JP2007294862A - 基板およびこれを用いた回路基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1のガラスを含む第1の絶縁層と、第2のガラスを含む第2の絶縁層とを、積層し焼成してなる基板において、焼成後の前記第1の絶縁層が主結晶としてアスペクト比3以上の異方性結晶を含有し、かつ、前記第1のガラスは、Siを酸化物換算(以下全て酸化物換算)で10〜30質量%、MgおよびZnの少なくとも1種を合量で5〜30質量%、Bを10〜30質量%、(Alの質量%、M(MはSr、Baの少なくとも1種)の質量%)と表記した際に、点A(1、21)、点B(1、35)、点C(9、45)、点D(20、45)、点E(20、35)、点F(9、21)を結ぶ範囲内で含有し、かつ、前記第2のガラスのSi含有量が前記第1のガラスより多く、前記第2のガラスのB含有量が前記第1のガラスより少ないことを特徴とする基板。
【選択図】図1
Description
1a〜g、11a〜o・・・絶縁基板層
2、12・・・表面導体層
3、13・・・内部導体層
4、14・・・ビアホール導体
15・・・キャビティ
10、20・・・回路基板
Claims (11)
- 第1のガラスを含むかまたは第1のガラスからなる第1の絶縁層と第2のガラスを含むかまたは第2のガラスからなる第2の絶縁層とを積層し焼成してなる基板であって、前記第1の絶縁層を焼成した第1の絶縁基板層と前記第2の絶縁層を焼成した第2の絶縁基板層とが積層一体化された基板において、
前記第1の絶縁基板層が主結晶相としてアスペクト比3以上の異方性結晶を含有し、かつ、前記第1のガラスは、SiをSiO2換算で10〜30質量%、MgおよびZnの少なくとも1種をそれぞれMgO換算およびZnO換算の合量で5〜30質量%、BをB2O3換算で10〜30質量%、AlおよびM(MはSr、Baの少なくとも1種)を(Al2O3換算の質量%、MO換算の質量%)と表記した際に、点A(1、21)、点B(1、35)、点C(9、45)、点D(20、45)、点E(20、35)、点F(9、21)を結ぶ範囲内で含有し、
かつ、前記第2のガラスのSiO2換算のSi含有量が前記第1のガラスのSiO2換算のSi含有量よりも1〜40質量%多いとともに、前記第2のガラスのB2O3換算のB含有量が3質量%以上であり、かつ、前記第1のガラスのB2O3換算のB含有量よりも5質量%以上少ないことを特徴とする基板。 - 前記異方性結晶が、セルシアンおよびスラウソナイトのうち少なくとも1種であることを特徴とする請求項1に記載の基板。
- 前記第1の絶縁基板層の結晶化度が75質量%以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の基板。
- 前記第1のガラス中の、AlおよびMの含有量が、(Al2O3換算の質量%、MO換算の質量%)と表記した際に、点A(1、21)、点B(1、35)、点G(9、35)、点F(9、21)を結ぶ範囲内で含有するとともに、Y2O3、CaO、TiO2およびNa2Oから選ばれる少なくとも1種を合計で5〜20質量%含有することを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の基板。
- 前記第1のガラス中の、AlおよびBaの含有量が、(Al2O3換算の質量%、BaO換算の質量%)と表記した際に、点A(1、21)、点B(1、35)、点G(9、35)、点F(9、21)を結ぶ範囲内で含有するとともに、MgをMgO換算で5〜30質量%含有し、Y2O3,CaO,SrO,ZnO,TiO2,Na2O,SnO2,P2O5,ZrO2およびLi2Oから選ばれる少なくとも1種を合計で5〜20質量%の含有することを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の基板。
- 前記第1のガラス中の、AlおよびBaの含有量が、(Al2O3換算の質量%、MO換算の質量%)と表記した際に、点C(9、45)、点D(20、45)、点E(20、35)、点G(9、35)を結ぶ範囲内で含有することを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の基板。
- 前記第2のガラスが、SiをSiO2換算で20〜60質量%、AlをAl2O3換算で10〜25質量%,MgをMgO換算で8〜35質量%,M(MはSr、Baの少なくとも1種)をMO換算で10〜20質量%含有するとともに、SiO2に対するMgOの質量比をMgO/SiO2と表記した際に0.20〜0.87であって、前記第2の絶縁基板層がアスペクト比が3以上の異方性結晶からなるセルシアン結晶相およびスラウソナイト結晶相の少なくとも1種を含むことを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の基板。
- 前記第1の絶縁層は、前記第1のガラスが30〜100質量%および第1のセラミックスが0〜70質量%からなり、前記第2の絶縁層は、前記第2のガラスが30〜100質量%および第2のセラミックスが0〜70質量%からなる(ただし、第1のセラミックスおよび第2のセラミックスがともに0質量%である場合を除く)ことを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の基板。
- 前記第1のガラスの軟化温度は、前記第2のガラスの軟化温度より低いことを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載の基板。
- 前記第1の絶縁層の焼成収縮開始温度は、前記第2の絶縁層の焼成収縮開始温度より低いことを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載の基板。
- 請求項1〜10のいずれかに記載の基板に回路導体層を形成してなる回路基板。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013056795A (ja) * | 2011-09-08 | 2013-03-28 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 結晶性ガラス組成物およびそれを用いた接着材料 |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101073873B1 (ko) * | 2006-06-02 | 2011-10-14 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 다층 세라믹 기판과 그 제조 방법, 및 전자 부품 |
CN101683010B (zh) * | 2008-02-19 | 2012-05-09 | 株式会社村田制作所 | 层叠型陶瓷电子元器件的制造方法 |
JP5182367B2 (ja) * | 2008-05-15 | 2013-04-17 | 株式会社村田製作所 | 多層セラミック基板およびその製造方法 |
JP5481854B2 (ja) | 2008-12-16 | 2014-04-23 | Tdk株式会社 | 電子部品 |
JP5559590B2 (ja) * | 2009-11-18 | 2014-07-23 | 日本碍子株式会社 | セラミックス焼結体、その製造方法及びセラミックス構造体 |
US8187901B2 (en) | 2009-12-07 | 2012-05-29 | Micron Technology, Inc. | Epitaxial formation support structures and associated methods |
JP5401617B1 (ja) * | 2013-01-24 | 2014-01-29 | 有限会社 ナプラ | 受動素子内蔵基板 |
FR3003081A1 (fr) * | 2013-03-07 | 2014-09-12 | Saint Gobain Rech | Support de monte en vitroceramique pour led |
WO2014155758A1 (ja) * | 2013-03-26 | 2014-10-02 | 日本碍子株式会社 | ガラス-セラミックス複合材料 |
US9212087B2 (en) | 2013-03-26 | 2015-12-15 | Ngk Insulators, Ltd. | Glass-ceramics composite material |
JP6293704B2 (ja) * | 2015-05-28 | 2018-03-14 | スナップトラック・インコーポレーテッド | ガラスセラミックス焼結体及び配線基板 |
JP2018525840A (ja) * | 2015-08-21 | 2018-09-06 | コーニング インコーポレイテッド | 低誘電特性を有するガラス基板アセンブリ |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01141837A (ja) * | 1987-11-27 | 1989-06-02 | Shoei Kagaku Kogyo Kk | 回路基板用誘電体材料 |
JPH04198039A (ja) * | 1990-11-28 | 1992-07-17 | Tanaka Kikinzoku Internatl Kk | 厚膜回路用絶縁ペースト |
JP2001185824A (ja) * | 1999-12-24 | 2001-07-06 | Kyocera Corp | セラミック配線基板及びその製造方法 |
JP2002109923A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-12 | Ngk Insulators Ltd | 反射鏡 |
JP2003069236A (ja) * | 2001-08-29 | 2003-03-07 | Kyocera Corp | セラミック回路基板およびその製法 |
JP2005093546A (ja) * | 2003-09-12 | 2005-04-07 | Kyocera Corp | 配線基板およびその製造方法 |
JP2005306714A (ja) * | 2004-03-22 | 2005-11-04 | Kyocera Corp | ガラスセラミック組成物、ガラスセラミック焼結体およびその製造方法、並びにそれを用いた配線基板、薄膜配線基板 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3961033B2 (ja) | 1995-02-27 | 2007-08-15 | 京セラ株式会社 | 積層ガラス−セラミック回路基板 |
JP3764605B2 (ja) | 1999-06-30 | 2006-04-12 | 京セラ株式会社 | 回路基板の製法 |
US6579818B2 (en) * | 2000-08-28 | 2003-06-17 | Kyocera Corporation | Glass ceramic sintered product |
JP2002261443A (ja) | 2001-02-27 | 2002-09-13 | Kyocera Corp | 回路基板の製造方法 |
AU2002327799A1 (en) * | 2001-10-01 | 2003-04-14 | Heraeus, Incorporated | Self-constrained low temperature glass-ceramic unfired tape for microelectronics and methods for making and using the same |
JP2004200679A (ja) | 2002-12-05 | 2004-07-15 | Kyocera Corp | 多層回路基板の製造方法 |
JP4606115B2 (ja) | 2004-10-20 | 2011-01-05 | 京セラ株式会社 | 多層基板及びその製造方法 |
US7687137B2 (en) * | 2005-02-28 | 2010-03-30 | Kyocera Corporation | Insulating substrate and manufacturing method therefor, and multilayer wiring board and manufacturing method therefor |
-
2007
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01141837A (ja) * | 1987-11-27 | 1989-06-02 | Shoei Kagaku Kogyo Kk | 回路基板用誘電体材料 |
JPH04198039A (ja) * | 1990-11-28 | 1992-07-17 | Tanaka Kikinzoku Internatl Kk | 厚膜回路用絶縁ペースト |
JP2001185824A (ja) * | 1999-12-24 | 2001-07-06 | Kyocera Corp | セラミック配線基板及びその製造方法 |
JP2002109923A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-12 | Ngk Insulators Ltd | 反射鏡 |
JP2003069236A (ja) * | 2001-08-29 | 2003-03-07 | Kyocera Corp | セラミック回路基板およびその製法 |
JP2005093546A (ja) * | 2003-09-12 | 2005-04-07 | Kyocera Corp | 配線基板およびその製造方法 |
JP2005306714A (ja) * | 2004-03-22 | 2005-11-04 | Kyocera Corp | ガラスセラミック組成物、ガラスセラミック焼結体およびその製造方法、並びにそれを用いた配線基板、薄膜配線基板 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013056795A (ja) * | 2011-09-08 | 2013-03-28 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 結晶性ガラス組成物およびそれを用いた接着材料 |
US9409814B2 (en) | 2011-09-08 | 2016-08-09 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | Crystalline glass composition and adhesive material using same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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