JP2007250967A - プラズマ処理装置および方法とフォーカスリング - Google Patents
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006074372A JP2007250967A (ja) | 2006-03-17 | 2006-03-17 | プラズマ処理装置および方法とフォーカスリング |
| US11/685,308 US7988814B2 (en) | 2006-03-17 | 2007-03-13 | Plasma processing apparatus, plasma processing method, focus ring, and focus ring component |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2006074372A JP2007250967A (ja) | 2006-03-17 | 2006-03-17 | プラズマ処理装置および方法とフォーカスリング |
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Publications (2)
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| JP2007250967A true JP2007250967A (ja) | 2007-09-27 |
| JP2007250967A5 JP2007250967A5 (https=) | 2009-04-02 |
Family
ID=38594919
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006074372A Pending JP2007250967A (ja) | 2006-03-17 | 2006-03-17 | プラズマ処理装置および方法とフォーカスリング |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2007250967A (https=) |
| KR (2) | KR20070094522A (https=) |
| CN (2) | CN101807509B (https=) |
| TW (1) | TWI411034B (https=) |
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2006
- 2006-03-17 JP JP2006074372A patent/JP2007250967A/ja active Pending
-
2007
- 2007-03-15 KR KR1020070025713A patent/KR20070094522A/ko not_active Ceased
- 2007-03-16 CN CN2010101475014A patent/CN101807509B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-03-16 TW TW096109199A patent/TWI411034B/zh active
- 2007-03-16 CN CN2007100883758A patent/CN101038849B/zh not_active Expired - Fee Related
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| CN112242290B (zh) * | 2019-07-16 | 2024-10-29 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理方法及等离子体处理装置 |
| CN112839422A (zh) * | 2020-12-15 | 2021-05-25 | 成都金创立科技有限责任公司 | 一种用于多极式等离子发生器的绝缘结构 |
| JP2023067386A (ja) * | 2021-11-01 | 2023-05-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 測定方法及び測定システム |
| JP7641878B2 (ja) | 2021-11-01 | 2025-03-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 測定方法及び測定システム |
| WO2025249149A1 (ja) * | 2024-05-27 | 2025-12-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台、およびプラズマ処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101038849B (zh) | 2010-05-26 |
| KR100959706B1 (ko) | 2010-05-25 |
| TW200741860A (en) | 2007-11-01 |
| KR20070094522A (ko) | 2007-09-20 |
| CN101807509A (zh) | 2010-08-18 |
| CN101807509B (zh) | 2012-07-25 |
| CN101038849A (zh) | 2007-09-19 |
| TWI411034B (zh) | 2013-10-01 |
| KR20090026321A (ko) | 2009-03-12 |
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|
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