CN103627396A - 一种水热法合成稀土Ho掺杂的CdTe∶Ho量子点的方法 - Google Patents

一种水热法合成稀土Ho掺杂的CdTe∶Ho量子点的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103627396A
CN103627396A CN201310663950.8A CN201310663950A CN103627396A CN 103627396 A CN103627396 A CN 103627396A CN 201310663950 A CN201310663950 A CN 201310663950A CN 103627396 A CN103627396 A CN 103627396A
Authority
CN
China
Prior art keywords
quantum dot
solution
cdte
rare earth
cadmium
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201310663950.8A
Other languages
English (en)
Inventor
肖琦
黄珊
苏炜
盛家荣
彭炳华
丘杭娜
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Guangxi Teachers College
Original Assignee
Guangxi Teachers College
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Guangxi Teachers College filed Critical Guangxi Teachers College
Priority to CN201310663950.8A priority Critical patent/CN103627396A/zh
Publication of CN103627396A publication Critical patent/CN103627396A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

本发明公开了一种水热法合成稀土Ho掺杂的CdTe∶Ho量子点的方法。该制备方法的操作步骤是在氮气保护下,将预先制备得到的碲氢化钠溶液注入到预先制备好的镉盐、钬氧化物与水溶性N-乙酰-L-半胱氨酸的混合液中,得到稀土Ho混合的CdTe前体溶液,然后将此溶液置于水热反应釜中,反应制备荧光发射波长可调、荧光量子产率高的稀土Ho掺杂的CdTe∶Ho量子点。本水热法具有成本低、操作简便、绿色环保等优点。所得的稀土Ho掺杂的CdTe∶Ho量子点的荧光稳定性高,生物相容性好,毒性低,有望作为新型荧光纳米探针广泛应用于生化分析和生物医学领域。

Description

一种水热法合成稀土Ho掺杂的CdTe∶Ho量子点的方法
技术领域
本发明属于生化分析检测技术及纳米材料制备技术领域,具体涉及一种水热法合成稀土Ho掺杂的CdTe∶Ho量子点的方法。
背景技术
量子点是一种由II-VI族或III-V族元素组成的准零维纳米晶体。与传统的有机染料和荧光蛋白相比,量子点具有优越的光谱性能,如激发光谱宽而连续,发射光谱窄而对称,发射波长可调,荧光稳定性高,抗光漂白性能强等。这些优越的光谱性能使量子点在生化分析及生物医学领域都得到了广泛应用。因此,高质量、多功能荧光量子点的合成也引起了人们的极大关注。发展水热法合成荧光性能优越、生物相容性好的量子点的制备新方法,逐渐成为量子点制备方面的研究热点和难点。
水热法合成量子点的方法具有成本低、操作简便、绿色环保等优点,所制备的量子点具有荧光稳定性高、荧光量子产率高、生物相容性好的优点,有望被广泛应用于生化分析和生物医学领域。目前,已报道的水热法合成CdTe量子点主要采用巯基乙酸、巯基丙酸和巯基乙胺等巯基小分子作为修饰剂,此类巯基小分子稳定性差、毒性大且易挥发出恶臭味,使制备的CdTe量子点的荧光稳定性差、生物相容性差。众所周知,Cd是一种有毒的重金属元素,使制备的CdTe量子点毒性较大,限制了此量子点在生化分析和生物医学领域内的应用。因此,研究一种稳定性高、环境友好的修饰剂水热法制备的荧光性能优越、生物相容性好、毒性低的量子点的方法将成为生化分析和生物医学领域的关键技术。
发明内容
本发明的目的在于提供一种水热法合成稀土Ho掺杂的CdTe∶Ho量子点的方法。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下。
一种水热法合成稀土Ho掺杂的CdTe∶Ho量子点的方法,操作步骤如下:
1.配制碲源的碲氢化钠NaHTe溶液:将硼氢化钠和碲粉置于水中,硼氢化钠和碲粉的摩尔比为2∶1~5∶1,在氮气保护下,在80~100℃下搅拌反应10~60min,得到碲氢化钠NaHTe溶液。
2.在三颈烧瓶中配制作为镉源的镉盐、钬源的钬氧化物和修饰剂水溶性N-乙酰-L-半胱氨酸溶液,其中Cd2+的浓度为0.0005~0.02mol/L,控制Cd2+∶Ho3+的摩尔比为1∶0.1~1∶0.5,调节溶液的pH值为7.0~9.0,通氮气除氧气,注入步骤1中制备的碲氢化钠NaHTe溶液50mL~8mL,混匀后转移至水热反应釜中,加热到170~200℃下反应5~50min,得到荧光发射波长可调、荧光量子产率高的稀土Ho掺杂的CdTe∶Ho量子点溶液。
上述方法的步骤1和步骤2中,反应物中Cd2+∶Ho3+∶N-乙酰-L-半胱氨酸∶NaHTe的摩尔比为1∶0.1~0.5∶1~3∶0.1~0.8。
上述的反应所用的镉盐为氯化镉、溴化镉或碘化镉。
上述的反应所用的钬氧化物为三氧化二钬。
上述的反应所用的碲粉为含量99.8%、规格200目的碲粉。
上述的反应所用的修饰剂为稳定性高、环境友好、生物相容性好的N-乙酰-L-半胱氨酸。
本发明的优点:
1.本发明直接采用水热法进行稀土Ho掺杂的CdTe∶Ho量子点的合成,原料易得,成本低,操作简单方便,绿色环保。
2.采用本发明所制备的稀土Ho掺杂的CdTe∶Ho量子点具有水溶性好、荧光发射波长可调、荧光稳定性高、荧光量子产率高、生物相容性好和毒性低的优点,有望作为新型荧光纳米探针应用于生化分析和生物医学领域。
具体实施方式
为了更好的理解本发明,下面结合具体的实施例对本发明做进一步的详细阐述。应理解,以下实施例只是本发明的一些优选实施方式,目的在于更好地阐述本发明的内容,而不是对本发明的保护范围产生任何限制。
实施例1
一种水热法合成稀土Ho掺杂的CdTe∶Ho量子点的方法,其步骤如下:
1.碲氢化钠NaHTe溶液的制备
将0.2mmol碲粉和0.4mmol硼氢化钠放入到一个两口烧瓶中,加入5mL蒸馏水,用氮气保护,在80℃下搅拌反应60min,得到碲氢化钠NaHTe溶液备用;
2.稀土Ho掺杂的CdTe∶Ho量子点的制备
将0.02mmol CdCl2、0.001mmol Ho2O3和0.02mmol N-乙酰-L-半胱氨酸溶解于40mL蒸馏水中,用1mol/L NaOH溶液调节pH值为7.0,通氮气除氧气,加入50mL步骤1制备的碲氢化钠NaHTe溶液,混匀后转移至水热反应釜中,加热到170℃下反应50min,可得到40mL荧光发射波长可调、荧光量子产率高的稀土Ho掺杂的CdTe∶Ho量子点溶液。
实施例2
一种水热法合成稀土Ho掺杂的CdTe∶Ho量子点的方法,其步骤如下:
1.碲氢化钠NaHTe溶液的制备
将0.4mmol碲粉和1.6mmol硼氢化钠放入到一个两口烧瓶中,加入4mL蒸馏水,用氮气保护,在90℃下搅拌反应40min,得到碲氢化钠NaHTe溶液备用;
2.稀土Ho掺杂的CdTe∶Ho量子点的制备
将0.4mmol CdBr2、0.06mmol Ho2O3和0.8mmol N-乙酰-L-半胱氨酸溶解于20mL蒸馏水中,用1mol/L NaOH溶液调节pH值为8.0,通氮气除氧气,加入2mL步骤1制备的碲氢化钠NaHTe溶液,混匀后转移至水热反应釜中,加热到190℃下反应30min,可得到22mL荧光发射波长可调、荧光量子产率高的稀土Ho掺杂的CdTe∶Ho量子点溶液。
实施例3
一种水热法合成稀土Ho掺杂的CdTe∶Ho量子点的方法,其步骤如下:
1.碲氢化钠NaHTe溶液的制备
将1.12mmol碲粉和5.60mmol硼氢化钠放入到一个两口烧瓶中,加入8mL蒸馏水,用氮气保护,在100℃下搅拌反应10min,得到碲氢化钠NaHTe溶液备用;
2.稀土Ho掺杂的CdTe∶Ho量子点的制备
将1.4mmol CdI2、0.35mmol Ho2O3和4.2mmol N-乙酰-L-半胱氨酸溶解于70mL蒸馏水中,用1mol/L NaOH溶液调节pH值为9.0,通氮气除氧气,加入8mL步骤1制备的碲氢化钠NaHTe溶液,混匀后转移至水热反应釜中,加热到200℃下反应5min,可得到78mL荧光发射波长可调、荧光量子产率高的稀土Ho掺杂的CdTe∶Ho量子点溶液。

Claims (1)

1.一种水热法合成稀土Ho掺杂的CdTe∶Ho量子点的方法,其特征在于,操作步骤如下:
1)配制碲源的碲氢化钠NaHTe溶液:将硼氢化钠和碲粉置于水中,硼氢化钠和碲粉的摩尔比为2∶1~5∶1,在氮气保护下,在80~100℃下搅拌反应10~60min,得到碲氢化钠NaHTe溶液;
2)在三颈烧瓶中配制镉源的镉盐、钬源的钬氧化物和修饰剂水溶性N-乙酰-L-半胱氨酸溶液,其中Cd2+的浓度为0.0005~0.02mol/L,控制Cd2+∶Ho3+的摩尔比为1∶0.1~1∶0.5,调节溶液的pH值为7.0~9.0,通氮气除氧气,注入步骤1)中制备的碲氢化钠NaHTe溶液50mL~8mL,混匀后转移至水热反应釜中,加热到170~200℃下反应5~50min,得到荧光发射波长可调、荧光量子产率高的稀土Ho掺杂的CdTe∶Ho量子点溶液;
上述方法的步骤1)和步骤2)中,反应物中Cd2+∶Ho3+∶N-乙酰-L-半胱氨酸∶NaHTe的摩尔比为1∶0.1~0.5∶1~3∶0.1~0.8;
上述的反应所用的镉盐为氯化镉、溴化镉或碘化镉;
上述的反应所用的钬氧化物为三氧化二钬;
上述的反应所用的碲粉为含量99.8%、规格200目的碲粉;
上述的反应所用的修饰剂为稳定性高、环境友好、生物相容性好的N-乙酰-L-半胱氨酸。
CN201310663950.8A 2013-12-09 2013-12-09 一种水热法合成稀土Ho掺杂的CdTe∶Ho量子点的方法 Pending CN103627396A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310663950.8A CN103627396A (zh) 2013-12-09 2013-12-09 一种水热法合成稀土Ho掺杂的CdTe∶Ho量子点的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310663950.8A CN103627396A (zh) 2013-12-09 2013-12-09 一种水热法合成稀土Ho掺杂的CdTe∶Ho量子点的方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103627396A true CN103627396A (zh) 2014-03-12

Family

ID=50208853

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310663950.8A Pending CN103627396A (zh) 2013-12-09 2013-12-09 一种水热法合成稀土Ho掺杂的CdTe∶Ho量子点的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103627396A (zh)

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1962812A (zh) * 2006-12-07 2007-05-16 天津理工大学 M(1-x)Ga2S4:Ax量子点及其制备方法
US20070246734A1 (en) * 2006-04-10 2007-10-25 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Multilayered white light emitting diode using quantum dots and method of fabricating the same
CN101210179A (zh) * 2006-12-27 2008-07-02 中国科学院福建物质结构研究所 一种稀土掺杂氧化锌纳米发光材料及其制备方法
CN102181293A (zh) * 2011-03-23 2011-09-14 武汉大学 一种水溶性Zn掺杂CdTe量子点CdxZn1-xTe的制备方法
CN102719253A (zh) * 2012-06-11 2012-10-10 广西师范学院 一种水溶性N-乙酰-L-半胱氨酸修饰的CdTe量子点的制备方法
CN102942935A (zh) * 2012-09-28 2013-02-27 武汉大学 一步合成DNA功能化Zn掺杂CdTe量子点的方法
CN102994093A (zh) * 2012-11-30 2013-03-27 广西师范学院 一种水热法合成Co掺杂的CdxCo1-xTe量子点的方法
CN103013521A (zh) * 2012-11-30 2013-04-03 广西师范学院 一种水热法合成Cu掺杂的CdxCu1-xTe量子点的方法
CN103059869A (zh) * 2012-12-19 2013-04-24 广西师范学院 一种水溶性Zn掺杂的CdxZn1-xTe量子点的制备方法
CN103059870A (zh) * 2012-12-19 2013-04-24 广西师范学院 一种水溶性Mn掺杂的CdxMn1-xTe量子点的制备方法
CN103059872A (zh) * 2013-01-28 2013-04-24 武汉大学 一步合成Zn掺杂CdTe量子点的方法
CN103074067A (zh) * 2012-12-19 2013-05-01 广西师范学院 一种水溶性Co掺杂的CdxCo1-xTe量子点的制备方法

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070246734A1 (en) * 2006-04-10 2007-10-25 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Multilayered white light emitting diode using quantum dots and method of fabricating the same
CN1962812A (zh) * 2006-12-07 2007-05-16 天津理工大学 M(1-x)Ga2S4:Ax量子点及其制备方法
CN101210179A (zh) * 2006-12-27 2008-07-02 中国科学院福建物质结构研究所 一种稀土掺杂氧化锌纳米发光材料及其制备方法
CN102181293A (zh) * 2011-03-23 2011-09-14 武汉大学 一种水溶性Zn掺杂CdTe量子点CdxZn1-xTe的制备方法
CN102719253A (zh) * 2012-06-11 2012-10-10 广西师范学院 一种水溶性N-乙酰-L-半胱氨酸修饰的CdTe量子点的制备方法
CN102942935A (zh) * 2012-09-28 2013-02-27 武汉大学 一步合成DNA功能化Zn掺杂CdTe量子点的方法
CN102994093A (zh) * 2012-11-30 2013-03-27 广西师范学院 一种水热法合成Co掺杂的CdxCo1-xTe量子点的方法
CN103013521A (zh) * 2012-11-30 2013-04-03 广西师范学院 一种水热法合成Cu掺杂的CdxCu1-xTe量子点的方法
CN103059869A (zh) * 2012-12-19 2013-04-24 广西师范学院 一种水溶性Zn掺杂的CdxZn1-xTe量子点的制备方法
CN103059870A (zh) * 2012-12-19 2013-04-24 广西师范学院 一种水溶性Mn掺杂的CdxMn1-xTe量子点的制备方法
CN103074067A (zh) * 2012-12-19 2013-05-01 广西师范学院 一种水溶性Co掺杂的CdxCo1-xTe量子点的制备方法
CN103059872A (zh) * 2013-01-28 2013-04-24 武汉大学 一步合成Zn掺杂CdTe量子点的方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
PENG WU等: "Doped quantum dots for chemo/biosensing and bioimaging", 《CHEM. SOC. REV.》 *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102719253A (zh) 一种水溶性N-乙酰-L-半胱氨酸修饰的CdTe量子点的制备方法
CN104528692A (zh) 一种氮掺杂荧光碳点的合成方法
CN103013521A (zh) 一种水热法合成Cu掺杂的CdxCu1-xTe量子点的方法
CN102849779B (zh) 一种硫化银量子点的制备方法
CN102181293B (zh) 一种水溶性Zn掺杂CdTe量子点CdxZn1-xTe的制备方法
CN1306003C (zh) 一种水溶性CdTe/CdS 核/壳型量子点的微波制备方法
CN106947476B (zh) 一种氮掺杂荧光石墨烯量子点及其制备方法
CN103265948A (zh) 一种掺杂型四元多色荧光Ag-Zn-In-S量子点的制备方法
CN103588797B (zh) 一种新型三唑类荧光配位聚合物及其制备方法和应用
CN106243136B (zh) 一种紫色荧光材料及其制备方法
CN102994093A (zh) 一种水热法合成Co掺杂的CdxCo1-xTe量子点的方法
CN103627398A (zh) 一种水热法合成稀土Ce掺杂的CdTe∶Ce量子点的方法
CN103059870A (zh) 一种水溶性Mn掺杂的CdxMn1-xTe量子点的制备方法
CN106430304A (zh) 一种高比表面耐高温铈锆固溶体的制备方法
Chen et al. Synthesis, structure, photophysical and electrochemical properties of a novel metalloporphyrin with a condensed three-dimensional porous open framework
CN1693206A (zh) 水溶性碲化镉量子点的程序控制微波制备方法
Ji et al. An anionic metal–organic framework based on infinite [In3 (μ3-OH) 2] n inorganic chains synthesized in ionic liquid
CN101717120B (zh) 一种白钨矿结构纳米钼酸盐的溶剂热诱导控制合成方法
CN103627395A (zh) 一种水热法合成稀土Tm掺杂的CdTe∶Tm量子点的方法
CN103627397A (zh) 一种水热法合成稀土Er掺杂的CdTe∶Er量子点的方法
CN103074067A (zh) 一种水溶性Co掺杂的CdxCo1-xTe量子点的制备方法
CN101012054A (zh) 硒化镉纳米棒的合成方法及硒化镉纳米棒的用途
CN102887489A (zh) 一种微波辐射制备水溶性近红外碲化镉量子点的方法
CN103627396A (zh) 一种水热法合成稀土Ho掺杂的CdTe∶Ho量子点的方法
CN104560037A (zh) 一种油相中制备高量子产率碳量子点的方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C05 Deemed withdrawal (patent law before 1993)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20140312