JP2007208153A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 主面、前記主面に対向する裏面、前記主面に形成された複数のワイヤ接合部、前記裏面に形成された複数のランド部、前記主面と前記裏面の間に形成された複数の第１貫通孔、および前記複数の第１貫通孔のそれぞれの内壁に形成され、前記複数のワイヤ接合部と前記複数のランド部とをそれぞれ電気的に接続するメッキ膜を有する配線基板と、
   前記配線基板の主面上に搭載された半導体チップと、
   前記半導体チップの複数の電極と前記配線基板の主面に形成された前記複数のワイヤ接合部とをそれぞれ電気的に接続する複数のワイヤと、
   前記半導体チップ及び前記複数のワイヤを封止する樹脂体と、
   前記複数のランド部上に形成された複数の外部端子と、
   を有し、
   前記複数の第１貫通孔のうち、前記複数のランド部において最外周に配置された第１ランド部と電気的に接続されるメッキ膜が形成された第１貫通孔は、前記第１ランド部より前記配線基板の中心側に形成されていることを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１記載の半導体装置において、前記配線基板は、前記複数の第１貫通孔より外側に形成された複数の第２貫通孔を有することを特徴とする半導体装置。
3. 請求項２記載の半導体装置において、前記第２貫通孔は、前記配線基板の４つの角部に形成されていることを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１記載の半導体装置において、前記複数の第１貫通孔の内部に金属膜が埋め込まれていることを特徴とする半導体装置。
5. 請求項２記載の半導体装置において、前記複数の第１貫通孔及び前記複数の第２貫通孔の内部に金属膜が埋め込まれていることを特徴とする半導体装置。
6. 請求項１記載の半導体装置において、前記複数の第１貫通孔はレーザによって形成されていることを特徴とする半導体装置。
7. 請求項２記載の半導体装置において、前記複数の第１貫通孔及び前記複数の第２貫通孔はレーザによって形成されていることを特徴とする半導体装置。
8. 請求項１記載の半導体装置において、前記配線基板は、複数のコア材を貼り合わせて形成されていることを特徴とする半導体装置。
9. 請求項１記載の半導体装置において、前記配線基板の平面形状は、方形状であることを特徴とする半導体装置。
10. 請求項９記載の半導体装置において、前記複数のワイヤ接合部は、前記配線基板の前記主面における各辺に沿って形成されており、
    前記複数の第１貫通孔のそれぞれは、前記複数のワイヤ接合部よりも前記配線基板の中心側に形成されていることを特徴とする半導体装置。