JP2005272289A - 誘電体磁器組成物及びそれを用いた積層セラミック部品 - Google Patents
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Abstract
【課題】 機械的強度及び誘電特性に優れ、900℃程度の低温で焼成可能な誘電体磁器組成物及びそれを用いた積層セラミック部品を得る。
【解決手段】 結晶化ガラス1と、非晶質ガラス2と、セラミックフィラー3とを含む誘電体磁器組成物であり、結晶化ガラス1の軟化点が非晶質ガラス2の軟化点よりも高く、かつ900℃以下であり、結晶化ガラス1が27重量%以上非晶質ガラス2が20重量%未満含まれており、結晶化ガラス1と非晶質ガラス2の合計が60重量%以下で、かつセラミックフィラー3が40重量%以上含まれていることを特徴としている。
【選択図】 図1
【解決手段】 結晶化ガラス1と、非晶質ガラス2と、セラミックフィラー3とを含む誘電体磁器組成物であり、結晶化ガラス1の軟化点が非晶質ガラス2の軟化点よりも高く、かつ900℃以下であり、結晶化ガラス1が27重量%以上非晶質ガラス2が20重量%未満含まれており、結晶化ガラス1と非晶質ガラス2の合計が60重量%以下で、かつセラミックフィラー3が40重量%以上含まれていることを特徴としている。
【選択図】 図1
Description
本発明は、積層セラミック部品などに用いられる誘電体磁器組成物及びこれを用いた積層セラミック部品に関するものである。
近年、電子部品の小型化・薄型化に伴い、積層セラミック部品に対するニーズが急速に高まってきている。積層セラミック部品の代表的な例としては、Agなどの導電材料と同時に焼成可能な低温焼成材料(LTCC)を用い、各層にインダクタやコンデンサの回路を構成したものが挙げられる。この積層セラミック部品に使用される低温焼成材料としては、アルミナ等のセラミックフィラーとガラスを混合した誘電体磁器組成物が使用されるのが一般的である。
900℃程度の温度で焼結性を上げるためには、ガラスを60重量%程度より多く配合することが必要となるが、ガラスの添加量が多くなると、原材料コストが増大するという問題を生じる。また、ガラス添加量が少ないと、十分な焼結性が得られず、機械的強度及び誘電特性が低下するという問題がある。
特開2001−84835号公報
特開平10−22162号公報
本発明の目的は、機械的強度及び誘電特性に優れ、900℃程度の低温で焼成可能な誘電体磁器組成物を提供することにある。
本発明は、結晶化ガラスと非晶質ガラスとセラミックフィラーとを含む誘電体磁器組成物であり、結晶化ガラスの軟化点が非晶質ガラスの軟化点よりも高く、かつ900℃以下であり、結晶化ガラスが27重量%以上、非晶質ガラスが20重量%未満含まれており、結晶化ガラスと非晶質ガラスの合計が60重量%以下で、かつセラミックフィラーが40重量%以上含まれていることを特徴としている。
本発明によれば、機械的強度及び誘電特性に優れ、かつ900℃程度の低温で焼成することが可能な誘電体磁器組成物とすることができる。
本発明においては、結晶化ガラスの軟化点が非晶質ガラスの軟化点よりも高く、かつ900℃以下である。このため、焼成工程において、結晶化ガラスが結晶化する前に、非晶質ガラスが軟化し、流動性を与えるので、結晶化ガラス粒子とセラミックフィラー粒子の再配列が促進され、その後に結晶化ガラスの軟化及び結晶化が生じる。このため、少量のガラス成分でも900℃程度の低温焼結が可能となる。従って、低コスト化が図れるとともに、機械的強度及び誘電特性に優れた誘電体磁器基板とすることができる。
図1は、本発明の上記作用効果を説明するための模式図である。本発明の誘電体磁器組成物においては、その焼成工程において、図1(a)に示すように、非晶質ガラス2が先ず軟化し、流動性を与える。このため、結晶化ガラス1の粒子とセラミックフィラー3の粒子の再配列が促進される。この状態において、さらに焼成温度に近づくと、図1(b)に示すように、結晶化ガラス1が軟化し、結晶化ガラス1の結晶化が起こり、結晶相4が結晶化ガラスから析出する。このため、機械的強度に優れ、かつ誘電特性に優れた誘電体磁器とすることができる。
特許文献1においては、結晶化ガラス組成物と、非晶質ケイ酸塩ガラス組成物と、セラミック組成物とを含む絶縁体組成物が開示されているが、焼結後の熱膨張係数を制御するため、結晶化ガラスと非晶質ガラスの配合比を調整するものであり、結晶化ガラス及び非晶質ガラスの軟化点については開示されていない。また、SiO2フィラーが50重量%以上含まれると低温焼結できない旨記載されている。
特許文献2においては、高誘電率層と低誘電率層とを積層し、低誘電率層が焼成時に流動軟化し高誘電率層及び導体層と結着する結晶化ガラスを含む複合積層セラミック部品が開示されている。結晶化ガラスの軟化点を非晶質ガラスの軟化点よりも高くすることについては何ら開示されておらず、またセラミックフィラーの含有量は19重量%以下と少なくなっている。
本発明においては、結晶化ガラスが27重量%以上含まれており、非晶質ガラスが20重量%未満含まれている。結晶化ガラスの含有量が少なくなると、機械的強度及び誘電特性が低下する傾向にある。結晶化ガラスの含有量は、好ましくは27〜58重量%であり、さらに好ましくは30〜55重量%である。また、非晶質ガラスの含有量は、好ましくは2〜18重量%である。
また、本発明においては、結晶化ガラスと非晶質ガラスの合計が60重量%以下で、かつセラミックフィラーが40重量%以上含まれている。セラミックフィラーの含有量が40重量%より少なくなると、機械的強度及び誘電特性が低下する傾向にある。
本発明に用いるセラミックフィラーとしては、誘電率5以上の材料からなるものが好ましく用いられる。このような材料としては、Al2O3(アルミナ)、TiO2(チタニア)、Al6Si2O13(ムライト)、ZrO2、CaZrO3、ZnNb2O6系化合物、SrTiO3系化合物、BaTiO3系化合物、BaO・R2O3・TiO2系(R:希土類元素)、NaO・R2O3・TiO2系(R:希土類元素)、CaO・R2O3・TiO2系(R:希土類元素)、Li2O・R2O3・TiO2系(R:希土類元素)、CaTiO3・R2/3TiO3(LiR)TiO3系(R:希土類元素)などが挙げられる。
本発明において用いる結晶化ガラスとしては、焼成後、主相としてディオプサイド相が析出するものが好ましく用いられる。このようなものとして、SiO2(45〜60重量%)−MgO(10〜30重量%)−CaO(15〜35重量%)の組成の結晶化ガラスが挙げられる。また、その他の結晶化ガラスとして、以下のものが挙げられる。
・CaO・Al2O3・SiO2を主成分とするアノーサイト系(CaO・Al2O3・2SiO2が焼成後に析出する)
・SrO・Al2O3・SiO2を主成分とするSr長石系(SrO・Al2O3・2SiO2が焼成後に析出する)
・BaO・Al2O3・SiO2を主成分とするBa長石系(BaO・Al2O3・2SiO2が焼成後に析出する)
・TiO2・Ln2O3を主成分とするチタン酸ランタノイド系(TiO2・Ln2O3が焼成後に析出する)
・SrO・Al2O3・SiO2を主成分とするSr長石系(SrO・Al2O3・2SiO2が焼成後に析出する)
・BaO・Al2O3・SiO2を主成分とするBa長石系(BaO・Al2O3・2SiO2が焼成後に析出する)
・TiO2・Ln2O3を主成分とするチタン酸ランタノイド系(TiO2・Ln2O3が焼成後に析出する)
本発明において用いる非晶質ガラスとしては、例えば、以下のものが挙げられる。
・SiO2・B2O3を主成分とし、Na2OをSiO2100重量部に対して0.1〜5重量部添加したもの
・SiO2・B2O3を主成分とし、ZrO2をSiO2100重量部に対して0.5〜10重量部添加し、Na2OをSiO2100重量部に対して0.1〜5重量部添加したもの
・SiO2・B2O3を主成分とし、CaOをSiO2100重量部に対して10〜25重量部添加したもの
・SiO2(75〜85重量%)−B2O3(15〜25重量%)−Al2O3(0.1〜5重量%)の組成のもの
・SiO2(40〜50重量%)−B2O3(20〜30重量%)−Al2O3(15〜25重量%)−CaO(4〜10重量%)の組成のもの
・SiO2(70〜85重量%)−B2O3(10〜25重量%)−K2O(0.5〜5重量%)−Al2O3(0.01〜1重量%)の組成のもの
なお、上記のガラス組成において、重量%と表記したものは、全体で100重量%となる組成割合である。
・SiO2・B2O3を主成分とし、Na2OをSiO2100重量部に対して0.1〜5重量部添加したもの
・SiO2・B2O3を主成分とし、ZrO2をSiO2100重量部に対して0.5〜10重量部添加し、Na2OをSiO2100重量部に対して0.1〜5重量部添加したもの
・SiO2・B2O3を主成分とし、CaOをSiO2100重量部に対して10〜25重量部添加したもの
・SiO2(75〜85重量%)−B2O3(15〜25重量%)−Al2O3(0.1〜5重量%)の組成のもの
・SiO2(40〜50重量%)−B2O3(20〜30重量%)−Al2O3(15〜25重量%)−CaO(4〜10重量%)の組成のもの
・SiO2(70〜85重量%)−B2O3(10〜25重量%)−K2O(0.5〜5重量%)−Al2O3(0.01〜1重量%)の組成のもの
なお、上記のガラス組成において、重量%と表記したものは、全体で100重量%となる組成割合である。
本発明において、非晶質ガラスはBiを含んでいてもよい。非晶質ガラス中のBiの含有量は、Bi2O3として30重量%以上が好ましく、より好ましくは50重量%以上である。
本発明において、Biを含む非晶質ガラスはさらにBを含んでいることが好ましい。非晶質ガラス中のBの含有量は、B2O3として5〜50重量%が好ましく、より好ましくは10〜40重量%である。
本発明において、誘電体磁器組成物中のBiの含有量は、2重量%以上であることが好ましい、また、Bの含有量は、0.1〜3重量%であることが好ましい。
本発明において、結晶化ガラス及び非晶質ガラスの軟化点は、示差熱分析(DTA)で測定することができる。
本発明の積層セラミック部品は、上記本発明の誘電体磁器組成物からなる誘電体層と、該誘電体層の表面に形成される導体層から構成される誘電体グリーンシートを焼成して得られることを特徴としている。
また、本発明の積層セラミック部品は、積層セラミック部品を構成する全ての誘電体層が、上記本発明の誘電体磁器組成物からなる誘電体グリーンシートを焼成して得られるものであることが好ましい。
図2は、本発明の積層セラミック部品を示す斜視図であり、図3は分解斜視図である。図2及び図3に示すように、誘電体層11の上には、導体層12が形成されている。また、誘電体層11によっては、ヴィアホール13が形成されている誘電体層もある。このような誘電体層を複数枚積層することにより、積層セラミック部品が構成されている。
本発明の積層セラミック部品の具体例としては、例えば、LCフィルタ、アンテナスイッチモジュール、フロントエンドモジュールなどの高周波モジュール、光重畳モジュール、半導体用基板、水晶振動子用基板、チップLED用パッケージ、SAWデバイス用パッケージなどが挙げられる。
本発明によれば、機械的強度及び誘電特性に優れ、900℃程度の低温で焼成可能な誘電体磁器組成物とすることができる。
以下、本発明を実施例に基づき詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではなく、その要旨を変更しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能なものである。
〔誘電体磁器組成物の調製〕
結晶化ガラスとして、以下の(A)及び(B)のガラスを用いた。
結晶化ガラスとして、以下の(A)及び(B)のガラスを用いた。
(A)SiO2(56重量部)−MgO(18重量部)−CaO(26重量部)を主成分とし、軟化点が800℃、結晶化点が850℃、平均粒子径が2.6μm、熱膨張係数が7.9ppm/Kである結晶化ガラス
(B)MgO・Al2O3・SiO2を主成分とし、2MgO・2Al2O3・5SiO2(コージェライト相)が焼成後に析出するコージェライト系ガラスであり、軟化点が950℃、結晶化点が1050℃、平均粒子径が2.7μm、熱膨張係数が9.0ppm/Kである結晶化ガラス
非晶質ガラスとしては、以下の(C)〜(E)のものを用いた。
非晶質ガラスとしては、以下の(C)〜(E)のものを用いた。
(C)SiO2・B2O3を主成分とし、Na2OをSiO2100重量部に対して1重量部添加したものであり、軟化点が566℃、平均粒子径が2.7μm、熱膨張係数が8.5ppm/Kである非晶質ガラス
(D)SiO2・B2O3を主成分とし、ZrO2をSiO2100重量部に対して5重量部、Na2OをSiO2100重量部に対して1重量部添加したものであり、軟化点が750℃、平均粒子径が3.4μm、熱膨張係数が6.3ppm/Kである非晶質ガラス
(E)SiO2・B2O3を主成分とし、CaOをSiO2100重量部に対して20重量部添加したものであり、軟化点が870℃、平均粒子径が2.4μm、熱膨張係数が3.7ppm/Kである非晶質ガラス
上記の結晶化ガラス及び非晶質ガラスを、表1〜表3に示すように組み合わせて用い、セラミックフィラーとしてAl2O3(平均粒子径:1.3μm)を用いて、誘電体磁器組成物を調製した。配合割合としては、結晶化ガラス40重量%、非晶質ガラス10重量%、及びセラミックフィラー50重量%となるように混合し、この混合粉末100重量部に対し、イソプロパノール(IPA)50重量部を加え、これをジルコニア製ポット及びボールを用い、ボールミルにて60時間湿式混合を行った。
次に、乾燥を行い、溶媒成分を揮発させた後、ポリビニルブチラール(PVB)系バインダを添加し、さらにボールミルにて24時間混合した。
得られたスラリーを用いてドクターブレード装置により、厚み50μmのグリーンシートを成形した。これらのシートを所定の大きさに切断し、8層積層した後、900℃にて2時間保持して焼成を行った。なお、この焼成工程において、400℃での脱バインダ処理を行っている。
焼成後のサンプルについて、X線回折による結晶構造の同定を行ったところ、結晶化ガラス(A)を用いたものについては、セラミックフィラーに起因するアルミナ相のピークと結晶化ガラスに起因するディオプサイド相のピークが主相として認められた。
各試料について、抗折強度、相対密度、及び誘電損失を測定した。抗折強度は、サンプルを幅5mm、長さ30mmの短冊状に加工し、3点曲げ試験機(支点間距離20mm)により評価した。相対密度は、かさ密度を理論密度で除して算出した。誘電損失は、インピーダンスアナライザを用い、1MHzから1.8GHzまでのインピーダンス値から算出した。結果を表1〜表3に示す。なお、表1〜表3において、本発明の範囲は、太線の枠で囲った範囲である。
結晶化ガラスの軟化点が900℃を超えると、焼結が不十分となり、焼結後に十分な密度が得られなくなり、結果として強度が低減し、誘電損失が増大することが確認された。
また、結晶化ガラスの軟化点が、非晶質ガラスの軟化点よりも低い場合においても、優れた特性が得られていない。これは、非晶質ガラスの軟化前に結晶化ガラスの結晶核の発生が起こり、非晶質ガラスの軟化流動による粒子の再配列の効果が十分に得られなかったと推察される。
次に、上記実験において優れた特性が得られた結晶化ガラス(A)(軟化点:800℃)と非晶質ガラス(D)(軟化点:750℃)の組み合わせにおいて、混合割合を変化させて検討した。上記実験と同様にしてサンプルを作製し、上記実験と同様にして抗折強度、相対密度、及び誘電損失を評価した。評価結果を表4〜表6に示す。
なお、表4〜表6において、太線の枠で囲った範囲が本発明の範囲内である。
また、非晶質ガラスが全く含まれない場合には、相対密度が低くなり、この結果として、抗折強度も低い値となる。
また、結晶化ガラスと非晶質ガラスの合計が60重量%を超えると、誘電損失の増大が認められる。これは、セラミックフィラーに対して比較的損失が大きいガラス成分の増加によるものと思われる。
次に、Biを含む非晶質ガラスを用いた実施例を挙げる。誘電体磁器組成物の調製には、上記結晶化ガラス(A)を用い、非晶質ガラスとしては以下の(F)〜(H)のものを用いた。
(F)Bi2O3(55重量%)−B2O3(35重量%)−ZnO(10重量%)を主成分とし、軟化点が518℃、平均粒子径が3.3μmである非晶質ガラス
(G)Bi2O3(75重量%)−B2O3(15重量%)−ZnO(10重量%)を主成分とし、軟化点が469℃、平均粒子径が2.9μmである非晶質ガラス
(H)Bi2O3(60重量%)−B2O3(25重量%)−ZnO(5重量%)−SiO2(2重量%)を主成分とし、軟化点が536℃、平均粒子径が2.6μmである非晶質ガラス
(G)Bi2O3(75重量%)−B2O3(15重量%)−ZnO(10重量%)を主成分とし、軟化点が469℃、平均粒子径が2.9μmである非晶質ガラス
(H)Bi2O3(60重量%)−B2O3(25重量%)−ZnO(5重量%)−SiO2(2重量%)を主成分とし、軟化点が536℃、平均粒子径が2.6μmである非晶質ガラス
上記結晶化ガラス(A)と、上記非晶質ガラス(F)〜(H)の内の1種と、セラミックフィラーとしてのAl2O3(平均粒子径:2.6μm)とを、表7〜表9に示すように非晶質ガラスは2重量%、5重量%、10重量%となるように秤量し、結晶化ガラス(A)は非晶質ガラスとの総量が50重量%となるように秤量し、セラミックフィラーは50重量%となるように秤量し、これらを混合した。この混合粉末100重量部に対し、イソプロパノール(IPA)50重量部を加え、ジルコニア製ポット及びボールからなるボールミルを用いて60時間湿式混合を行った。
次に、乾燥を行い、溶媒成分を揮発させた後、ポリビニルブチラール(PVB)系バインダを添加し、さらにボールミルにて24時間混合した。
得られたスラリーを用いてドクターブレード装置により、厚み50μmのグリーンシートを成形した。これらのシートを所定の大きさに切断し、8層積層した後、900℃にて2時間保持して焼成を行った。なお、この焼成工程において、400℃での脱バインダ処理を行っている。
焼成後の試料について、X線回折による結晶構造の同定を行ったところ、セラミックフィラーに起因するアルミナ相のピークと結晶化ガラスに起因するディオプサイド相のピークが主相として認められた。
各試料について、抗折強度、相対密度、及び誘電損失を測定した。抗折強度は、サンプルを幅5mm、長さ30mmの短冊状に加工し、3点曲げ試験機(支点間距離20mm)により評価した。相対密度は、かさ密度を理論密度で除して算出した。誘電損失は、インピーダンスアナライザを用い、1MHzから1.8GHzまでのインピーダンス値から算出した。結果を表7〜表9に示す。なお、表中の非晶質ガラス(C)は前述の実施例において用いたBiを含まない非晶質ガラス(C)である。
また、Biを含む非晶質ガラス(F)〜(H)は、添加量が少量であっても良好な結果が得られているが、これは、非晶質ガラスの成分としてBiを含むことにより、焼成時に非晶質ガラスにより形成される液相の粘度が低減し、液相焼結による緻密化が促進されるためと推察される。
[反射電子像の観察]
Biを含む非晶質ガラスFを10重量%含む上記試料について、焼成後の断面の反射電子像を観察した。図4に焼成後の試料の断面の反射電子像を示す。反射電子像において、相対的に白く観察された領域は、TEMを用いる制限視野回折像から非晶質構造であることが確認された。また、この領域についてEDS(エネルギー分散型X線検出器:ビーム径約1nm)により元素分析を行った結果、Bi及びBが検出された。
Biを含む非晶質ガラスFを10重量%含む上記試料について、焼成後の断面の反射電子像を観察した。図4に焼成後の試料の断面の反射電子像を示す。反射電子像において、相対的に白く観察された領域は、TEMを用いる制限視野回折像から非晶質構造であることが確認された。また、この領域についてEDS(エネルギー分散型X線検出器:ビーム径約1nm)により元素分析を行った結果、Bi及びBが検出された。
このように非晶質ガラス中にBiまたはBが含まれることにより、焼結性が改善し、機械的強度を改善することができる。
[積層セラミック部品の作製]
図2に示すように作製された積層セラミック部品に、チップコンデンサ、チップインダクタ、及びPINダイオードを実装し、高周波デバイスを作製した。フィルタ特性を確認したところ、フィルタ特性における抑圧度が改善し、挿入損失の低減が認められた。また、機械的強度も向上した。
図2に示すように作製された積層セラミック部品に、チップコンデンサ、チップインダクタ、及びPINダイオードを実装し、高周波デバイスを作製した。フィルタ特性を確認したところ、フィルタ特性における抑圧度が改善し、挿入損失の低減が認められた。また、機械的強度も向上した。
[配線基板の作製]
本発明の誘電体磁器組成物を用いて形成した厚さ50μmの誘電体層の表面に、Agペーストにより所望の配線を印刷し、この誘電体層を3層積層した後、焼成することにより、配線基板を作製した。その結果、機械的強度の改善された配線基板を得ることができた。この配線基板には、フィルタや発信器等の各種部品が搭載されていてもよい。
本発明の誘電体磁器組成物を用いて形成した厚さ50μmの誘電体層の表面に、Agペーストにより所望の配線を印刷し、この誘電体層を3層積層した後、焼成することにより、配線基板を作製した。その結果、機械的強度の改善された配線基板を得ることができた。この配線基板には、フィルタや発信器等の各種部品が搭載されていてもよい。
1…結晶化ガラス
2…非晶質ガラス
3…セラミックフィラー
4…結晶相
11…誘電体層
12…導体層
13…ヴィアホール
2…非晶質ガラス
3…セラミックフィラー
4…結晶相
11…誘電体層
12…導体層
13…ヴィアホール
Claims (9)
- 結晶化ガラスと非晶質ガラスとセラミックフィラーとを含む誘電体磁器組成物であって、前記結晶化ガラスの軟化点が前記非晶質ガラスの軟化点よりも高く、かつ900℃以下であり、前記結晶化ガラスが27重量%以上、前記非晶質ガラスが20重量%未満含まれており、前記結晶化ガラスと前記非晶質ガラスの合計が60重量%以下で、かつ前記セラミックフィラーが40重量%以上含まれていることを特徴とする誘電体磁器組成物。
- 前記セラミックフィラーが誘電率5以上の材料からなることを特徴とする請求項1に記載の誘電体磁器組成物。
- 前記結晶化ガラスが焼成後、主相としてディオプサイド相を析出することを特徴とする請求項1または2に記載の誘電体磁器組成物。
- 前記非晶質ガラスはBiを含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の誘電体磁器組成物。
- 前記非晶質ガラスはBをさらに含むことを特徴とする請求項4に記載の誘電体磁器組成物。
- 焼成後に非晶質ガラス成分が存在し、該非晶質ガラス成分はBiを含むことを特徴とする請求項4または5に記載の誘電体磁器組成物。
- 前記非晶質ガラス成分はBをさらに含むことを特徴とする請求項6に記載の誘電体磁器組成物。
- 請求項1〜7のいずれか1項に記載の誘電体磁器組成物からなる誘電体層と、該誘電体層の表面に形成される導体層とから構成される誘電体グリーンシートを焼成して得られることを特徴とする積層セラミック部品。
- 積層セラミック部品を構成する全ての誘電体層が、前記誘電体グリーンシートを焼成して得られるものであることを特徴とする請求項8に記載の積層セラミック部品。
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