JP2007281484A - 白色発光ダイオードおよびその製造方法 - Google Patents
白色発光ダイオードおよびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007281484A JP2007281484A JP2007102125A JP2007102125A JP2007281484A JP 2007281484 A JP2007281484 A JP 2007281484A JP 2007102125 A JP2007102125 A JP 2007102125A JP 2007102125 A JP2007102125 A JP 2007102125A JP 2007281484 A JP2007281484 A JP 2007281484A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting diode
- phosphor
- white light
- red light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims abstract description 89
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 85
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 19
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 8
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 7
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000004054 semiconductor nanocrystal Substances 0.000 claims description 6
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 5
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 claims description 4
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910004262 HgTe Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims description 3
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 3
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 6
- 108010043121 Green Fluorescent Proteins Proteins 0.000 abstract 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 16
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 11
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 11
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 11
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 10
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N octamethyltrisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000004987 plasma desorption mass spectroscopy Methods 0.000 description 9
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 8
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 8
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 7
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 6
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 4
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 4
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 4
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 4
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 4
- 229920000609 methyl cellulose Polymers 0.000 description 4
- 239000001923 methylcellulose Substances 0.000 description 4
- 235000010981 methylcellulose Nutrition 0.000 description 4
- XTAZYLNFDRKIHJ-UHFFFAOYSA-N n,n-dioctyloctan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCN(CCCCCCCC)CCCCCCCC XTAZYLNFDRKIHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 4
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 4
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 4
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 4
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 3
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- LNAZSHAWQACDHT-XIYTZBAFSA-N (2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-dimethoxy-2-(methoxymethyl)-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-trimethoxy-6-(methoxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6r)-4,5,6-trimethoxy-2-(methoxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxane Chemical compound CO[C@@H]1[C@@H](OC)[C@H](OC)[C@@H](COC)O[C@H]1O[C@H]1[C@H](OC)[C@@H](OC)[C@H](O[C@H]2[C@@H]([C@@H](OC)[C@H](OC)O[C@@H]2COC)OC)O[C@@H]1COC LNAZSHAWQACDHT-XIYTZBAFSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N [(2s,3r,4s,5r,6r)-2-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-dinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-trinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-3-yl]oxy-3,5-dinitrooxy-6-(nitrooxymethyl)oxan-4-yl] nitrate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O1)O[N+]([O-])=O)CO[N+](=O)[O-])[C@@H]1[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O[C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N 0.000 description 2
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 2
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- 235000010944 ethyl methyl cellulose Nutrition 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229920003087 methylethyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 2
- MJNSMKHQBIVKHV-UHFFFAOYSA-N selenium;trioctylphosphane Chemical compound [Se].CCCCCCCCP(CCCCCCCC)CCCCCCCC MJNSMKHQBIVKHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N trioctylphosphane Chemical compound CCCCCCCCP(CCCCCCCC)CCCCCCCC RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N (S)-(-)-alpha-terpineol Chemical compound CC1=CC[C@@H](C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N 0.000 description 1
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 description 1
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Natural products P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000032900 absorption of visible light Effects 0.000 description 1
- -1 alkyl phosphine Chemical compound 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N alpha-Terpineol Natural products CC(=C)C1(O)CCC(C)=CC1 OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940088601 alpha-terpineol Drugs 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N cadmium oxide Inorganic materials [Cd]=O CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Cd+2] CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 1
- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001787 chalcogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000013065 commercial product Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- KZCOBXFFBQJQHH-UHFFFAOYSA-N octane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCS KZCOBXFFBQJQHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001443 photoexcitation Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
- H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
- C09K11/025—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/88—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing selenium, tellurium or unspecified chalcogen elements
- C09K11/881—Chalcogenides
- C09K11/883—Chalcogenides with zinc or cadmium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
【課題】高い発光効率を示し、かつ安定に白色光を実現することができ、照明装置またはディスプレイ装置のバックライトを代替することが可能な高出力、高効率光源として広く活用できる白色発光ダイオードおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】紫外発光ダイオードと、前記紫外発光ダイオードの上面に形成された、緑色蛍光体と青色蛍光体とを含む混合蛍光体層と、前記混合蛍光体層の上面に形成された、赤色発光量子ドットを含む赤色発光量子ドット層と、を含むことを特徴とする、白色発光ダイオードである。
【選択図】図３
【解決手段】紫外発光ダイオードと、前記紫外発光ダイオードの上面に形成された、緑色蛍光体と青色蛍光体とを含む混合蛍光体層と、前記混合蛍光体層の上面に形成された、赤色発光量子ドットを含む赤色発光量子ドット層と、を含むことを特徴とする、白色発光ダイオードである。
【選択図】図３
Description
本発明は、量子ドットを用いた多層構造の白色発光ダイオードおよびその製造方法に係る。
半導体を用いた白色発光ダイオード（ｗｈｉｔｅ ＬＥＤ）は、寿命が長く、小型化が可能であるうえ、低電圧で駆動可能であるという特徴により、既存の発光素子を代替することが可能な次世代発光素子の一つとして脚光を浴びている。
このような白色発光ダイオードを製造する既存の方法としては、三色（赤色、緑色、青色）の発光ダイオード（ＬＥＤ）を使用する方法があるが、製造コストが高く、駆動回路が複雑であるため、製品の大きさが大きくなるという欠点がある。
また、発光波長４５０ｎｍのＩｎＧａＮ系青色ＬＥＤにＹＡＧ：Ｃｅ蛍光体を組み合わせた白色ＬＥＤが実用化されている。これは、青色ＬＥＤから発生する青色光の一部がＹＡＧ：Ｃｅ蛍光体を励起して黄緑色の光を発生させ、前記青色の光と黄緑色の光とが合成されて白色を発光する。
ところが、青色ＬＥＤにＹＡＧ：Ｃｅ蛍光体を組み合わせた白色ＬＥＤの光は、可視光領域の一部分のみのスペクトルを示すため、演色指数（ｃｏｌｏｒ ｒｅｎｄｅｒｉｎｇ ｉｎｄｅｘ）が低く、そのため色の表現が不十分であるという問題点がある。さらに、励起光源として用いる青色ＬＥＤの波長が４５０ｎｍ程度なので、チップの効率が低下して全体的に白色ＬＥＤの発光効率が低いことも欠点である。
前述した白色ＬＥＤの問題点を解決するために、励起光源として紫外発光ダイオード（ＵＶ−ＬＥＤ）を使用し、赤色、緑色および青色の蛍光体を全て組み合わせて、自然色に近い白色を発光する白色ＬＥＤを開発する努力が盛んに展開されている。
すなわち、図１に示すように、紫外の短波長ＬＥＤ１の周囲に赤色、緑色、青色の蛍光体２を塗布するように構成することにより、前記赤色、緑色、青色の蛍光体は、高いエネルギーの紫外線ＬＥＤによって励起され、それぞれ赤色、緑色、青色のスペクトルを放出するようにし、この３つのスペクトルを合成して白色光を形成させるようにする方式が提案されている。
しかし、前述したような従来の技術においては、蛍光体の光変換効率（Ｐｈｏｓｐｈｏｒ Ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ）、自己吸収、温度、長時間使用などによる特性低下、特に赤色蛍光体の低い効率によって白色ＬＥＤ素子の特性が制限されるといった問題点がある。
前述した蛍光体を用いた白色ＬＥＤ素子の問題点を解決するために、量子ドットを用いた白色および着色発光ダイオード（ｃｏｌｏｒｅｄ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ）が特許文献１および特許文献２などに開示されている。
前記量子ドットを用いた白色および着色発光ダイオードは、図２ａおよび図２ｂに示すように、第１光源３、ホストマトリックス４、およびホストマトリックス４に埋め込まれた量子ドット５の集合からなっている。
前記量子ドット５の集合は、図２ａに示すように、それぞれ特定波長の光を放出する２種類以上の量子ドット５が混合されて１層に構成されてもよく、図２ｂに示すように、別個の層に構成されてもよい。前述した発光ダイオードは、多数の量子ドット５を含み、実質的に第１光源３からの出射光が実質的に全て吸収され、最終的に放出される発光は量子ドット５の発光によってのみ形成される構造をとってもよく、または、少数の量子ドット５を含み、第１光源３から出射して量子ドット５に吸収されていない光と量子ドット５の発光との混合によって最終的な発光が形成される構造をとってもよい。
米国特許第６，８９０，７７７号明細書
特開２００２−５１０８９９号公報
しかし、このような量子ドットを用いた発光ダイオードは、エネルギーの高い紫外光によって直接量子ドットが励起されて発光するので、紫外線に長時間晒される場合、発光効率が急激に減少し、これにより長時間の使用が必要な装置には適用することができないという問題点がある。
したがって、紫外の高出力ＬＥＤを用いる場合、高い発光効率を有し、かつ安定に白色光を維持することが可能な発光素子の開発が切実に要求されている。
そこで、本発明は、上述した従来の技術の問題点を解決するためのもので、その目的とするところは、紫外光を励起光源として用いる白色発光ダイオードにおいて、相対的に効率の低い赤色蛍光体に代えて赤色発光量子ドットを用いることにより、発光効率の高い多層構造の白色発光ダイオードを提供することにある。
本発明の他の目的は、前記赤色発光量子ドットを、紫外光によって直接励起させる代わりに、紫外光によって励起された青色および緑色の発光体から放出される可視光によって励起させることにより、安定に白色発光を維持することが可能な、多層構造の白色発光ダイオードを提供することにある。
本発明のさらに他の目的は、上述したような特性を有する多層構造の白色発光ダイオードの製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明は、紫外発光ダイオード（ＵＶ−ＬＥＤ）と、前記紫外発光ダイオードの上面に形成された、緑色蛍光体と青色蛍光体とを含む混合蛍光体層と、前記混合蛍光体層の上面に形成された、赤色発光量子ドットを含む赤色発光量子ドット層と、を含むことを特徴とする、白色発光ダイオードを提供する。
また、本発明は、紫外発光ダイオードの上面に緑色蛍光体と青色蛍光体とを含む混合蛍光体層を形成する段階と、前記混合蛍光体層の上面に赤色発光量子ドット層を形成する段階と、を含むことを特徴とする、白色発光ダイオードの製造方法を提供する。
本発明の多層構造の白色発光ダイオードは、チップの発光効率に最も優れた約４００ｎｍ付近のＵＶ−ＬＥＤを励起光源として使用し、赤色発光材料として、前記波長で発光効率が相対的に低い赤色無機蛍光体の代わりに赤色発光量子ドットを用いるため、発光効率に優れた特性を有する。
また、本発明の多層構造の白色発光ダイオードは、前記赤色発光量子ドットが、紫外光によって直接励起される代わりに、ＵＶ−ＬＥＤから発光する紫外光を吸収する緑色および青色蛍光体から発光する青色および緑色の可視光によって励起されるため、紫外光による赤色発光量子ドットの損傷がなく、安定に白色光を発光させる特性を有する。
本発明の多層構造の白色発光ダイオードは、赤色発光量子ドットの励起源を、紫外光ではなく、蛍光体から発光する可視光に代えることにより、高出力を維持し、かつ、発光の安定性を向上させることができる。
本発明の多層構造の白色発光ダイオードは、前述した効果により、照明装置またはディスプレイ装置のバックライトに用いることが可能な高出力、高効率光源として広く活用できる。
以下に添付図面を参照しながら、本発明についてさらに詳細に説明する。
図３は本発明の一実施形態による多層構造の白色発光ダイオードを概略的に示す断面図である。
図３を参照すると、本発明の白色発光ダイオードは、紫外光を発光するＵＶ−ＬＥＤ１０と、前記ＵＶ−ＬＥＤ１０の上面に形成され、前記ＵＶ−ＬＥＤによって放出される紫外光を吸収してそれぞれ青色光と緑色光とを放出する緑色蛍光体と青色蛍光体とを含む混合蛍光体層２０と、前記混合蛍光体層２０の上面に形成され、前記混合蛍光体層から放出される青色光と緑色光とによって励起されて赤色光を発光する赤色発光量子ドットを含む赤色発光量子ドット層３０とから構成される。
本発明において、ＵＶ−ＬＥＤ１０としては、長波長ＵＶ領域である３９０ｎｍ〜４１０ｎｍの範囲で発光特性を持つ公知のＬＥＤチップを使用することができ、最大発光波長λｍａｘが約４００ｎｍのＵＶ−ＬＥＤチップを使用することが好ましい。
前記混合蛍光体層２０は、好ましくは、青色蛍光体、緑色蛍光体および有機バインダを含む。
本発明で使用可能な緑色蛍光体としては、好ましくは、ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ，Ｍｎ、Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、（Ｚｎ，Ａ）２ＳｉＯ４：Ｍｎ（Ａはアルカリ土類金属である）、ＭｇＡｌｘＯｙ：Ｍｎ（ｘは１〜１０の整数であり、ｙは１〜３０の整数である）、ＬａＭｇＡｌｘＯｙ：Ｔｂ（ｘは１〜１４の整数であり、ｙは８〜４７の整数である）、ＲｅＢＯ３：Ｔｂ（ＲｅはＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、およびＧｄよりなる群から選択される少なくとも１つの希土類元素である）、および（Ｙ，Ｇｄ）ＢＯ３：Ｔｂよりなる群から少なくとも１種を選択して使用することができる。
前記青色蛍光体としては、好ましくは、Ｓｒ（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｅｕ２＋、ＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｌ、ＣａＭｇＳｉ２Ｏ６：Ｅｕ、ＣａＷＯ４：Ｐｂ、Ｙ２ＳｉＯ５：Ｅｕ、およびＳｒ４Ａｌ１４Ｏ２５：Ｅｕ，Ｄｙよりなる群から選択される少なくとも１種を使用することができる。
前記有機バインダとしては、好ましくは、メチルセルロース、エチルセルロース、ニトロセルロースなどのセルロース系高分子、ポリメチルメタクリレートなどのアクリレート系高分子、エポキシ系高分子、ポリビニルブチラールなどのポリビニルアルコール系高分子、ＰＤＭＳ（ｐｏｌｙｄｉｍｅｔｈｙｌ ｓｉｌｏｘａｎｅ）などが使用できる。
前記赤色発光量子ドットによる可視光の吸収は、緑色の光に比べて青色の光で強く現われるので、前記混合蛍光体層を構成する前記緑色蛍光体と前記青色蛍光体との質量比は、好ましくは１：２〜１：４であり、より好ましくは１：３である。
前記有機バインダに対して、前記緑色蛍光体および前記青色蛍光体の割合があまり高い場合、紫外光励起によって発光した可視光が前記緑色蛍光体および前記青色蛍光体の粒子により遮断され、前記混合蛍光体層の外部に効果的に放出されない場合がある。よって、本発明の緑色蛍光体および青色蛍光体の合計の質量と有機バインダの質量との比は１：１〜１：３であることが好ましい。
前記赤色発光量子ドット層３０は、好ましくは、赤色発光特性を有する赤色発光量子ドットと有機バインダとを含む。
前記赤色発光量子ドットとしては、例えばＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅなどのＩＩ−ＶＩ族化合物半導体ナノ結晶、例えばＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓなどのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ナノ結晶、またはこれらの混合物を使用することができる。
前記有機バインダとしては、メチルセルロース、エチルセルロース、ニトロセルロースなどのセルロース系高分子、ポリメチルメタクリレートなどのアクリレート系高分子、エポキシ系高分子、ポリビニルブチラールなどのポリビニルアルコール系高分子、ＰＤＭＳ（ｐｏｌｙｄｉｍｅｔｈｙｌ ｓｉｌｏｘａｎｅ）などを使用することができる。
前記赤色発光量子ドットと前記有機バインダとの混合比（質量比）は約１：１０００〜１：２５０００であることが好ましく、約１：１００００であることがより好ましい。
前記赤色発光量子ドット層は、３ｍｍ以下の厚さであることが好ましい。前記赤色発光量子ドット層は、０．１ｍｍ以上の厚さであることが好ましい。
本発明の白色発光ダイオードは、高輝度特性を示すので、ＬＣＤディスプレイのバックライト、照明用光源、車両照明などへの用途展開が可能である。
以下、本発明に係る多層構造の白色発光ダイオードの製造方法について説明する。
図４は本発明の一実施形態による白色発光ダイオードの製造方法を示す図である。
本発明の製造方法に係る白色発光ダイオードは、（ａ）ＵＶ−ＬＥＤの上面に緑色蛍光体と青色蛍光体とを含む混合蛍光体層を形成する段階と、（ｂ）前記混合蛍光体層の上面に赤色発光量子ドット層を形成する段階とを有する。
（ａ）ＵＶ−ＬＥＤの上面に緑色蛍光体と青色蛍光体とを含む混合蛍光体層を形成する段階
混合蛍光体層は、好ましくは、緑色蛍光体および青色蛍光体を、適切な有機溶媒および有機バインダである有機高分子またはその前駆体を混合した有機バインダ溶液と所定の割合で混合し、その混合物をＵＶ−ＬＥＤの上面にコートした後、乾燥させることにより形成される。
混合蛍光体層は、好ましくは、緑色蛍光体および青色蛍光体を、適切な有機溶媒および有機バインダである有機高分子またはその前駆体を混合した有機バインダ溶液と所定の割合で混合し、その混合物をＵＶ−ＬＥＤの上面にコートした後、乾燥させることにより形成される。
前記緑色蛍光体としては、例えば、ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ，Ｍｎ、Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、（Ｚｎ，Ａ）２ＳｉＯ４：Ｍｎ（Ａはアルカリ土類金属である）、ＭｇＡｌｘＯｙ：Ｍｎ（ｘは１〜１０の整数であり、ｙは１〜３０の整数である）、ＬａＭｇＡｌｘＯｙ：Ｔｂ（ｘは１〜１４の整数であり、ｙは８〜４７の整数である）、ＲｅＢＯ３：Ｔｂ（ＲｅはＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、およびＧｄよりなる群から選択される少なくとも１つの希土類元素である）、および（Ｙ，Ｇｄ）ＢＯ３：Ｔｂよりなる群から少なくとも１種を選択して使用することができる。
本発明の青色蛍光体としては、例えば、Ｓｒ（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｅｕ２＋、ＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｌ、ＣａＭｇＳｉ２Ｏ６：Ｅｕ、ＣａＷＯ４：Ｐｂ、Ｙ２ＳｉＯ５：Ｅｕ、およびＳｒ４Ａｌ１４Ｏ２５：Ｅｕ，Ｄｙよりなる群から選択される少なくとも１種を使用することができる。
前記混合蛍光体層の製造に用いられうる前記溶媒としては、具体的には、α−テルピネオール（α−ｔｅｒｐｉｎｅｏｌ）、ブチルカルビトールアセテート（ｂｕｔｙｌ ｃａｒｂｉｔｏｌ ａｃｅｔａｔｅ）、またはこれらの混合物を例示することができる。
前記有機バインダとしての有機高分子としては、具体的には、例えばメチルセルロース、エチルセルロース、ニトロセルロースなどのセルロース系高分子、ポリメチルメタクリレートなどのアクリレート系高分子、エポキシ系高分子、ポリビニルブチラールなどのポリビニルアルコール系高分子、ＰＤＭＳなどを例示することができる。
前記緑色蛍光体および前記青色蛍光体と前記有機バインダ溶液とを含む混合物をＵＶ−ＬＥＤの上面にコートする方法としては、好ましくは、ドロップキャスティング（ｄｒｏｐ ｃａｓｔｉｎｇ）、スピンコーティング（ｓｐｉｎ ｃｏａｔｉｎｇ）、ディップコーティング（ｄｉｐ ｃｏａｔｉｎｇ）、スプレーコーティング（ｓｐｒａｙ ｃｏａｔｉｎｇ）、フローコーティング（ｆｌｏｗ ｃｏａｔｉｎｇ）、スクリーン印刷（ｓｃｒｅｅｎ ｐｒｉｎｔｉｎｇ）を例示することができる。
前記混合物を乾燥させる際の乾燥温度は、蛍光体の安定性を保証するために、好ましくは８０〜２００℃、より好ましくは１００〜１５０℃である。
（ｂ）混合蛍光体層の上面に赤色発光量子ドット層を形成する段階
赤色発光量子ドット層は、好ましくは、赤色発光特性を有する赤色発光量子ドットをシリコン系分散剤を用いて有機バインダを含む溶液に分散させ、前記混合蛍光体層の上面にコートして形成される。
赤色発光量子ドット層は、好ましくは、赤色発光特性を有する赤色発光量子ドットをシリコン系分散剤を用いて有機バインダを含む溶液に分散させ、前記混合蛍光体層の上面にコートして形成される。
前記赤色発光量子ドットの合成方法は、特に限定されず、公知の全ての技術が適用可能であるが、以下に、化学的湿式合成法によって赤色発光量子ドットを製造する方法について詳細に説明する。
化学的湿式合成法によって赤色発光量子ドットを製造する工程は、好ましくは、量子ドット前駆体を窒素またはアルゴンなどの不活性雰囲気下で適切な溶媒に入れて反応させて合成することにより行う。
前記量子ドット前駆体は、一般に、金属前駆体（ｍｅｔａｌ ｐｒｅｃｕｒｓｏｒ）とカルコゲニド前駆体（ｃｈａｌｃｏｇｅｎｉｄｅ ｐｒｅｃｕｒｓｏｒ）とを別々の溶媒に添加してそれらを反応させるか、或いは単一の前駆体を用いることにより得られることが知られている。
前記化学的湿式合成法に用いられる溶媒としては、好ましくは、炭素数６〜２２のアルキルホスフィン、炭素数６〜２２のアルキルホスフィンオキサイド、炭素数６〜２２のアルキルアミン、またはこれらの混合物を例示することができる。炭素数６〜２２のアルキルホスフィンとしては、例えばトリオクチルホスフィンなどが挙げられる。炭素数６〜２２のアルキルアミンとしては、例えば、トリオクチルアミンが挙げられる。
前記化学的湿式合成法によって製造される量子ドットとしては、例えばＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅなどのＩＩ−ＶＩ族化合物半導体ナノ結晶、例えばＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓなどのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ナノ結晶、またはこれらの混合物を使用することができる。本発明において、前記量子ドットが２つ以上の物質の混合物で存在する場合、単純な混合物の形態で存在してもよく、各物質の結晶構造が部分に分けられて同一の粒子内に存在してもよく、または合金の形で存在してもよい。
前記化学的湿式合成法において、結晶の成長を容易にしながら溶媒の安定性を保証するための好ましい反応温度の範囲は、１５０℃〜４６０℃、より好ましくは２００℃〜４２０℃、最も好ましくは２３０℃〜４００℃である。
また、前記化学的湿式合成法において、反応時間は、好ましくは１分〜４時間、より好ましくは２分〜３時間、よりさらに好ましくは３分〜２時間である。
上述の化学的湿式合成法によって製造された赤色発光量子ドットは、コロイド状態で溶媒に分散しているので、好ましくは遠心分離によって溶媒から分離する。
前述したように分離した赤色発光量子ドットを、例えばトルエン、ヘキサンなどの適切な溶媒に溶解させ混合蛍光体層上に塗布した後、焼成して赤色発光量子ドット層を形成する。
または、前記赤色発光量子ドットを、例えばメチルセルロース、エチルセルロース、ニトロセルロースなどのセルロース系高分子、ポリメチルメタクリレートなどのアクリレート系高分子、エポキシ系高分子、ポリビニルブチラールなどのポリビニルアルコール系高分子、ＰＤＭＳなどの有機バインダ、シリコン系分散剤とともに溶媒に加えた混合物を、混合蛍光体層上にコートし、好ましくは、その後焼成する。
前記赤色発光量子ドットと前記有機バインダ溶液とを含む混合物を混合蛍光体層上にコートする方法としては、好ましくは、ドロップキャスティング（ｄｒｏｐ ｃａｓｔｉｎｇ）、スピンコーティング（ｓｐｉｎ ｃｏａｔｉｎｇ）、ディップコーティング（ｄｉｐ ｃｏａｔｉｎｇ）、スプレーコーティング（ｓｐｒａｙ ｃｏａｔｉｎｇ）、フローコーティング（ｆｌｏｗ ｃｏａｔｉｎｇ）、スクリーン印刷（ｓｃｒｅｅｎ ｐｒｉｎｔｉｎｇ）を例示することができる。
前記赤色発光量子ドットと前記有機バインダとの混合比（質量比）は約１：１０００〜１：２５０００であることが好ましく、約１：１００００であることがより好ましい。
前記赤色発光量子ドット層は、好ましくは、３ｍｍ以下の厚さに形成される。前記赤色発光量子ドット層は、０．１ｍｍ以上の厚さであることが好ましい。
以下、好適な実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明するが、これらは本発明を説明するためのものに過ぎず、本発明を制限するものではない。
製造例１：赤色発光量子ドットの合成
トリオクチルアミン（Ｔｒｉｏｃｔｙｌ ａｍｉｎｅ、以下「ＴＯＡ」という）１６ｇ、オレイン酸（Ｏｌｅｉｃ ａｃｉｄ、以下「ＯＡ」という）０．５ｇおよびカルコゲン前駆体である酸化カドミウム０．４ｍｍｏｌを１２５ｍＬの還流コンデンサ付きフラスコに仕込み、真空状態に維持しながら、反応温度を約１５０℃まで上昇させた。この際、混合物を７００ｒｐｍ以上で攪拌した。１５０℃になると、真空雰囲気から窒素雰囲気に変え、温度を３００℃まで上昇させた。これとは別に、窒素雰囲気下でＳｅ粉末を溶媒である純度９７％のトリオクチルホスフィン（Ｔｒｉｏｃｔｙｌ ｐｈｏｓｐｈｉｎｅ、以下「ＴＯＰ」という）に溶かしてＳｅ濃度約０．２Ｍ程度のＳｅ−ＴＯＰ錯体（金属前駆体）溶液を調製した。攪拌しながら３００℃の混合物にＳｅ−ＴＯＰ錯体溶液１ｍＬを速やかに注入し、約４分間反応させた。その後、ｎ−オクタンチオール（ｎ−ｏｃｔａｎｅ ｔｈｉｏｌ）をＴＯＡに溶かして０．２Ｍの濃度にした溶液１ｍＬを反応混合物に速やかに注入して約３０分間反応させた。反応中では攪拌速度と窒素雰囲気を保持した。
トリオクチルアミン（Ｔｒｉｏｃｔｙｌ ａｍｉｎｅ、以下「ＴＯＡ」という）１６ｇ、オレイン酸（Ｏｌｅｉｃ ａｃｉｄ、以下「ＯＡ」という）０．５ｇおよびカルコゲン前駆体である酸化カドミウム０．４ｍｍｏｌを１２５ｍＬの還流コンデンサ付きフラスコに仕込み、真空状態に維持しながら、反応温度を約１５０℃まで上昇させた。この際、混合物を７００ｒｐｍ以上で攪拌した。１５０℃になると、真空雰囲気から窒素雰囲気に変え、温度を３００℃まで上昇させた。これとは別に、窒素雰囲気下でＳｅ粉末を溶媒である純度９７％のトリオクチルホスフィン（Ｔｒｉｏｃｔｙｌ ｐｈｏｓｐｈｉｎｅ、以下「ＴＯＰ」という）に溶かしてＳｅ濃度約０．２Ｍ程度のＳｅ−ＴＯＰ錯体（金属前駆体）溶液を調製した。攪拌しながら３００℃の混合物にＳｅ−ＴＯＰ錯体溶液１ｍＬを速やかに注入し、約４分間反応させた。その後、ｎ−オクタンチオール（ｎ−ｏｃｔａｎｅ ｔｈｉｏｌ）をＴＯＡに溶かして０．２Ｍの濃度にした溶液１ｍＬを反応混合物に速やかに注入して約３０分間反応させた。反応中では攪拌速度と窒素雰囲気を保持した。
反応が終結した後、反応混合物の温度をできる限り速く常温に降温し、非溶媒（ｎｏｎ−ｓｏｌｖｅｎｔ）であるエタノールを付加して遠心分離した。遠心分離された沈殿物を除いた溶液の上澄み液を捨て、沈殿をトルエンに分散させた。
実施例１：多層構造の白色発光ダイオードの製作
ＵＶ−ＬＥＤチップとして約４００ｎｍの最大発光波長（λｍａｘ）のチップ（Ｐｈｏｔｏｎｉｘ社製）を使用した。
ＵＶ−ＬＥＤチップとして約４００ｎｍの最大発光波長（λｍａｘ）のチップ（Ｐｈｏｔｏｎｉｘ社製）を使用した。
緑色蛍光体であるＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ，Ｍｎ（Ｋａｓｅｉ Ｏｐｔｏｎｉｘ社製）と青色蛍光体であるＳｒ４Ａｌ１４Ｏ２５：Ｅｕ，Ｄｙ（Ｎｅｍｏｔｏ＆Ｃｏ．社製）を１：３の質量比で混合した蛍光体とＰＤＭＳ（ｐｏｌｙｄｉｍｅｔｈｙｌ ｓｉｌｏｘａｎｅ、Ｄｏｗ Ｃｏｒｎｉｎｇ社製ＥＧ６３０１）とを１：１の質量比で混合し、ＵＶ−ＬＥＤ上に塗布して混合蛍光体膜（１次膜）を形成した。混合蛍光体膜は、シリンジタイプのディスペンサを用いて塗布し、その後１５０℃で１時間加熱して乾燥させた。
その後、前記製造例１によって製造されたＣｄＳｅ赤色発光量子ドット（λｍａｘ＝５８９ｎｍ）をシリコン系分散剤で１：１００００（赤色発光量子ドット：ＰＤＭＳ）の質量比でＰＤＭＳ（Ｄｏｗ Ｃｒｎｉｎｇ社製ＥＧ６３０１）に分散させ、混合蛍光体膜上に塗布した後、焼成して２次膜を形成した。混合蛍光体層および赤色発光量子ドット層の厚さはそれぞれ１．５ｍｍであった。
実験例１：多層構造の白色発光ダイオードの発光特性
前記実施例１によって製造された多層構造の白色発光ダイオードに対し、下記の条件下でスペクトルの経時変化の測定を行い、その結果を図５に示した。
前記実施例１によって製造された多層構造の白色発光ダイオードに対し、下記の条件下でスペクトルの経時変化の測定を行い、その結果を図５に示した。
＊駆動電流：３５０ｍＡ
＊冷却：熱電冷却器（Ｔｈｅｒｍｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｃｏｏｌｅｒ）で十分に冷却
＊測定：１分間隔で３８時間測定
図５を参照すると、実施例１の多層構造の白色発光ダイオードの発光は、赤色発光材料を紫外光励起する場合のような効率の減少が見られず、むしろ時間経過に伴って赤色光の発光強度が増加した後、安定化する現象を示した。すなわち、紫外光による量子ドットの大きさの減少に起因するブルーシフトは観察されなかった。
＊冷却：熱電冷却器（Ｔｈｅｒｍｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｃｏｏｌｅｒ）で十分に冷却
＊測定：１分間隔で３８時間測定
図５を参照すると、実施例１の多層構造の白色発光ダイオードの発光は、赤色発光材料を紫外光励起する場合のような効率の減少が見られず、むしろ時間経過に伴って赤色光の発光強度が増加した後、安定化する現象を示した。すなわち、紫外光による量子ドットの大きさの減少に起因するブルーシフトは観察されなかった。
本発明に係る白色発光ダイオードは、図５から分かるように、青色、緑色、赤色のそれぞれの波長帯が明確に観察され、赤色発光量子ドットが青色および緑色蛍光体から発光する可視光によって励起されて赤色光を放出するため、安定して白色光を形成することができる。
実験例２：紫外光に対する赤色発光量子ドットの安定性の評価
図６は紫外光に対する赤色発光量子ドットの安定性を評価するために、赤色発光量子ドットをＰＤＭＳに混合してＵＶ−ＬＥＤ上に塗布し、４００ｎｍ付近の近紫外光励起の際の、初期駆動時と１００時間駆動後との赤色発光量子ドットの発光強度の変化を測定したグラフである。ここで、ＣｄＳｅ赤色発光量子ドットとＰＤＭＳとの混合比は、質量比で約１：１００００であった。
図６は紫外光に対する赤色発光量子ドットの安定性を評価するために、赤色発光量子ドットをＰＤＭＳに混合してＵＶ−ＬＥＤ上に塗布し、４００ｎｍ付近の近紫外光励起の際の、初期駆動時と１００時間駆動後との赤色発光量子ドットの発光強度の変化を測定したグラフである。ここで、ＣｄＳｅ赤色発光量子ドットとＰＤＭＳとの混合比は、質量比で約１：１００００であった。
図６に示すように、１００時間駆動後の紫外光領域の強度の変化は全くないが、赤色発光量子ドットの発光が著しく減少し、最大発光波長がブルーシフトすることを確認することができる。
すなわち、ＣｄＳｅコアを有する半導体ナノ粒子の場合、３９０〜４１０ｎｍの紫外光励起によって、最大発光波長の変化や発光効率の低下など、安定性の問題を生じることが分かる。
実験例３：可視光に対する赤色発光量子ドットの発光および安定性の評価
紫外光よりエネルギーが相対的に低い青色光を用いて赤色発光量子ドットの発光および安定性を評価した。
紫外光よりエネルギーが相対的に低い青色光を用いて赤色発光量子ドットの発光および安定性を評価した。
図７は前記評価に用いられた装置を示す写真である。
評価条件および評価に用いられた試料の仕様は、次の通りである。
＊青色発光ＬＥＤ：ＯＳＲＡＭ ＬＢ Ｗ５ＳＧ
＊駆動電流：５００ｍＡ
＊Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｉｍａｘ＝４６２ｎｍ
＊試料：赤色発光量子ドット（ＣｄＳｅ）トルエン溶液
＊赤色発光量子ドット（２種）：自作（ＳＡＩＴ−１）、市販品（エヴィデントテクノロジーズ社製Ｅｖｉｄｏｔｓ）
前述した条件の下における時間経過による赤色発光量子ドットの発光強度の変化を図８ａおよび図８ｂに示した。
＊駆動電流：５００ｍＡ
＊Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｉｍａｘ＝４６２ｎｍ
＊試料：赤色発光量子ドット（ＣｄＳｅ）トルエン溶液
＊赤色発光量子ドット（２種）：自作（ＳＡＩＴ−１）、市販品（エヴィデントテクノロジーズ社製Ｅｖｉｄｏｔｓ）
前述した条件の下における時間経過による赤色発光量子ドットの発光強度の変化を図８ａおよび図８ｂに示した。
図８ａは、自作（ＳＡＩＴ−１）の赤色発光量子ドットの時間による発光の変化（７１．５時間観察）を示すグラフである。図８ａを参照すると、赤色発光量子ドットによる４６２ｎｍ励起光の吸収のわずかな減少（吸収されていない光の増加）が観察されたが、発光は、初期の光強度の減少以後、約６ｎｍブルーシフトした状態で発光強度を回復した。すなわち、紫外光励起の場合のような大きな発光強度の減少は見られなかった。
図８ｂは、市販品（Ｅｖｉｄｏｔｓ）の赤色発光量子ドットの時間による発光の変化（８６時間観察）を示すグラフである。図８ｂを参照すると、赤色発光量子ドットによる４６２ｎｍ励起光の吸収のわずかな減少（吸収されていない光の増加）が観察されたが、発光は、初期の光強度の減少以後、約３ｎｍブルーシフトした状態で発光強度を回復した。すなわち、紫外光励起の場合のような大きな発光強度の減少は見られなかった。
１ ＬＥＤ、
２ 蛍光体、
３ 第１光源、
４ ホストマトリックス、
５ 量子ドット、
１０ ＵＶ−ＬＥＤ、
２０ 混合蛍光体層、
３０ 赤色発光量子ドット層。
２ 蛍光体、
３ 第１光源、
４ ホストマトリックス、
５ 量子ドット、
１０ ＵＶ−ＬＥＤ、
２０ 混合蛍光体層、
３０ 赤色発光量子ドット層。
Claims (13)
- 紫外発光ダイオードと、
前記紫外発光ダイオードの上面に形成された、緑色蛍光体と青色蛍光体とを含む混合蛍光体層と、
前記混合蛍光体層の上面に形成された、赤色発光量子ドットを含む赤色発光量子ドット層と、
を含むことを特徴とする、白色発光ダイオード。 - 前記緑色蛍光体は、ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ，Ｍｎ、Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、（Ｚｎ，Ａ）２ＳｉＯ４：Ｍｎ（Ａはアルカリ土類金属である）、ＭｇＡｌｘＯｙ：Ｍｎ（ｘは１〜１０の整数であり、ｙは１〜３０の整数である）、ＬａＭｇＡｌｘＯｙ：Ｔｂ（ｘは１〜１４の整数であり、ｙは８〜４７の整数である）、ＲｅＢＯ３：Ｔｂ（ＲｅはＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、およびＧｄよりなる群から選択される1以上の希土類元素である）、および（Ｙ，Ｇｄ）ＢＯ３：Ｔｂよりなる群から選択される少なくとも１種であることを特徴とする、請求項１に記載の白色発光ダイオード。
- 前記青色蛍光体は、Ｓｒ（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｅｕ２＋、ＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｌ、ＣａＭｇＳｉ２Ｏ６：Ｅｕ、ＣａＷＯ４：Ｐｂ、Ｙ２ＳｉＯ５：Ｅｕ、およびＳｒ４Ａｌ１４Ｏ２５：Ｅｕ，Ｄｙよりなる群から選択される少なくとも１種であることを特徴とする、請求項１または２に記載の白色発光ダイオード。
- 前記青色蛍光体と前記緑色蛍光体との質量比は２：１〜４：１であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の白色発光ダイオード。
- 前記赤色発光量子ドットは、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅよりなる群から選択される少なくとも１種のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体ナノ結晶、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓよりなる群から選択される少なくとも１種のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ナノ結晶、またはこれらの混合物であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の白色発光ダイオード。
- 前記赤色発光量子ドット層は、３ｍｍ以下の厚さであることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の白色発光ダイオード。
- 紫外発光ダイオードの上面に緑色蛍光体と青色蛍光体とを含む混合蛍光体層を形成する段階と、
前記混合蛍光体層の上面に赤色発光量子ドット層を形成する段階と、
を含むことを特徴とする、白色発光ダイオードの製造方法。 - 前記混合蛍光体層は、有機バインダをさらに含むことを特徴とする、請求項７に記載の製造方法。
- 前記混合蛍光体層を形成する方法は、ドロップキャスティング法、スピンコーティング法、ディップコーティング法、スプレーコーティング法、フローコーティング法、またはスクリーン印刷法であることを特徴とする、請求項７または８に記載の製造方法。
- 前記混合蛍光体層を形成する段階は、前記緑色蛍光体および前記青色蛍光体を含む混合物を前記紫外発光ダイオードの上面にコートした後、乾燥させることを含み、前記混合物の乾燥温度は１００〜１５０℃であることを特徴とする、請求項７〜９のいずれか１項に記載の製造方法。
- 前記青色蛍光体および緑色蛍光体の合計の質量と有機バインダの質量との比は１：１〜１：３であることを特徴とする、請求項８〜１０のいずれか１項に記載の製造方法。
- 前記赤色発光量子ドット層は、赤色発光量子ドットと有機バインダとを含むことを特徴とする、請求項７〜１１のいずれか１項に記載の製造方法。
- 前記赤色発光量子ドットと前記有機バインダとの質量比は１：１０００〜１：２５０００であることを特徴とする、請求項１２に記載の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020060032318A KR100783251B1 (ko) | 2006-04-10 | 2006-04-10 | 양자점을 이용한 다층 구조 백색 발광 다이오드 및 그의제조방법 |
| KR10-2006-0032318 | 2006-04-10 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2007281484A true JP2007281484A (ja) | 2007-10-25 |
| JP5295518B2 JP5295518B2 (ja) | 2013-09-18 |
Family
ID=38618657
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007102125A Active JP5295518B2 (ja) | 2006-04-10 | 2007-04-09 | 白色発光ダイオードおよびその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8017972B2 (ja) |
| JP (1) | JP5295518B2 (ja) |
| KR (1) | KR100783251B1 (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010137533A1 (ja) * | 2009-05-28 | 2010-12-02 | 住友化学株式会社 | 表面処理蛍光体粒子の製造方法及び表面処理蛍光体粒子 |
| CN101906301A (zh) * | 2010-02-05 | 2010-12-08 | 四川新力光源有限公司 | 红色荧光粉及其制备方法和led光源器件 |
| JP2011202148A (ja) * | 2010-03-03 | 2011-10-13 | Sharp Corp | 波長変換部材、発光装置および画像表示装置ならびに波長変換部材の製造方法 |
| WO2012102107A1 (ja) | 2011-01-28 | 2012-08-02 | 昭和電工株式会社 | 量子ドット蛍光体を含む組成物、量子ドット蛍光体分散樹脂成形体、量子ドット蛍光体を含む構造物、発光装置、電子機器、機械装置及び量子ドット蛍光体分散樹脂成形体の製造方法 |
| CN103881703A (zh) * | 2014-03-25 | 2014-06-25 | 陕西科技大学 | 一种白光led用单一基质荧光粉的制备方法 |
| JP2014523634A (ja) * | 2011-05-31 | 2014-09-11 | ナノコ テクノロジーズ リミテッド | 発光ダイオード、オプトエレクトロニクスディスプレイ等に使用される半導体ナノ粒子ベース材料 |
| WO2015114679A1 (ja) * | 2014-01-29 | 2015-08-06 | 株式会社ダイセル | 量子ドット複合体、当該複合体を有する波長変換素子、光電変換装置および太陽電池 |
| JP2017163151A (ja) * | 2012-04-05 | 2017-09-14 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． | フルスペクトル発光装置 |
| KR101815619B1 (ko) | 2016-11-30 | 2018-01-05 | 삼성전자주식회사 | 백색 발광 다이오드, 백라이트 유닛, 및 이를 포함한 액정 디스플레이 장치 |
| JP2018132778A (ja) * | 2014-12-26 | 2018-08-23 | Ｎｓマテリアルズ株式会社 | 波長変換部材及びその製造方法 |
| JP2018178116A (ja) * | 2017-04-18 | 2018-11-15 | 優美特創新材料股▲ふん▼有限公司 | 複合材料を使った発光装置、複合材料の製造方法、および光学フィルム |
| JP2019024122A (ja) * | 2018-10-31 | 2019-02-14 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| JP2020043353A (ja) * | 2014-04-08 | 2020-03-19 | Ｎｓマテリアルズ株式会社 | 波長変換部材、成形体、波長変換装置、シート部材、発光装置、導光装置、並びに表示装置 |
| KR20200050202A (ko) * | 2018-11-01 | 2020-05-11 | 주식회사 엘지화학 | 차량용 램프 및 이의 제조 방법 |
Families Citing this family (49)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9951438B2 (en) * | 2006-03-07 | 2018-04-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products |
| JP5773646B2 (ja) | 2007-06-25 | 2015-09-02 | キユーデイー・ビジヨン・インコーポレーテツド | ナノ材料を被着させることを含む組成物および方法 |
| WO2009014707A2 (en) | 2007-07-23 | 2009-01-29 | Qd Vision, Inc. | Quantum dot light enhancement substrate and lighting device including same |
| US8128249B2 (en) | 2007-08-28 | 2012-03-06 | Qd Vision, Inc. | Apparatus for selectively backlighting a material |
| KR100926799B1 (ko) * | 2007-12-17 | 2009-11-12 | 한국화학연구원 | 인듐포스파이드 양자점의 제조 방법 |
| US9525148B2 (en) | 2008-04-03 | 2016-12-20 | Qd Vision, Inc. | Device including quantum dots |
| KR20110008206A (ko) | 2008-04-03 | 2011-01-26 | 큐디 비젼, 인크. | 양자점들을 포함하는 발광 소자 |
| US9207385B2 (en) | 2008-05-06 | 2015-12-08 | Qd Vision, Inc. | Lighting systems and devices including same |
| WO2009137053A1 (en) | 2008-05-06 | 2009-11-12 | Qd Vision, Inc. | Optical components, systems including an optical component, and devices |
| WO2009151515A1 (en) | 2008-05-06 | 2009-12-17 | Qd Vision, Inc. | Solid state lighting devices including quantum confined semiconductor nanoparticles |
| JP5390516B2 (ja) * | 2008-05-19 | 2014-01-15 | 株式会社東芝 | 線状白色光源ならびにそれを用いたバックライトおよび液晶表示装置 |
| KR101577300B1 (ko) | 2008-10-28 | 2015-12-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 양자점을 이용한 백색광 발광다이오드 구조 및 이를 포함하는 백라이트 어셈블리 |
| US20100214282A1 (en) | 2009-02-24 | 2010-08-26 | Dolby Laboratories Licensing Corporation | Apparatus for providing light source modulation in dual modulator displays |
| KR101753740B1 (ko) | 2009-04-28 | 2017-07-04 | 삼성전자주식회사 | 광학 재료, 광학 부품 및 방법 |
| JP2013502047A (ja) | 2009-08-14 | 2013-01-17 | キユーデイー・ビジヨン・インコーポレーテツド | 照明装置、照明装置用光学部品および方法 |
| DE102010028246A1 (de) | 2010-04-27 | 2011-10-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements |
| US8735791B2 (en) | 2010-07-13 | 2014-05-27 | Svv Technology Innovations, Inc. | Light harvesting system employing microstructures for efficient light trapping |
| CN102563545B (zh) | 2010-12-17 | 2015-05-06 | 杜比实验室特许公司 | 用于显示器的量子点调制 |
| EP2655961A4 (en) | 2010-12-23 | 2014-09-03 | Qd Vision Inc | OPTICAL ELEMENT CONTAINING QUANTUM POINTS |
| KR101822537B1 (ko) | 2011-03-31 | 2018-01-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 다이오드 패키지, 이의 제조 방법, 및 이를 갖는 표시 장치 |
| US9412905B2 (en) | 2011-04-01 | 2016-08-09 | Najing Technology Corporation Limited | White light emitting device |
| KR20130009524A (ko) | 2011-07-15 | 2013-01-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| US9097826B2 (en) | 2011-10-08 | 2015-08-04 | Svv Technology Innovations, Inc. | Collimating illumination systems employing a waveguide |
| KR102118309B1 (ko) | 2012-09-19 | 2020-06-03 | 돌비 레버러토리즈 라이쎈싱 코오포레이션 | 양자점/리모트 인광 디스플레이 시스템 개선 |
| CN102913815A (zh) * | 2012-09-26 | 2013-02-06 | 苏州佳世达电通有限公司 | 光源模组及其相关背光系统 |
| EP2904604B1 (en) | 2012-10-04 | 2018-07-11 | Nanoco Technologies Ltd | Illuminated signage using quantum dots |
| CN102983250B (zh) * | 2012-12-20 | 2016-01-20 | 纳晶科技股份有限公司 | 硅胶透镜及其制备方法、含有其的led发光器件 |
| KR20140089879A (ko) * | 2013-01-08 | 2014-07-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
| US9142732B2 (en) | 2013-03-04 | 2015-09-22 | Osram Sylvania Inc. | LED lamp with quantum dots layer |
| RU2744992C2 (ru) | 2013-03-08 | 2021-03-18 | Долби Лабораторис Лайсэнзин Корпорейшн | Способы для дисплея с двойной модуляцией с преобразованием света |
| US20150137163A1 (en) * | 2013-11-13 | 2015-05-21 | Nanoco Technologies Ltd. | LED Cap Containing Quantum Dot Phosphors |
| CN103594610A (zh) * | 2013-11-21 | 2014-02-19 | 东华大学 | 一种led用远程荧光片及制备方法 |
| CN103606619A (zh) * | 2013-11-30 | 2014-02-26 | 中山达华智能科技股份有限公司 | 一种促进植物生长用近紫外发光二极管及其制备方法 |
| CN103627396A (zh) * | 2013-12-09 | 2014-03-12 | 广西师范学院 | 一种水热法合成稀土Ho掺杂的CdTe∶Ho量子点的方法 |
| CN103642495B (zh) * | 2013-12-13 | 2015-05-20 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 一种核壳结构的发光材料及其制备方法 |
| KR102142528B1 (ko) * | 2014-01-22 | 2020-08-07 | 엘지이노텍 주식회사 | Ｌｅｄ 파장 변환부재용 양자점-층상형 점토광물 복합체 및 이를 이용한 ｌｅｄ 파장 변환부재 |
| US9466771B2 (en) | 2014-07-23 | 2016-10-11 | Osram Sylvania Inc. | Wavelength converters and methods for making the same |
| CN105885836A (zh) * | 2014-12-17 | 2016-08-24 | 温州大学 | 一种多波长发射的Eu3+单掺硼酸盐发光材料及其制备方法 |
| KR102319111B1 (ko) | 2015-03-30 | 2021-11-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 소자 |
| CN106398696A (zh) * | 2015-08-03 | 2017-02-15 | 温州大学 | 一种以氧化物为基质的红色长余辉发光材料及其制备方法 |
| CN105977361A (zh) * | 2016-06-30 | 2016-09-28 | 昆山初本电子科技有限公司 | 一种led封装方法 |
| CN106025004A (zh) * | 2016-06-30 | 2016-10-12 | 昆山初本电子科技有限公司 | 一种led芯片涂布保护材料的方法 |
| CN107425106B (zh) * | 2017-08-21 | 2019-07-19 | 苏州轻光材料科技有限公司 | 一种量子点组合紫外激发白光led发光装置 |
| KR101944922B1 (ko) * | 2017-12-29 | 2019-02-01 | 삼성전자주식회사 | 백색 발광 다이오드, 백라이트 유닛, 및 이를 포함한 액정 디스플레이 장치 |
| KR20190118697A (ko) | 2018-04-10 | 2019-10-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| CN109459888A (zh) * | 2018-11-13 | 2019-03-12 | 惠州市华星光电技术有限公司 | 量子点膜片及背光模组 |
| KR102263850B1 (ko) * | 2019-01-31 | 2021-06-11 | 비에이메테리얼스(주) | 방충용 백색 led 패키지 |
| CN110922961B (zh) * | 2019-11-27 | 2020-11-10 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 钙钛矿微球、混色光转换薄膜、以及显示器 |
| EP4406858A1 (en) * | 2023-01-24 | 2024-07-31 | Goodrich Lighting Systems GmbH & Co. KG | Aircraft light, aircraft comprising an aircraft light, and method of manufacturing an aircraft light |
Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002510866A (ja) * | 1998-04-01 | 2002-04-09 | マサチューセッツ・インスティテュート・オブ・テクノロジー | 量子ドット白色及び着色発光ダイオード |
| JP2002176201A (ja) * | 2000-12-05 | 2002-06-21 | Okaya Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子 |
| JP2002314143A (ja) * | 2001-04-09 | 2002-10-25 | Toshiba Corp | 発光装置 |
| JP2004071908A (ja) * | 2002-08-07 | 2004-03-04 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置 |
| JP2004207047A (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Fujitsu Ltd | 蛍光体層及びそれを用いたプラズマディスプレイパネル |
| JP2004296987A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-21 | Okaya Electric Ind Co Ltd | 発光ダイオード及びその製造方法 |
| JP2005005249A (ja) * | 2003-06-10 | 2005-01-06 | Samsung Sdi Co Ltd | プラズマディスプレイパネル |
| JP2005008843A (ja) * | 2003-06-18 | 2005-01-13 | Kasei Optonix Co Ltd | Ｓｍ付活赤色発光蛍光体及びこれを用いた発光素子 |
| JP2005285800A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-13 | Kyocera Corp | 発光装置 |
| WO2005097939A1 (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-20 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 蛍光変換媒体及びカラー発光装置 |
| US20060066210A1 (en) * | 2004-09-30 | 2006-03-30 | Ng Kee Y | Light source with wavelength converting material |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6226318B1 (en) | 1998-03-31 | 2001-05-01 | Zenith Electronics Corporation | Detection of code vectors in single frequency, multiple transmitter networks |
| KR100672855B1 (ko) * | 1998-07-20 | 2007-01-22 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 광방출 디바이스용 기판, 기판을 포함하는 폴리-led, 및 광방출 디바이스용 적층 제조 방법 |
| US6166489A (en) * | 1998-09-15 | 2000-12-26 | The Trustees Of Princeton University | Light emitting device using dual light emitting stacks to achieve full-color emission |
| JP2001111114A (ja) | 1999-10-06 | 2001-04-20 | Sony Corp | 白色ｌｅｄ |
| JP4366920B2 (ja) * | 2002-11-07 | 2009-11-18 | ソニー株式会社 | 平面型表示装置及びその製造方法 |
| JPWO2004074739A1 (ja) * | 2003-02-21 | 2006-06-01 | 三洋電機株式会社 | 発光素子及びディスプレイ |
| US6831302B2 (en) * | 2003-04-15 | 2004-12-14 | Luminus Devices, Inc. | Light emitting devices with improved extraction efficiency |
| KR100616513B1 (ko) * | 2003-11-01 | 2006-08-29 | 삼성전기주식회사 | 적색형광체, 그 제조방법, 이를 이용한 적색 ｌｅｄ소자,백색 ｌｅｄ 소자 및 능동 발광형 액정 디스플레이 소자 |
| US7318651B2 (en) * | 2003-12-18 | 2008-01-15 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Flash module with quantum dot light conversion |
| KR100635992B1 (ko) * | 2004-06-03 | 2006-10-18 | 라이트-온 테크놀로지 코오포레이숀 | 백색광 발광 장치 및 그 제조 방법 |
| KR100674831B1 (ko) * | 2004-11-05 | 2007-01-25 | 삼성전기주식회사 | 백색 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법 |
| KR100682874B1 (ko) * | 2005-05-02 | 2007-02-15 | 삼성전기주식회사 | 백색 ｌｅｄ |
-
2006
- 2006-04-10 KR KR1020060032318A patent/KR100783251B1/ko active IP Right Grant
-
2007
- 2007-02-07 US US11/672,285 patent/US8017972B2/en active Active
- 2007-04-09 JP JP2007102125A patent/JP5295518B2/ja active Active
Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002510866A (ja) * | 1998-04-01 | 2002-04-09 | マサチューセッツ・インスティテュート・オブ・テクノロジー | 量子ドット白色及び着色発光ダイオード |
| JP2002176201A (ja) * | 2000-12-05 | 2002-06-21 | Okaya Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子 |
| JP2002314143A (ja) * | 2001-04-09 | 2002-10-25 | Toshiba Corp | 発光装置 |
| JP2004071908A (ja) * | 2002-08-07 | 2004-03-04 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置 |
| JP2004207047A (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Fujitsu Ltd | 蛍光体層及びそれを用いたプラズマディスプレイパネル |
| JP2004296987A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-21 | Okaya Electric Ind Co Ltd | 発光ダイオード及びその製造方法 |
| JP2005005249A (ja) * | 2003-06-10 | 2005-01-06 | Samsung Sdi Co Ltd | プラズマディスプレイパネル |
| JP2005008843A (ja) * | 2003-06-18 | 2005-01-13 | Kasei Optonix Co Ltd | Ｓｍ付活赤色発光蛍光体及びこれを用いた発光素子 |
| JP2005285800A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-13 | Kyocera Corp | 発光装置 |
| WO2005097939A1 (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-20 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 蛍光変換媒体及びカラー発光装置 |
| US20060066210A1 (en) * | 2004-09-30 | 2006-03-30 | Ng Kee Y | Light source with wavelength converting material |
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010137533A1 (ja) * | 2009-05-28 | 2010-12-02 | 住友化学株式会社 | 表面処理蛍光体粒子の製造方法及び表面処理蛍光体粒子 |
| CN101906301A (zh) * | 2010-02-05 | 2010-12-08 | 四川新力光源有限公司 | 红色荧光粉及其制备方法和led光源器件 |
| JP2011202148A (ja) * | 2010-03-03 | 2011-10-13 | Sharp Corp | 波長変換部材、発光装置および画像表示装置ならびに波長変換部材の製造方法 |
| US8882299B2 (en) | 2010-03-03 | 2014-11-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Wavelength conversion member, light emitting device and image display device, and method for manufacturing wavelength conversion member |
| US9085728B2 (en) | 2011-01-28 | 2015-07-21 | Showa Denko K.K. | Composition containing quantum dot fluorescent body, molded body of quantum dot fluorescent body dispersion resin, structure containing quantum dot fluorescent body, light-emitting device, electronic apparatus, mechanical device, and method for producing molded body of quantum dot fluorescent body dispersion resin |
| WO2012102107A1 (ja) | 2011-01-28 | 2012-08-02 | 昭和電工株式会社 | 量子ドット蛍光体を含む組成物、量子ドット蛍光体分散樹脂成形体、量子ドット蛍光体を含む構造物、発光装置、電子機器、機械装置及び量子ドット蛍光体分散樹脂成形体の製造方法 |
| JP2014523634A (ja) * | 2011-05-31 | 2014-09-11 | ナノコ テクノロジーズ リミテッド | 発光ダイオード、オプトエレクトロニクスディスプレイ等に使用される半導体ナノ粒子ベース材料 |
| JP2017163151A (ja) * | 2012-04-05 | 2017-09-14 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． | フルスペクトル発光装置 |
| JP2019062210A (ja) * | 2012-04-05 | 2019-04-18 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． | フルスペクトル発光装置 |
| US9796920B2 (en) | 2014-01-29 | 2017-10-24 | Daicel Corporation | Quantum dot composite and wavelength conversion element, photoelectric conversion device, and solar cell having the composite |
| WO2015114679A1 (ja) * | 2014-01-29 | 2015-08-06 | 株式会社ダイセル | 量子ドット複合体、当該複合体を有する波長変換素子、光電変換装置および太陽電池 |
| CN103881703B (zh) * | 2014-03-25 | 2016-04-06 | 陕西科技大学 | 一种白光led用单一基质荧光粉的制备方法 |
| CN103881703A (zh) * | 2014-03-25 | 2014-06-25 | 陕西科技大学 | 一种白光led用单一基质荧光粉的制备方法 |
| JP2020043353A (ja) * | 2014-04-08 | 2020-03-19 | Ｎｓマテリアルズ株式会社 | 波長変換部材、成形体、波長変換装置、シート部材、発光装置、導光装置、並びに表示装置 |
| JP2018132778A (ja) * | 2014-12-26 | 2018-08-23 | Ｎｓマテリアルズ株式会社 | 波長変換部材及びその製造方法 |
| US11316082B2 (en) | 2014-12-26 | 2022-04-26 | Ns Materials Inc. | Wavelength converting member and method of producing the same |
| KR101815619B1 (ko) | 2016-11-30 | 2018-01-05 | 삼성전자주식회사 | 백색 발광 다이오드, 백라이트 유닛, 및 이를 포함한 액정 디스플레이 장치 |
| JP2018178116A (ja) * | 2017-04-18 | 2018-11-15 | 優美特創新材料股▲ふん▼有限公司 | 複合材料を使った発光装置、複合材料の製造方法、および光学フィルム |
| JP2019024122A (ja) * | 2018-10-31 | 2019-02-14 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| KR20200050202A (ko) * | 2018-11-01 | 2020-05-11 | 주식회사 엘지화학 | 차량용 램프 및 이의 제조 방법 |
| KR102334956B1 (ko) * | 2018-11-01 | 2021-12-02 | 주식회사 엘지화학 | 차량용 램프 및 이의 제조 방법 |
| US11745641B2 (en) | 2018-11-01 | 2023-09-05 | Lg Chem, Ltd. | Vehicle lamp and method for manufacturing same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20070101046A (ko) | 2007-10-16 |
| US20070246734A1 (en) | 2007-10-25 |
| US8017972B2 (en) | 2011-09-13 |
| KR100783251B1 (ko) | 2007-12-06 |
| JP5295518B2 (ja) | 2013-09-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5295518B2 (ja) | 白色発光ダイオードおよびその製造方法 | |
| JP5828155B2 (ja) | 蛍光体ナノ粒子配合物 | |
| JP4653662B2 (ja) | 波長変換器、発光装置、波長変換器の製造方法および発光装置の製造方法 | |
| US20070012928A1 (en) | Light emitting diode comprising semiconductor nanocrystal complexes and powdered phosphors | |
| CN111566830A (zh) | 光转换材料 | |
| JP6799682B2 (ja) | 被覆赤色線放出蛍光体 | |
| Song et al. | Red light emitting solid state hybrid quantum dot–near-UV GaN LED devices | |
| JP2018530777A (ja) | 光変換材料 | |
| KR20150082426A (ko) | 넓은 색 역을 가진 led 기반 장치 | |
| CN101208808A (zh) | 蓝光发射半导体纳米晶体材料 | |
| KR20090093202A (ko) | 백색 발광 다이오드 및 그의 제조방법 | |
| JP2013033916A (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
| US11390800B2 (en) | Zinc oxide-based quantum dot aggregate capable of emitting white light | |
| KR101360073B1 (ko) | 발광다이오드용 양자점 및 이를 이용한 백색 발광 소자 | |
| JP2018053202A (ja) | 量子ドット蛍光体及びそれを用いた発光装置 | |
| RU2315078C2 (ru) | Фотолюминофоры для коротковолновых светоизлучающих диодов (сид) | |
| US11063189B2 (en) | Cyan phosphor-converted LED module | |
| WO2023215670A1 (en) | Phosphor compositions and devices thereof | |
| TWI647173B (zh) | 白光硒化鎘奈米晶的製備方法及使用白光硒化鎘奈米晶之白光發光裝置 | |
| TW202328399A (zh) | 用於顯示器及照明應用之基於鈾的磷光體及組合物 | |
| KR100712201B1 (ko) | 프라세오디뮴과 망간이 도핑된 황화아연 나노입자 백색광재료 제조 방법 및 발광효율 증대 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100120 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20100930 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20101021 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20101028 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101025 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20101111 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101116 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20101116 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111214 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111226 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120323 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20120813 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20121127 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20130321 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130327 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20130403 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130514 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130612 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5295518 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |