JP2007294652A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2007294652A5
JP2007294652A5 JP2006120376A JP2006120376A JP2007294652A5 JP 2007294652 A5 JP2007294652 A5 JP 2007294652A5 JP 2006120376 A JP2006120376 A JP 2006120376A JP 2006120376 A JP2006120376 A JP 2006120376A JP 2007294652 A5 JP2007294652 A5 JP 2007294652A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
layers
electrodes
semiconductor
integrated circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2006120376A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2007294652A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2006120376A priority Critical patent/JP2007294652A/ja
Priority claimed from JP2006120376A external-priority patent/JP2007294652A/ja
Priority to US11/730,635 priority patent/US8421200B2/en
Publication of JP2007294652A publication Critical patent/JP2007294652A/ja
Publication of JP2007294652A5 publication Critical patent/JP2007294652A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

JP2006120376A 2006-04-25 2006-04-25 半導体集積回路装置及びその製造方法 Pending JP2007294652A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006120376A JP2007294652A (ja) 2006-04-25 2006-04-25 半導体集積回路装置及びその製造方法
US11/730,635 US8421200B2 (en) 2006-04-25 2007-04-03 Semiconductor integrated circuit device and method for fabricating the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006120376A JP2007294652A (ja) 2006-04-25 2006-04-25 半導体集積回路装置及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007294652A JP2007294652A (ja) 2007-11-08
JP2007294652A5 true JP2007294652A5 (enExample) 2009-05-28

Family

ID=38618712

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006120376A Pending JP2007294652A (ja) 2006-04-25 2006-04-25 半導体集積回路装置及びその製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8421200B2 (enExample)
JP (1) JP2007294652A (enExample)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100824635B1 (ko) * 2006-09-13 2008-04-24 동부일렉트로닉스 주식회사 시스템 인 패키지를 이용한 인덕터 제조 방법
JP5351164B2 (ja) * 2008-07-28 2013-11-27 株式会社アドバンテスト 半導体装置、プローブウエハおよび製造方法
US8309396B2 (en) * 2009-01-26 2012-11-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. System and method for 3D integrated circuit stacking
JP5985136B2 (ja) 2009-03-19 2016-09-06 ソニー株式会社 半導体装置とその製造方法、及び電子機器
US20110227230A1 (en) * 2010-03-19 2011-09-22 Qualcomm Incorporated Through-silicon via fabrication with etch stop film
JP5970826B2 (ja) * 2012-01-18 2016-08-17 ソニー株式会社 半導体装置、半導体装置の製造方法、固体撮像装置および電子機器
JP6175701B2 (ja) * 2012-06-04 2017-08-09 マクロニックス インターナショナル カンパニー リミテッド ３ｄ積層マルチチップモジュールの製造方法
JP5982312B2 (ja) * 2013-03-22 2016-08-31 株式会社東芝 半導体装置
JP2015076502A (ja) * 2013-10-09 2015-04-20 ソニー株式会社 半導体装置およびその製造方法、並びに電子機器
JP6391999B2 (ja) * 2014-06-13 2018-09-19 株式会社ディスコ 積層デバイスの製造方法
US10037948B2 (en) 2016-08-19 2018-07-31 Apple Inc. Invisible compartment shielding
TWI861140B (zh) 2019-06-26 2024-11-11 日商索尼半導體解決方案公司 攝像裝置
JP7272587B2 (ja) * 2019-10-04 2023-05-12 本田技研工業株式会社 半導体装置
US11342307B2 (en) * 2019-10-14 2022-05-24 Nanya Technology Corporation Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001044357A (ja) * 1999-07-26 2001-02-16 Seiko Epson Corp 半導体装置およびその製造方法
JP3585793B2 (ja) 1999-11-09 2004-11-04 富士通株式会社 両面薄膜配線基板の製造方法
JP3731420B2 (ja) * 1999-12-17 2006-01-05 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の製造方法
JP4123682B2 (ja) * 2000-05-16 2008-07-23 セイコーエプソン株式会社 半導体装置及びその製造方法
US6498381B2 (en) * 2001-02-22 2002-12-24 Tru-Si Technologies, Inc. Semiconductor structures having multiple conductive layers in an opening, and methods for fabricating same
KR100435813B1 (ko) * 2001-12-06 2004-06-12 삼성전자주식회사 금속 바를 이용하는 멀티 칩 패키지와 그 제조 방법
JP3908147B2 (ja) 2002-10-28 2007-04-25 シャープ株式会社 積層型半導体装置及びその製造方法
JP4012496B2 (ja) * 2003-09-19 2007-11-21 カシオ計算機株式会社 半導体装置
US20080217767A1 (en) 2004-03-25 2008-09-11 Masamoto Tago Stacked-Chip Semiconductor Device
JP4753725B2 (ja) * 2006-01-20 2011-08-24 エルピーダメモリ株式会社 積層型半導体装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107808855B (zh) 芯片封装结构及其制造方法
JP2010278040A5 (ja) 半導体装置の製造方法
TWI453877B (zh) 內埋晶片封裝的結構及製程
KR101086972B1 (ko) 관통전극을 갖는 웨이퍼 레벨 패키지 및 그 제조 방법
US7812457B2 (en) Semiconductor device and semiconductor wafer and a method for manufacturing the same
JP2007294652A5 (enExample)
KR20130016682A (ko) 듀얼 레이어 구조의 반도체칩과 듀얼 레이어 구조의 반도체칩을 갖는 패키지들 및 그 제조방법
JP2013026625A5 (enExample)
KR20120090417A (ko) 반도체 장치 및 이의 제조 방법
CN1947247A (zh) 通用互连芯片
WO2011151961A1 (ja) 半導体装置及びその製造方法
CN105895538A (zh) 一种芯片封装结构的制造方法及芯片封装结构
TW200822330A (en) Bonding pad structure and method for forming thereof
JP2012004505A5 (enExample)
CN100587947C (zh) 半导体元件及其制造方法
CN104465567B (zh) 芯片封装结构及其制备方法
CN105470144B (zh) 无核心层封装基板与其制造方法
JP2007335581A5 (enExample)
JP2012079725A5 (enExample)
CN100536120C (zh) 半导体芯片及其制造方法
TWI425886B (zh) 嵌埋有電子元件之封裝結構及其製法
TWI578456B (zh) 多元件封裝體與其製備方法
CN103456716A (zh) 三维多芯片叠层模块及其制造方法
CN104851875B (zh) 具有硅通孔的半导体结构及其制作方法和测试方法
KR20100070633A (ko) 반도체 소자의 본딩 패드 구조 및 그의 제조방법