JP2007265972A - 有機電界発光表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】有機電界発光表示装置及びその製造方法を開示する。本発明は、平坦化膜内にトレンチを形成した後、前記トレンチ内に第1電極を形成することによって、前記平坦化膜と第1電極との段差を減少させる。すなわち。前記平坦化膜上に第1電極が突出することを最小化することによって、前記第1電極上に画素定義膜を形成する時、その厚さを減少させることができる。したがって、レーザー熱転写法により有機膜層を形成する時、転写効率を高めることができ、有機膜層の熱損傷及びオープン不良を防止することができ、素子の信頼性を高めることができる。
【選択図】図4
Description
次に、前記薄膜トランジスタを含む基板全面上に層間絶縁膜150が形成される。その後、前記層間絶縁膜150及び前記ゲート絶縁膜130内に前記ソース/ドレイン領域120a、120cの一部を露出させるコンタクトホール155が形成される。
所定の下部構造が形成された基板上にSOGを使用して1μmの厚さで平坦化膜を形成した。その後、前記平坦化膜上に約1000Åの厚さでトレンチを形成し、前記トレンチ内に1000Åの反射金属膜と70Åの透明導電膜とを含む第1電極を形成した。次に、前記第1電極上にポリイミドを使用して約2000Åの厚さの画素定義膜を形成した。その後、前記画素定義膜をパターニングして、前記第1電極を露出させる開口部を形成した。
所定の下部構造が形成された基板上にSOGを使用して1μmの厚さで平坦化膜を形成し、前記平坦化膜上に反射金属膜と透明導電膜とを含む第1電極を形成した。その後、前記第1電極上にポリイミドを使用して約2000Åの厚さで画素定義膜を形成した。上記以外は、実験例と同様の方法にして有機電界発光表示装置を製作した。
所定の下部構造が形成された基板上にSOGを使用して1μmの厚さで平坦化膜を形成し、前記平坦化膜上に反射金属膜と透明導電膜とを含む第1電極を形成した。その後、前記第1電極上にシリコン窒化物を使用して約1000Åの厚さで画素定義膜を形成した。上記以外は、実験例と同様の方法にして有機電界発光表示装置を製作した。
310 バッファ層
320 半導体層
320a ソース領域
320b チャネル領域
320c ドレイン領域
330 ゲート絶縁膜
340 ゲート電極
350 層間絶縁膜
355 コンタクトホール
360a ドレイン電極
360b ソース電極
370 平坦化膜
375 ビアホール
376 トレンチ
380 第1電極
380a 反射金属膜
380b 透明導電膜
390 画素定義膜
390a 第1画素定義膜
390b 第2画素定義膜
400 開口部
Claims (51)
- 基板と、
前記基板上に位置し、且つ半導体層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、ソース電極及びドレイン電極とを含む薄膜トランジスタと、
前記ソース電極及びドレイン電極を含む基板上に位置し、且つトレンチを含む平坦化膜と、
前記トレンチ内に位置し、且つ前記平坦化膜を貫通して前記ソース電極またはドレイン電極の一部を露出させるビアホールと、
前記ビアホールを介して前記ソース電極またはドレイン電極に連結され、且つ前記トレンチ内に形成される第1電極と、
前記第1電極上に位置し、且つ前記第1電極を露出させる開口部を含む画素定義膜と、
前記開口部内に位置し、且つ少なくとも発光層を含む有機膜層と、
前記有機膜層を含む基板全面上に位置する第2電極と、を備えることを特徴とする有機電界発光表示装置。 - 前記トレンチの深さは、前記第1電極の厚さの1/2乃至3/2であることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記平坦化膜は、有機膜であることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記平坦化膜は、無機膜であることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記平坦化膜は、SOG(spin on glass)からなることを特徴とする請求項4に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記画素定義膜は、有機膜であることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記画素定義膜は、有機膜及び無機膜が2層以上交互に積層された構造でることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記画素定義膜は、
無機膜である第1画素定義膜と、
前記第1画素定義膜上に位置し、且つ有機膜である第2画素定義膜と、を含むことを特徴とする請求項7に記載の有機電界発光表示装置。 - 前記第2画素定義膜は、前記ビアホールの内部を埋め込み、前記ビアホールの周辺及び第1電極の外郭部分を取り囲むように、前記第1画素定義膜上に位置することを特徴とする請求項8に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記第1画素定義膜の厚さは、500乃至1000Åであることを特徴とする請求項8に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記第2画素定義膜の厚さは、1000乃至3000Åであることを特徴とする請求項8に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記有機膜は、ポリイミド、ポリアクリル及びベンゾシクロブテン系樹脂よりなる群から選択されるいずれか1つからなることを特徴とする請求項3に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記無機膜は、シリコン窒化物またはシリコン酸化物からなることを特徴とする 請求項7に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記第1電極は、反射金属膜と、前記反射金属膜上に位置する透明導電膜と、を含むことを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記反射金属膜は、アルミニウム、アルミニウム合金、銀及び銀合金よりなる群から選択されるいずれか1つからなることを特徴とする請求項14に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記反射金属膜の厚さは、500乃至2000Åであることを特徴とする請求項14に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記透明導電膜の厚さは、50乃至200Åであることを特徴とする請求項14に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記第1電極は、透明導電膜からなることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記第1電極は、マグネシウム、銀、アルミニウム、カルシウム及びこれらの合金よりなる群から選択されるいずれか1つからなることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記有機膜層は、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層よりなる群から選択されるいずれか1つ以上の層を追加で含むことを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記第2電極は、マグネシウム、銀、アルミニウム、カルシウム及びこれらの合金よりなる群から選択されるいずれか1つからなることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記第2電極は、透明導電膜からなることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記透明導電膜は、ITO、IZO、ICO及びZnOよりなる群から選択されるいずれか1つからなることを特徴とする請求項22に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記薄膜トランジスタは、半導体層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、層間絶縁膜と、ソース電極及びドレイン電極とが順次に積層されたものであることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記薄膜トランジスタは、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、半導体層と、ソース電極及びドレイン電極とが順次に積層されたものであることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
- 基板を用意する段階と、
前記基板上に、半導体層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、ソース電極及びドレイン電極とを含む薄膜トランジスタを形成する段階と、
前記ソース電極及びドレイン電極を含む基板上に平坦化膜を形成する段階と、
前記平坦化膜をエッチングして、トレンチを形成する段階と、
前記トレンチ内に、前記平坦化膜を貫通して前記ソース電極またはドレイン電極の一部を露出させるビアホールを形成する段階と、
前記トレンチ内に、前記ビアホールを介して前記ソース電極またはドレイン電極に連結されるように第1電極を形成する段階と、
前記第1電極上に、前記第1電極を露出させる開口部を含む画素定義膜を形成する段階と、
前記開口部内に、少なくとも有機発光層を含む有機膜層を形成する段階と、
前記有機膜層を含む基板全面上に第2電極を形成する段階と、を備えることを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法。 - 前記トレンチの深さは、前記第1電極の厚さの1/2乃至3/2で形成することを特徴とする請求項26に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記平坦化膜は、有機膜で形成することを特徴とする請求項26に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記平坦化膜は、無機膜で形成することを特徴とする請求項26に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記平坦化膜は、シリコン酸化物を液状形態でコーティングした後、キュアリングして硬化させることを特徴とする請求項29に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記画素定義膜は、有機膜で形成することを特徴とする請求項26に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記画素定義膜を形成する段階は、有機膜及び無機膜を2層以上に交互に積層して形成することを特徴とする請求項26に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記画素定義膜を形成する段階は、
無機膜である第1画素定義膜を形成した後、前記第1画素定義膜上に有機膜である第2画素定義膜を形成することを含むことを特徴とする請求項32に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。 - 前記第2画素定義膜を形成することは、前記ビアホールの内部を埋め込み、前記ビアホールの周辺及び前記第1電極の外郭部分を取り囲むように、前記第1画素定義膜上に形成することを特徴とする請求項33に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記第1画素定義膜は、500乃至1000Åの厚さで形成することを特徴とする請求項33に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記第2画素定義膜は、1000乃至3000Åの厚さで形成することを特徴とする請求項33に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記有機膜は、ポリイミド、ポリアクリル及びベンゾシクロブテン系樹脂よりなる群から選択されるいずれか1つからなることを特徴とする請求項28に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記無機膜は、シリコン窒化物またはシリコン酸化物からなることを特徴とする 請求項32に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記第1電極を形成する段階は、反射金属膜を形成し、前記反射金属膜上に透明導電膜を形成することを含むことを特徴とする請求項26に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記反射金属膜は、アルミニウム、アルミニウム合金、銀及び銀合金よりなる群から選択されるいずれか1つで形成することを特徴とする請求項39に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記反射金属膜は、500乃至2000Åの厚さで形成することを特徴とする請求項39に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記透明導電膜は、50乃至200Åの厚さで形成することを特徴とする請求項39に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記第1電極は、透明導電膜で形成することを特徴とする請求項26に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記第1電極は、マグネシウム、銀、アルミニウム、カルシウム及びこれらの合金よりなる群から選択されるいずれか1つで形成することを特徴とする請求項26に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記有機膜層は、発光層に加えて、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層よりなる群から選択されるいずれか1つ以上の層を追加で含むように形成することを特徴とする請求項26に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層よりなる群から選択される少なくとも1つ以上は、レーザー熱転写法を行うことによって形成することを特徴とする請求項45に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記第2電極は、マグネシウム、銀、アルミニウム、カルシウム及びこれらの合金よりなる群から選択されるいずれか1つで形成することを特徴とする請求項26に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記第2電極は、透明導電膜で形成することを特徴とする請求項26に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記透明導電膜は、ITO、IZO、ICO及びZnOよりなる群から選択されるいずれか1つで形成することを特徴とする請求項39に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記薄膜トランジスタを形成する段階は、半導体層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、層間絶縁膜と、ソース電極及びドレイン電極とを順次に形成することを特徴とする請求項26に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記薄膜トランジスタを形成する段階は、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、半導体層と、ソース電極及びドレイン電極とを順次に形成することを特徴とする請求項26に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
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