JP2007288054A - パワーモジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】金属配線板13と、該金属配線板13の上面に半田層12を介して実装されたパワー素子11と、該金属配線板13の下面に設けられた金属放熱板15と、該金属放熱板15の下面に設けられたヒートシンク19とを有するパワーモジュール100構造において、これら各層のいずれかの間に樹脂系絶縁層14を有する。
【選択図】図1
Description
このような従来の放熱構造のパワー素子は、例えば下記特許文献1に例示されている。
(1)モジュールの最上部より、パワー素子、該パワー素子の下面に半田層を介して金属配線板、該金属配線板の下面に樹脂系絶縁層を介して設けられた金属放熱板、該金属放熱板の下面に半田又はシリコングリースを介して設けられたヒートシンクからなるパワーモジュール。(ここで、金属放熱板の下面及びヒートシンクの上面にはNiめっき層を設けるのが良い。)
であり、9段構造に簡素化されている。特に、セラミック絶縁層を用いる場合には他層との接着のために半田層が必要であるが、半田層にはNiめっき層を形成する必要があるのに対して、本発明ではNiめっき層が不要または少なくてすむこと、放熱性に問題がある半田層が高々2段であること、金属銅、アルミニウム等の電気抵抗が低く安価な材料を金属配線板に用いることができること、樹脂系絶縁材料を用いることにより金属配線板と金属放熱板を熱圧着等の簡易な手段で接合できること等により、その放熱構造は格段に簡素化される。その結果、コスト低減とモジュールの信頼性の向上を達成できる。
図1に、本発明のパワーモジュールの基本型の概略断面図を示す。パワーモジュール100の最上部より、IGBTチップ等のパワー素子11、該パワー素子11の下面に第1半田層12を介して金属配線板13、該金属配線板13の下面に熱可塑性ポリイミドなどからなる樹脂系絶縁層14を介して設けられた金属放熱板15、該金属放熱板15の下面に形成されたNiめっき層16、半田層又はシリコングリース層17、ヒートシンク19の上面に形成されたNiめっき層18、ヒートシンク19からなる9段のパワーモジュールである。
なお、従来はCu−Mo等からなる比較的高価な金属放熱板を用いていたが、本発明では安価で価格変動の少ないCuからなる金属放熱板を用いることができることも利点に加えられる。
図2に、本発明のパワーモジュールの変型の概略断面図を示す。本実施例は、従来構造の内、セラミック絶縁材料を樹脂系絶縁材料で代替した構造であり、パワーモジュール200の最上部より、IGBTチップ等のパワー素子21、該パワー素子21の下面に第1半田層22、Niめっき層23、金属配線板24、該金属配線板の下面に樹脂系絶縁層25を介して設けられた金属板26、Niめっき層27、第2半田層28、Niめっき層29、金属放熱板30、Niめっき層31、第3半田層又はシリコングリース層32、及びNiめっき層33を介して設けられたヒートシンク34からなるパワーモジュールである。
図3に、本発明のパワーモジュールの変型の概略断面図を示す。本実施例は、上記基本構造の配線板と放熱板を兼ねさせた構造であり、パワーモジュール300の最上部より、IGBTチップ等のパワー素子36、該パワー素子36の下面に第1半田層38、及びNiめっき層39を介して金属配線板兼金属放熱板40、該金属配線板兼金属放熱板40の下面に樹脂系絶縁層41を介して設けられた金属板42、該金属板42の下面にNiめっき層43、第3半田層又はシリコングリース層44、及びNiめっき層45を介して設けられたヒートシンク46からなるパワーモジュールである。
図4に、本発明のパワーモジュールの変型の概略断面図を示す。本実施例は、上記基本構造のヒートシンクと放熱板を兼ねさせた構造であり、パワーモジュール400の最上部より、IGBTチップ等のパワー素子47、該パワー素子47の下面に第1半田層49、Niめっき層50を介して金属配線板51、該金属配線板51の下面に樹脂系絶縁層52を介して設けられたヒートシンク兼金属放熱板53からなるパワーモジュールである。
200:本発明のパワーモジュール、21:IGBTチップ等のパワー素子、22:第1半田層、23:Niめっき層、24:金属配線板、25:樹脂系絶縁層、26:金属板、27:Niめっき層、28:第2半田層、29:Niめっき層、30:金属放熱板、31:Niめっき層、32:第3半田層又はシリコングリース層、34:ヒートシンク。
300:本発明のパワーモジュール、36:IGBTチップ等のパワー素子、38:第1半田層、39:Niめっき層、40:金属配線板兼金属放熱板、41:樹脂系絶縁層、42:金属板、43:Niめっき層、44:第3半田層又はシリコングリース層、45:Niめっき層、46:ヒートシンク。
400:本発明のパワーモジュール、47:IGBTチップ等のパワー素子、49:第1半田層、50:Niめっき層、51:金属配線板、52:樹脂系絶縁層、53:ヒートシンク兼金属放熱板。
500:従来のパワーモジュール、54:IGBTチップ、55:第1半田層、56:Niめっき層、57:金属配線板であるアルミ配線板、58:絶縁材料である窒化アルミ絶縁材料、59:アルミ板、60:Niめっき層、61:第2半田層、62:Niめっき層、63:放熱板、64:Niめっき層、65:第3半田層またはシリコングリース層、66:Niめっき層、67:ヒートシンク、68:冷却水。
Claims (11)
- 金属配線板と、該金属配線板の上面に半田層を介して実装されたパワー素子と、該金属配線板の下面に設けられた金属放熱板と、該金属放熱板の下面に設けられたヒートシンクとを有するパワーモジュールにおいて、これら各層のいずれかの間に樹脂系絶縁層を有することを特徴とするパワーモジュール。
- パワー素子、該パワー素子の下面に半田層を介して金属配線板、該金属配線板の下面に樹脂系絶縁層を介して設けられた金属放熱板、該金属放熱板の下面に半田又はシリコングリースを介して設けられたヒートシンクからなる構造の請求項1に記載のパワーモジュール。
- パワー素子、該パワー素子の下面に半田層を介して金属配線板、該金属配線板の下面に樹脂系絶縁層を介して設けられた金属板、該金属板の下面に金属放熱板、該金属放熱板の下面に半田又はシリコングリース層を介して設けられたヒートシンクからなる構造の請求項1に記載のパワーモジュール。
- パワー素子、該パワー素子の下面に半田層を介して金属配線板兼金属放熱板、該金属配線板兼金属放熱板の下面に樹脂系絶縁層を介して設けられた金属板、該金属板の下面に半田又はシリコングリース層を介して設けられたヒートシンクからなる構造の請求項1に記載のパワーモジュール。
- パワー素子、該パワー素子の下面に半田層を介して金属配線板、該金属配線板の下面に樹脂系絶縁層を介して設けられたヒートシンク兼金属放熱板からなる構造の請求項1に記載のパワーモジュール。
- 前記樹脂系絶縁層が、絶縁破壊電圧が60kV〜300kV/mmであり、熱伝導率が0.5〜2.5W/K・mである樹脂材料からなることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載のパワーモジュール。
- 前記樹脂系絶縁層の膜厚が、10μm〜50μmであることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載のパワーモジュール。
- 前記樹脂系絶縁層が熱可塑性ポリイミドからなることを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載のパワーモジュール。
- 前記パワー素子がIGBTチップであることを特徴とする請求項1乃至8のいずれかに記載のパワーモジュール。
- インバーターモジュールであることを特徴とする請求項1乃至9のいずれかに記載のパワーモジュール。
- 請求項10に記載のインバーターモジュールを備えたハイブリッド自動車。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011001698A1 (ja) * | 2009-07-03 | 2011-01-06 | 三井化学株式会社 | 樹脂組成物、それを含む積層体、半導体装置およびフィルム |
JP2013069899A (ja) * | 2011-09-22 | 2013-04-18 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2015097258A (ja) * | 2013-10-11 | 2015-05-21 | 大日本印刷株式会社 | パワーモジュール用金属配線付基板、パワーモジュール及びパワーモジュール用基板、並びにパワーモジュール用金属配線付基板の製造方法 |
JP2019169619A (ja) * | 2018-03-23 | 2019-10-03 | 三菱マテリアル株式会社 | 金属ベース基板およびモジュール |
JP7463909B2 (ja) | 2020-08-25 | 2024-04-09 | 株式会社デンソー | 半導体装置及びその製造方法 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4180980B2 (ja) * | 2003-06-10 | 2008-11-12 | 本田技研工業株式会社 | 半導体装置 |
JP2009130060A (ja) * | 2007-11-21 | 2009-06-11 | Toyota Industries Corp | 放熱装置 |
JP5070014B2 (ja) * | 2007-11-21 | 2012-11-07 | 株式会社豊田自動織機 | 放熱装置 |
JP4881971B2 (ja) * | 2009-03-26 | 2012-02-22 | 株式会社豊田自動織機 | 半導体装置 |
JP4977165B2 (ja) * | 2009-04-01 | 2012-07-18 | トヨタ自動車株式会社 | 3相ブラシレスモータのノイズ低減構造 |
JP5546889B2 (ja) * | 2010-02-09 | 2014-07-09 | 日本電産エレシス株式会社 | 電子部品ユニット及びその製造方法 |
JP2012119597A (ja) * | 2010-12-03 | 2012-06-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
CN103295980B (zh) * | 2012-03-05 | 2016-01-13 | 上海沪通企业集团有限公司 | 单管igbt封装全桥模块及其封装方法 |
KR20170039431A (ko) * | 2015-10-01 | 2017-04-11 | 현대자동차주식회사 | 솔더링 접합방식 인버터 및 이를 적용한 하이브리드 차량 |
TW202005020A (zh) * | 2018-05-28 | 2020-01-16 | 艾姆勒車電股份有限公司 | Igbt模組散熱結構 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5645060A (en) * | 1979-09-21 | 1981-04-24 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
JPH04206658A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-28 | Mitsui Toatsu Chem Inc | ハーメチックシール型電気回路装置 |
JPH1093015A (ja) * | 1996-09-11 | 1998-04-10 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JPH11204700A (ja) * | 1998-01-19 | 1999-07-30 | Hitachi Ltd | 放熱フィン一体型パワーモジュール |
JP2002110867A (ja) * | 2000-10-02 | 2002-04-12 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2003168769A (ja) * | 2001-11-30 | 2003-06-13 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体装置 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5395679A (en) * | 1993-03-29 | 1995-03-07 | Delco Electronics Corp. | Ultra-thick thick films for thermal management and current carrying capabilities in hybrid circuits |
JPH11225459A (ja) * | 1998-02-05 | 1999-08-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | モータ制御装置 |
US6165612A (en) * | 1999-05-14 | 2000-12-26 | The Bergquist Company | Thermally conductive interface layers |
US6707671B2 (en) * | 2001-05-31 | 2004-03-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Power module and method of manufacturing the same |
JP3676268B2 (ja) * | 2001-08-01 | 2005-07-27 | 株式会社日立製作所 | 伝熱構造体及び半導体装置 |
US6848172B2 (en) * | 2001-12-21 | 2005-02-01 | Intel Corporation | Device and method for package warp compensation in an integrated heat spreader |
JP2003218298A (ja) * | 2002-01-18 | 2003-07-31 | Ikeda Electric Co Ltd | パワーモジュールの放熱構造 |
EP1542281A1 (en) * | 2002-08-09 | 2005-06-15 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Heat-dissipating member and joined structure |
JP3740116B2 (ja) * | 2002-11-11 | 2006-02-01 | 三菱電機株式会社 | モールド樹脂封止型パワー半導体装置及びその製造方法 |
DE10327530A1 (de) * | 2003-06-17 | 2005-01-20 | Electrovac Gesmbh | Vorrichtung mit wenigstens einer von einem zu kühlenden Funktionselement gebildeten Wärmequelle, mit wenigstens einer Wärmesenke und mit wenigstens einer Zwischenlage aus einer thermischen leitenden Masse zwischen der Wärmequelle und der Wärmesenke sowie thermische leitende Masse, insbesondere zur Verwendung bei einer solchen Vorrichtung |
JP2005064291A (ja) * | 2003-08-14 | 2005-03-10 | Nissan Motor Co Ltd | 絶縁シートおよびこの絶縁シートを用いた半導体装置組立体 |
JP4046120B2 (ja) * | 2005-01-27 | 2008-02-13 | 三菱電機株式会社 | 絶縁シートの製造方法およびパワーモジュールの製造方法 |
JP2006253183A (ja) * | 2005-03-08 | 2006-09-21 | Hitachi Ltd | 半導体パワーモジュール |
-
2006
- 2006-04-19 JP JP2006115823A patent/JP2007288054A/ja active Pending
-
2007
- 2007-03-15 US US11/724,188 patent/US20070284731A1/en not_active Abandoned
- 2007-03-27 EP EP07105036A patent/EP1848036A3/en not_active Withdrawn
- 2007-04-13 CN CN200710096419.1A patent/CN101068009B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5645060A (en) * | 1979-09-21 | 1981-04-24 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
JPH04206658A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-28 | Mitsui Toatsu Chem Inc | ハーメチックシール型電気回路装置 |
JPH1093015A (ja) * | 1996-09-11 | 1998-04-10 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JPH11204700A (ja) * | 1998-01-19 | 1999-07-30 | Hitachi Ltd | 放熱フィン一体型パワーモジュール |
JP2002110867A (ja) * | 2000-10-02 | 2002-04-12 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2003168769A (ja) * | 2001-11-30 | 2003-06-13 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体装置 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011001698A1 (ja) * | 2009-07-03 | 2011-01-06 | 三井化学株式会社 | 樹脂組成物、それを含む積層体、半導体装置およびフィルム |
JP2013069899A (ja) * | 2011-09-22 | 2013-04-18 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2015097258A (ja) * | 2013-10-11 | 2015-05-21 | 大日本印刷株式会社 | パワーモジュール用金属配線付基板、パワーモジュール及びパワーモジュール用基板、並びにパワーモジュール用金属配線付基板の製造方法 |
WO2016047181A1 (ja) * | 2014-09-25 | 2016-03-31 | 大日本印刷株式会社 | パワーモジュール用金属配線付基板、パワーモジュール及びパワーモジュール用基板、並びにパワーモジュール用金属配線付基板の製造方法 |
JP2019169619A (ja) * | 2018-03-23 | 2019-10-03 | 三菱マテリアル株式会社 | 金属ベース基板およびモジュール |
JP7463909B2 (ja) | 2020-08-25 | 2024-04-09 | 株式会社デンソー | 半導体装置及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1848036A3 (en) | 2010-04-14 |
EP1848036A2 (en) | 2007-10-24 |
CN101068009B (zh) | 2010-11-03 |
US20070284731A1 (en) | 2007-12-13 |
CN101068009A (zh) | 2007-11-07 |
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