、オーバースキャンを減少させるとともに、より単純な照明システムの使用を可能にするために用いられうる。
図7において、さまざまな値のベンディングパラメータBおよびエタンデュ比γにおける凹面鏡の曲率面内のフットプリントの形状の略図が、(a)〜(c)には円弧状の有効物体フィールドに関して、(e)には、比較のために、b=0の矩形の有効物体フィールドに関して示されている。
図8に、互いに向き合うとともに、光軸の相反する側に配置される2個の凹面鏡のみを有する鏡群MGを有する投影対物レンズ800の図が示されている。詳細は、表8、8Aに示されている。この投影対物レンズは、結像サブシステムとして作用して、第1の中間像IMI1を形成する前側レンズ群FLGを有する。第2のカトプトリックサブシステムは、鏡群MGによって形成されるとともに、前記第1の中間像から第2の中間像IMI2を形成させるように設計される。後側レンズ群RLGは、結像サブシステムとして設計されて、前記第2の中間像を像面IS上にある縮尺で結像させる。鏡MGは、物体側を向く連続的な(非断続的)鏡面を有する第1の凹面鏡M1と、像側を向く連続的な鏡面を有する第2の凹面鏡M2とによって構成される。鏡群入口MGIは、第2の鏡M2によって形成される曲率面が光軸OAと交差する領域内に形成される一方で、鏡群出口MGOは、第1の鏡M1の曲率面が光軸と交差する領域内に形成される。両方の中間像(少なくとも該中間像の同軸部分)は、前記凹面鏡によって形成される鏡間空間内に配置される。いずれの鏡も、光学的に中間像付近、すなわち瞳面から光学的に遠くに配置される。鏡群入口は、幾何学的に、前側レンズ群FLGの出口レンズの近傍の前側瞳面FPSと第1の中間像との間の中間領域内に配置される。鏡群出口MGOは、前記第2の中間像の光学的に近傍かつ開口絞りASが配置される後側瞳面RPSから光学的に遠くに位置する。
前記第2の中間像IMI2を強い縮尺で像面IS上に結像させる役割を果たす屈折性結像サブシステムRLGは、くびれ領域CONの近傍において小直径を有する3個の負レンズによりもたらされる負の屈折力を有する。これらのレンズは、ペッツヴァルの和の補正に寄与する。
図8の実施形態は、本出願人の2004年1月14日出願の米国仮出願第60/536,248号に開示されるところの基本設計を有する2枚鏡式インライン形カタジオプトリック投影対物レンズまたは本出願人の2005年2月23日出願の「カタジオプトリック投影対物レンズ」という名称の米国仮出願に開示されたシステムの変形態様である。これらの文献の開示内容は、参照により本明細書に取り入れられる。
弓形の物体フィールドOFと縮小像フィールドとの間において投影対物レンズを通過する投影ビームの固有の特性を以下に図9を参照して説明する。(a)において、図8のシステムは、物体側の鏡M2と像側の鏡M1との曲率面が、鏡の反射部分と、投影ビームが鏡の縁部を通過する対応する透光部との位置を示すために、光軸を横切って延在せしめられて図示されている。図9(b)に、鏡M1における出口側のフットプリントが示されており、図9(c)には、入口側のフットプリントが示されている。鏡群入口MGIにおける小直径のビーム断面と、フィールド面に近接する位置で予想される腎臓形と瞳面に近接する位置で予想される円形との中間物である形状とは、鏡群入口が前側瞳面FPSと第1の中間像IMI1との間の中間に位置することを示す。これに対して、M2における反射の湾曲状の形状が有効物体フィールドの形状(図2(d))と同様であることは、M2における反射と第2の中間像とが光学的に近接することを示す。(b)に示される出口側では、状況は異なる。ここで、環状の形状のフットプリントにより示される、M1における反射は、フィールド面に光学的に近接して起こる。入口側とは逆に、鏡群出口MGOに近接するビーム断面もまた、物体フィールドの形状に酷似する形状を有しており、鏡群出口MGOが、第2の中間像IMI2のフィールド面に光学的に近接して、かつ開口絞りASが配置される次の瞳面RPSから光学的に遠くに位置することがわかる。
図9(b)および(c)から、鏡M1およびM2における反射と、前記鏡のそれぞれの曲率面を介する幾何学的に最も近接する投影ビームの透過との間において、いかなる重複も起こらず、以って口径食が回避されることは明白である。さらにまた、M1およびM2における反射のフットプリントの側方縁部領域は、図2(d)に示されるように、交差メリジオナル平面CMPを超えて延在して、対応する物体フィールドが同様の特性を有することがわかる。反射時および透光時の対応するフットプリント間における主光線高さ比に関して、α=1.67の値が鏡群の像側において得られて、反射時および対応する透光時の主光線高さは、小さい設計物体フィールド半径において口径食を起こすことなく投影を可能にしうるだけの十分な差を有することがわかる。光軸に対向する鏡M1およびM2の縁部の可能な形状は、図9(b)および(c)に破線で示されている。側方鏡縁部(X方向)は、ビームの口径食を引き起こすことなく、交差メリジオナル平面CNPを超えて延在せしめられうることが明白である。この場合も、反射時のフットプリント(大)と対応する透光時のフットプリント(より小)との有意な大きさの相違によって、フットプリントを介在し合わせることが可能になる。ここで、設計物体フィールド半径RDOF=56mmが、B=26mmおよびA=5.5mmを有する環状フィールドにおいて得られる。REOF=53.15の場合、これは、エタンデュ比γ=1.05に対応する。
図10の略図に、非常に小さい設計物体フィールド半径において弓形のフィールドを投影するのに適する好適な実施形態のさらに他の独特の特性が示されている。図10(a)には、物体面上の軸方向図が示されている。斜線領域OCは、所定の像側開口数NA=1.35においてシステムにより口径食を生じることなく結像せしめられうる全ての物体フィールド点の集合体により形成される光チャネルを表す。この特定の光チャネルは、交差走査方向であるX方向に沿う側方縁部領域において交差メリジオナル平面CMPのいずれの側からもフィールド点を結像させる能力を有することは明白である。図(b)および(c)に、像側の鏡M1(b)と物体側の鏡M2(c)との領域におけるそれぞれのフットプリントが図示されている。これらの図から、光チャネルOCの外側縁部におけるフィールド点であっても、透過ビーム(MGOまたはMGIにおける)と反射ビーム(鏡M1またはM2における)との間において、いかなる重複も起こらないことは明白である。
図8の設計に基づいて、以下の考慮事項は、好適な実施形態の独特の特性をさらに説明する役割を果たしうる。物体が無非点収差的に歪みなく中間像に結像せしめられると仮定すると、鏡上のフットプリントは、フィールド点の焦点はずれによってのみ改変されて、形状において同様となる。この場合は、フットプリントの形状は、それぞれの位置における主光線高さと周辺光線高さとにより推定されうる。図をさらに簡単にするために、以下の図において、X方向の側方縁部における最外側フィールド点は、交差メリジオナル平面CMP上に配置されると仮定する(前記に説明されたように、側方縁部が交差メリジオナル平面と重複する場合に、設計物体フィールドの大きさの減少が達成されうる)。
フットプリントは、本質的に、以下に図11および12に関連して説明される3つの構成の1つをとりうる。図11に、フィールド面の近傍のフットプリント(腎臓形)と瞳面の近傍のフットプリント(光軸を含む円形)とがどのように配置されうるかが示されている。口径食に関する臨界位置は、有限の距離dがフットプリント間において存在しなければならないメリジオナル断面(Y−Z平面)の領域内にある。この臨界位置は、コマ光線の経路を適切に規定することによって制御されうる。小さい瞳、すなわち小さい周辺光線高さyとフィールドフットプリントの小さい周辺光線高さyとが、口径食を回避するために好ましい。
図2(d)に関連して説明されたように、設計物体フィールドの最小半径は、物体フィールドの縁部が交差メリジオナル平面を横切って延在する場合に、円環状有効物体フィールドにより得られうる。この場合には、物体面と光学的に共役のフィールド面に近接する位置における各フットプリントもまた、交差メリジオナル平面を横切って延在する。したがって、反射と幾何学的に近接する透光とがフィールド面に近接して起こる場合(たとえば図9(b)および図12に示されるように)は、フットプリントは、異なる寸法を有して、フットプリントの介在配置が可能になるはずである。図12に、フットプリントが光軸OAの相反する側に配置される事例が図示されている。また別の事例(図示せず)は、対応する中間像が光軸の同じ側に配置される実施形態に対応する。この場合は、コマ光線を制御することによって、口径食のない結像が可能になる。
図12に示される事例において、X方向のより小さい内側のフットプリントとより大きい外側のフットプリントとの間における側方距離dは、下式にしたがって、下限dを超えなければならない:
d=(|Y|―|y|)−(|Y|+|y|)>d
ここで、Yは、それぞれの位置における主光線高さであり、yは、周辺光線高さである。d>0の値は、フットプリント間における余裕高に対応する。この簡略化された方法では、物体フィールドの縁部の主光線は、有効物体フィールドの縁部における主光線と一致すると仮定されている。この限定事例は、図2(d)の略図に示される、最小設計エタンデュを有する最小構成においてのみ可能である。より現実的な方法では、フットプリント間における最小距離は、環状フィールドの斜めフィールド点から発するビーム束、中間像の収差量、環状フィールドの形状等に影響される。しかし、前記の条件にしたがった側方距離dの推定値は、良好な近似値となる。
次に、図12の事例を参照すると、光学的に共役のフィールド面に近接する2個のフットプリントが介在し合って、設計物体フィールド半径を最小限にすることを可能にしている。これは、
|Y|>|Y
の場合に可能となり、ここで、yおよびyは小さい。
周辺光線高さは、口径食に対して決定的な全ての位置において小さくならなければならないことを強調しておくべきである。したがって、以下の条件が、カタジオプトリックインライン投影対物レンズに関して満たされなければならない:
Figure 2007532938
かつ
Figure 2007532938
ここで、指数iは、反射面に対応し、指数jは、関連ある擬似面に対応する(曲面鏡によって形成される曲率面における反射または該曲率面を介した透光)。ここで、yは、鏡面上における周辺光線高さであり、yは、対応する透光位置における周辺光線高さであり、YおよびYは、それぞれの主光線高さであり、aijは、鏡面と対応する擬似鏡面との光学的自由直径の最大値であり、CおよびDは、定数である。第1の関係式から、単一のフィールド点のフットプリントは、可能な限り小さくなるべきであることがわかる。特に、小さい瞳は、高開口数において口径食を回避するのに有利である。第2の条件が満たされると、フットプリントは、たとえば図12に示されるように介在し合いうる。この条件が満たされると、設計エタンデュ値を従来技術の投影対物レンズに対して低下させることができる。C=0.5または0.3または0.2かつ/またはD=0.5または0.3または0.2が、口径食のない投影を達成するのに有利であると思われる。
図13に、光軸の相反する側のわずか2個の凹面鏡と3個の中間像とを有する鏡群を有する投影対物レンズ1300の実施形態が示されている。詳細は、表13、13Aに示されている。この投影対物レンズは、結像サブシステムとして作用して、第1の中間像IMI1を形成する第1のレンズ群LG1を有する。第2のカトプトリックサブシステムは、鏡群MGにより形成されるとともに、前記第1の中間像から第2の中間像IMI2を形成するように設計される。第2のレンズ群LG2は、結像サブシステムとして設計されて、前記第2の中間像から第3の中間像IMI3を前記鏡群に続く後側レンズ群RLGのくびれ領域CONにおいて形成する。正の屈折力を有する第3のレンズ群LG3は、前記中間像を像面IS上にある縮尺で結像させる役割を果たす。鏡群MGは、物体側を向く鏡面を有する第1の凹面鏡M1と、像側を向く鏡面を有する、光軸の反対側の第2の凹面鏡M2とによって構成される。鏡群入口MGIは、第2の鏡によって形成される曲率面が光軸と交差する領域内に形成される一方で、鏡群出口MGOは、第1の鏡M1の曲率面が光軸と交差する位置に形成される。両方の中間像(少なくとも該中間像の同軸部分)は、前記凹面鏡によって形成される鏡間空間内に配置される。いずれの鏡も、中間像付近、すなわち瞳面から光学的に遠くに配置される。鏡群入口は、幾何学的に、第1のレンズ群LG1の出口レンズの下流の前側瞳面と第1の中間像との間の中間領域内に配置される。同様に、鏡群出口は、第2の中間像と第2のレンズ群LG2の入口区域内の後続の瞳面RPS位置との間の中間に配置される。
放射ビームが第1および第2の鏡間において略直角に光軸を横切ることによって示される、主光線CRと光軸とのなす角度(主光線角度CRA)が、70°または80°以上もの大きさになりうることは、この種の2枚鏡式インライン投影対物レンズの独特の特徴である。これは、この瞳面における小さいビーム断面に対応する。高値の主光線角度は、鏡群の上流および下流において、それぞれ第1および第2の中間像の領域内でも得られる。ここで、設計物体フィールド半径(RDOF=54mm)は、B=26mmおよびA=5.5mmを有する環状フィールドの場合のREOF=53.15と略同一であり、したがってエタンデュ比γ≒1となる。
図8の実施形態と比較すると、凹面鏡M1およびM2がより強い曲率を有して、ペッツヴァルの和の補正に対するより強い作用をもたらしていることは明白である。また、主光線角度は、第2の中間像の下流の鏡群出口の領域においてより大きくなって、この領域においてより小さいビーム断面をもたらし、前記領域は瞳面により接近している。後側レンズ群RLG内における追加の中間像IMI3は、自由に接近可能であるとともに、それが望まれる場合は、視野絞りを配置することを可能にする。
前記説明から、フットプリントの大きさおよび形状は、像収差に影響されることは明白である。したがって、像収差の特定の制御によって、設計が、介在し合うフットプリントに対応する能力を高めることができる。たとえば、設計を最適化して、より小さいフットプリントに関しては内部コマ(主光線が点の重心より光軸により接近すること)を、より大きいフットプリントに関しては外部コマを可能にすることができる。さらにまた、中間像を接線フィールド平面に近接させることは、各フットプリントがフィールド面に近接するのに有利である。また、糸巻き型(正の)歪曲は、より大きいフットプリントに有利である一方で、樽型(負の)歪曲は、より小さいフットプリントに有利である。これらの収差を鏡群内において像に適用すると、α=1.4またはさらに一層小さい値のαが得られうる。
NA>1での浸漬リソグラフィー用に設計される高NAのカタジオプトリック投影対物レンズを用いて本発明の原理を説明した。本発明は、さらにまた、「乾燥系」、すなわち動作時において気体により満たされる像側作動距離を有するNA<1のカタジオプトリック投影対物レンズにも用いられうる。
前記の好適な実施形態の説明は、例証として行なわれたものである。前記の開示から、当業者は、本発明と本発明に付随する利点とを理解するだけではなく、開示された構造および方法に対する明白なさまざまな変更および改変にも気付くであろう。したがって、全ての変更および改変は、添付の特許請求の範囲に記載されるところの本発明およびその同等物の精神および範囲内に含まれるものとする。
全ての請求項の内容は、参照により、本説明の一部分を構成するものとする。
2004年4月8日出願の米国仮出願第60/560,267号の全ての開示事項は、本出願の開示事項として取り入れられる。
Figure 2007532938
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Figure 2007532938
円弧状の照明フィールドを創出するように設計される照明システムと、4個の凹面鏡を有するカタジオプトリック投影対物レンズとを有するマイクロリソグラフィー用投影露光システムの略図である。 有効物体フィールドの形状および位置と、関連ある有効物体フィールド半径と、関連ある設計物体フィールド半径との間における関係を示す図である。 4個の凹面鏡を備えた鏡群を有するカタジオプトリックインライン投影対物レンズの実施形態のレンズのメリジオナル断面図である。 それぞれ、(a)は、図3の投影対物レンズの更に他の図であり、(b)は、像側の鏡M2、M4の領域内、(c)は物体側の鏡M1、M3上における投影ビームのフットプリントの形状および位置を示す図である。 さまざまな主光線高さ比RCRHの場合の鏡群の凹面鏡の所定の曲率面内におけるフットプリントの代表的な例を示す図である。 さまざまな度合いのベンディングを有する弓形の有効物体フィールドのフットプリントを示す図である。 有効物体フィールドのフットプリントのさまざまな形状を有効物体フィールドのベンディングB=b/aおよびエタンデュ比γ=RDOF/REOFの関数として示す略図である。 互いに向き合う正確に2個の凹面鏡を備えた鏡群を有するカタジオプトリックインライン投影対物レンズのまた他の実施形態のメリジオナル断面図である。 それぞれ、(a)は、図8の投影対物レンズのまた他の図であり、(b)は像側の第1の鏡に、(c)は物体側の第2の鏡に近接する投影ビームのフットプリントの形状および位置を示す図である。 図8および9の投影対物レンズの光学素子によって形成される光チャネルを示す略図である。 介在し合うフットプリントの形状および位置に対する周辺光線高さと主光線高さとの影響を示す、反射および透光におけるフットプリントの略図である。 介在し合うフットプリントの形状および位置に対する周辺光線高さと主光線高さとの影響を示す、反射および透光におけるフットプリントの略図である。 互いに向き合う正確に2個の凹面鏡を備えた鏡群を有するカタジオプトリックインライン投影対物レンズのさらに他の実施形態のメリジオナル断面図である。

Claims (46)

  1. 自身の物体平面内に配置される軸外有効物体フィールドを自身の像面内に配置される軸外有効像フィールド上に結像させるカタジオプトリック投影対物レンズにおいて:
    光軸と;
    全面的に前記光軸の外側に配置されるとともに、第1の方向に長さAを、前記第1の方向に対して垂直な第2の方向に幅Bを有する有効物体フィールドであって、前記有効物体フィールドを外囲する最小限の大きさの円形部分が、
    Figure 2007532938
    にしたがって前記有効物体フィールドの半径REOFを規定するようになっている有効物体フィールドと;
    前記光軸を中心とする、設計物体フィールド半径RDOFを有する円形設計物体フィールドであって、投影対物レンズは、本質的に、RDOFより小さい半径座標を有する区域内において像収差に関して補正され、投影対物レンズは、RDOFより大きい半径座標を有する区域内において完全に補正されるわけではない円形設計物体フィールドとを含み、
    DOF=γREOF
    かつ
    1≦γ<1.4
    の条件が満たされるカタジオプトリック投影対物レンズ。
  2. 1≦γ<1.2である請求項1に記載の投影対物レンズ。
  3. 前記有効物体フィールドは、弓形の形状を有する環状フィールドであり、前記光軸に対向する前記有効物体フィールドの内側縁部と前記光軸から遠い前記有効物体フィールドの外側縁部とは、第1の方向に対して直交方向に整合するとともに、同じ弓形の形状を有し、前記内側縁部と前記外側縁部との間における前記第1の方向の並進的偏移が、前記有効物体フィールドの前記長さAを規定する請求項1に記載の投影対物レンズ。
  4. 前記外側縁部は、前記光軸上に曲率中心を有し、縁部半径は、前記設計物体フィールドの前記半径RDOFに等しい請求項3に記載の投影対物レンズ。
  5. 前記環状フィールドは、長さ方向に対して垂直な幅方向(第2の方向)における前記有効物体フィールドの側方縁部領域が、前記光軸を通る交差メリジオナル平面と重複し、前記内側縁部の中心区域が、前記光軸からある半径距離を有するような寸法とされる請求項3に記載の投影対物レンズ。
  6. 前記有効物体フィールドは、幅Bと長さAとの間においてアスペクト比AR=B/Aを有し、前記アスペクト比は、2:1〜10:1の範囲内である請求項1に記載の投影対物レンズ。
  7. 偶数個の鏡を有する請求項1に記載の投影対物レンズ。
  8. 偶数個の曲面鏡を有し、全ての曲面鏡は、凹面鏡である請求項1に記載の投影対物レンズ。
  9. 前記偶数は、2および4の一方である請求項8に記載の投影対物レンズ。
  10. 全ての光学素子に共通の1本の直線状光軸を有するインラインシステムである請求項1に記載の投影対物レンズ。
  11. 物体側の鏡群入口と像側の鏡群出口と前記光軸に対して直交方向に整合するとともに幾何学的に前記鏡群入口と前記鏡群出口との間において配置される鏡群平面とを有する少なくとも1個の鏡群において:
    前記鏡群入口から到来する放射を第1の反射部分において受ける第1の鏡面を有する第1の鏡と;
    前記第1の鏡から到来する放射を第2の反射部分において受ける、前記第1の鏡面に対向する第2の鏡面を有する少なくとも1個の第2の鏡とを含む鏡群であって、
    前記第1および第2の鏡の少なくとも一方は、前記光軸上において鏡軸を形成する曲率平面を有する凹面状の鏡面を有する凹面鏡であり、
    前記鏡群の前記鏡は、少なくとも1個の中間像が、鏡群入口と鏡群出口との間において前記鏡群内に配置され、前記鏡群入口から到来する放射が、前記鏡群平面を少なくとも4回通過するとともに、前記鏡群の凹面状鏡面上において少なくとも2回反射された後に前記鏡群出口において前記鏡群から出射するように構成される鏡群をさらに含む請求項1に記載の投影対物レンズ。
  12. 前記鏡群は、純反射性の(カトプトリック)鏡群である請求項11に記載の投影対物レンズ。
  13. 前記鏡群は、前記鏡群入口からの放射を第1の反射部分上において受ける第1の鏡と;前記第1の鏡から反射される放射を第2の反射部分上において受ける第2の鏡と;前記第2の鏡から反射される放射を第3の反射部分上において受ける第3の鏡と;前記第3の鏡から反射される放射を第4の反射部分上において受けるとともに、前記放射を前記鏡群出口へと反射する第4の鏡とを含む請求項11に記載の投影対物レンズ。
  14. 前記第1、第2、第3および第4の鏡は、凹面鏡である請求項13に記載の投影対物レンズ。
  15. 前記鏡群は、鏡対の凹面鏡間に設けられる透光部を有する共通の鏡基板上に設けられる共通の曲率面を共有する鏡面を有する2個の凹面鏡によって構成される少なくとも1個の鏡対を含む請求項11に記載の投影対物レンズ。
  16. 前記透光部は、前記光軸を含む請求項15に記載の投影対物レンズ。
  17. 前記透光部は、鏡基板内の穴によって形成される請求項15に記載の投影対物レンズ。
  18. 物体側の鏡群入口と像側の鏡群出口とを有する少なくとも1個の鏡群をさらに含み、投影対物レンズの軸方向鏡群長さMGLと軌跡全長TTとの間における長さ比LRは、50%未満であり、ここで、前記鏡群長さは、前記物体面に最も近接する鏡の頂点と前記像面に最も近接する鏡の頂点との間における軸方向距離であり、前記軌跡全長は、物体面と前記像面との間における軸方向距離である請求項1に記載の投影対物レンズ。
  19. 前記鏡群入口は、幾何学的に投影対物レンズの前側瞳面に接近して配置されて、前記物体フィールドから発する放射ビームが前記鏡群入口の領域内において前記光軸を含むようになる請求項11に記載の投影対物レンズ。
  20. 単一回のフーリエ変換または奇数回の連続するフーリエ変換を行なうフーリエレンズ群として設計される前側レンズ群が、前記物体面と前記鏡群入口との間において配置される請求項19に記載の投影対物レンズ。
  21. 前記前側レンズ群は、純屈折性であるとともに、単一回のフーリエ変換を行なう請求項20に記載の投影対物レンズ。
  22. 前記鏡群出口は、前記前側瞳面と光学的に共役の後側瞳面に幾何学的に接近して配置される請求項19に記載の投影対物レンズ。
  23. 2個および3個の中間像の1個が、前記鏡群内において形成される請求項11に記載の投影対物レンズ。
  24. 前記鏡群入口は、幾何学的に投影対物レンズの前側瞳面に接近して配置されて、前記有効物体フィールドから発する放射ビームが前記鏡群入口の領域内において前記光軸を含むようになり、前記鏡群出口は、幾何学的に、前記前側瞳面と光学的に共役の後側瞳面に接近して配置され、2個および3個の中間像の1個が、前記鏡群内において形成される請求項11に記載の投影対物レンズ。
  25. 前記鏡群出口は、幾何学的に後側瞳面に接近して配置され、後側レンズ群が、該後側レンズ群のくびれ領域内において中間像を形成するフーリエレンズ群と、前記フーリエレンズ群によって形成される前記中間像を前記像面上にある縮尺で結像させる結像サブシステムとして設計される、前記中間像の下流のレンズ群とを含んで設けられる請求項19に記載の投影対物レンズ。
  26. 前記鏡群の前記鏡上の全ての反射部分は、前記光軸の外側に配置される請求項11に記載の投影対物レンズ。
  27. 前記鏡群の前記鏡の全ての反射部分は、瞳面から光学的に遠くに配置される請求項11に記載の投影対物レンズ。
  28. 物体側の鏡群入口と、像側の鏡群出口と、前記鏡群入口から到来する放射を第1の反射部分内において受ける第1の鏡面を有する第1の鏡と、前記第1の鏡から到来する放射を第2の反射部分内において受けるとともに、前記放射を前記鏡群出口の方へと反射する、前記第1の鏡面に対向する第2の鏡面を有する正確に1個の第2の鏡とを有する鏡群であって、
    前記第1および第2の鏡は、前記光軸上において鏡軸を形成する曲率面を有する凹面状の鏡面を有するとともに、前記光軸の相反する側に配置される凹面鏡であり、
    前記第1および第2の反射部分は、瞳面から光学的に遠くに配置される鏡群をさらに含む請求項1に記載の投影対物レンズ。
  29. 前記鏡群は、純反射性の(カトプトリック)鏡群である請求項28に記載の投影対物レンズ。
  30. 前記鏡群入口は、幾何学的に投影対物レンズの前側瞳面に接近して配置されて、前記有効物体フィールドから発する放射ビームが前記鏡群入口の領域内において前記光軸を含むようになる請求項29に記載の投影対物レンズ。
  31. 単一回のフーリエ変換を行なうフーリエレンズ群として設計される屈折性の前側レンズ群が、前記物体面と前記鏡群入口との間において配置される請求項30に記載の投影対物レンズ。
  32. 前記鏡群出口は、前記光軸の外側において中間像に光学的に接近して配置され、該中間像を前記像面上にある縮尺で結像させる結像サブシステムとして設計される後側レンズ群が、前記鏡群出口と前記像面との間において配置される請求項28に記載の投影対物レンズ。
  33. 収差に関して、最後の光学素子と前記像平面との間における像側作動距離が、実質的に1より大きい屈折率を有する浸漬媒質により満たされるように適合化せしめられる浸漬用対物レンズとして設計される請求項1に記載の投影対物レンズ。
  34. 浸漬媒質とともに用いられる場合に、NA>1.1の像側開口数を有する請求項1に記載の投影対物レンズ。
  35. 自身の物体面内に配置される軸外有効物体フィールドを自身の像面内に配置される軸外有効像フィールド上に結像させるカタジオプトリック投影対物レンズにおいて:
    前記有効物体フィールドから到来する放射を鏡群の鏡群入口の方へと収束させる正の屈折力を有する前側レンズ群と;
    前記物体側鏡群入口と像側鏡群出口とを有する前記鏡群と;
    前記鏡群出口から出射する放射を前記有効像面上に集束させる正の屈折力を有する後側レンズ群とを光軸に沿って前記の順序で含み、
    前記鏡群は、少なくとも2個の曲面鏡を含み、1個の曲面鏡は、前記有効物体フィールドから前記有効像フィールドへと通過する投影ビームの放射を第1の反射部分内において受ける曲面状の鏡面を有し、前記曲面状の鏡面は、前記鏡面を含むとともに、前記曲面鏡の縁部を超えて延在する曲率面を形成し、
    前記投影ビームは、前記第1の反射部分に対して偏移する第2の部分内において前記曲率面上に少なくとも1回入射し、
    全ての曲面鏡において、前記第1の反射部分内における主光線の第1の主光線高さCRHと、関連ある第2の部分内における同じ主光線の第2の主光線高さCRHとの間における主光線高さ比RCRH=CRH/CRHに関して、
    (1) |RCRH|<1/α または |RCRH|>α
    かつ
    (2) α=1.4
    の条件が満たされるカタジオプトリック投影対物レンズ。
  36. α=1.8である請求項35に記載の投影対物レンズ。
  37. 前記第2の部分は、前記投影ビームが前記曲面鏡の鏡縁部を通る前記曲率面を透過する前記鏡面に対して横方向に偏移する透光部分である請求項35に記載の投影対物レンズ。
  38. 前記第2の部分は、前記曲面鏡の前記曲率面に近接するか、または該曲率面と一致する鏡面を有する前記鏡群のまた他の曲面鏡の反射部分に関連ある請求項35に記載の投影対物レンズ。
  39. 全ての曲面鏡は、凹面鏡である請求項35に記載の投影対物レンズ。
  40. 全ての光学素子に共通の1本の直線状光軸を有するインラインシステムである請求項35に記載の投影対物レンズ。
  41. 収差に関して、最後の光学素子と前記像平面との間における像側作動距離が、実質的に1より大きい屈折率を有する浸漬媒質により満たされるように適合化せしめられる浸漬用対物レンズとして設計される請求項35に記載の投影対物レンズ。
  42. 浸漬媒質とともに用いられる場合に、NA>1.1の像側開口数を有する請求項35に記載の投影対物レンズ。
  43. 投影露光システムにおいて:
    光源から光を受けるとともに、自身の出射面において自身の光軸の外側に配置される軸外照明フィールドを形成する照明システムと;
    自身の物体面内に配置されるパターン構造を自身の像面上に投影するカタジオプトリック投影対物レンズであって、
    前記投影対物レンズの前記物体面は、前記照明システムの前記出射面と一致し、前記照明システムの前記照明フィールドは、前記投影対物レンズの光軸の外側に配置される前記投影対物レンズの軸外有効物体フィールドの大きさと形状とを規定するカタジオプトリック投影対物レンズと;
    前記パターン構造を前記投影対物レンズの前記光軸に対して垂直な走査方向に移動させる走査装置と;
    前記走査方向の長さAと、前記走査方向に対して垂直な幅Bとを有して、自身を外囲する最小限の大きさの円形部分が、
    Figure 2007532938
    にしたがって自身の半径REOFを規定するようになる前記有効物体フィールドと;
    設計物体フィールド半径RDOFを有する、前記光軸を中心とする円形の設計物体フィールドであって、前記投影対物レンズは、RDOFより小さい半径座標を有する区域内において像収差に関して本質的に補正され、前記投影対物レンズは、RDOFより大きい半径座標を有する区域内において完全には補正されない円形設計物体フィールドとからなり、
    DOF=γREOF
    かつ
    1≦γ<1.4
    の条件が満たされる投影露光システム。
  44. 前記有効物体フィールドは、弓形の形状を有する環状フィールドであり、前記光軸に対向する前記有効物体フィールドの内側縁部と前記光軸から遠い前記有効物体フィールドの外側縁部とは、前記走査方向に対して直交方向に整合するとともに、同じ弓形の形状を有し、前記内側縁部と前記外側縁部との間における前記走査方向の並進的偏移は、前記長さAを規定する請求項43に記載の投影露光システム。
  45. 前記環状フィールドは、前記走査方向に対して垂直な幅方向における前記有効物体フィールドの側方縁部領域が、前記光軸を通る交差メリジオナル平面と重複し、前記内側縁部の中心区域が、前記光軸からある半径距離を有するような寸法とされる請求項44に記載の投影露光システム。
  46. 前記外側縁部は、前記光軸上に曲率中心を有する請求項44に記載の投影露光システム。
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Families Citing this family (99)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9482966B2 (en) 2002-11-12 2016-11-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG121819A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10503084B2 (en) 2002-11-12 2019-12-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10261775A1 (de) 2002-12-20 2004-07-01 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems
EP3301511A1 (en) 2003-02-26 2018-04-04 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
SG10201803122UA (en) 2003-04-11 2018-06-28 Nikon Corp Immersion lithography apparatus and device manufacturing method
WO2004090577A2 (en) 2003-04-11 2004-10-21 Nikon Corporation Maintaining immersion fluid under a lithographic projection lens
ATE542167T1 (de) 2003-04-17 2012-02-15 Nikon Corp Lithographisches immersionsgerät
EP2672307A3 (en) 2003-05-06 2014-07-23 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
US7348575B2 (en) * 2003-05-06 2008-03-25 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
TWI614794B (zh) 2003-05-23 2018-02-11 Nikon Corp 曝光方法及曝光裝置以及元件製造方法
TWI518742B (zh) 2003-05-23 2016-01-21 尼康股份有限公司 A method of manufacturing an exposure apparatus and an element
KR20060009956A (ko) 2003-05-28 2006-02-01 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101520591B1 (ko) 2003-06-13 2015-05-14 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 기판 스테이지, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
CN101436003B (zh) 2003-06-19 2011-08-17 株式会社尼康 曝光装置及器件制造方法
EP2853943B1 (en) 2003-07-08 2016-11-16 Nikon Corporation Wafer table for immersion lithography
EP1646075B1 (en) 2003-07-09 2011-06-15 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
WO2005006418A1 (ja) 2003-07-09 2005-01-20 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
WO2005006416A1 (ja) 2003-07-09 2005-01-20 Nikon Corporation 結合装置、露光装置、及びデバイス製造方法
JP4524669B2 (ja) 2003-07-25 2010-08-18 株式会社ニコン 投影光学系の検査方法および検査装置
KR101599649B1 (ko) 2003-07-28 2016-03-14 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법, 그리고 노광 장치의 제어 방법
EP1503244A1 (en) 2003-07-28 2005-02-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
US7779781B2 (en) 2003-07-31 2010-08-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101380989B1 (ko) 2003-08-29 2014-04-04 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
TWI263859B (en) 2003-08-29 2006-10-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4288426B2 (ja) 2003-09-03 2009-07-01 株式会社ニコン 液浸リソグラフィのための流体の供給装置及び方法
JP4444920B2 (ja) 2003-09-19 2010-03-31 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
US8208198B2 (en) 2004-01-14 2012-06-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Catadioptric projection objective
KR101441840B1 (ko) 2003-09-29 2014-11-04 가부시키가이샤 니콘 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법
KR20060126949A (ko) 2003-10-08 2006-12-11 가부시키가이샤 니콘 기판 반송 장치와 기판 반송 방법, 노광 장치와 노광 방법,및 디바이스 제조 방법
KR101203028B1 (ko) 2003-10-08 2012-11-21 가부시키가이샤 자오 니콘 기판 반송 장치 및 기판 반송 방법, 노광 장치 및 노광 방법, 디바이스 제조 방법
TW200514138A (en) 2003-10-09 2005-04-16 Nippon Kogaku Kk Exposure equipment and exposure method, manufacture method of component
US7411653B2 (en) 2003-10-28 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
KR101394764B1 (ko) 2003-12-03 2014-05-27 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법, 그리고 광학 부품
KR101547037B1 (ko) 2003-12-15 2015-08-24 가부시키가이샤 니콘 스테이지 장치, 노광 장치, 및 노광 방법
US7466489B2 (en) 2003-12-15 2008-12-16 Susanne Beder Projection objective having a high aperture and a planar end surface
JP5102492B2 (ja) 2003-12-19 2012-12-19 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 結晶素子を有するマイクロリソグラフィー投影用対物レンズ
US20080151365A1 (en) * 2004-01-14 2008-06-26 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective
US7589822B2 (en) 2004-02-02 2009-09-15 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
KR101227211B1 (ko) 2004-02-03 2013-01-28 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US8054448B2 (en) 2004-05-04 2011-11-08 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
KR20160085375A (ko) 2004-05-17 2016-07-15 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 중간이미지를 갖는 카타디옵트릭 투사 대물렌즈
US7616383B2 (en) 2004-05-18 2009-11-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN100594430C (zh) 2004-06-04 2010-03-17 卡尔蔡司Smt股份公司 用于测量光学成像系统的图像质量的系统
EP2966670B1 (en) 2004-06-09 2017-02-22 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US7463330B2 (en) 2004-07-07 2008-12-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101433491B1 (ko) 2004-07-12 2014-08-22 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
EP1801853A4 (en) 2004-08-18 2008-06-04 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD
US7701550B2 (en) 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7397533B2 (en) 2004-12-07 2008-07-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8692973B2 (en) 2005-01-31 2014-04-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
KR20160135859A (ko) 2005-01-31 2016-11-28 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7282701B2 (en) 2005-02-28 2007-10-16 Asml Netherlands B.V. Sensor for use in a lithographic apparatus
USRE43576E1 (en) 2005-04-08 2012-08-14 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2007071569A1 (en) * 2005-12-23 2007-06-28 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective of a microlithographic projection exposure apparatus
US7649611B2 (en) 2005-12-30 2010-01-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7649612B2 (en) * 2006-01-27 2010-01-19 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Phase shifting photolithography system
WO2007086220A1 (ja) * 2006-01-30 2007-08-02 Nikon Corporation 反射屈折結像光学系、露光装置、およびデバイスの製造方法
EP1852745A1 (en) 2006-05-05 2007-11-07 Carl Zeiss SMT AG High-NA projection objective
DE102006028222A1 (de) * 2006-06-14 2007-12-27 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zum Betreiben von Projektionsbelichtungsanlagen und Verwendung eines Projektionsobjektivs
EP1890191A1 (en) * 2006-08-14 2008-02-20 Carl Zeiss SMT AG Catadioptric projection objective with pupil mirror
EP1906251A1 (en) 2006-09-26 2008-04-02 Carl Zeiss SMT AG Projection exposure method and projection exposure system
EP1950594A1 (de) * 2007-01-17 2008-07-30 Carl Zeiss SMT AG Abbildende Optik, Projektionsbelichtunsanlage für die Mikrolithographie mit einer derartigen abbildenden Optik, Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauteils mit einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage, durch das Herstellungsverfahren gefertigtes mikrostrukturiertes Bauelement sowie Verwendung einer derartigen abbildenden Optik
DE102007033967A1 (de) * 2007-07-19 2009-01-29 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv
DE102008040819A1 (de) 2007-09-14 2009-03-26 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Herstellung eines optischen Elements für ein Objektiv einer Projektionsbelichtungsanlage der Mikrolithographie
US8077401B2 (en) * 2007-10-03 2011-12-13 Ricoh Co., Ltd. Catadioptric imaging system
JP5902884B2 (ja) 2007-10-26 2016-04-13 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 結像光学系及びこの種の結像光学系を含むマイクロリソグラフィ用の投影露光装置
DE102007051671A1 (de) 2007-10-26 2009-05-07 Carl Zeiss Smt Ag Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einer derartigen abbildenden Optik
KR101592136B1 (ko) 2007-10-26 2016-02-04 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 결상 광학 시스템 및 이러한 유형의 결상 광학 시스템을 갖는 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치
CN101874221B (zh) * 2007-11-28 2012-06-13 日本电气株式会社 光学扫描装置和图像输出设备
EP2128703A1 (en) 2008-05-28 2009-12-02 ASML Netherlands BV Lithographic Apparatus and a Method of Operating the Apparatus
US8705170B2 (en) * 2008-08-29 2014-04-22 Nikon Corporation High NA catadioptric imaging optics for imaging A reticle to a pair of imaging locations
DE102008049589A1 (de) * 2008-09-30 2010-04-08 Carl Zeiss Smt Ag Optische Abbildungseinrichtung und Abbildungsverfahren für die Mikroskopie
US8600186B2 (en) * 2010-04-26 2013-12-03 City University Of Hong Kong Well focused catadioptric image acquisition
US8493670B2 (en) 2010-09-10 2013-07-23 Coherent, Inc. Large-field unit-magnification catadioptric projection system
US8659823B2 (en) 2011-04-22 2014-02-25 Coherent, Inc. Unit-magnification catadioptric and catoptric projection optical systems
US9205734B1 (en) 2011-10-06 2015-12-08 XL Hybrids Motor integration assembly
US9390062B1 (en) 2012-02-01 2016-07-12 XL Hybrids Managing vehicle information
JP6028350B2 (ja) * 2012-03-16 2016-11-16 株式会社ニコン 基板処理装置、デバイス製造システム及びデバイス製造方法
TWI486454B (zh) 2012-03-19 2015-06-01 Jfe Steel Corp Steel manufacturing method
US9329373B2 (en) * 2013-02-13 2016-05-03 Canon Kabushiki Kaisha Catadioptric optical system with multi-reflection element for high numerical aperture imaging
DE102013204391B3 (de) 2013-03-13 2014-05-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsobjektiv mit Wellenfrontmanipulator
US9298102B2 (en) 2013-03-13 2016-03-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Projection lens with wavefront manipulator
US9651872B2 (en) 2013-03-13 2017-05-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Projection lens with wavefront manipulator
US10365152B1 (en) * 2013-03-14 2019-07-30 Wavefront Research, Inc. Compact annular field imager and method for imaging electromagnetic radiation
US8670888B1 (en) * 2013-06-18 2014-03-11 XL Hybrids Dynamically assisting hybrid vehicles
US9818240B1 (en) 2013-09-06 2017-11-14 XL Hybrids Comparing vehicle performance
US9922469B1 (en) 2013-11-07 2018-03-20 XL Hybrids Route-based vehicle selection
CN104062746B (zh) * 2014-06-23 2016-08-24 中国科学院光电技术研究所 一种大数值孔径的折反射浸没投影光学系统
CN105807410B (zh) * 2014-12-31 2018-11-09 上海微电子装备(集团)股份有限公司 一种基于高数值孔径的折反射式投影物镜
KR20160091085A (ko) * 2015-01-23 2016-08-02 삼성전자주식회사 반사 굴절 광학계 및 이미지 촬영 장치
US10527830B2 (en) * 2016-08-12 2020-01-07 Kla-Tencor Corporation Off-axis reflective afocal optical relay
DE102017207542A1 (de) 2017-05-04 2017-06-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen abbildenden Optik
DE102018207277A1 (de) 2018-05-09 2019-11-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Lithografiemaske, optisches System zur Übertragung von Original Strukturabschnitten der Lithografiemaske sowie Projektionsoptik zur Abbildung eines Objektfeldes, in dem mindestens ein Original-Strukturabschnitt einer Lithografiemaske anordenbar ist
TWI831849B (zh) * 2018-12-07 2024-02-11 日商索尼股份有限公司 圖像顯示裝置及投射光學系統
DE102021202847A1 (de) 2021-03-24 2022-09-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für eine Projektionsbelichtungsanlage für die Lithografie
CN116263565A (zh) * 2021-12-13 2023-06-16 长鑫存储技术有限公司 光刻胶图案的形成方法和投影式曝光装置
DE102022205272A1 (de) * 2022-05-25 2023-11-30 Carl Zeiss Smt Gmbh Katadioptrisches Projektionsobjektiv, Projektionsbelichtungsanlage und Projektionsbelichtungsverfahren

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001166210A (ja) * 1999-11-05 2001-06-22 Carl Zeiss:Fa 2つの中間像を持つ反射屈折対物レンズ
JP2002277742A (ja) * 2000-10-23 2002-09-25 Nikon Corp 反射屈折光学系および該光学系を備えた露光装置
JP2003114387A (ja) * 2001-10-04 2003-04-18 Nikon Corp 反射屈折光学系および該光学系を備える投影露光装置
US20040012866A1 (en) * 2000-10-20 2004-01-22 Carl-Zeiss Smt Ag 8-Mirror microlithography projection objective

Family Cites Families (119)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2380887A (en) 1941-05-22 1945-07-31 Taylor Taylor & Hobson Ltd Optical system
DE1064734B (de) 1953-09-23 1959-09-03 Optische Ind De Oude Delft Nv Optisches Abbildungssystem
SU124665A1 (ru) 1959-03-30 1959-11-30 В.А. Панов Безиммерсионный зеркально-линзовый ахроматический объектив микроскопа
NL269391A (ja) 1961-09-19
JPS6019484B2 (ja) 1975-11-07 1985-05-16 キヤノン株式会社 複写用レンズ
US4293186A (en) 1977-02-11 1981-10-06 The Perkin-Elmer Corporation Restricted off-axis field optical system
CH624776A5 (ja) 1977-12-08 1981-08-14 Kern & Co Ag
US4241390A (en) 1978-02-06 1980-12-23 The Perkin-Elmer Corporation System for illuminating an annular field
CH651943A5 (de) 1980-08-16 1985-10-15 Ludvik Dr Canzek Katadioptrisches objektiv hoher oeffnung.
JPS5744115A (en) 1980-08-30 1982-03-12 Asahi Optical Co Ltd Reflex telephoto zoom lens system
US4346164A (en) 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
US4469414A (en) 1982-06-01 1984-09-04 The Perkin-Elmer Corporation Restrictive off-axis field optical system
JPS60184223A (ja) 1984-03-01 1985-09-19 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 反射屈折式望遠レンズ
US4812028A (en) 1984-07-23 1989-03-14 Nikon Corporation Reflection type reduction projection optical system
US4701035A (en) 1984-08-14 1987-10-20 Canon Kabushiki Kaisha Reflection optical system
US4834515A (en) 1984-11-29 1989-05-30 Lockheed Missiles & Space Company, Inc. Catadioptric imaging system with dioptric assembly of the petzval type
US4779966A (en) 1984-12-21 1988-10-25 The Perkin-Elmer Corporation Single mirror projection optical system
JPS61156737A (ja) 1984-12-27 1986-07-16 Canon Inc 回路の製造方法及び露光装置
US4711535A (en) 1985-05-10 1987-12-08 The Perkin-Elmer Corporation Ring field projection system
DE3787035T2 (de) 1986-03-12 1994-03-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd Optisches Projektionssystem für Präzisionskopien.
US4757354A (en) 1986-05-02 1988-07-12 Matsushita Electrical Industrial Co., Ltd. Projection optical system
EP0947882B1 (en) 1986-07-11 2006-03-29 Canon Kabushiki Kaisha X-ray reduction projection exposure system of reflection type
GB2197962A (en) 1986-11-10 1988-06-02 Compact Spindle Bearing Corp Catoptric reduction imaging apparatus
US4951078A (en) 1988-05-16 1990-08-21 Minolta Camera Kabushiki Kaisha Camera system including catadioptric lens and catadioptric lens system used therein
US5004331A (en) 1989-05-03 1991-04-02 Hughes Aircraft Company Catadioptric projector, catadioptric projection system and process
US5063586A (en) 1989-10-13 1991-11-05 At&T Bell Laboratories Apparatus for semiconductor lithography
US5114238A (en) 1990-06-28 1992-05-19 Lockheed Missiles & Space Company, Inc. Infrared catadioptric zoom relay telescope
US5031976A (en) 1990-09-24 1991-07-16 Kla Instruments, Corporation Catadioptric imaging system
GB9020902D0 (en) 1990-09-26 1990-11-07 Optics & Vision Ltd Optical systems,telescopes and binoculars
US5315629A (en) 1990-10-10 1994-05-24 At&T Bell Laboratories Ringfield lithography
US5734496A (en) 1991-06-03 1998-03-31 Her Majesty The Queen In Right Of New Zealand Lens system
US5212588A (en) 1991-04-09 1993-05-18 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Reflective optical imaging system for extreme ultraviolet wavelengths
US5220590A (en) 1992-05-05 1993-06-15 General Signal Corporation X-ray projection lithography camera
US5353322A (en) 1992-05-05 1994-10-04 Tropel Corporation Lens system for X-ray projection lithography camera
JP3246615B2 (ja) 1992-07-27 2002-01-15 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置、及び露光方法
US5477304A (en) 1992-10-22 1995-12-19 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
US6078381A (en) 1993-02-01 2000-06-20 Nikon Corporation Exposure method and apparatus
US5636066A (en) 1993-03-12 1997-06-03 Nikon Corporation Optical apparatus
JP3635684B2 (ja) 1994-08-23 2005-04-06 株式会社ニコン 反射屈折縮小投影光学系、反射屈折光学系、並びに投影露光方法及び装置
US5410434A (en) 1993-09-09 1995-04-25 Ultratech Stepper, Inc. Reflective projection system comprising four spherical mirrors
US5515207A (en) * 1993-11-03 1996-05-07 Nikon Precision Inc. Multiple mirror catadioptric optical system
US5488229A (en) 1994-10-04 1996-01-30 Excimer Laser Systems, Inc. Deep ultraviolet microlithography system
IL113350A (en) 1995-04-12 1998-06-15 State Rafaelel Ministry Of Def Catadioptric optics working staring detector system
US5650877A (en) 1995-08-14 1997-07-22 Tropel Corporation Imaging system for deep ultraviolet lithography
US5805365A (en) 1995-10-12 1998-09-08 Sandia Corporation Ringfield lithographic camera
JP3456323B2 (ja) 1995-11-01 2003-10-14 株式会社ニコン 顕微鏡対物レンズ
US5815310A (en) 1995-12-12 1998-09-29 Svg Lithography Systems, Inc. High numerical aperture ring field optical reduction system
JPH09251097A (ja) 1996-03-15 1997-09-22 Nikon Corp X線リソグラフィー用反射縮小結像光学系
US5686728A (en) 1996-05-01 1997-11-11 Lucent Technologies Inc Projection lithography system and method using all-reflective optical elements
US5729376A (en) 1996-07-01 1998-03-17 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Catadioptric multi-functional optical assembly
US5717518A (en) 1996-07-22 1998-02-10 Kla Instruments Corporation Broad spectrum ultraviolet catadioptric imaging system
US5999310A (en) 1996-07-22 1999-12-07 Shafer; David Ross Ultra-broadband UV microscope imaging system with wide range zoom capability
US6169627B1 (en) 1996-09-26 2001-01-02 Carl-Zeiss-Stiftung Catadioptric microlithographic reduction objective
US6631036B2 (en) 1996-09-26 2003-10-07 Carl-Zeiss-Stiftung Catadioptric objective
US5825043A (en) 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
DE69738910D1 (de) 1996-11-28 2008-09-25 Nikon Corp Ausrichtvorrichtung und belichtungsverfahren
US5956192A (en) 1997-09-18 1999-09-21 Svg Lithography Systems, Inc. Four mirror EUV projection optics
US5920380A (en) 1997-12-19 1999-07-06 Sandia Corporation Apparatus and method for generating partially coherent illumination for photolithography
US6097537A (en) 1998-04-07 2000-08-01 Nikon Corporation Catadioptric optical system
JPH11316343A (ja) 1998-05-01 1999-11-16 Nikon Corp カタディオプトリックレンズ
EP1293830A1 (en) 1998-06-08 2003-03-19 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method
US6213610B1 (en) 1998-09-21 2001-04-10 Nikon Corporation Catoptric reduction projection optical system and exposure apparatus and method using same
JP2000100694A (ja) 1998-09-22 2000-04-07 Nikon Corp 反射縮小投影光学系、該光学系を備えた投影露光装置および該装置を用いた露光方法
KR20010041257A (ko) 1998-12-25 2001-05-15 오노 시게오 반사굴절 결상 광학계 및 그 광학계를 구비한 투영 노광장치
EP1772775B1 (de) 1999-02-15 2008-11-05 Carl Zeiss SMT AG Mikrolithographie-Reduktionsobjektiveinrichtung sowie Projektionsbelichtungsanlage
US6033079A (en) 1999-03-15 2000-03-07 Hudyma; Russell High numerical aperture ring field projection system for extreme ultraviolet lithography
US6188513B1 (en) 1999-03-15 2001-02-13 Russell Hudyma High numerical aperture ring field projection system for extreme ultraviolet lithography
US6426506B1 (en) * 1999-05-27 2002-07-30 The Regents Of The University Of California Compact multi-bounce projection system for extreme ultraviolet projection lithography
JP4717974B2 (ja) 1999-07-13 2011-07-06 株式会社ニコン 反射屈折光学系及び該光学系を備える投影露光装置
EP1093021A3 (en) 1999-10-15 2004-06-30 Nikon Corporation Projection optical system as well as equipment and methods making use of said system
EP1094350A3 (en) 1999-10-21 2001-08-16 Carl Zeiss Optical projection lens system
US6995930B2 (en) * 1999-12-29 2006-02-07 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
US7187503B2 (en) 1999-12-29 2007-03-06 Carl Zeiss Smt Ag Refractive projection objective for immersion lithography
TW538256B (en) 2000-01-14 2003-06-21 Zeiss Stiftung Microlithographic reduction projection catadioptric objective
US6285737B1 (en) 2000-01-21 2001-09-04 Euv Llc Condenser for extreme-UV lithography with discharge source
JP2001228401A (ja) 2000-02-16 2001-08-24 Canon Inc 投影光学系、および該投影光学系による投影露光装置、デバイス製造方法
US7301605B2 (en) 2000-03-03 2007-11-27 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method, catadioptric optical system and manufacturing method of devices
JP2001343589A (ja) 2000-03-31 2001-12-14 Canon Inc 投影光学系、および該投影光学系による投影露光装置、デバイス製造方法
JP2002083766A (ja) 2000-06-19 2002-03-22 Nikon Corp 投影光学系、該光学系の製造方法、及び前記光学系を備えた投影露光装置
US6486940B1 (en) 2000-07-21 2002-11-26 Svg Lithography Systems, Inc. High numerical aperture catadioptric lens
US6842298B1 (en) 2000-09-12 2005-01-11 Kla-Tencor Technologies Corporation Broad band DUV, VUV long-working distance catadioptric imaging system
JP2002217095A (ja) * 2000-11-14 2002-08-02 Canon Inc 露光装置、半導体デバイス製造方法、半導体製造工場及び露光装置の保守方法並びに位置検出装置
JP2004514943A (ja) 2000-11-28 2004-05-20 カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー 157nmリソグラフィ用の反射屈折投影系
JP2002208551A (ja) 2001-01-10 2002-07-26 Nikon Corp 反射屈折光学系及び投影露光装置
DE10127227A1 (de) 2001-05-22 2002-12-05 Zeiss Carl Katadioptrisches Reduktionsobjektiv
US6995886B2 (en) 2001-06-21 2006-02-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. Optical scanning device
JP2003015040A (ja) 2001-07-04 2003-01-15 Nikon Corp 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置
JP2003233005A (ja) * 2002-02-07 2003-08-22 Canon Inc 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法
JP2003233002A (ja) 2002-02-07 2003-08-22 Canon Inc 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法
DE10332112A1 (de) 2003-07-09 2005-01-27 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsbelichtungsverfahren und Projektionsbelichtungssystem
DE10210899A1 (de) 2002-03-08 2003-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie
US6912042B2 (en) * 2002-03-28 2005-06-28 Carl Zeiss Smt Ag 6-mirror projection objective with few lenses
JP2003309059A (ja) 2002-04-17 2003-10-31 Nikon Corp 投影光学系、その製造方法、露光装置および露光方法
JP4292497B2 (ja) 2002-04-17 2009-07-08 株式会社ニコン 投影光学系、露光装置および露光方法
US7362508B2 (en) 2002-08-23 2008-04-22 Nikon Corporation Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same
US8675276B2 (en) 2003-02-21 2014-03-18 Kla-Tencor Corporation Catadioptric imaging system for broad band microscopy
JP2004335575A (ja) 2003-05-01 2004-11-25 Canon Inc 露光装置
EP2672307A3 (en) 2003-05-06 2014-07-23 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
US7348575B2 (en) 2003-05-06 2008-03-25 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
JP2005003982A (ja) 2003-06-12 2005-01-06 Nikon Corp 投影光学系、露光装置および露光方法
US7085075B2 (en) 2003-08-12 2006-08-01 Carl Zeiss Smt Ag Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3
US8208198B2 (en) 2004-01-14 2012-06-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Catadioptric projection objective
US7466489B2 (en) 2003-12-15 2008-12-16 Susanne Beder Projection objective having a high aperture and a planar end surface
US7385764B2 (en) 2003-12-15 2008-06-10 Carl Zeiss Smt Ag Objectives as a microlithography projection objective with at least one liquid lens
US7460206B2 (en) 2003-12-19 2008-12-02 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective for immersion lithography
US20050185269A1 (en) 2003-12-19 2005-08-25 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
JP5102492B2 (ja) 2003-12-19 2012-12-19 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 結晶素子を有するマイクロリソグラフィー投影用対物レンズ
US7463422B2 (en) 2004-01-14 2008-12-09 Carl Zeiss Smt Ag Projection exposure apparatus
KR101288187B1 (ko) * 2004-01-14 2013-07-19 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 반사굴절식 투영 대물렌즈
US20080151365A1 (en) 2004-01-14 2008-06-26 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective
WO2005081067A1 (en) 2004-02-13 2005-09-01 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus
WO2005081030A1 (en) 2004-02-18 2005-09-01 Corning Incorporated Catadioptric imaging system for high numerical aperture imaging with deep ultraviolet light
US20060244938A1 (en) 2004-05-04 2006-11-02 Karl-Heinz Schuster Microlitographic projection exposure apparatus and immersion liquid therefore
US7224520B2 (en) 2004-09-28 2007-05-29 Wavefront Research, Inc. Compact fast catadioptric imager
US20060082905A1 (en) 2004-10-14 2006-04-20 Shafer David R Catadioptric projection objective with an in-line, single-axis configuration
DE102005045862A1 (de) 2004-10-19 2006-04-20 Carl Zeiss Smt Ag Optisches System für Ultraviolettlicht
US20060198018A1 (en) 2005-02-04 2006-09-07 Carl Zeiss Smt Ag Imaging system
DE102005056721A1 (de) 2005-04-28 2006-11-09 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsbelichtungsobjektiv mit zentraler Obskuration und Zwischenbildern zwischen den Spiegeln
JP2006309220A (ja) 2005-04-29 2006-11-09 Carl Zeiss Smt Ag 投影対物レンズ

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001166210A (ja) * 1999-11-05 2001-06-22 Carl Zeiss:Fa 2つの中間像を持つ反射屈折対物レンズ
US20040012866A1 (en) * 2000-10-20 2004-01-22 Carl-Zeiss Smt Ag 8-Mirror microlithography projection objective
JP2002277742A (ja) * 2000-10-23 2002-09-25 Nikon Corp 反射屈折光学系および該光学系を備えた露光装置
JP2003114387A (ja) * 2001-10-04 2003-04-18 Nikon Corp 反射屈折光学系および該光学系を備える投影露光装置

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