KR102382823B1 - 에어 홀을 갖는 링 부재 및 그를 포함하는 기판 처리 장치 - Google Patents

에어 홀을 갖는 링 부재 및 그를 포함하는 기판 처리 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 링 부재 및 그를 포함하는 기판 처리 장치를 개시한다. 그의 장치는 월 라이너, 정전 척, 및 링 부재를 포함한다. 링 부재는 포커스 링과 사이드 링을 포함한다. 사이드 링은 상기 사이드 링은 상기 링 부재의 바닥에서부터 상기 링 부재의 상부로 연장하고, 상기 링 부재의 상부로부터 상기 링 부재의 외부 측벽으로 연장한다.

Description

에어 홀을 갖는 링 부재 및 그를 포함하는 기판 처리 장치 {ring unit having air holes and substrate processing apparatus including the same}
본 발명은 반도체 소자의 제조 설비에 관한 것으로, 상세하게는 링 부재 및 그를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자는 복수의 단위 공정들에 통해 제조될 수 있다. 단위 공정들은 증착(deposition) 공정, 확산(diffusion) 공정, 열처리(annealing) 공정, 포토리소그래피(photo-lithography) 공정, 연마(polishing) 공정, 식각(etching) 공정, 이온주입 공정, 및 세정 공정을 포함할 수 있다. 그 중에 식각 공정은 건식 식각 공정과 습식 식각 공정을 포함할 수 있다. 건식 식각 공정은 대부분 플라즈마 상태의 반응 가스로 기판을 식각하는 공정일 수 있다. 반응 가스는 주로 기판의 중심에서 가장자리 방향으로 제공될 수 있다. 하지만, 반응 가스의 유속은 기판의 중심과 가장자리에서 다를 수 있다. 반응 가스의 유속 차이는 기판 제조 공정의 불량을 발생시킬 수 있다.
본 발명의 일 과제는 반응 가스의 유속 차이에 의한 공정 불량을 방지할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명은 기판 처리 장치를 개시한다. 그의 장치는, 월 라이너; 상기 월 라이너 내에 배치되고, 기판을 고정하는 정전 척; 및 상기 정전 척의 가장자리 상에 배치된 포커스 링과, 상기 포커스 링의 외부 측벽과 상기 정전 척의 측벽을 둘러싸는 사이드 링을 구비한 링 부재를 포함한다. 여기서, 상기 사이드 링은 상기 링 부재의 바닥에서부터 상기 링 부재의 상부로 연장하고, 상기 링 부재의 상부로부터 상기 링 부재의 외부 측벽으로 연장하는 에어 홀들을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 하부 하우징과 상부 하우징을 포함하는 챔버; 상기 하부 하우징 내에 배치되고, 기판을 고정하는 정전 척; 및 상기 정전 척의 측벽을 둘러싸는 링 부재를 포함한다. 여기서, 상기 링 부재는 그의 바닥으로부터 그의 상부로 연장하고, 그의 상부로부터 그의 외부 측벽으로 연장하는 에어 홀을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 링 부재는, 대상 체의 가장자리 상에 배치되는 포커스 링; 및 상기 포커스 링의 외부 측벽과, 상기 포커스 링 아래의 상기 대상 체의 측벽을 둘러싸는 사이드 링을 포함한다. 여기서, 상기 사이드 링은 그의 바닥에서부터 그의 상부로 연장하고, 그의 상부로부터 그의 외부 측벽으로 연장하는 에어 홀을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 챔버; 상기 챔버 내에 배치되고, 기판을 고정하는 정전 척; 및 상기 정전 척의 가장자리 및 측벽 상에 배치된 링 부재를 포함한다. 여기서, 상기 링 부재는: 상기 정전 척의 가장자리 상에 배치된 포커스 링; 및 상기 포커스 링의 외부 측벽과 상기 정전 척의 상기 측벽을 둘러싸고, 상기 링 부재의 외부 측벽으로 배치된 에어 노즐을 가질 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 링 부재는 정전 척의 상부면의 연장선 상으로 에어 쿠션 영역을 형성하는 에어 노즐을 가질 수 있다. 에어 쿠션 영역은 정전 척 상의 기판의 중심과 가장자리에서의 반응 가스의 유속 차이를 최소화할 수 있다. 따라서, 반응 가스의 유속 차이에 따른 기판 제조 공정의 불량은 방지될 수 있다. 반응 가스의 유속 차이에 따른 기판 제조 공정의 불량은 방지될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자의 제조 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 식각 장치의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 2의 링 부재의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 4는 도 2의 정전 척, 링 부재, 월 라이너, 및 하부 하우징의 평면도이다.
도 5는 도 3의 정전 척과 링 부재의 분해 사시도이다.
도 6은 도 2의 링 부재의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 7은 도 2의 링 부재의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 8은 도 7의 제 2 사이드 링의 일 예를 보여주는 사시도이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명하기로 한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면들과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당 업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시 예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 포함한다(comprises) 및/또는 포함하는(comprising)은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. 또한, 명세서에서 챔버, 플라즈마, 윈도우, 블록, 지그, 전극, 및 플레이트는 일반적인 반도체 소자의 제조 장치 및 장치 용어들로 이해될 수 있을 것이다. 바람직한 실시 예에 따른 것이기 때문에, 설명의 순서에 따라 제시되는 참조 부호는 그 순서에 반드시 한정되지는 않는다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자의 제조 장치(10)를 개략적으로 보여준다.
도 1을 참조하면, 반도체 소자의 제조 장치(10)는 기판(W)의 단위 공정을 수행할 수 있다. 예를 들어, 단위 공정은 증착 공정, 리소그래피 공정, 및 식각 공정을 포함할 수 있다. 이와 달리, 단위 공정은 확산 공정, 열처리 공정, 연마 공정, 이온주입 공정, 세정 공정, 및 에싱 공정을 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 반도체 소자의 제조 장치(10)는 증착 장치(20), 포토리소그래피 장치(30), 식각 장치(40), 및 반송 장치들(50)을 포함할 수 있다. 증착 장치(20)는 증착 공정을 수행할 수 있다. 증착 장치(20)는 기판(W) 상에 박막을 증착할 수 있다. 기판(W)은 반도체 웨이퍼를 포함할 수 있다. 이와 달리, 기판(W)은 글래스 또는 플라스틱의 투명 기판을 포함할 수 있다. 포토리소그래피 장치(30)는 포토레지스트의 리소그래피 공정을 수행할 수 있다. 포토리소그래피 장치(30)는 기판(W) 상에 마스크 패턴을 형성할 수 있다. 식각 장치(40)는 식각 공정을 수행할 수 있다. 식각 장치(40)는 마스크 패턴으로부터 노출되는 기판(W) 및/또는 박막을 식각할 수 있다. 반송 장치들(50)은 기판(W)을 반송할 수 있다. 반송 장치들(50)은 증착 장치(20)와 포토리소그래피 장치(30) 사이, 및 포토리소그래피 장치(30)와 식각 장치(40) 사이에 배치될 수 있다. 증착 장치(20), 포토리소그래피 장치(30), 식각 장치(40), 및 반송 장치들(50)은 일렬(series)로 배치될 수 있다. 반도체 소자의 제조 장치(10)는 기판(W)의 단위 공정을 순차적으로 수행할 수 있다. 이와 달리, 증착 장치(20), 포토리소그래피 장치(30), 식각 장치(40), 및 반송 장치들(50)은 클러스트 타입으로 연결될 수 있다.
일 예에 따르면, 증착 장치(20) 및 식각 장치(40)는 플라즈마 반응으로 기판(W)을 처리(processing)하는 장치일 수 있다. 예를 들어, 증착 장치(20)는 화학기상증착 장치, 또는 스퍼터링 장치를 포함할 수 있다. 식각 장치(40)는 유도 결합 플라즈마(Inductively Coupled Plasma) 식각 장치, 축전 결합 플라즈마(Capacitively Coupled Plasma) 식각 장치를 포함할 수 있다.
이하, 식각 장치(40)에 대해 설명하기로 한다. 본 발명은 이에 한정되지 않을 수 있다. 식각 장치(40)는 증착 장치(20)에 대응될 수도 있다.
도 2는 도 1의 식각 장치(40)의 일 예를 보여준다.
도 2를 참조하면, 식각 장치(40)는 챔버(100), 반응 가스 공급 부(200), 고주파 공급 부(300), 펌핑 부(400) 및 비 반응 가스 공급부(500)를 포함할 수 있다. 기판(W)은 챔버(100) 내에 제공될 수 있다. 반응 가스 공급 부(200)는 반응 가스(142)를 기판(W) 상으로 제공할 수 있다. 반응 가스(142)는 식각 가스일 수 있다. 예를 들어, 반응 가스(142)는 불산(HF), 또는 육불화황(SF6)을 포함할 수 있다. 고주파 공급 부(300)는 챔버(100) 내에 고주파 파워를 제공할 수 있다. 고주파 파워는 반응 가스(142)의 플라즈마 반응을 유도할 수 있다. 기판(W)은 반응 가스(142)에 의해 식각될 수 있다. 펌핑 부(400)는 챔버(100) 내의 공기를 펌핑할 수 있다. 비 반응 가스 공급부(500)는 비 반응 가스(512)를 챔버(100) 내에 제공할 수 있다. 비 반응 가스(512)는 기판(W)의 가장자리에 제공될 수 있다. 반응 가스(142)는 비 반응 가스(512)를 따라 기판(W)의 가장자리를 벗어나 챔버(100)의 내부 측벽으로 유동될 수 있다. 비 반응 가스(512)는 헬륨(He), 아르곤(Ar), 질소(N2), 또는 산소(O2)를 포함할 수 있다. 이와 달리, 비 반응 가스(512)는 반응 가스(142)와 동일할 수 있다.
챔버(100)는 기판(W)에 대해 외부로부터 독립된 공간을 제공할 수 있다. 일 예에 따르면, 챔버(100)는 하부 하우징(110)과 상부 하우징(120)을 포함할 수 있다. 하부 하우징(110)은 기판(W)의 아래에 배치될 수 있다. 상부 하우징(120)은 기판(W) 및 하부 하우징(110) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 기판(W)이 하부 하우징(110) 상에 제공되면, 하부 하우징(110)과 상부 하우징(120)은 결합(coupled)될 수 있다. 이와 달리, 하부 하우징(110)과 상부 하우징(120)은 기판(W)의 로딩 및/또는 언로딩 시에 위 아래로 분리될 수 있다.
반응 가스 공급 부(200)는 상부 하우징(120)으로 연결될 수 있다. 반응 가스 공급 부(200)는 반응 가스 저장 부(210)와 제 1 질량 조절 밸브(220)를 포함할 수 있다. 반응 가스 저장 부(210)는 반응 가스(142)를 저장할 수 있다. 제 1 질량 조절 밸브(220)는 반응 가스 저장 부(210)와 상부 하우징(120) 사이의 반응 가스 공급 라인(230)에 연결될 수 있다. 제 1 질량 조절 밸브(220)는 반응 가스(142)의 유량을 제어할 수 있다. 예를 들어, 반응 가스는 SF6, HF, CF, 또는 CH3와 같은 강산성 가스를 포함할 수 있다.
고주파 공급 부(300)는 하부 하우징(110)과 상부 하우징(120)으로 연결될 수 있다. 고주파 공급 부(300)는 제 1 고주파 공급 부(310)와 제 2 고주파 공급 부(320)를 포함할 수 있다. 제 1 고주파 공급 부(310)는 하부 하우징(110)으로 제 1 고주파 파워를 제공할 수 있다. 제 2 고주파 공급 부(320)는 상부 하우징(120)으로 제 2 고주파 파워를 제공할 수 있다.
펌핑 부(400)는 하부 하우징(110)으로 연결될 수 있다. 펌핑 부(400)는 하부 하우징(110) 및 월 라이너(118)의 배기구(410)를 통해 반응 가스와 비 반응 가스를 배기할 수 있다. 예를 들어, 펌핑 부(400)는 진공 펌프를 포함할 수 있다. 챔버(100)는 펌핑 부(400)의 펌핑에 의해 진공압을 가질 수 있다. 예를 들어, 챔버(100)은 약 1mTorr 내지 10mTorr 정도의 진공압을 가질 수 있다.
비 반응 가스 공급 부(500)는 하부 하우징(110)으로 연결될 수 있다. 일 예에 따르면, 비 반응 가스 공급 부(500)는 비 반응 가스 저장 부(510) 및 제 2 질량 조절 밸브(520)를 포함할 수 있다. 비 반응 가스 저장 부(510)는 비 반응 가스(512)를 저장할 수 있다. 제 2 질량 조절 밸브(520)는 비 반응 가스 저장 부(510)와 하부 하우징(110) 사이의 제 2 공급 라인(530)에 배치될 수 있다. 제 2 질량 조절 밸브(520)는 비 반응 가스(512)의 유량을 제어할 수 있다. 비 반응 가스(512)는 헬륨(He), 질소(N2), 및 아르곤(Ar)을 포함할 수 있다.
계속하여 도 2를 참조하면, 기판(W)은 챔버(100) 내의 정전 척(112) 상에 제공될 수 있다. 정전 척(112)은 하부 하우징(110) 내에 배치될 수 있다. 정전 척(112)은 기판(W)을 정전기력(electrostatic force)으로 고정(holding)할 수 있다.
링 부재들(160)은 정전 척(112)의 측벽 및 가장자리 상에 배치될 수 있다. 링 부재들(160)은 기판(W)의 외곽을 둘러쌀 수 있다. 일 예에 따르면, 링 부재들(160)는 에어 홀들(170)을 가질 수 있다. 에어 홀들(170)은 하부 하우징(110)의 내부 바닥에서 정전 척(112)의 측벽을 따라 평행하게 연장할 수 있다. 에어 홀들(170)은 링 부재들(160)의 측벽에서부터 월 라이너(118)의 내 측벽(inner side wall)으로 비 반응 가스(512)를 토출(discharge)할 수 있다.
하부 전극(116)은 정전 척(112) 아래의 하부 하우징(110) 내에 배치될 수 있다. 하부 전극(116)은 제 1 고주파 공급 부(310)으로부터 제 1 고주파 파워를 제공받을 수 있다. 반응 가스(142)는 제 1 고주파 파워에 의해 기판(W)으로 집중될 수 있다. 제 1 고주파 파워는 반응 가스의 직진성을 증가시킬 수 있다. 따라서, 제 1 고주파 파워는 기판(W)의 비등방적 식각량을 증가시킬 수 있다.
월 라이너(118)는 정전 척(112) 및 하부 전극(116)을 둘러쌀 수 있다. 월 라이너(118)는 하부 하우징(110)의 내에 배치될 수 있다. 링 부재들(160)는 월 라이너(118) 상에 배치될 수 있다. 에어 홀들(170)은 하부 하우징(110)에서부터 링 부재들(160)까지 연결될 수 있다. 제 2 공급 라인(530)은 에어 홀들(170)에 연결될 수 있다.
윈도우(130)는 정전 척(112) 및 월 라이너(118) 상의 상부 하우징(120) 내에 배치될 수 있다. 윈도우(130)는 유전체의 세라믹을 포함할 수 있다. 예를 들어, 윈도우(130)는 알루미늄 산화물(Al2O3)을 포함할 수 있다.
반응 가스 노즐(140)은 정전 척(112) 및 기판(W) 상의 상부 하우징(120) 내에 배치될 수 있다. 반응 가스 노즐(140)은 반응 가스 공급 부(200)에 연결될 수 있다. 반응 가스 노즐(140)은 기판(W) 상에 반응 가스를 제공할 수 있다. 반응 가스 노즐(140)은 윈도우(130)를 관통하여 기판(W) 중심 상에 배치될 수 있다. 반응 가스 노즐(140)은 기판(W)의 상부 면으로 반응 가스를 분사할 수 있다.
안테나 전극들(150)은 윈도우(130) 상의 상부 하우징(120) 내에 배치될 수 있다. 안테나 전극들(150)은 제 2 고주파 공급 부(320)에 연결될 수 있다. 제 2 고주파 파워는 안테나 전극들(150)에 제공될 수 있다. 제 2 고주파 파워는 윈도우(130) 아래의 반응 가스(142)의 플라즈마 반응을 유도할 수 있다. 윈도우(130)는 플라즈마 반응으로부터 안테나 전극들(150)을 절연시킬 수 있다. 플라즈마 반응의 세기는 제 2 고주파 파워의 세기에 비례할 수 있다.
도 3은 도 2의 링 부재(160)의 일 예를 보여준다.
도 3을 참조하면, 링 부재(160)는 포커스 링(162) 및 제 1 사이드 링(164)을 포함할 수 있다. 포커스 링(162)은 정전 척(112)의 가장자리 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 포커스 링(162)은 정전 척(112)의 에지 링일 수 있다. 제 1 사이드 링(164)는 상기 포커스 링(162) 아래에 배치될 수 있다. 제 1 사이드 링(164)은 정전 척(112)의 측벽을 둘러쌀 수 있다. 일 예에 따르면, 제 1 사이드 링(164)은 에어 홀들(170)을 가질 수 있다. 예를 들어, 에어 홀들(170)은 제 1 사이드 링(164)의 바닥에서부터 정전 척(112)의 상부 면의 연장선(113)까지 정전 척(112)의 측벽에 평행할 수 있다. 에어 홀들(170)은 정전 척(112)의 상부 면의 연장선(113)을 따라 제 1 사이드 링(164)의 측벽으로 연결될 수 있다.
제 1 사이드 링(164)은 접지 링(163)과 커버 링(165)을 포함할 수 있다. 접지 링(163)은 정전 척(112)의 측벽을 둘러쌀 수 있다. 커버 링(165)은 접지 링(163) 상에 배치될 수 있다.
에어 홀들(170) 각각은 접지 링(163)에서 커버 링(165)까지 연결될 수 있다. 일 예에 따르면, 에어 홀(170)은 제 1 에어 홀(172)과 제 2 에어 홀(174)을 포함할 수 있다. 제 1 에어 홀(172)은 접지 링(163) 내에 배치될 수 있다. 제 1 에어 홀(172)은 접지 링(163)의 바닥에서부터 접지 링(163)의 상부 면까지 연장할 수 있다. 제 1 에어 홀(172)은 정전 척(112)의 측벽과 평행할 수 있다. 제 1 에어 홀들(172)은 접지 링(163) 내의 하부 라인 홀일 수 있다. 제 2 에어 홀(174)은 커버 링(165) 내에 배치될 수 있다. 제 2 에어 홀(174)은 정전 척(112)의 상부 면의 연장선(113) 상에서 커버 링(165)의 외부 측벽으로 연장할 수 있다.
도 4는 도 2의 정전 척(112), 링 부재(160), 월 라이너(118), 및 하부 하우징(110)의 평면도이다.
도 2 내지 도 4를 참조하면, 제 2 에어 홀(174)은 커버 링(165)의 가장자리를 따라 연결될 수 있다. 제 2 에어 홀(174)은 비 반응 가스(512)를 커버 링(165)에서 월 라이너(118)의 내부 측벽 방향으로 토출(discharge)할 수 있다. 비 반응 가스(512)는 커버 링(165) 외곽에 에어 쿠션 영역(169)을 형성할 수 있다. 에어 쿠션 영역(169)은 링 부재(160)의 외곽으로 연장된 영역일 수 있다. 즉, 에어 쿠션 영역(169)은 기판(W)과 링 부재(160)의 확장 영역일 수 있다.
에어 쿠션 영역(169)은 기판(W) 및 링 부재(160)와 동일한 높이를 가질 수 있다. 반응 가스(142)는 기판(W)에서 에어 쿠션 영역(169)까지 동일한 높이로 유동될 수 있다. 반응 가스(142)는 에어 쿠션 영역(169)의 바깥에서 월 라이너(118)의 배기구(410)로 하강할 수 있다. 반응 가스(142)의 유속은 에어 쿠션 영역(169)의 가장자리 및/ 또는 바깥에서 증가할 수 있다. 에어 쿠션 영역(169)은 반응 가스(142)의 유속 증가를 완충(buffering)시킬 수 있다. 때문에, 반응 가스(142)는 기판(W)과 링 부재(160) 상에서 등속으로 이동될 수 있다. 에어 쿠션 영역(169)은 기판(W)의 중심과 가장자리 사이의 반응 가스(142)의 유속 차이를 최소화할 수 있다. 기판(W)의 식각 불량은 방지될 수 있다.
반응 가스(142)는 배기구(410)에 인접할수록 빠른 유속을 가질 수 있다. 일 예에 따르면, 제 1 에어 홀(172)은 배기구(410)에 인접하여 밀집할 수 있다. 밀집한 제 1 에어 홀(172)은 반응 가스(142)를 배기구(410)에 다량으로 제공하여 링 부재(160) 둘레의 에어 쿠션 영역(169)의 폭을 동일하게 만들 수 있다.
도 5는 도 3의 정전 척(112)과 링 부재(160)의 분해 사시도이다.
도 5를 참조하면, 제 2 에어 홀(174)은 제 1 에어 라인 홀(173)과 제 1 에어 갭 노즐(175)을 포함할 수 있다. 제 1 에어 라인 홀(173)은 제 1 에어 홀(174)에 정렬될 수 있다. 제 1 에어 갭 노즐(175)은 제 1 에어 라인 홀(173)을 통하여 제 1 에어 홀(172)에 연결될 수 있다. 제 1 에어 갭 노즐(175)은 커버 링(165)의 외부 측벽을 따라 연장할 수 있다.
도 6은 도 2의 링 부재(160)의 일 예를 보여준다.
도 6을 참조하면, 링 부재(160)는 섹터들(180)을 포함할 수 있다. 섹터들(180)은 커버 링(165)의 상부 모서리에 연결될 수 있다. 일 예에 따르면, 섹터들(180) 각각은 회전 축 링(182)과 블레이드(184)를 포함할 수 있다. 회전 축 링(182)은 커버 링(165)의 상부 모서리에 배치될 수 있다. 회전 축 링(182)은 커버 링(165)의 상부 모서리를 둘러쌀 수 있다. 블레이드(184)는 회전 축 링(182)에 연결될 수 있다. 블레이드(184)는 커버 링(165)의 상부 모서리에서 제 2 에어 홀(174)까지 연장할 수 있다. 블레이드(184)는 회전 축 링(182)을 따라 회전될 수 있다. 블레이드(184)는 제 2 에어 홀(174) 내의 비 반응 가스(512)에 의해 회전될 수 있다.
도 7은 도 2의 링 부재(160)의 일 예를 보여준다.
도 7을 참조하면, 링 부재(160)는 제 1 사이드 링(164a)과, 제 2 사이드 링(164b)을 구비한 사이드 링(166)을 포함할 수 있다. 제 1 사이드 링(164a)은 포커스 링(162)의 외부 측벽과 정전 척(112)의 측벽을 둘러쌀 수 있다. 제 2 사이드 링(164b)은 상기 제 1 사이드 링(164a)의 외부 측벽을 둘러쌀 수 있다.
제 1 사이드 링(164a)은 접지 링(163a)과 커버 링(165a)을 포함할 수 있다. 접지 링(163a)은 정전 척(112)의 측벽을 둘러쌀 수 있다. 커버 링(165a)은 접지 링(163) 상에 배치될 수 있다. 커버 링(165a)은 포커스 링(162)의 외부 측벽을 둘러쌀 수 있다.
제 2 사이드 링(164b)은 에어 홀들(170a)을 가질 수 있다. 에어 홀들(170a)은 제 2 사이드 링(164b)의 바닥 면에서부터 정전 척(112)의 상부 면의 연장선(113)까지 정전 척(112)의 측벽에 평행할 수 있다. 에어 홀들(170a)은 정전 척(112)의 상부 면의 연장선(113)을 따라 제 2 사이드 링(164b)의 외부 측벽으로 연결될 수 있다.
도 8은 도 7의 제 2 사이드 링(164b)의 일 예를 보여준다.
다시 도 7 및 도 8을 참조하면, 에어 홀들(170a)은 제 2 에어 라인 홀들(172a)과 제 2 에어 갭 노즐(174a)을 포함할 수 있다. 제 2 에어 라인 홀들(172a)은 제 2 사이드 링(164b)의 바닥에서부터 정전 척(112)의 상부 면의 연장선(113)까지 정전 척(112)의 측벽에 평행할 수 있다. 제 2 에어 갭 노즐(174a)은 제 2 에어 라인 홀들(172a) 상에 연결될 수 있다. 제 2 에어 갭 노즐(174a)은 정전 척(112)의 상부 면의 연장선(113)을 따라 제 2 사이드 링(164b)의 외부 측벽을 따라 연결될 수 있다. 제 2 에어 갭 노즐(174a)은 제 2 사이드 링(164b)의 외부 측벽으로 비 반응 가스(512)를 토출할 수 있다.
이상, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들 및 응용 예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.

Claims (20)

  1. 월 라이너;
    상기 월 라이너 내에 배치되고, 기판을 고정하는 정전 척; 및
    상기 정전 척의 가장자리 상에 배치된 포커스 링과, 상기 포커스 링의 외부 측벽과 상기 정전 척의 측벽을 둘러싸는 사이드 링을 구비한 링 부재를 포함하되,
    상기 사이드 링은 상기 링 부재의 바닥에서부터 상기 링 부재의 상부로 연장하고, 상기 링 부재의 상부로부터 상기 링 부재의 외부 측벽으로 연장하는 에어 홀들을 갖는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 사이드 링은:
    상기 정전 척의 상기 측벽을 둘러싸는 접지 링; 및
    상기 접지 링 상에 배치되고, 상기 포커스 링의 상기 외부 측벽을 둘러싸는 커버 링을 포함하되,
    상기 에어 홀들은 상기 접지 링의 바닥에서 상기 커버 링의 외부 측벽까지 연장하는 기판 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 에어 홀들은:
    상기 접지 링 내에 배치되는 제 1 에어 홀들; 및
    상기 제 1 에어 홀과 연결되고 상기 커버 링 내에 배치되는 제 2 에어 홀들을 포함하는 기판 처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 월 라이너는 상기 정전 척에 인접하는 상기 월 라이너의 내부 바닥에 배치된 배기구를 갖되,
    상기 제 1 에어 홀들은 상기 배기구에 인접하여 밀집되는 기판 처리 장치.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 2 에어 홀들의 각각은:
    상기 제 1 에어 홀들 상에 정렬되는 제 1 에어 라인 홀; 및
    상기 제 1 에어 라인 홀들에 연결되고, 상기 커버 링의 외부 측벽으로 연장하는 제 1 에어 갭 노즐을 포함하는 기판 처리 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 링 부재는 상기 사이드 링의 상부 모서리에 연결된 섹터들을 더 포함하는 기판 처리 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 섹터들 각각은:
    상기 사이드 링의 상기 상부 모서리에 배치된 회전 축 링; 및
    상기 회전 축 링에 연결되고, 상기 에어 홀을 개폐하는 블레이드를 포함하는 기판 처리 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 사이드 링은:
    상기 포커스 링의 상기 외부 측벽과, 상기 정전 척의 상기 측벽들을 둘러싸는 제 1 사이드 링; 및
    상기 제 1 사이드 링의 외부 측벽을 둘러싸고, 상기 에어 홀들을 갖는 제 2 사이드 링을 포함하는 기판 처리 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 에어 홀들 각각은:
    상기 제 2 사이드 링의 바닥에서부터 상기 제 2 사이드 링의 상부로 연장하는 제 2 에어 라인 홀; 및
    상기 제 2 에어 라인 홀에 연결되고, 상기 제 2 사이드 링의 외부 측벽으로 연장하는 제 2 에어 갭 노즐을 포함하는 기판 처리 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 월 라이너의 바닥으로 연결되고, 상기 에어 홀을 통해 비 반응 가스를 공급하는 비 반응 가스 공급 부를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  11. 하부 하우징과 상부 하우징을 포함하는 챔버;
    상기 하부 하우징 내에 배치되고, 기판을 고정하는 정전 척; 및
    상기 정전 척의 측벽을 둘러싸는 링 부재를 포함하되,
    상기 링 부재는 그의 바닥으로부터 그의 상부로 연장하고, 그의 상부로부터 그의 외부 측벽으로 연장하는 에어 홀을 갖는 기판 처리 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 링 부재는:
    상기 정전 척의 가장자리 상에 배치된 포커스 링; 및
    상기 포커스 링의 외부 측벽과 상기 정전 척의 측벽을 둘러싸고, 상기 에어 홀을 갖는 사이드 링을 포함하는 기판 처리 장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 사이드 링은:
    상기 정전 척의 상기 측벽을 둘러싸는 접지 링; 및
    상기 접지 링 상에 배치되고, 상기 포커스 링의 상기 외부 측벽을 둘러싸는 커버 링을 포함하되,
    상기 에어 홀은:
    상기 접지 링 내에 배치되는 에어 라인 홀; 및
    상기 에어 라인 홀에 연결되고, 상기 커버 링의 외부 측벽에 형성된 에어 갭 노즐을 포함하는 기판 처리 장치.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 링 부재는 상기 사이드 링의 상부 모서리 상에 연결된 섹터들을 더 포함하되,
    상기 섹터들 각각은:
    상기 사이드 링의 상기 상부 모서리에 배치되는 회전 축 링; 및
    상기 회전 축 링에 연결되고, 상기 에어 홀을 개폐하는 블레이드를 포함하는 기판 처리 장치.
  15. 제 12 항에 있어서,
    상기 사이드 링은:
    상기 포커스 링의 상기 외부 측벽과, 상기 정전 척의 상기 측벽을 둘러싸는 제 1 사이드 링; 및
    상기 제 1 사이드 링의 외부 측벽을 둘러싸고, 상기 에어 홀을 갖는 제 2 사이드 링을 포함하는 기판 처리 장치.
  16. 대상 체의 가장자리 상에 배치되는 포커스 링; 및
    상기 포커스 링의 외부 측벽과, 상기 포커스 링 아래의 상기 대상 체의 측벽을 둘러싸는 사이드 링을 포함하되,
    상기 사이드 링은 그의 바닥에서부터 그의 상부로 연장하고, 그의 상부로부터 그의 외부 측벽으로 연장하는 에어 홀을 갖는 링 부재.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 사이드 링은:
    상기 대상 체의 측벽을 둘러싸는 접지 링; 및
    상기 접지 링 상에 배치되고, 상기 포커스 링을 둘러싸는 커버 링을 포함하되,
    상기 에어 홀은 상기 접지 링의 바닥에서부터 상기 커버 링의 외부 측벽까지 연장하는 링 부재.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 에어 홀은 상기 커버 링의 외부 측벽에 배치되는 에어 갭 노즐을 포함하는 링 부재.
  19. 제 16 항에 있어서,
    상기 사이드 링의 상부 모서리에 연결된 섹터들을 더 포함하되,
    상기 섹터들 각각은:
    상기 사이드 링의 상기 상부 모서리에 배치된 회전 축 링; 및
    상기 회전 축 링에 연결되고, 상기 에어 홀을 개폐하는 블레이드를 포함하는 링 부재.
  20. 제 16 항에 있어서,
    상기 사이드 링은:
    상기 포커스 링의 상기 외부 측벽과, 상기 대상 체의 상기 측벽을 둘러싸는 제 1 사이드 링; 및
    상기 제 1 사이드 링의 외부 측벽을 둘러싸고, 상기 에어 홀을 갖는 제 2 사이드 링을 포함하는 링 부재.
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