JPH1149531A - ガラスセラミックス組成物 - Google Patents
ガラスセラミックス組成物Info
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- JPH1149531A JPH1149531A JP9218184A JP21818497A JPH1149531A JP H1149531 A JPH1149531 A JP H1149531A JP 9218184 A JP9218184 A JP 9218184A JP 21818497 A JP21818497 A JP 21818497A JP H1149531 A JPH1149531 A JP H1149531A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C10/00—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition
- C03C10/0036—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing SiO2, Al2O3 and a divalent metal oxide as main constituents
- C03C10/0045—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing SiO2, Al2O3 and a divalent metal oxide as main constituents containing SiO2, Al2O3 and MgO as main constituents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
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- Ceramic Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ａｇを内層導体に用いて同時焼成した場合で
も、Ａｇがガラスセラミックス中に拡散せず、しかも高
周波回路に十分対応できる低い誘電損失を有する低温焼
成多層基板を作製することが可能なガラスセラミックス
組成物を提供する。 【解決手段】 重量百分率で結晶性ガラス粉末 ７０〜
１００％、フィラー粉末０〜３０％からなり、該結晶性
ガラス粉末がＳｉＯ2 ４０〜６５％、ＣａＯ２０〜３
５％、ＭｇＯ １１〜３０％、Ａｌ2 Ｏ3 ０．５〜１
０％、ＣｕＯ０．０１〜１％、ＳｒＯ ０〜１０％、Ｚ
ｎＯ ０〜１０％、ＴｉＯ2 ０〜１０％の組成を有
し、主結晶としてディオプサイドを析出することを特徴
とする。
も、Ａｇがガラスセラミックス中に拡散せず、しかも高
周波回路に十分対応できる低い誘電損失を有する低温焼
成多層基板を作製することが可能なガラスセラミックス
組成物を提供する。 【解決手段】 重量百分率で結晶性ガラス粉末 ７０〜
１００％、フィラー粉末０〜３０％からなり、該結晶性
ガラス粉末がＳｉＯ2 ４０〜６５％、ＣａＯ２０〜３
５％、ＭｇＯ １１〜３０％、Ａｌ2 Ｏ3 ０．５〜１
０％、ＣｕＯ０．０１〜１％、ＳｒＯ ０〜１０％、Ｚ
ｎＯ ０〜１０％、ＴｉＯ2 ０〜１０％の組成を有
し、主結晶としてディオプサイドを析出することを特徴
とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はセラミックス多層基板の
作製に用いられるガラスセラミックス組成物に関するも
のであり、特にＡｇ系導体と同時焼成するのに好適なガ
ラスセラミックス組成物に関するものである。
作製に用いられるガラスセラミックス組成物に関するも
のであり、特にＡｇ系導体と同時焼成するのに好適なガ
ラスセラミックス組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】厚膜回路部品、ＩＣ、ＬＳＩ等が高密度
実装されるセラミックス多層基板の絶縁材料としてガラ
スセラミックスが知られている。ガラスセラミックス
は、１０００℃以下の温度で焼結させることができるた
め、導体抵抗の低いＣｕ、Ａｇ等の低融点の金属材料を
内層導体として使用することが可能である。
実装されるセラミックス多層基板の絶縁材料としてガラ
スセラミックスが知られている。ガラスセラミックス
は、１０００℃以下の温度で焼結させることができるた
め、導体抵抗の低いＣｕ、Ａｇ等の低融点の金属材料を
内層導体として使用することが可能である。
【０００３】近年、通信機器の分野においては、利用さ
れる周波数帯域が０．１ＧＨｚ以上の高周波となりつつ
あり、このような高周波帯域を利用する通信機器の回路
基板の絶縁材料として使用できるガラスセラミックス組
成物の開発が進められている。
れる周波数帯域が０．１ＧＨｚ以上の高周波となりつつ
あり、このような高周波帯域を利用する通信機器の回路
基板の絶縁材料として使用できるガラスセラミックス組
成物の開発が進められている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで内層導体とし
て使用するＣｕやＡｇには、それぞれ一長一短がある。
つまりＣｕを導体として使用する場合、Ｃｕは酸化され
易いため窒素雰囲気中で焼成しなければならず、プロセ
スコストが高くなる。一方、Ａｇを使用する場合は、空
気雰囲気で焼成できるが、Ａｇがガラスセラミックス内
に拡散し、配線間隔が狭いとショートしてしまうという
欠点がある。なお、ガラス組成中にアルカリ成分を含有
させるとＡｇの拡散をかなり抑制できるが、高周波帯域
での損失が高くなってしまうという問題がある。
て使用するＣｕやＡｇには、それぞれ一長一短がある。
つまりＣｕを導体として使用する場合、Ｃｕは酸化され
易いため窒素雰囲気中で焼成しなければならず、プロセ
スコストが高くなる。一方、Ａｇを使用する場合は、空
気雰囲気で焼成できるが、Ａｇがガラスセラミックス内
に拡散し、配線間隔が狭いとショートしてしまうという
欠点がある。なお、ガラス組成中にアルカリ成分を含有
させるとＡｇの拡散をかなり抑制できるが、高周波帯域
での損失が高くなってしまうという問題がある。
【０００５】本発明の目的は、Ａｇを内層導体に用いて
同時焼成した場合でも、Ａｇがガラスセラミックス中に
拡散せず、しかも高周波回路に十分対応できる低い誘電
損失を有する低温焼成多層基板を作製することが可能な
ガラスセラミックス組成物を提供することである。
同時焼成した場合でも、Ａｇがガラスセラミックス中に
拡散せず、しかも高周波回路に十分対応できる低い誘電
損失を有する低温焼成多層基板を作製することが可能な
ガラスセラミックス組成物を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者は種々の実験を
行った結果、Ａｇに電子を与えるＣｕＯをガラス組成中
に導入することによってＡｇの拡散が防止できること、
及びディオプサイド（ＭｇＯ・ＣａＯ・２ＳｉＯ2 ）結
晶をガラス中に析出させることにより高周波での誘電損
失の増加を抑制できることを見い出し、本発明として提
案するものである。
行った結果、Ａｇに電子を与えるＣｕＯをガラス組成中
に導入することによってＡｇの拡散が防止できること、
及びディオプサイド（ＭｇＯ・ＣａＯ・２ＳｉＯ2 ）結
晶をガラス中に析出させることにより高周波での誘電損
失の増加を抑制できることを見い出し、本発明として提
案するものである。
【０００７】即ち、本発明のガラスセラミックス組成物
は、重量百分率で結晶性ガラス粉末７０〜１００％、フ
ィラー粉末 ０〜３０％からなり、該結晶性ガラス粉末
がＳｉＯ2 ４０〜６５％、ＣａＯ ２０〜３５％、Ｍ
ｇＯ １１〜３０％、Ａｌ 2 Ｏ3 ０．５〜１０％、Ｃ
ｕＯ ０．０１〜１％、ＳｒＯ ０〜１０％、ＺｎＯ
０〜１０％、ＴｉＯ2 ０〜１０％の組成を有し、主結
晶としてディオプサイドを析出することを特徴とする。
は、重量百分率で結晶性ガラス粉末７０〜１００％、フ
ィラー粉末 ０〜３０％からなり、該結晶性ガラス粉末
がＳｉＯ2 ４０〜６５％、ＣａＯ ２０〜３５％、Ｍ
ｇＯ １１〜３０％、Ａｌ 2 Ｏ3 ０．５〜１０％、Ｃ
ｕＯ ０．０１〜１％、ＳｒＯ ０〜１０％、ＺｎＯ
０〜１０％、ＴｉＯ2 ０〜１０％の組成を有し、主結
晶としてディオプサイドを析出することを特徴とする。
【０００８】本発明において、ガラス粉末の組成を上記
のように限定した理由を述べる。
のように限定した理由を述べる。
【０００９】ＳｉＯ2 はガラスのネットワークフォーマ
ーであるとともに、ディオプサイド結晶の構成成分とな
り、その含有量は４０〜６５％、好ましくは４５〜６５
％である。ＳｉＯ2 が４０％より少ないとガラス化せ
ず、６５％より多いと１０００℃以下で焼成することが
できないため、内層導体としてＡｇやＣｕを用いること
ができない。
ーであるとともに、ディオプサイド結晶の構成成分とな
り、その含有量は４０〜６５％、好ましくは４５〜６５
％である。ＳｉＯ2 が４０％より少ないとガラス化せ
ず、６５％より多いと１０００℃以下で焼成することが
できないため、内層導体としてＡｇやＣｕを用いること
ができない。
【００１０】ＣａＯはディオプサイド結晶の構成成分と
なり、その含有量は２０〜３５％、好ましくは２５〜３
０％である。ＣａＯが２０％より少ないとディオプサイ
ド結晶が析出し難くなって誘電損失が高くなり、３５％
より多いとガラス化しなくなる。
なり、その含有量は２０〜３５％、好ましくは２５〜３
０％である。ＣａＯが２０％より少ないとディオプサイ
ド結晶が析出し難くなって誘電損失が高くなり、３５％
より多いとガラス化しなくなる。
【００１１】ＭｇＯもディオプサイド結晶の構成成分と
なり、その含有量は１１〜３０％、好ましくは１２〜２
５％である。ＭｇＯが１１％より少ないと結晶が析出し
難くなり、３０％より多いとガラス化しなくなる。
なり、その含有量は１１〜３０％、好ましくは１２〜２
５％である。ＭｇＯが１１％より少ないと結晶が析出し
難くなり、３０％より多いとガラス化しなくなる。
【００１２】Ａｌ2 Ｏ3 は結晶性を調節する成分であ
り、その含有量は０．５〜１０％、好ましくは１〜５％
である。Ａｌ2 Ｏ3 が０．５％より少ないと結晶性が強
くなりすぎてガラス成形が困難になり、１０％より多く
なるとディオプサイド結晶が析出しなくなる。
り、その含有量は０．５〜１０％、好ましくは１〜５％
である。Ａｌ2 Ｏ3 が０．５％より少ないと結晶性が強
くなりすぎてガラス成形が困難になり、１０％より多く
なるとディオプサイド結晶が析出しなくなる。
【００１３】ＣｕＯはＡｇに電子を与え、ガラスセラミ
ックス中への拡散を抑える成分であり、０．０１〜１．
０％含有する。０．０１％より少ないとその効果がな
く、１．０％よりも多いと誘電損失が大きくなりすぎ
る。
ックス中への拡散を抑える成分であり、０．０１〜１．
０％含有する。０．０１％より少ないとその効果がな
く、１．０％よりも多いと誘電損失が大きくなりすぎ
る。
【００１４】ＳｒＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ2 はガラス化を容
易にするために添加する成分であり、その含有量は各成
分とも０〜１０％、好ましくは０〜５％である。これら
成分が各々１０％より多くなると結晶性が弱くなり、デ
ィオプサイドの析出量が少なくなって誘電損失が大きく
なる。
易にするために添加する成分であり、その含有量は各成
分とも０〜１０％、好ましくは０〜５％である。これら
成分が各々１０％より多くなると結晶性が弱くなり、デ
ィオプサイドの析出量が少なくなって誘電損失が大きく
なる。
【００１５】また上記成分以外にも、誘電損失等の特性
を損なわない範囲で他成分を添加してもよい。
を損なわない範囲で他成分を添加してもよい。
【００１６】以上の組成を有する本発明のガラスセラミ
ックス組成物は、焼成すると０．１ＧＨｚ以上の高周波
領域において誘電率が６〜８、誘電損失が１０×１０-4
以下の焼成体となる。
ックス組成物は、焼成すると０．１ＧＨｚ以上の高周波
領域において誘電率が６〜８、誘電損失が１０×１０-4
以下の焼成体となる。
【００１７】本発明のガラスセラミックス組成物は、上
記組成を有する結晶性ガラス粉末のみで構成されてもよ
いが、曲げ強度、靱性等の特性を改善する目的でフィラ
ー粉末と混合してもよい。この場合、フィラー粉末の混
合量は３０重量％以下である。フィラー粉末の割合をこ
のように限定した理由は、フィラー粉末が３０％より多
いと緻密化しなくなるためである。
記組成を有する結晶性ガラス粉末のみで構成されてもよ
いが、曲げ強度、靱性等の特性を改善する目的でフィラ
ー粉末と混合してもよい。この場合、フィラー粉末の混
合量は３０重量％以下である。フィラー粉末の割合をこ
のように限定した理由は、フィラー粉末が３０％より多
いと緻密化しなくなるためである。
【００１８】フィラー粉末としては、０．１〜１０ＧＨ
ｚでの誘電損失が１０×１０-4以下であるセラミック粉
末、例えばアルミナ、ムライト、クリストバライト、フ
ォルステライト等を使用することが好ましい。なお０．
１〜１０ＧＨｚでの誘電損失が１０×１０-4を越えるセ
ラミック粉末を使用するとガラスセラミックスの誘電損
失が高くなり易く好ましくない。
ｚでの誘電損失が１０×１０-4以下であるセラミック粉
末、例えばアルミナ、ムライト、クリストバライト、フ
ォルステライト等を使用することが好ましい。なお０．
１〜１０ＧＨｚでの誘電損失が１０×１０-4を越えるセ
ラミック粉末を使用するとガラスセラミックスの誘電損
失が高くなり易く好ましくない。
【００１９】次に本発明のガラスセラミックス組成物を
用いた多層基板の製造方法を述べる。
用いた多層基板の製造方法を述べる。
【００２０】まず結晶性ガラス粉末、或いは結晶性ガラ
ス粉末とフィラー粉末の混合粉末に、所定量の結合剤、
可塑剤及び溶剤を添加してスラリーを調製する。結合剤
としては例えばポリビニルブチラール樹脂、メタアクリ
ル酸樹脂等、可塑剤としては例えばフタル酸ジブチル
等、溶剤としては例えばトルエン、メチルエチルケトン
等を使用することができる。
ス粉末とフィラー粉末の混合粉末に、所定量の結合剤、
可塑剤及び溶剤を添加してスラリーを調製する。結合剤
としては例えばポリビニルブチラール樹脂、メタアクリ
ル酸樹脂等、可塑剤としては例えばフタル酸ジブチル
等、溶剤としては例えばトルエン、メチルエチルケトン
等を使用することができる。
【００２１】次いで上記のスラリーを、ドクターブレー
ド法によってグリーンシートに成形する。その後、この
グリーンシートを乾燥させ、所定寸法に切断してから、
機械的加工を施してスルーホールを形成し、導体や電極
となる低抵抗金属材料をスルーホール及びグリーンシー
ト表面に印刷する。続いてグリーンシートの複数枚を積
層し、熱圧着によって一体化する。
ド法によってグリーンシートに成形する。その後、この
グリーンシートを乾燥させ、所定寸法に切断してから、
機械的加工を施してスルーホールを形成し、導体や電極
となる低抵抗金属材料をスルーホール及びグリーンシー
ト表面に印刷する。続いてグリーンシートの複数枚を積
層し、熱圧着によって一体化する。
【００２２】さらに積層グリーンシートを、焼成するこ
とによってガラス中からディオプサイド（ＭｇＯ・Ｃａ
Ｏ・２ＳｉＯ2 ）結晶が析出し、ガラスセラミックスか
らなる絶縁層を有する多層基板を得ることができる。
とによってガラス中からディオプサイド（ＭｇＯ・Ｃａ
Ｏ・２ＳｉＯ2 ）結晶が析出し、ガラスセラミックスか
らなる絶縁層を有する多層基板を得ることができる。
【００２３】なおここでは多層基板として利用する方法
を述べたが、本発明はこれに限定されるものではなく、
種々の電子部品材料として使用することが可能である。
を述べたが、本発明はこれに限定されるものではなく、
種々の電子部品材料として使用することが可能である。
【００２４】
【作用】本発明のガラスセラミックス組成物は、焼成す
ることによりガラス中からディオプサイド結晶が析出す
る。この結晶は低誘電損失であるため、得られるガラス
セラミックス焼成体も０．１ＧＨｚ以上の高周波領域で
誘電損失が低いという特性を示す。またガラス組成中に
ＣｕＯを含有するため、内層導体にＡｇを使用して同時
焼成してもＡｇがイオン化しないため、ガラスセラミッ
クス中にＡｇが拡散しない。
ることによりガラス中からディオプサイド結晶が析出す
る。この結晶は低誘電損失であるため、得られるガラス
セラミックス焼成体も０．１ＧＨｚ以上の高周波領域で
誘電損失が低いという特性を示す。またガラス組成中に
ＣｕＯを含有するため、内層導体にＡｇを使用して同時
焼成してもＡｇがイオン化しないため、ガラスセラミッ
クス中にＡｇが拡散しない。
【００２５】
【実施例】以下、本発明のガラスセラミックス組成物を
実施例に基づいて説明する。
実施例に基づいて説明する。
【００２６】表１は本発明の実施例（試料Ｎｏ．１〜
４）及び比較例（試料Ｎｏ．５，６）を示すものであ
る。
４）及び比較例（試料Ｎｏ．５，６）を示すものであ
る。
【００２７】
【表１】
【００２８】各試料は以下のように調製した。
【００２９】まず表に示す組成となるようにガラス原料
を調合した後、白金坩堝に入れて１４００〜１５００℃
で３〜６時間溶融してから、水冷ローラーによって薄板
状に成形した。次いでこの成形体を粗砕した後、水を加
えてボールミルにより湿式粉砕し、平均粒径が１．５〜
３μｍの結晶性ガラス粉末とした。さらに試料Ｎｏ．２
〜６については、表に示したセラミック粉末（平均粒径
２μｍ）を添加し、混合して試料とした。
を調合した後、白金坩堝に入れて１４００〜１５００℃
で３〜６時間溶融してから、水冷ローラーによって薄板
状に成形した。次いでこの成形体を粗砕した後、水を加
えてボールミルにより湿式粉砕し、平均粒径が１．５〜
３μｍの結晶性ガラス粉末とした。さらに試料Ｎｏ．２
〜６については、表に示したセラミック粉末（平均粒径
２μｍ）を添加し、混合して試料とした。
【００３０】このようにして得られた各試料について、
焼成温度、析出結晶、誘電率、誘電損失及びＡｇ拡散距
離を測定した。結果を表に示す。
焼成温度、析出結晶、誘電率、誘電損失及びＡｇ拡散距
離を測定した。結果を表に示す。
【００３１】表から明らかなように、実施例の各試料
は、８５０〜９５０℃の低温で焼成可能であり、焼成後
にディオプサイド結晶を析出していることが確認され
た。また２ＧＨｚの周波数で誘電率が７．０〜８．２、
誘電損失が３〜６×１０-4であり、しかもＡｇ拡散距離
は５μｍ以下であった。一方、比較例である試料Ｎｏ．
５は、析出結晶としてディオプサイド以外の結晶（アノ
ーサイト）が析出したために、誘電損失が３０×１０-4
と高かった。また、試料Ｎｏ．６は誘電損失が７×１０
-4と実施例の各試料とほぼ同等であったものの、Ａｇ拡
散距離が３０μｍと大きかった。
は、８５０〜９５０℃の低温で焼成可能であり、焼成後
にディオプサイド結晶を析出していることが確認され
た。また２ＧＨｚの周波数で誘電率が７．０〜８．２、
誘電損失が３〜６×１０-4であり、しかもＡｇ拡散距離
は５μｍ以下であった。一方、比較例である試料Ｎｏ．
５は、析出結晶としてディオプサイド以外の結晶（アノ
ーサイト）が析出したために、誘電損失が３０×１０-4
と高かった。また、試料Ｎｏ．６は誘電損失が７×１０
-4と実施例の各試料とほぼ同等であったものの、Ａｇ拡
散距離が３０μｍと大きかった。
【００３２】なお析出結晶は、各試料を表に示す温度で
焼成した後、Ｘ線回折によって求めた。誘電率と誘電損
失は、焼成した試料を用い、空洞共振器（測定周波数２
ＧＨｚ）を使用して２５℃の温度での値を求めた。銀拡
散距離は、各試料をグリーンシート成形し、Ａｇ導体を
印刷し、次いで空気雰囲気中８５０〜９５０℃で１０〜
２０分間同時焼成した後、焼成体の組成を分析し、Ａｇ
が焼成体表面からどれ程の深さまで拡散したかを評価し
たものである。
焼成した後、Ｘ線回折によって求めた。誘電率と誘電損
失は、焼成した試料を用い、空洞共振器（測定周波数２
ＧＨｚ）を使用して２５℃の温度での値を求めた。銀拡
散距離は、各試料をグリーンシート成形し、Ａｇ導体を
印刷し、次いで空気雰囲気中８５０〜９５０℃で１０〜
２０分間同時焼成した後、焼成体の組成を分析し、Ａｇ
が焼成体表面からどれ程の深さまで拡散したかを評価し
たものである。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のガラスセ
ラミックス組成物は、高周波帯域において誘電損失が小
さい。また９００℃以下の温度で焼成できるため、内層
導体としてＡｇやＣｕが使用できる。特にＡｇを使用し
た場合、Ａｇがガラスセラミックス中に拡散しないた
め、高密度配線を施しても、信頼性の高い配線基板や回
路部品を作製することができる。
ラミックス組成物は、高周波帯域において誘電損失が小
さい。また９００℃以下の温度で焼成できるため、内層
導体としてＡｇやＣｕが使用できる。特にＡｇを使用し
た場合、Ａｇがガラスセラミックス中に拡散しないた
め、高密度配線を施しても、信頼性の高い配線基板や回
路部品を作製することができる。
Claims (3)
- 【請求項１】 重量百分率で結晶性ガラス粉末７０〜１
００％、フィラー粉末 ０〜３０％からなり、該結晶性
ガラス粉末がＳｉＯ2 ４０〜６５％、ＣａＯ ２０〜
３５％、ＭｇＯ １１〜３０％、Ａｌ2 Ｏ3 ０．５〜
１０％、ＣｕＯ ０．０１〜１％、ＳｒＯ ０〜１０
％、ＺｎＯ ０〜１０％、ＴｉＯ2 ０〜１０％の組成
を有し、主結晶としてディオプサイドを析出することを
特徴とするガラスセラミックス組成物。 - 【請求項２】 フィラー粉末が、０．１〜１０ＧＨｚで
の誘電損失が１０×１０-4以下のセラミック粉末である
ことを特徴とする請求項１のガラスセラミックス組成
物。 - 【請求項３】 フィラー粉末が、アルミナ、ムライト、
クリストバライト、フォルステライトから選ばれる１種
類以上であることを特徴とする請求項１又は２のガラス
セラミックス組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21818497A JP3678260B2 (ja) | 1997-07-28 | 1997-07-28 | ガラスセラミックス組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21818497A JP3678260B2 (ja) | 1997-07-28 | 1997-07-28 | ガラスセラミックス組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1149531A true JPH1149531A (ja) | 1999-02-23 |
| JP3678260B2 JP3678260B2 (ja) | 2005-08-03 |
Family
ID=16715939
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21818497A Expired - Fee Related JP3678260B2 (ja) | 1997-07-28 | 1997-07-28 | ガラスセラミックス組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3678260B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002128564A (ja) * | 2000-10-16 | 2002-05-09 | Kyocera Corp | ガラスセラミックスおよびその製造方法並びにそれを用いた配線基板 |
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- 1997-07-28 JP JP21818497A patent/JP3678260B2/ja not_active Expired - Fee Related
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