JP2007208042A - 減圧処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 排気ガス処理機構44は、COR処理装置5のチャンバー40に接続された排気路85上に、上流側から下流側へ向けて、ドライポンプ83およびトラップ装置87がこの順に配設されている。電熱ヒーター93により例えば60℃〜100℃の温度に加熱された排気ガスは、ドライポンプ83を通過し、大気圧状態のトラップ装置87において反応生成物の析出と捕集が行なわれる。
【選択図】図5
Description
前記処理室に接続する排気ガスの排気路に配設された真空ポンプと、
前記真空ポンプよりも排気方向下流側の排気路に配設され、前記処理室内から排出される反応生成物を析出させて捕集するトラップ部と、
を備えた、減圧処理装置を提供する。
前記処理室に接続する排気ガスの排気路に配設された真空ポンプと、
前記真空ポンプよりも排気方向下流側に配設され、前記処理室内から排出される反応生成物を燃焼させて除害する除害装置と、
前記処理室から前記真空ポンプを介して前記除害装置に至るまでの排気路を通過する前記排気ガスの加熱を行なう加熱手段と、
を設けた、減圧処理装置を提供する。
従って、本発明の減圧処理装置は、例えば前記フッ化アンモニウムなどの反応生成物が排気ガス中に含まれることになるCOR処理装置として使用しても、高い信頼性を持って稼働させることが可能であり、排気系統のメンテナンス回数も低減できる。
図1に、本発明の一実施形態に係る処理システム1の概略構成を示す。この処理システム1は、半導体ウエハ(以下、「ウエハ」と記す)Wを処理システム1に対して搬入出させる搬入出部2、搬入出部2に隣接させて設けられた2つのロードロック室(L/L)3、各ロードロック室3にそれぞれ隣接させて設けられ、ウエハWに対してPHT(Post Heat Treatment)処理を行なうPHT処理装置(PHT)4、各PHT処理装置4にそれぞれ隣接させて設けられ、ウエハWに対してCOR処理を行なうCOR処理装置(COR)5を備えている。PHT処理装置4およびCOR処理装置5は、各ロードロック室3側からこの順に一直線上に並べて設けられている。
ガス供給路25は、窒素ガス供給源30に接続されている。そして、ガス供給路25には、流路の開閉動作および窒素ガスの供給流量の調節が可能な流量調整弁31が介設されている。
また、COR処理装置5のチャンバー40からドライポンプ83に至るまでの排気路85に、加熱手段である電熱ヒーター93を配備し、ここを通過する排気ガスを、例えば60℃〜100℃、好ましくは60℃〜80℃に加熱するとともに、ドライポンプとして100℃〜200℃程度の高温の排気ガスについても処理が可能な耐熱式のドライポンプ83を採用し、電熱ヒーター93により60℃以上の温度に加熱された排気ガスを吸引・排気させることにより、ドライポンプ83内における反応生成物の析出を防止するようにした。
また、ドライポンプ83から排気管88に至る非減圧状態の排気路85にも、加熱手段である電熱ヒーター93を配備した。これにより、トラップ部である排気管88の直前(上流側)の排気路85における排気ガスの温度を例えば100℃〜200℃、好ましくは100℃〜150℃に維持し、この部分で反応生成物が析出して目詰まりを引き起こすことを防止している。ここで、ドライポンプ83よりも排気方向に上流側の排気路85の加熱温度よりも、ドライポンプ83から排気管88までの加熱温度を高く設定するのは、第1実施形態と同様の理由による。
このようにして、排気路85を構成する排気管の一部をトラップ領域として第1実施形態(図5)のトラップ装置87に代えて利用することが可能になる。
第2実施形態における排気ガス処理機構45の他の構成は、図5に示す第1実施形態の排気ガス処理機構44と同様であるため、同じ構成には同一の符号を付して説明を省略する。
なお、第3実施形態における排気ガス処理機構46の他の構成は、図5に示す第1実施形態の排気ガス処理機構44と同様であるため、同じ構成には同一の符号を付して説明を省略する。
まず、処理システム1によって処理されるウエハWの構造について図9および図10を参照しつつ説明する。
2:搬入出部
3:ロードロック室
4:PHT処理装置
5:COR処理装置
12:搬送室
28:排気ガス処理機構
32:開閉バルブ
33:トラップ装置
35:ドライポンプ(DP)
44:排気ガス処理機構
82:開閉バルブ
83:ドライポンプ(DP)
85:排気路
87:トラップ装置(TR)
89:除害装置
93:電熱ヒーター
Claims (11)
- 処理ガスを導入することにより減圧雰囲気で被処理体の処理を行なう処理室と、
前記処理室に接続する排気ガスの排気路に配設された真空ポンプと、
前記真空ポンプよりも排気方向下流側の排気路に配設され、前記処理室内から排出される反応生成物を析出させて捕集するトラップ部と、
を備えた、減圧処理装置。 - 前記トラップ部は、非減圧状態で前記反応生成物を析出させるものである、請求項1に記載の減圧処理装置。
- 前記トラップ部は、前記排気ガスの流路を形成するケーシングと、該ケーシング内部の排気通路に、多数の開口を有する邪魔板と、を配備したトラップ装置により構成される、請求項1または請求項2に記載の減圧処理装置。
- 前記トラップ部は、着脱可能に設けられた排気管により構成される、請求項1または請求項2に記載の減圧処理装置。
- さらに、前記トラップ部よりも排気方向下流側にさらに除害装置を備えた、請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の減圧処理装置。
- 前記処理室から前記真空ポンプを介して前記トラップ部に至るまでの排気路に、前記排気ガスの加熱を行なう加熱手段を設けた、請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の減圧処理装置。
- 前記反応生成物は、大気圧かつ常温の条件で固体状に析出するものである、請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の減圧処理装置。
- 前記処理ガス中には、HFとNH3が含まれ、前記反応生成物がNH4Fである、請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の減圧処理装置。
- 前記処理室内において、前記処理ガス中のHFおよびNH3と、被処理体のSiO2とからSiF4を生成し、このSiF4とHFおよびNH3とから、さらに(NH4)2SiF6を生成する主反応とともに、
前記HFとNH3とからNH4Fを生成する副反応を生じさせるものである、請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の減圧処理装置。 - 化学的酸化物除去(Chemical Oxide Removal)処理装置である、請求項9に記載の減圧処理装置。
- 処理ガスを導入することにより減圧雰囲気で被処理体の処理を行なう処理室と、
前記処理室に接続する排気ガスの排気路に配設された真空ポンプと、
前記真空ポンプよりも排気方向下流側に配設され、前記処理室内から排出される反応生成物を燃焼させて除害する除害装置と、
前記処理室から前記真空ポンプを介して前記除害装置に至るまでの排気路を通過する前記排気ガスの加熱を行なう加熱手段と、
を設けた、減圧処理装置。
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