JP2007318064A - 面発光レーザ素子、それを備えた面発光レーザアレイ、面発光レーザ素子または面発光レーザアレイを備えた電子写真システムおよび面発光レーザ素子または面発光レーザアレイを備えた光通信システム - Google Patents
面発光レーザ素子、それを備えた面発光レーザアレイ、面発光レーザ素子または面発光レーザアレイを備えた電子写真システムおよび面発光レーザ素子または面発光レーザアレイを備えた光通信システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007318064A JP2007318064A JP2006299074A JP2006299074A JP2007318064A JP 2007318064 A JP2007318064 A JP 2007318064A JP 2006299074 A JP2006299074 A JP 2006299074A JP 2006299074 A JP2006299074 A JP 2006299074A JP 2007318064 A JP2007318064 A JP 2007318064A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- emitting laser
- surface emitting
- selective oxidation
- laser element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/185—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only horizontal cavities, e.g. horizontal cavity surface-emitting lasers [HCSEL]
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/42—Arrays of surface emitting lasers
- H01S5/423—Arrays of surface emitting lasers having a vertical cavity
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/435—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material
- B41J2/447—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using arrays of radiation sources
- B41J2/45—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using arrays of radiation sources using light-emitting diode [LED] or laser arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2301/00—Functional characteristics
- H01S2301/16—Semiconductor lasers with special structural design to influence the modes, e.g. specific multimode
- H01S2301/166—Single transverse or lateral mode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/0014—Measuring characteristics or properties thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/065—Mode locking; Mode suppression; Mode selection ; Self pulsating
- H01S5/0651—Mode control
- H01S5/0653—Mode suppression, e.g. specific multimode
- H01S5/0655—Single transverse or lateral mode emission
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18308—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18308—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement
- H01S5/18311—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement using selective oxidation
- H01S5/18313—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement using selective oxidation by oxidizing at least one of the DBR layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18308—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement
- H01S5/18322—Position of the structure
- H01S5/1833—Position of the structure with more than one structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18308—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement
- H01S5/18322—Position of the structure
- H01S5/1833—Position of the structure with more than one structure
- H01S5/18333—Position of the structure with more than one structure only above the active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18358—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] containing spacer layers to adjust the phase of the light wave in the cavity
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18361—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors
- H01S5/18369—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors based on dielectric materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18386—Details of the emission surface for influencing the near- or far-field, e.g. a grating on the surface
- H01S5/18391—Aperiodic structuring to influence the near- or far-field distribution
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/34313—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer having only As as V-compound, e.g. AlGaAs, InGaAs
- H01S5/3432—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer having only As as V-compound, e.g. AlGaAs, InGaAs the whole junction comprising only (AI)GaAs
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
【解決手段】面発光レーザ素子は、反射層103,107、共振器スペーサー層104,106、活性層105および選択酸化層108を備える。そして、選択酸化層108は、発振光の電界の定在波分布の4周期目の節に対応する反射層107中の位置と、活性層105側と反対方向において、4周期目の節に隣接する定在波分布の腹に対応する反射層107中の位置との間に設けられる。
【選択図】図3
Description
Applied Physics Letters vol. 66, No. 25, pp.3413-3415, 1995. Electronics Letters No.24, Vol. 30, pp.2043-2044, 1994. IEEE Journal of selected topics in quantum electronics, vol.5, No. 3, p.p. 574-581, 1999.
図1は、この発明の実施の形態1による面発光レーザ素子の概略断面図である。図1を参照して、この発明による実施の形態1による面発光レーザ素子100は、基板101と、バッファ層102と、反射層103,107と、共振器スペーサー層104,106と、活性層105と、選択酸化層108と、コンタクト層109と、SiO2層110と、絶縁性樹脂111と、p側電極112と、n側電極113とを備える。なお、面発光レーザ素子100は、780nm帯の面発光レーザ素子である。
図20は、実施の形態2による面発光レーザ素子の概略断面図である。図20を参照して、実施の形態2による面発光レーザ素子200は、基板201と、バッファ層202と、反射層203,207と、共振器スペーサー層204,206と、活性層205と、選択酸化層208と、コンタクト層209と、SiO2層210と、絶縁性樹脂211と、p側電極212と、n側電極213とを備える。なお、面発光レーザ素子200は、980nm帯の面発光レーザ素子である。
図25は、実施の形態3による面発光レーザ素子の概略断面図である。図25を参照して、実施の形態3による面発光レーザ素子600は、基板601と、バッファ層602と、反射層603,607と、共振器スペーサー層604,606と、活性層605と、選択酸化層608,609と、コンタクト層610と、SiO2層611と、絶縁性樹脂612と、p側電極613と、n側電極614とを備える。なお、面発光レーザ素子600は、780nm帯の面発光レーザ素子である。
図29は、実施の形態4による面発光レーザ素子の概略断面図である。図29を参照して、実施の形態4による面発光レーザ素子700は、基板701と、バッファ層702と、反射層703,707と、共振器スペーサー層704,706と、活性層705と、高抵抗領域708a,708bと、選択酸化層709と、コンタクト層710と、SiO2層711と、絶縁性樹脂712と、p側電極713と、n側電極714とを備える。なお、面発光レーザ素子700は、780nm帯の面発光レーザ素子である。
図35は、実施の形態5による面発光レーザ素子の概略断面図である。図35を参照して、実施の形態5による面発光レーザ素子800は、基板801と、バッファ層802と、反射層803,807と、共振器スペーサー層804,806と、活性層805と、選択酸化層808,814と、コンタクト層809と、エッチングストップ層810と、SiO2層811と、絶縁性樹脂812と、p側電極813と、n側電極815とを備える。なお、面発光レーザ素子800は、980nm帯の面発光レーザ素子である。
図41は、実施の形態6による面発光レーザ素子の概略断面図である。図41を参照して、実施の形態6による面発光レーザ素子900は、基板901と、バッファ層902と、反射層903,907と、共振器スペーサー層904,906と、活性層905と、選択酸化層908,909と、コンタクト層910と、SiO2層911と、絶縁性樹脂912と、n側電極913と、p側電極914とを備える。なお、面発光レーザ素子900は、780nm帯の面発光レーザ素子である。
図46は、実施の形態7による面発光レーザ素子の概略断面図である。図46を参照して、実施の形態7による面発光レーザ素子1000は、基板1001と、バッファ層1002と、反射層1003,1007,1020と、共振器スペーサー層1004,1006と、活性層1005と、選択酸化層1008と、コンタクト層1009と、SiO2層1011と、絶縁性樹脂1012と、p側電極1013と、抑制層1017と、n側電極1018とを備える。なお、面発光レーザ素子1000は、780nm帯の面発光レーザ素子である。
Claims (19)
- 活性層と、
活性層の両側に設けられた共振器スペーサー層と、
共振器スペーサー層の両側に設けられ、前記活性層において発振した発振光を反射する反射層と、
前記発振光の電界の定在波分布の節に対応する前記反射層中の第1の位置と、前記活性層側と反対方向において、前記定在波分布の節に対応した第1の位置に隣接し、前記定在波分布の腹に対応する前記反射層中の第2の位置との間に設けられた選択酸化層とを備える面発光レーザ素子。 - 前記選択酸化層は、前記第1の位置と、前記第1および第2の位置間の中点との間に設けられる、請求項1に記載の面発光レーザ素子。
- 前記選択酸化層は、前記第1の位置と前記第2の位置との略中点に設けられる、請求項1に記載の面発光レーザ素子。
- 前記反射層は、第1の屈折率を有する第1の層と、前記第1の屈折率よりも大きい第2の屈折率を有する第2の層とを交互に積層した構造からなり、
前記選択酸化層は、前記第1の層中に設けられる、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の面発光レーザ素子。 - 活性層と、
活性層の両側に設けられた共振器スペーサー層と、
共振器スペーサー層の両側に設けられ、前記活性層において発振した発振光を反射する反射層と、
前記活性層へ電流を注入するときの前記反射層の領域を制限する電流狭窄層と、
前記活性層において発振した高次モード成分を抑制する抑制層とを備える面発光レーザ素子。 - 前記電流狭窄層および前記抑制層は、前記反射層中に設けられ、
前記活性層と前記抑制層との距離は、前記活性層と前記電流狭窄層との距離に等しい、請求項5に記載の面発光レーザ素子。 - 前記抑制層は、前記発振光の電界の定在波分布の節に対応する前記反射層中の第1の位置と、前記活性層側と反対方向において、前記定在波分布の節に対応した第1の位置に隣接し、前記定在波分布の腹に対応する前記反射層中の第2の位置との間に設けられた第1の選択酸化層からなり、
前記電流狭窄層は、前記第1の選択酸化層と異なる第2の選択酸化層からなり、
前記活性層と前記第1の選択酸化層との距離は、前記活性層と前記第2の選択酸化層との距離よりも大きい、請求項5に記載の面発光レーザ素子。 - 前記第2の選択酸化層は、前記発振光の電界の定在波分布の節に対応する位置に設けられる、請求項7に記載の面発光レーザ素子。
- 前記反射層は、
前記活性層の一方側に配置され、n型の半導体からなる第1の反射層と、
前記活性層に対して前記第1の反射層と反対側に配置され、p型の半導体からなる第2の反射層とを含み、
前記第1の選択酸化層は、前記第1の反射層中に配置され、
前記第2の選択酸化層は、前記第2の反射層中に配置される、請求項7または請求項8に記載の面発光レーザ素子。 - 前記抑制層と前記電流狭窄層との間に設けられ、前記活性層に前記電流を注入するための半導体層をさらに備え、
前記抑制層は、前記発振光の電界の定在波分布の節に対応する前記反射層中の第1の位置と、前記活性層側と反対方向において、前記定在波分布の節に対応した第1の位置に隣接し、前記定在波分布の腹に対応する前記反射層中の第2の位置との間に設けられた第1の選択酸化層からなり、
前記電流狭窄層は、前記第1の選択酸化層と異なる第2の選択酸化層からなり、
前記第1および第2の選択酸化層は、前記活性層に対して基板と反対側に設けられ、
前記第2の選択酸化層は、前記半導体層からの電流を制限して前記活性層に注入し、
前記活性層と前記第1の選択酸化層との距離は、前記活性層と前記第2の選択酸化層との距離よりも大きい、請求項5に記載の面発光レーザ素子。 - 前記第2の選択酸化層の非酸化領域の面積は、前記第1の選択酸化層の非酸化領域の面積よりも大きい、請求項9または請求項10に記載の面発光レーザ素子。
- 前記抑制層は、前記発振光の電界の定在波分布の節に対応する前記反射層中の第1の位置と、前記活性層側と反対方向において、前記定在波分布の節に対応した第1の位置に隣接し、前記定在波分布の腹に対応する前記反射層中の第2の位置との間に設けられた選択酸化層からなり、
前記電流狭窄層は、イオン注入され、前記活性層へ注入される電流が通過する領域よりも高い抵抗を有する高抵抗領域からなり、
前記活性層と前記抑制層との距離は、前記活性層と前記電流狭窄層との距離よりも大きい、請求項5に記載の面発光レーザ素子。 - 前記反射層は、
前記活性層に対して基板と反対側に設けられ、半導体からなる第1の反射層と、
前記第1の反射層上に設けられ、誘電体からなる第2の反射層とを含み、
前記電流狭窄層は、前記第1の反射層中に設けられ、
前記抑制層は、前記発振光の電界の定在波分布の節に対応する前記第2の反射層中の第1の位置と、前記活性層側と反対方向において、前記定在波分布の節に対応した第1の位置に隣接し、前記定在波分布の腹に対応する前記第2の反射層中の第2の位置との間に設けられるとともに、前記第2の反射層の積層方向において隣接する誘電体と異なる屈折率を有する誘電体層からなる、請求項5に記載の面発光レーザ素子。 - 正極電極をさらに備え、
前記電流狭窄層は、非酸化領域と前記基板の面内方向において前記非酸化領域の周囲に設けられた酸化領域とを含み、
前記正極電極は、前記第1の反射層の上部に設けられたコンタクト層の表面において前記酸化領域に対応する位置に設けられる、請求項13に記載の面発光レーザ素子。 - 単一基本モードで動作する面発光レーザ素子であって、
活性層と、
活性層の両側に設けられた共振器スペーサー層と、
共振器スペーサー層の両側に設けられ、前記活性層において発振した発振光を反射する反射層と、
前記反射層中に設けられ、酸化領域と非酸化領域とからなる選択酸化層とを備え、
前記非酸化領域の面積は、4〜20μm2の範囲である、面発光レーザ素子。 - 前記非酸化領域の面積は、4〜18.5μm2の範囲である、請求項15に記載の面発光レーザ素子。
- 請求項1から請求項16のいずれか1項に記載の面発光レーザ素子を備える面発光レーザアレイ。
- 請求項1から請求項16のいずれか1項に記載の面発光レーザ素子、または請求項17に記載の面発光レーザアレイを備える電子写真システム。
- 請求項1から請求項16のいずれか1項に記載の面発光レーザ素子、または請求項17に記載の面発光レーザアレイを備える光通信システム。
Priority Applications (10)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006299074A JP5194432B2 (ja) | 2005-11-30 | 2006-11-02 | 面発光レーザ素子 |
PCT/JP2006/323603 WO2007063806A1 (ja) | 2005-11-30 | 2006-11-27 | 面発光レーザ素子、それを備えた面発光レーザアレイ、電子写真システムおよび光通信システム |
KR1020077017656A KR100950240B1 (ko) | 2005-11-30 | 2006-11-27 | 면발광 레이저 소자, 이를 구비한 면발광 레이저 어레이,전자 사진 시스템 및 광통신 시스템 |
CN2006800034586A CN101111385B (zh) | 2005-11-30 | 2006-11-27 | 面发光激光元件、具有它的面发光激光阵列、电子照相系统和光通信系统 |
EP06833407.7A EP1955855B1 (en) | 2005-11-30 | 2006-11-27 | Surface light emitting laser element, surface light emitting laser array provided with it, electro-photographic system and optical communication system |
KR1020097011490A KR100972805B1 (ko) | 2005-11-30 | 2006-11-27 | 면발광 레이저 소자, 이를 구비한 면발광 레이저 어레이, 전자 사진 시스템 및 광통신 시스템 |
US11/815,050 US7720125B2 (en) | 2005-11-30 | 2006-11-27 | Surface light emitting laser element, surface light emitting laser array provided with it, electro-photographic system and optical communication system |
CN2010101553668A CN101794967B (zh) | 2005-11-30 | 2006-11-27 | 面发光激光元件 |
US12/717,713 US8340148B2 (en) | 2005-11-30 | 2010-03-04 | Surface-emission laser devices, surface-emission laser array having the same, electrophotographic system and optical communication system |
US13/682,014 US8824517B2 (en) | 2005-11-30 | 2012-11-20 | Surface-emission laser devices, surface-emission laser array having the same, electrophotographic system and optical communication system |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005346055 | 2005-11-30 | ||
JP2005346055 | 2005-11-30 | ||
JP2006126072 | 2006-04-28 | ||
JP2006126072 | 2006-04-28 | ||
JP2006299074A JP5194432B2 (ja) | 2005-11-30 | 2006-11-02 | 面発光レーザ素子 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012168206A Division JP5522490B2 (ja) | 2005-11-30 | 2012-07-30 | 面発光レーザ素子、それを備えた面発光レーザアレイ、面発光レーザ素子または面発光レーザアレイを備えた電子写真システムおよび面発光レーザ素子または面発光レーザアレイを備えた光通信システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007318064A true JP2007318064A (ja) | 2007-12-06 |
JP5194432B2 JP5194432B2 (ja) | 2013-05-08 |
Family
ID=38092139
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006299074A Expired - Fee Related JP5194432B2 (ja) | 2005-11-30 | 2006-11-02 | 面発光レーザ素子 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US7720125B2 (ja) |
EP (1) | EP1955855B1 (ja) |
JP (1) | JP5194432B2 (ja) |
KR (2) | KR100972805B1 (ja) |
CN (2) | CN101111385B (ja) |
WO (1) | WO2007063806A1 (ja) |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009200318A (ja) * | 2008-02-22 | 2009-09-03 | Canon Inc | 面発光レーザおよび画像形成装置 |
WO2009133966A1 (en) * | 2008-05-02 | 2009-11-05 | Ricoh Company, Ltd. | Vertical cavity surface emitting laser device, vertical cavity surface emitting laser array, optical scanning apparatus, image forming apparatus, optical transmission module and optical transmission system |
JP2009283888A (ja) * | 2008-02-12 | 2009-12-03 | Ricoh Co Ltd | 面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光走査装置、及び画像形成装置 |
JP2010010645A (ja) * | 2008-05-27 | 2010-01-14 | Ricoh Co Ltd | 面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光走査装置、及び画像形成装置 |
JP2011003820A (ja) * | 2009-06-22 | 2011-01-06 | Fuji Xerox Co Ltd | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 |
JP2011029495A (ja) * | 2009-07-28 | 2011-02-10 | Canon Inc | 面発光レーザ、面発光レーザの製造方法、画像形成装置 |
JP2011029496A (ja) * | 2009-07-28 | 2011-02-10 | Canon Inc | 面発光レーザ、面発光レーザの製造方法、画像形成装置 |
JP2011211227A (ja) * | 2011-06-20 | 2011-10-20 | Canon Inc | 面発光レーザ、面発光レーザの製造方法、画像形成装置 |
US8208511B2 (en) | 2007-11-14 | 2012-06-26 | Ricoh Company, Ltd. | Surface emitting laser, surface emitting laser array, optical scanning device, image forming apparatus, optical transmission module and optical transmission system |
US8483254B2 (en) | 2008-11-27 | 2013-07-09 | Ricoh Company, Ltd. | Surface-emitting laser device, surface-emitting laser array, optical scanning apparatus and image forming apparatus |
JP2019062188A (ja) * | 2017-08-28 | 2019-04-18 | ルーメンタム オペレーションズ エルエルシーLumentum Operations LLC | 垂直共振器面発光レーザのビーム広がり制御 |
US10490694B2 (en) | 2017-03-31 | 2019-11-26 | Nichia Corporation | Method for manufacturing light emitting element |
US10505072B2 (en) | 2016-12-16 | 2019-12-10 | Nichia Corporation | Method for manufacturing light emitting element |
Families Citing this family (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4537658B2 (ja) * | 2002-02-22 | 2010-09-01 | 株式会社リコー | 面発光レーザ素子、該面発光レーザ素子を用いた面発光レーザアレイ、電子写真システム、面発光レーザモジュール、光通信システム、光インターコネクションシステム、および面発光レーザ素子の製造方法 |
US7693204B2 (en) | 2006-02-03 | 2010-04-06 | Ricoh Company, Ltd. | Surface-emitting laser device and surface-emitting laser array including same |
JP4974981B2 (ja) | 2007-09-21 | 2012-07-11 | キヤノン株式会社 | 垂直共振器型面発光レーザ素子、及び該垂直共振器型面発光レーザ素子を用いた画像形成装置 |
KR20130006705A (ko) * | 2008-02-12 | 2013-01-17 | 가부시키가이샤 리코 | 면 발광 레이저 소자, 면 발광 레이저 어레이, 광 주사 장치, 및 화상 형성 장치 |
JP5408477B2 (ja) * | 2008-05-13 | 2014-02-05 | 株式会社リコー | 面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光走査装置及び画像形成装置 |
JP2009295792A (ja) | 2008-06-05 | 2009-12-17 | Ricoh Co Ltd | 面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光走査装置及び画像形成装置 |
JP5748949B2 (ja) | 2008-11-20 | 2015-07-15 | 株式会社リコー | 面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光走査装置及び画像形成装置 |
JP5515767B2 (ja) | 2009-05-28 | 2014-06-11 | 株式会社リコー | 面発光レーザ素子の製造方法、面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光走査装置及び画像形成装置 |
JP2011061083A (ja) * | 2009-09-11 | 2011-03-24 | Sony Corp | 半導体レーザ |
JP5510899B2 (ja) | 2009-09-18 | 2014-06-04 | 株式会社リコー | 面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光走査装置、及び画像形成装置 |
US8441633B2 (en) * | 2009-10-29 | 2013-05-14 | California Institute Of Technology | Multiple-photon excitation light sheet illumination microscope |
JP5532321B2 (ja) * | 2009-11-17 | 2014-06-25 | 株式会社リコー | 面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光走査装置及び画像形成装置 |
JP5527714B2 (ja) * | 2009-11-18 | 2014-06-25 | 株式会社リコー | 面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光走査装置及び画像形成装置 |
CN102074893B (zh) * | 2009-11-24 | 2013-03-13 | 株式会社村田制作所 | 面发光元件 |
JP5522595B2 (ja) * | 2009-11-27 | 2014-06-18 | 株式会社リコー | 面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光走査装置及び画像形成装置 |
JP2011151357A (ja) | 2009-12-21 | 2011-08-04 | Ricoh Co Ltd | 光デバイス、光走査装置及び画像形成装置 |
JP2011159943A (ja) * | 2010-01-08 | 2011-08-18 | Ricoh Co Ltd | 面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光走査装置及び画像形成装置 |
JP2011166108A (ja) * | 2010-01-15 | 2011-08-25 | Ricoh Co Ltd | 面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光走査装置及び画像形成装置 |
JP5834414B2 (ja) | 2010-03-18 | 2015-12-24 | 株式会社リコー | 面発光レーザモジュール、光走査装置及び画像形成装置 |
JP5585940B2 (ja) | 2010-04-22 | 2014-09-10 | 株式会社リコー | 面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光走査装置、画像形成装置及び面発光レーザ素子の製造方法 |
JP5754624B2 (ja) | 2010-05-25 | 2015-07-29 | 株式会社リコー | 面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光走査装置、画像形成装置及び面発光レーザ素子の製造方法 |
JP2012209534A (ja) | 2011-03-17 | 2012-10-25 | Ricoh Co Ltd | 面発光レーザ素子、原子発振器及び面発光レーザ素子の検査方法 |
JP5929259B2 (ja) | 2011-05-17 | 2016-06-01 | 株式会社リコー | 面発光レーザ素子、光走査装置及び画像形成装置 |
JP6303255B2 (ja) | 2011-12-02 | 2018-04-04 | 株式会社リコー | 面発光レーザ素子及び原子発振器 |
JP6102525B2 (ja) | 2012-07-23 | 2017-03-29 | 株式会社リコー | 面発光レーザ素子及び原子発振器 |
JP6107089B2 (ja) | 2012-11-30 | 2017-04-05 | 株式会社リコー | 面発光レーザ素子及び原子発振器 |
US10821729B2 (en) | 2013-02-28 | 2020-11-03 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transfer molded fluid flow structure |
JP6261623B2 (ja) | 2013-02-28 | 2018-01-17 | ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー.Hewlett‐Packard Development Company, L.P. | 成形式プリントバー |
EP2961612B1 (en) * | 2013-02-28 | 2019-08-07 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Molding a fluid flow structure |
CN105189122B (zh) | 2013-03-20 | 2017-05-10 | 惠普发展公司,有限责任合伙企业 | 具有暴露的前表面和后表面的模制芯片条 |
US9966730B2 (en) | 2014-08-11 | 2018-05-08 | Ricoh Company, Ltd. | Surface-emitting laser apparatus and manufacturing method thereof |
JP2016174136A (ja) | 2015-03-16 | 2016-09-29 | 株式会社リコー | 面発光レーザアレイ、レーザ装置、点火装置、及び内燃機関 |
US9653883B2 (en) | 2015-03-19 | 2017-05-16 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Surface emitting semiconductor laser device |
US10456189B2 (en) | 2015-10-28 | 2019-10-29 | Elliquence | RF generator for an electrosurgical instrument |
FI3386041T3 (fi) | 2015-12-02 | 2023-06-02 | Ricoh Co Ltd | Laserlaite, sytytyslaite ja polttomoottori |
JP6662013B2 (ja) | 2015-12-11 | 2020-03-11 | 株式会社リコー | 面発光レーザ、面発光レーザアレイ、レーザ装置、点火装置、内燃機関、光走査装置、画像形成装置、光伝送モジュール、及び光伝送システム |
DE102017129069B3 (de) * | 2017-12-06 | 2018-09-13 | Laser Zentrum Hannover E.V. | Optisches Element mit alternierenden Brechungsindexänderungen und dessen Verwendung |
US11283240B2 (en) * | 2018-01-09 | 2022-03-22 | Oepic Semiconductors, Inc. | Pillar confined backside emitting VCSEL |
US11233377B2 (en) * | 2018-01-26 | 2022-01-25 | Oepic Semiconductors Inc. | Planarization of backside emitting VCSEL and method of manufacturing the same for array application |
CN109524878B (zh) * | 2018-12-05 | 2019-08-09 | 深亮智能技术(中山)有限公司 | 一种垂直腔面发射激光器 |
US11616343B2 (en) * | 2020-05-21 | 2023-03-28 | Lumentum Operations Llc | Vertical-cavity surface-emitting laser with a tunnel junction |
CN114497310B (zh) * | 2022-04-15 | 2022-07-05 | 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 | 侧向光模式控制高功率半导体器件及其制备方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1056233A (ja) * | 1996-06-20 | 1998-02-24 | Hewlett Packard Co <Hp> | 高輝度単一モードvcsel |
JP2002353562A (ja) * | 2001-05-23 | 2002-12-06 | Canon Inc | 面発光レーザ装置およびその製造方法 |
JP2003508928A (ja) * | 1999-08-31 | 2003-03-04 | ハネウェル・インコーポレーテッド | 結合空洞アンチガイデッド垂直共振器表面発光レーザ(vcsel) |
JP2004253408A (ja) * | 2002-02-22 | 2004-09-09 | Ricoh Co Ltd | 面発光レーザ素子、該面発光レーザ素子を用いた面発光レーザアレイ、電子写真システム、面発光レーザモジュール、光通信システム、光インターコネクションシステム、および面発光レーザ素子の製造方法 |
JP2005303113A (ja) * | 2004-04-14 | 2005-10-27 | Ricoh Co Ltd | 垂直共振器型面発光半導体レーザ素子および発光装置および光伝送システム |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05206574A (ja) * | 1992-01-29 | 1993-08-13 | Nec Corp | 半導体多層反射膜 |
US5594751A (en) * | 1995-06-26 | 1997-01-14 | Optical Concepts, Inc. | Current-apertured vertical cavity laser |
JP3482824B2 (ja) * | 1997-07-29 | 2004-01-06 | セイコーエプソン株式会社 | 面発光型半導体レーザおよび面発光型半導体レーザアレイ |
US6563851B1 (en) * | 1998-04-13 | 2003-05-13 | Ricoh Company, Ltd. | Laser diode having an active layer containing N and operable in a 0.6 μm wavelength band |
US7384479B2 (en) * | 1998-04-13 | 2008-06-10 | Ricoh Company, Ltd. | Laser diode having an active layer containing N and operable in a 0.6 μm wavelength |
US6207973B1 (en) * | 1998-08-19 | 2001-03-27 | Ricoh Company, Ltd. | Light emitting devices with layered III-V semiconductor structures |
US6542528B1 (en) * | 1999-02-15 | 2003-04-01 | Ricoh Company, Ltd. | Light-emitting semiconductor device producing red wavelength optical radiation |
US6614821B1 (en) * | 1999-08-04 | 2003-09-02 | Ricoh Company, Ltd. | Laser diode and semiconductor light-emitting device producing visible-wavelength radiation |
JP3990846B2 (ja) * | 1999-08-27 | 2007-10-17 | キヤノン株式会社 | 面型光素子、その製造方法、およびこれを用いた装置 |
US6975663B2 (en) * | 2001-02-26 | 2005-12-13 | Ricoh Company, Ltd. | Surface-emission laser diode operable in the wavelength band of 1.1-7μm and optical telecommunication system using such a laser diode |
US6931042B2 (en) * | 2000-05-31 | 2005-08-16 | Sandia Corporation | Long wavelength vertical cavity surface emitting laser |
US6674785B2 (en) * | 2000-09-21 | 2004-01-06 | Ricoh Company, Ltd. | Vertical-cavity, surface-emission type laser diode and fabrication process thereof |
JP2002208755A (ja) | 2000-11-13 | 2002-07-26 | Fuji Xerox Co Ltd | 面発光型半導体レーザ |
US6529541B1 (en) * | 2000-11-13 | 2003-03-04 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Surface emitting semiconductor laser |
US6650683B2 (en) | 2000-11-20 | 2003-11-18 | Fuji Xerox Co, Ltd. | Surface emitting semiconductor laser |
US6803604B2 (en) * | 2001-03-13 | 2004-10-12 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor optical modulator, an optical amplifier and an integrated semiconductor light-emitting device |
US6765232B2 (en) * | 2001-03-27 | 2004-07-20 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor light-emitting device, surface-emission laser diode, and production apparatus thereof, production method, optical module and optical telecommunication system |
WO2002084829A1 (en) * | 2001-04-11 | 2002-10-24 | Cielo Communications, Inc. | Long wavelength vertical cavity surface emitting laser |
JP2003115634A (ja) | 2001-08-02 | 2003-04-18 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 面発光レーザ素子 |
US6765323B2 (en) * | 2001-09-28 | 2004-07-20 | Kabushiki Kaisha Moric | Method and device for detecting rotational drive force |
US6838715B1 (en) * | 2002-04-30 | 2005-01-04 | Ess Technology, Inc. | CMOS image sensor arrangement with reduced pixel light shadowing |
JP2005044964A (ja) | 2003-07-28 | 2005-02-17 | Ricoh Co Ltd | 面発光レーザ素子および面発光レーザアレイおよび面発光レーザモジュールおよび電子写真システムおよび光インターコネクションシステムおよび光通信システムおよび面発光レーザ素子の製造方法 |
US7542499B2 (en) * | 2003-11-27 | 2009-06-02 | Ricoh Company, Ltd. | Surface-emission laser diode and surface-emission laser array, optical interconnection system, optical communication system, electrophotographic system, and optical disk system |
JP2005251860A (ja) * | 2004-03-02 | 2005-09-15 | Nec Corp | 面発光レーザ装置 |
JP2005303115A (ja) * | 2004-04-14 | 2005-10-27 | Kaneka Corp | マグネットローラおよびマグネットピースの成形用金型 |
US20050265415A1 (en) * | 2004-05-28 | 2005-12-01 | Lambkin John D | Laser diode and method of manufacture |
JP4919639B2 (ja) * | 2004-10-13 | 2012-04-18 | 株式会社リコー | 面発光レーザ素子および面発光レーザアレイおよび面発光レーザ素子の製造方法および面発光レーザモジュールおよび電子写真システムおよび光通信システムおよび光インターコネクションシステム |
US7693204B2 (en) | 2006-02-03 | 2010-04-06 | Ricoh Company, Ltd. | Surface-emitting laser device and surface-emitting laser array including same |
JP5206574B2 (ja) | 2009-04-27 | 2013-06-12 | 株式会社デンソー | 液面検出装置 |
-
2006
- 2006-11-02 JP JP2006299074A patent/JP5194432B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-11-27 CN CN2006800034586A patent/CN101111385B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-11-27 US US11/815,050 patent/US7720125B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-11-27 KR KR1020097011490A patent/KR100972805B1/ko active IP Right Grant
- 2006-11-27 EP EP06833407.7A patent/EP1955855B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-11-27 CN CN2010101553668A patent/CN101794967B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-11-27 KR KR1020077017656A patent/KR100950240B1/ko active IP Right Grant
- 2006-11-27 WO PCT/JP2006/323603 patent/WO2007063806A1/ja active Application Filing
-
2010
- 2010-03-04 US US12/717,713 patent/US8340148B2/en active Active
-
2012
- 2012-11-20 US US13/682,014 patent/US8824517B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1056233A (ja) * | 1996-06-20 | 1998-02-24 | Hewlett Packard Co <Hp> | 高輝度単一モードvcsel |
JP2003508928A (ja) * | 1999-08-31 | 2003-03-04 | ハネウェル・インコーポレーテッド | 結合空洞アンチガイデッド垂直共振器表面発光レーザ(vcsel) |
JP2002353562A (ja) * | 2001-05-23 | 2002-12-06 | Canon Inc | 面発光レーザ装置およびその製造方法 |
JP2004253408A (ja) * | 2002-02-22 | 2004-09-09 | Ricoh Co Ltd | 面発光レーザ素子、該面発光レーザ素子を用いた面発光レーザアレイ、電子写真システム、面発光レーザモジュール、光通信システム、光インターコネクションシステム、および面発光レーザ素子の製造方法 |
JP2005303113A (ja) * | 2004-04-14 | 2005-10-27 | Ricoh Co Ltd | 垂直共振器型面発光半導体レーザ素子および発光装置および光伝送システム |
Cited By (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8208511B2 (en) | 2007-11-14 | 2012-06-26 | Ricoh Company, Ltd. | Surface emitting laser, surface emitting laser array, optical scanning device, image forming apparatus, optical transmission module and optical transmission system |
JP2009283888A (ja) * | 2008-02-12 | 2009-12-03 | Ricoh Co Ltd | 面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光走査装置、及び画像形成装置 |
JP4621263B2 (ja) * | 2008-02-22 | 2011-01-26 | キヤノン株式会社 | 面発光レーザおよび画像形成装置 |
JP2009200318A (ja) * | 2008-02-22 | 2009-09-03 | Canon Inc | 面発光レーザおよび画像形成装置 |
US9570887B2 (en) | 2008-05-02 | 2017-02-14 | Ricoh Company, Ltd. | Vertical cavity surface emitting laser device, vertical cavity surface emitting laser array, optical scanning apparatus, image forming apparatus, optical transmission module and optical transmission system |
US20150063396A1 (en) * | 2008-05-02 | 2015-03-05 | Ricoh Company, Ltd. | Vertical cavity surface emitting laser device, vertical cavity surface emitting laser array, optical scanning apparatus, image forming apparatus, optical transmission module and optical transmission system |
WO2009133966A1 (en) * | 2008-05-02 | 2009-11-05 | Ricoh Company, Ltd. | Vertical cavity surface emitting laser device, vertical cavity surface emitting laser array, optical scanning apparatus, image forming apparatus, optical transmission module and optical transmission system |
US8891571B2 (en) | 2008-05-02 | 2014-11-18 | Ricoh Company, Ltd. | Vertical cavity surface emitting laser device, vertical cavity surface emitting laser array, optical scanning apparatus, image forming apparatus, optical transmission module and optical transmission system |
JP2010010645A (ja) * | 2008-05-27 | 2010-01-14 | Ricoh Co Ltd | 面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光走査装置、及び画像形成装置 |
US8649407B2 (en) | 2008-11-27 | 2014-02-11 | Ricoh Company, Ltd. | Surface-emitting laser device, surface-emitting laser array, optical scanning apparatus and image forming apparatus |
US8958449B2 (en) | 2008-11-27 | 2015-02-17 | Ricoh Company, Ltd. | Surface-emitting laser device, surface-emitting laser array, optical scanning apparatus and image forming apparatus |
US8483254B2 (en) | 2008-11-27 | 2013-07-09 | Ricoh Company, Ltd. | Surface-emitting laser device, surface-emitting laser array, optical scanning apparatus and image forming apparatus |
JP2011003820A (ja) * | 2009-06-22 | 2011-01-06 | Fuji Xerox Co Ltd | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 |
JP2011029495A (ja) * | 2009-07-28 | 2011-02-10 | Canon Inc | 面発光レーザ、面発光レーザの製造方法、画像形成装置 |
US8265115B2 (en) | 2009-07-28 | 2012-09-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Surface emitting laser, method for manufacturing surface emitting laser, and image forming apparatus |
US8188487B2 (en) | 2009-07-28 | 2012-05-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Surface emitting laser with trenches to define conductive regions |
JP2011029496A (ja) * | 2009-07-28 | 2011-02-10 | Canon Inc | 面発光レーザ、面発光レーザの製造方法、画像形成装置 |
JP2011211227A (ja) * | 2011-06-20 | 2011-10-20 | Canon Inc | 面発光レーザ、面発光レーザの製造方法、画像形成装置 |
US10505072B2 (en) | 2016-12-16 | 2019-12-10 | Nichia Corporation | Method for manufacturing light emitting element |
US11056612B2 (en) | 2016-12-16 | 2021-07-06 | Nichia Corporation | Light emitting element |
US11855238B2 (en) | 2016-12-16 | 2023-12-26 | Nichia Corporation | Light emitting element |
US10490694B2 (en) | 2017-03-31 | 2019-11-26 | Nichia Corporation | Method for manufacturing light emitting element |
JP2019062188A (ja) * | 2017-08-28 | 2019-04-18 | ルーメンタム オペレーションズ エルエルシーLumentum Operations LLC | 垂直共振器面発光レーザのビーム広がり制御 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090022199A1 (en) | 2009-01-22 |
KR20090068387A (ko) | 2009-06-26 |
CN101794967B (zh) | 2012-05-23 |
JP5194432B2 (ja) | 2013-05-08 |
US8824517B2 (en) | 2014-09-02 |
US8340148B2 (en) | 2012-12-25 |
US20100158065A1 (en) | 2010-06-24 |
WO2007063806A1 (ja) | 2007-06-07 |
KR100972805B1 (ko) | 2010-07-29 |
CN101111385A (zh) | 2008-01-23 |
US7720125B2 (en) | 2010-05-18 |
EP1955855B1 (en) | 2018-02-21 |
CN101111385B (zh) | 2011-06-01 |
EP1955855A4 (en) | 2014-01-22 |
EP1955855A1 (en) | 2008-08-13 |
CN101794967A (zh) | 2010-08-04 |
KR100950240B1 (ko) | 2010-03-29 |
US20130077647A1 (en) | 2013-03-28 |
KR20070093000A (ko) | 2007-09-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5194432B2 (ja) | 面発光レーザ素子 | |
JP4919639B2 (ja) | 面発光レーザ素子および面発光レーザアレイおよび面発光レーザ素子の製造方法および面発光レーザモジュールおよび電子写真システムおよび光通信システムおよび光インターコネクションシステム | |
JP5057354B2 (ja) | 面発光レーザの製造方法 | |
JP3697903B2 (ja) | 面発光レーザおよび面発光レーザアレイ | |
JP4602701B2 (ja) | 面発光レーザ及び光伝送システム | |
US20090213889A1 (en) | Surface emitting laser and image forming apparatus | |
JPH10233557A (ja) | 半導体発光素子 | |
JP5522490B2 (ja) | 面発光レーザ素子、それを備えた面発光レーザアレイ、面発光レーザ素子または面発光レーザアレイを備えた電子写真システムおよび面発光レーザ素子または面発光レーザアレイを備えた光通信システム | |
JP2004327862A (ja) | 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 | |
JP2007299897A (ja) | 面発光レーザ素子、それを備えた面発光レーザアレイ、面発光レーザ素子または面発光レーザアレイを備えた画像形成装置、面発光レーザ素子または面発光レーザアレイを備えた光インターコネクションシステムおよび面発光レーザ素子または面発光レーザアレイを備えた光通信システム | |
JP5005937B2 (ja) | 面発光レーザ素子 | |
JP5006242B2 (ja) | 面発光半導体レーザ素子 | |
JP2012099647A (ja) | 垂直共振器型面発光レーザ、画像形成装置 | |
JP4680537B2 (ja) | 面発光レーザ素子および面発光レーザアレイおよび光インターコネクションシステムおよび光通信システムおよび電子写真システムおよび光ディスクシステム | |
JP2007299895A (ja) | 面発光レーザ素子、それを備えた面発光レーザアレイ、面発光レーザ素子または面発光レーザアレイを備えた電子写真システム、面発光レーザ素子または面発光レーザアレイを備えた光インターコネクションシステムおよび面発光レーザ素子または面発光レーザアレイを備えた光通信システム | |
JP2004179640A (ja) | 半導体レーザおよび光送信用モジュールおよび光通信システム | |
JP2003332683A (ja) | 面発光レーザ素子 | |
JP2007227861A (ja) | 半導体発光素子 | |
JP2003133639A (ja) | 面発光型半導体レーザ素子 | |
JP2003332684A (ja) | 面発光レーザ素子 | |
JP2006005324A (ja) | 面発光レーザ素子および面発光レーザアレイおよび光インターコネクションシステムおよび光通信システムおよび電子写真システムおよび光ディスクシステム | |
JP2005093704A (ja) | 面発光レーザおよび光送信モジュールおよび光送受信モジュールおよび光通信システム | |
JP2008306126A (ja) | 面発光レーザ | |
JP2007273817A (ja) | 面発光型半導体レーザ素子及び面発光型半導体レーザ素子の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090730 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20090730 |
|
RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20090909 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120601 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120730 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130108 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130121 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160215 Year of fee payment: 3 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5194432 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160215 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |