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Claims (9)

  1. 平面形状が矩形状から成る上面、前記上面とは反対側の下面、及び前記上面の周縁部に沿うように、前記上面に配置された複数の端子を有する配線基板と、
    平面形状が矩形状から成る第1主面、前記第1主面とは反対側の第1裏面、及び前記第1主面の周縁部に沿うように、前記第1主面に配置された複数の第1パッドを有し、前記複数の端子から成る端子列よりも前記配線基板の内側に位置し、前記第1裏面が前記配線基板の前記上面と対向するように、前記配線基板の前記上面に搭載された第1半導体チップと、
    前記第1半導体チップの前記複数の第1パッドと前記配線基板の前記複数の端子とをそれぞれ電気的に接続する複数の第1ワイヤと、
    前記第1半導体チップ及び前記複数の第1ワイヤを封止する封止体と、
    前記配線基板の前記下面に設けられた複数の外部接続用端子と
    を含み
    前記複数の第1ワイヤのそれぞれは、前記配線基板の前記複数の端子のそれぞれと接続される第1ワイヤ接続部を有し、
    前記複数の第1ワイヤのそれぞれの一部、前記第1ワイヤ接続部より前記配線基板の前記上面における前記周縁部側に配置されていることを特徴とする半導体装置。
  2. 請求項1記載の半導体装置において、
    前記複数の第1ワイヤのそれぞれは、前記配線基板の前記端子から前記第1半導体チップの前記第1パッドに向かってループ状に形成され、
    前記ループ状に形成された第1ワイヤは、前記第1半導体チップの前記第1主面側に位置する頂点部を有し、
    前記頂点部は、前記第1ワイヤ接続部より前記配線基板の前記上面における前記周縁部側に配置されていることを特徴とする半導体装置。
  3. 請求項記載の半導体装置において、
    前記配線基板の前記上面には、前記複数の端子のそれぞれと繋がる配線が形成されており、
    前記配線は、前記端子から前記配線基板の内側に向かって形成されており、
    前記配線基板の前記上面には、前記配線を覆うように、ソルダレジスト膜が形成されており、
    前記ソルダレジスト膜は、前記端子と前記配線基板の前記上面における周縁部との間には形成されていないことを特徴とする半導体装置。
  4. 請求項記載の半導体装置において、
    前記配線基板の前記上面には、前記複数の端子のそれぞれと繋がる給電線が形成されており、
    前記給電線は、前記端子から前記配線基板の前記上面における周縁部に向かって形成されており、
    前記給電線は、前記ソルダレジスト膜から露出していることを特徴とする半導体装置。
  5. 請求項記載の半導体装置において、
    前記第1半導体チップの前記第1主面上には、平面形状が矩形状から成る第2主面、前記第2主面とは反対側の第2裏面、及び前記第2主面の周縁部に沿うように、前記第2主面に配置された複数の第2パッドを有する第2半導体チップが、前記第1半導体チップの前記複数の第1パッドから成るパッド列よりも前記第1半導体チップの内側に位置し、前
    記第2裏面が前記第1半導体チップの前記第1主面と対向するように、積層されており
    前記第2半導体チップの前記複数の第2パッドは、複数の第2ワイヤを介して前記配線基板の前記複数の端子とそれぞれ電気的に接続されており、
    前記複数の第1ワイヤのそれぞれの一部は、前記複数の第2ワイヤのそれぞれより前記配線基板の前記上面における前記周縁部側に配置されていることを特徴とする半導体装置。
  6. 請求項5記載の半導体装置において、
    前記第2半導体チップの前記複数の第2パッドは、複数の第3ワイヤを介して前記第1半導体チップの前記複数の第1パッドとそれぞれ電気的に接続されており、
    前記複数の第3ワイヤのそれぞれは、前記第1半導体チップの前記複数の第1パッドとそれぞれ接続される第3ワイヤ接続部を有し、
    前記複数の第3ワイヤのそれぞれの一部は、前記第3ワイヤ接続部より前記配線基板の前記上面における前記周縁部側に配置されていることを特徴とする半導体装置。
  7. 請求項記載の半導体装置において、
    前記第1半導体チップの前記複数のパッドのそれぞれには、バンプが形成されており、
    前記複数の第1ワイヤのそれぞれは、前記バンプを介して、前記半導体チップの前記パッドと電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
  8. 以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法:
    (a)平面形状が矩形状から成る上面、前記上面とは反対側の下面、及び前記上面の周
    縁部に沿うように、前記上面に配置された複数の端子を有する配線基板を準備する工程;
    (b)平面形状が矩形状から成る第1主面、前記第1主面とは反対側の第1裏面、及び前記第1主面の周縁部に沿うように、前記第1主面に配置された複数の第1パッドを有する第1半導体チップを、前記複数の端子から成る端子列よりも前記配線基板の内側に位置し、前記第1裏面が前記配線基板の前記上面と対向するように、前記配線基板の前記上面に搭載する工程;
    (c)前記第1半導体チップの前記複数の第1パッドと前記配線基板の前記複数の端子とを、複数の第1ワイヤを介してそれぞれ電気的に接続する工程;
    (d)前記第1半導体チップ及び前記複数の第1ワイヤを樹脂で封止する工程;
    (e)前記配線基板の前記下面に複数の外部接続用端子を設ける工程;
    ここで、
    前記複数の第1ワイヤのそれぞれは、前記第1ワイヤの第1部分を前記配線基板の前記端子と接続してから、前記第1ワイヤの第1部分とは異なる第2部分を前記第1半導体チップの前記パッドと接続することで、形成され、
    前記複数の第1ワイヤのそれぞれは、前記複数の第1ワイヤのそれぞれの一部が、前記第1ワイヤの前記第1部分より前記配線基板の前記上面における前記周縁部側に位置するように、形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
  9. 請求項8記載の半導体装置の製造方法において、
    前記複数の第1ワイヤのそれぞれは、前記第1半導体チップの前記第1主面側に位置する頂点部を有するように、前記配線基板の前記端子から前記第1半導体チップの前記第1パッドに向かってループ状に形成され、
    前記複数の第1ワイヤのそれぞれは、前記頂点部が、前記第1ワイヤの前記第1部分より前記配線基板の前記上面における前記周縁部側に位置するように、形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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