JP2007221045A - マルチチップ構造を採用した半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体チップへのダメージを最小限に抑えたマルチチップ構造の半導体装置;製造工程における作業性の高いマルチチップ構造の半導体装置;半導体チップ単位での特性試験を容易に行い得るマルチチップ構造の半導体装置を提供すること。
【解決手段】リードフレームをベースフレームとして用いて製造される半導体装置において、ベースフレーム上に複数の半導体チップを積層してなり、少なくとも一つの面が外部と電気的に接続可能な端子領域を有する第1のマルチチップ構造部と;ベースフレーム上に複数の半導体チップを積層してなり、少なくとも一つの面が外部と電気的に接続可能な端子領域を有する第2のマルチチップ構造部とを備える。そして、ベースフレームのインナーリードが、第1のマルチチップ構造部の端子領域と、第2のマルチチップ構造部の端子領域とにワイヤボンディングによって接続される。
【選択図】図1
【解決手段】リードフレームをベースフレームとして用いて製造される半導体装置において、ベースフレーム上に複数の半導体チップを積層してなり、少なくとも一つの面が外部と電気的に接続可能な端子領域を有する第1のマルチチップ構造部と;ベースフレーム上に複数の半導体チップを積層してなり、少なくとも一つの面が外部と電気的に接続可能な端子領域を有する第2のマルチチップ構造部とを備える。そして、ベースフレームのインナーリードが、第1のマルチチップ構造部の端子領域と、第2のマルチチップ構造部の端子領域とにワイヤボンディングによって接続される。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体チップを複数積層したマルチチップ構造を採用した半導体装置に関する。
個人用携帯電子製品を始めとする電子機器の容量及び速度が向上しつつ、そのサイズも小型化されるにつれ、半導体パッケージもやはり大容量化、高速化及び軽薄短小化されていく傾向にある。
現在、パッケージのサイズを小さくするために、ピンの代わりにボールを使用するボールグリッドアレイ(Ball
Grid Array、以下、BGA)パッケージや、チップスケールパッケージ(Chip Scale Package:CSP)が提案されている。
Grid Array、以下、BGA)パッケージや、チップスケールパッケージ(Chip Scale Package:CSP)が提案されている。
また、半導体パッケージ当たり実装密度を高めつつ、1つのパッケージで多数の機能を行えるように積層型パッケージが提案されており、その一例が特許文献1(米国特許第6268649号公報)に開示されている。特許文献1は、多数個のBGAパッケージが上下に積層された構造である。単位BGAパッケージは、基板と、基板上部の中央に配されるモールディングされた半導体チップと、半導体チップを中心に両側の基板底面に配されるソルダボールとを含む。積層型パッケージにおいては、このような構造の単位BGAパッケージが、ソルダボールを電気的媒介体として上下積層されている。
特開2005-26680号公報には、複数のチップが搭載されているパッケージを、さらに複数実装する技術が開示されている。この公報に開示された積層型BGAパッケージは、複数のチップを含むベースBGAパッケージと、ベースBGAパッケージ上に積層され、複数のチップを含む多数のBGAパッケージを含んでいる。そして、ベースBGAパッケージ及びその上部に積層される多数のBGAパッケージは、ソルダボールによって電気的に導通されている。
特開2005-26680号公報
しかしながら、上述した特許文献1や特許文献2に記載の発明においては、BGAパッケージを採用しているため、実装の際に半導体チップに大きな応力がかかり、チップにダメージを与える恐れがある。また、製造工程も複雑、困難である。すなわち、パッケージの積層ごとに半田ボールでの接着を行うため、リフローと呼ばれる加熱処理工程を実施する必要がある。さらに、BGAパッケージを基板に搭載する場合、基板側に半田ペーストの仮止め剤を塗布する作業が必要であり、半導体装置のような小型のものに対してその作業は困難である。また、端子間のスペースが極めて狭いため、チップ単体での特性試験が困難であった。
本発明は、上記のような状況に鑑みて成されたものであり、半導体チップへのダメージを最小限に抑えたマルチチップ構造の半導体装置を提供することを第1の目的とする。
本発明の第2の目的は、製造工程における作業性の高いマルチチップ構造の半導体装置を提供することにある。
本発明の第3の目的は、半導体チップ単位での特性試験を容易に行い得るマルチチップ構造の半導体装置を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明に係る半導体装置は、リードフレームをベースフレームとして用いて製造される半導体装置において、前記ベースフレーム上に複数の半導体チップを積層してなり、少なくとも一つの面が外部と電気的に接続可能な端子領域を有する第1のマルチチップ構造部と;前記ベースフレーム上に複数の半導体チップを積層してなり、少なくとも一つの面が外部と電気的に接続可能な端子領域を有する第2のマルチチップ構造部とを備える。そして、前記ベースフレームのインナーリードが、前記第1のマルチチップ構造部の端子領域と、前記第2のマルチチップ構造部の端子領域とにワイヤボンディングによって接続されることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、リードフレームをベースフレームとして用いて製造される半導体装置において、前記ベースフレームの第1の面側に複数の半導体チップを積層してなり、前記第1の面と反対側の面に外部と電気的に接続可能な端子領域を有する第1のマルチチップ構造部と;前記ベースフレームの第1の面と反対側の第2の面側に複数の半導体チップを積層してなり、前記第2の面と反対側の面に外部と電気的に接続可能な端子領域を有する第2のマルチチップ構造部とを備える。そして、前記ベースフレームのインナーリードが、前記第1のマルチチップ構造部の端子領域と、前記第2のマルチチップ構造部の端子領域とにワイヤボンディングによって接続されることを特徴とする。
上記のような構成の本発明によれば、ベースフレームとマルチチップ構造部との電気的な接続をワイヤボンディングによって行っているため、半導体チップへの応力を低減することができ、半導体チップへのダメージを最小限に抑えることが可能となる。
また、BGAパッケージのように、パッケージの積層ごとに半田ボールでの接着を行う必要がなく、加熱処理工程を実施する必要もない等、製造工程における作業性が向上する。
さらに、端子間のスペースを広くとることができ、チップ単体での特性試験を容易に行うことが可能となる。
以下、本発明を実施するための最良の形態について、実施例を用いて詳細に説明する。図1及び図2は、本発明の第1実施例に係る半導体装置100の構造を示す断面図及び平面図である。半導体装置100は、ダイパッド140及びインナーリード108を有するリードフレームをベースフレームとして用いて製造される。ダイパッド140の上面側には、複数の半導体チップ104,106を積層してなる第1のマルチチップ構造部が実装されている。他方、ダイパッド140の底面には、複数の半導体チップ134,136を積層してなる第2のマルチチップ構造部102が実装されている。
図2にも示すように、第1のマルチチップ構造部において、半導体チップ106がダイパッド140上に搭載され、その上に半導体チップ104が積層されている。半導体チップ104の上面には、少なくとも、ボンディングワイヤ112によってインナーリード108と接続される外部接続用端子120と、ボンディングワイヤ114によって半導体チップ106と接続される内部接続用端子116が形成されている。一方、半導体チップ106の上面には、少なくとも、ボンディングワイヤ112によってインナーリード108と接続される外部接続用端子122と、ボンディングワイヤ114によって半導体チップ104と接続される内部接続用端子118が形成されている。
半導体チップ104と半導体チップ106とを水平方向にずらして配置することにより、ワイヤボンディング工程の作業性が向上する。なお本実施例においては、半導体チップ104と106、半導体チップ136と134として同一のチップを採用しているが、相対的なチップの大きさや、機能については特に限定されるものではない。例えば、メモリを複数積層したり、異なる機能のチップを積層することができる。
第2のマルチチップ構造部102は、リードフレーム上に半導体チップ134,136を積層してなるQFNタイプの半導体パッケージである。なお、QFNパッケージ102を構成する半導体チップ134,136についても、上述した第1のマルチチップ構造部と類似のレイアウト構成を採用している。すなわち、QFNパッケージ102において、半導体チップ136がダイパッド138上に搭載され、その上に半導体チップ134が積層されている。半導体チップ134の上面には、少なくとも、ボンディングワイヤ150によってインナーリード142と接続される端子と、ボンディングワイヤ148によって半導体チップ136と接続される端子が形成されている。
一方、半導体チップ136の上面には、少なくとも、ボンディングワイヤ146によってインナーリード142と接続される端子と、ボンディングワイヤ148によって半導体チップ134と接続される端子が形成されている。QFNパッケージ102内部のインナーリード142の裏面は露出しており、ボンディングワイヤ152によってベースフレームのインナーリード108に接続されている。第1のマルチチップ構造部と同様に、半導体チップ134と半導体チップ136とは、互いに水平方向にずらして配置されている。
次に、実施例に係る半導体装置100の製造工程について図3及び図4を参照して説明する。最初に、図3(A)に示すように、リードフレーム(108,140)のダイパッド140上部に半導体チップ106,104を積層し、これら二つの半導体チップ106,104をボンディンワイヤ114によって接続する。次に、図3(B)に示すように、半導体チップ104及び106をボンディンワイヤ112によってインナーリード108に接続する。
続いて、図4(C)に示すように、予め周知の方法によりパッケージングされたQFNパッケージ102をダイパッド140の裏面に接着する。このとき、QFNパッケージ102のリードフレーム(138,142)の反対側の樹脂部がダイパッド140に接着される。次に、図4(D)に示すように、ボンディングワイヤ152によってQFNパッケージ102のインナーリード142とベースフレームのインナーリード108とを接続する。その後、周知の方法により樹脂122によって全体を封止する。
以下、本発明の第2〜第5実施例について説明する。なお、これらの実施例の説明に際して、図1〜図4に示した構成要素と同一又は対応する構成要素については、同一の参照符号を付し、重複した説明は省略する。図5は、本発明の第2実施例に係る半導体装置200の構造を示す断面図である。半導体装置200は、ダイパッド140及びインナーリード108を有するリードフレームをベースフレームとして用いて製造される。本実施例においては、リードフレーム上に半導体チップを積層してなるQFNタイプの二つの半導体パッケージ102をリードフレームの表裏面に搭載している。すなわち、ダイパッド140の上面及び裏面に、複数の半導体チップを積層してなる第1及び第2のマルチチップ構造部102が実装されている。
本実施例のように、リードフレーム(ベースフレーム)の表裏両面にQFNタイプの半導体パッケージを搭載する構造を採用すると、パッケージ単位でリードフレームへの実装を行うことができ、製造工程におけるハンドリング性が向上するというメリットがある。
図6は、本発明の第3実施例に係る半導体装置300の構造を示す断面図である。半導体装置300は、ダイパッド140及びインナーリード108を有するリードフレームをベースフレームとして用いて製造される。上述した第1実施例がリードフレーム(ダイパッド140)の裏面に実装される第2のマルチチップ構造部として、QFNタイプのパッケージを使用しているのに対し、本実施例ではプリント配線基板338上に半導体チップ134,136を積層してなるLGAタイプの半導体パッケージ302を採用している。本実施例のようにLGAタイプの半導体パッケージ302を使用することにより、配線の自由度が増すというメリットがある。
図7は、本発明の第4実施例に係る半導体装置400の構造を示す断面図である。半導体装置400は、ダイパッド140及びインナーリード108を有するリードフレームをベースフレームとして用いて製造される。上述した第3実施例がリードフレーム(ダイパッド140)の裏面のみにLGAタイプの半導体パッケージ302を搭載しているのに対し、本実施例リードフレーム(ダイパッド140)の表裏両面にLGAタイプの半導体パッケージ302を搭載している。
図8は、本発明の第5実施例に係る半導体装置500の構造を示す断面図である。半導体装置500は、ダイパッド540及びインナーリード108を有するリードフレームをベースフレームとして用いて製造される。ダイパッド540は、インナーリード108に対して下方に凹んだ形状となっている。本実施例の特徴は、異なるサイズのLGAパッケージ302,302aを直接重ね合わせ、これをダイパッド540の上に実装していることである。
下側のLGAパッケージ302は、プリント配線基板が上方に位置するように上下逆さまにしてダイパッド540の上面に搭載される。また、上側のLGAパッケージ302aも同様に、プリント配線基板が上方に位置するように上下逆さまにしてLGAパッケージ302のプリント配線基板の裏面上に搭載される。そして、LGAパッケージ302と302aとの接続は、ボンディングワイヤ502によって行われる。また、インナーリード108は、LGAパッケージ302の配線基板の裏面とボンディングワイヤ504によって接続される。
以上のように、本実施例においてはサイズの異なる半導体パッケージを積層した構造を採用するため、中間にダイパッド(リードフレーム)を介在させることなく積層構造を得ることができ、製造工程の簡略化、作業性の向上を図ることができる。このような効果を得るためには、配線自由度の高いLGAパッケージが適している。
本発明においては、リードが裏面に露出しているパッケージや、LGAタイプのパッケージを用いることにより、既存のワイヤボンディング技術を用いて半導体装置を製造することが可能となる。また、ワイヤボンディングによってマルチチップ構造部を接続する際に、半導体チップに対応する部分以外の部分にワイヤを接続することにより、半導体チップへの応力を低減できる。
以上、本発明について実施例を用いて説明したが、本発明は実施例の範囲に限定されるものではなく、各請求項に記載された技術的思想の範囲内において、適宜設計変更可能であることは言うまでもない。例えば、積層される半導体チップの数、積層される半導体パッケージの数は実施例のように二つに限定されず、三つ以上とすることもできる。
100,200,300,400,500 半導体装置
102 QFNパッケージ
104,106,134,136 半導体チップ
140 ダイパッド
108 インナーリード
112,114,142,148,150,152 ボンディングワイヤ
102 QFNパッケージ
104,106,134,136 半導体チップ
140 ダイパッド
108 インナーリード
112,114,142,148,150,152 ボンディングワイヤ
Claims (12)
- リードフレームをベースフレームとして用いて製造される半導体装置において、
前記ベースフレーム上に複数の半導体チップを積層してなり、少なくとも一つの面が外部と電気的に接続可能な端子領域を有する第1のマルチチップ構造部と;
前記ベースフレーム上に複数の半導体チップを積層してなり、少なくとも一つの面が外部と電気的に接続可能な端子領域を有する第2のマルチチップ構造部とを備え、
前記ベースフレームのインナーリードが、前記第1のマルチチップ構造部の端子領域と、前記第2のマルチチップ構造部の端子領域とにワイヤボンディングによって接続されることを特徴とする半導体装置。 - リードフレームをベースフレームとして用いて製造される半導体装置において、
前記ベースフレームの第1の面側に複数の半導体チップを積層してなり、前記第1の面と反対側の面に外部と電気的に接続可能な端子領域を有する第1のマルチチップ構造部と;
前記ベースフレームの第1の面と反対側の第2の面側に複数の半導体チップを積層してなり、前記第2の面と反対側の面に外部と電気的に接続可能な端子領域を有する第2のマルチチップ構造部とを備え、
前記ベースフレームのインナーリードが、前記第1のマルチチップ構造部の端子領域と、前記第2のマルチチップ構造部の端子領域とにワイヤボンディングによって接続されることを特徴とする半導体装置。 - 前記第1及び第2のマルチチップ構造部の少なくとも一方が、リードフレーム上に複数の半導体チップを積層したQFN構造であることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記第1及び第2のマルチチップ構造部の両方が、前記QFNタイプの半導体パッケージであることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 前記第1及び第2のマルチチップ構造部において、前記QFNタイプの半導体パッケージを構成するリードフレームと反対側の樹脂部が前記ベースフレームの前記第1の面及び第2の面に各々接着されることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。
- 前記第1及び第2のマルチチップ構造部の少なくとも一方が、プリント配線基板上に複数の半導体チップを積層したLGA構造であることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記第1及び第2のマルチチップ構造部の両方が、プリント配線基板上に複数の半導体チップを積層したLGA構造であることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置。
- 前記第1及び第2のマルチチップ構造部において、前記LGAタイプの半導体パッケージのプリント配線基板と反対側の樹脂部が前記ベースフレームの前記第1の面及び第2の面に各々接着されることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置。
- 前記第1及び第2のマルチチップ構造部が、プリント配線基板上に複数の半導体チップを積層したLGA構造であり、
前記第1のマルチチップ構造部の外形寸法は、前記第2のマルチチップ構造部より大きく、
前記ベースフレームのダイパッド上に前記第1のマルチチップ構造部を搭載し、その上に前記第2のマルチチップ構造部を搭載した構造であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記第1のマルチチップ構造部のプリント配線基板と反対側の樹脂部が前記ダイパッド上に接着され、
前記第2のマルチチップ構造部のプリント配線基板と反対側の樹脂部が前記第1のマルチチップ構造部のプリント配線基板の裏面に接着され、
前記第1及び第2のマルチチップ構造部のプリント配線基板の裏面同士がワイヤボンディングによって互いに接続され、
前記第1のマルチチップ構造部のプリント配線基板の裏面がワイヤボンディングによって前記ベースフレームのインナーリードに接続されることを特徴とする請求項9に記載の半導体装置。 - 前記第1及び第2のマルチチップ構造部において、前記複数の半導体チップは上下にずらして積層され、当該複数の半導体チップ間の接続が全てワイヤボンディングによって行われていることを特徴とする請求項1,2,3,4,5,6,7,8,9又は10に記載の半導体装置。
- 前記第1及び第2のマルチチップ構造部を含む全体が樹脂によって封止されていることを特徴とする請求項1,2,3,4,5,6,7,8,9,10又は11に記載の半導体装置。
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