JP2007180399A

JP2007180399A - 金属−セラミックス回路基板およびその製造方法

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Publication number: JP2007180399A
Application number: JP2005379160A
Authority: JP
Inventors: Hideyo Osanai; 英世小山内; Satoru Ideguchi; 悟井手口
Original assignee: Dowa Holdings Co Ltd
Current assignee: Dowa Holdings Co Ltd
Priority date: 2005-12-28
Filing date: 2005-12-28
Publication date: 2007-07-12

Abstract

【課題】セラミックス基板にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属板が接合した金属−セラミックス回路基板において、めっきの膨れを防止し、めっきの密着性を向上させることができる、金属−セラミックス回路基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板に接合したアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属板の表面をベルト研磨により研磨し、液体中に微粒子を含む研磨材スラリーを金属板の表面に噴射するウエットブラスト処理を行い、その後、金属板の表面にめっきを施す。
【選択図】なし

Description

本発明は、金属−セラミックス回路基板およびその製造方法に関し、特に、セラミックス基板に接合したアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属板の表面にめっきが施された金属−セラミックス回路基板およびその製造方法に関する。

従来、セラミックス基板に接合したアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属板の表面にめっきが施された金属−セラミックス回路基板の製造方法では、セラミックス基板にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属板を接合する際に、ＢＮ粉などの離型剤を金属板の表面に直接塗布するか、あるいは離型剤を塗布したスペーサを金属板の上に配置している。このような離型剤を使用してセラミックス基板に金属板を接合した後には金属板の表面に離型剤が付着しているので、この離型剤を除去するために金属板の表面をベルト研磨やバフ研磨などの機械研磨によって研磨し、その後、金属板の表面にレジストを印刷してエッチングにより金属回路板を形成し、この金属回路板の表面にめっきを施している。このめっきの密着性を向上させるために、めっきを施す前に亜鉛置換法やパラジウム活性法などによる前処理が行われている（例えば、特許文献１参照）。

また、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属部材の表面を研磨する方法として、磁気ディスク用アルミニウム合金基板の表面の中心線平均粗さ（Ｒａ）が０．０２５〜０．３０μｍになるように、ＪＩＳ規格Ｒ６００１において粒度＃８００〜＃３０００の研磨材を使用するグラインディング、旋盤による加工、テープポリッシュ（フィルム研磨）などによって研磨する方法（例えば、特許文献２参照）、画像形成装置のアルミニウム合金の現像スリーブの表面の中心線平均粗さＲａが０．３〜１．５μｍになるように、ＪＩＳ規格Ｒ６００１において粒度＃１００〜＃８００のガラスピースからなる砥粒をブラスト材として使用してブラスト処理する方法（例えば、特許文献３参照）、アルミニウムまたはアルミニウム合金などからなる磁気ディスクの表面粗さＲａが０．００２μｍ以下になるように、鏡面加工（ポリッシュ加工）を行った後にケミカルエッチングを行う方法（例えば、特許文献４参照）、セラミックス多孔体にアルミニウムまたはアルミニウム合金を含浸した複合体の表面粗さＲａが０．７〜３．０μｍになるように、乾式ブラスト装置で処理する方法（例えば、特許文献５参照）、磁気ディスク用アルミニウム合金基板の表面の中心線平均粗さＲａが７〜１２ｎｍになるように、ＪＩＳ規格Ｒ６００１において粒度＃６０００〜＃８０００の砥粒が付着したテープを押し付けて研磨（テープ研磨）する方法（例えば、特許文献６参照）などが提案されている。

特開２００３−３１７２０号公報（段落番号０００８−００１２）特開昭６２−２２２３６号公報（第２頁）特開平１１−１９４６１８号公報（段落番号００１９−００４５）特開２０００−１２３３５６号公報（段落番号０００９−００１０）特開２００４−１６８５６１号公報（段落番号００１８−００２３、００５４）特開２００４−２９６００４号公報（段落番号００１７−００３１）

しかし、特許文献１に記載されたように前処理を行った後にめっきを施しても、直径０．１〜１ｍｍ程度のめっきの膨れが生じたり、めっきの密着性の不良が生じる場合があった。特に、金属板の表面にレジストを印刷して部分的にめっきを施した場合や、パラジウム活性法による前処理を行った場合や、ビッカース硬度が特に低い（柔らかい）アルミニウム合金板を金属板として使用した場合に、上述したようなめっきの膨れやめっきの密着性の不良が生じる場合が多かった。

また、上述したように、セラミックス基板に接合したアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属板の表面に付着した離型剤を除去するために、一般に金属板の表面をベルト研磨により研磨した後にバフ研磨により研磨している。ベルト研磨は、回転するベルト状の研磨紙を水平に移動する被処理物に接触させることにより、研磨紙の砥粒によって被処理物の表面に付着した離型剤を掻き取るために行われている。ベルト研磨では、被処理物がアルミニウムのような柔らかい金属からなる場合、量産のためには研磨紙の粒度を粗くして目詰まりを防止しなければならないので、必要な表面粗さを得るためにベルト研磨後にバフ研磨を行う必要がある。しかし、ベルト研磨後にバフ研磨を行った場合には、その後にめっきを施した際に、めっきの膨れが生じるという問題があった。

したがって、本発明は、このような従来の問題点に鑑み、セラミックス基板にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属板が接合した金属−セラミックス回路基板において、めっきの膨れを防止し、めっきの密着性を向上させることができる、金属−セラミックス回路基板およびその製造方法を提供することを目的とする。

本発明者は、上記課題を解決するために鋭意研究した結果、セラミックス基板にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属板が接合した金属−セラミックス回路基板の製造方法において、セラミックス基板に接合した金属板の表面に、液体中に微粒子を含む研磨材スラリーを噴射するウエットブラスト処理を行うことによって、めっきの膨れを防止し、めっきの密着性を向上させることができることを見出し、本発明を完成するに至った。

すなわち、本発明による金属−セラミックス回路基板の製造方法は、セラミックス基板にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属板が接合した金属−セラミックス回路基板の製造方法において、セラミックス基板に接合した金属板の表面に、液体中に微粒子を含む研磨材スラリーを噴射することによって、金属板の表面を研磨することを特徴とする。この金属−セラミックス回路基板の製造方法において、研磨剤を金属板の表面に噴射する前に、金属板の表面をベルト研磨により研磨するのが好ましい。

また、本発明による金属−セラミックス回路基板は、セラミックス基板にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属板が接合した金属−セラミックス回路基板において、金属板のビッカース硬さが２０〜４０、金属板の表面の十点平均粗さが２〜１０μｍ、好ましくは３〜６μｍであり、金属板の表面上の所定の方向の十点平均粗さと、この所定の方向に垂直な方向の十点平均粗さと、その所定の方向から４５°の方向の十点平均粗さのうちの最大値と最小値の差が０．７μｍ以下であることを特徴とする。

なお、本明細書中において、「十点平均粗さ」とは、ＪＩＳ規格Ｂ０６０１（１９９４年）に基づく十点平均粗さ（Ｒｚ_{ＪＩＳ９４}）をいう。

本発明によれば、セラミックス基板にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属板が接合した金属−セラミックス回路基板の製造方法において、めっきの膨れを防止し、めっきの密着性を向上させることができる。また、金属−セラミックス接合基板が反っていても対応することができるので、大型の金属−セラミックス回路基板の製造にも対応することができる。さらに、研磨紙の寿命を向上させることができるので、コスト的にも有利である。

本発明による金属−セラミックス回路基板の製造方法の実施の形態では、セラミックス基板にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属板を接合する接合工程と、セラミックス基板に接合された金属板を研磨する研磨工程と、研磨された金属板上に回路パターンなどを形成するためのエッチングレジストを印刷するエッチングレジスト印刷工程と、エッチングレジストが印刷された金属板をエッチングして回路パターンなどを形成するエッチング工程と、エッチングレジストを剥離する工程と、形成された回路パターン上にめっきレジストを印刷するめっきレジスト印刷工程と、めっきレジストが印刷された回路パターン上にめっきを施すめっき工程と、めっきが施された回路パターンからめっきレジストを剥離する工程とを備えた、金属−セラミックス回路基板の製造方法において、研磨工程として、微細粒度の砥粒の研磨紙を用いてベルト研磨により金属板を研磨した後、液体中に微粒子を含む研磨材スラリーを金属板の表面に噴射するウエットブラスト処理を行い、その後、洗浄および乾燥を行う。

従来のベルト研磨後にバフ研磨を行う方法では、バフ研磨によって潰されたアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属板の表面付近にクローズポア（閉口気孔）が生じる場合があり、このクローズポアの発生により、その後にめっきを施した際に、めっきの膨れが生じる。すなわち、ベルト研磨後の表面には大きな凹凸（キズまたは溝）が形成され、この凹凸の高さは、使用した研磨紙の砥粒の粒度に依存する。この凹凸の高さを小さくするために、荒研磨に使用する研磨紙の砥粒の粒度を細かくすると、直ぐに目詰まりを生じ、研磨紙の寿命が極端に短くなる。また、研磨紙の使用時の初期と交換前では、表面に形成される凹凸の状態が異なっている。そのため、適当な粒度の砥粒の研磨紙を用いてベルト研磨した後に、バフ研磨によって表面の凹凸の高さを小さくしているが、バフ研磨後にも表面の凹凸が依然として大きく、表面の溝に残留した研磨紙の砥粒や、表面の溝に残留した液溜まりやレジスト成分によって、めっきの膨れが生じている。

そこで、従来のベルト研磨後にバフ研磨を行う方法の代わりに、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属板の表面から離型剤を除去する方法として、化学研磨、電解研磨、砥石（ディスク）研磨、ブラスト研磨など、種々の研磨方法について検討したところ、金属板の表面を荒らさずに離型剤を安価に且つ安定して再現良く除去することができる方法として、ウエットブラスト処理が最適であり、ウエットブラスト処理によってクローズポアの発生を防止して金属板の表面状態が大幅に改善されることがわかった。

ウエットブラスト処理は、液体中に微粒子を含む研磨材スラリー（砥粒スラリー）を幅広ガンのような研磨材スラリー供給装置から被処理物に一定圧力下において一定流量で吹き付ける研磨方法であり、被処理物の反りや被処理物の数にかかわらず、平坦性を保ちながら離型剤を除去することができる。例えば、被処理物の上下から（砥粒同士の緩衝を防ぐために互いにオフセットされた）一対の幅広ノズルによってウエットブラスト処理した後、被処理物上に残留した砥粒を除去するためにシャワー方式の荒水洗を行い、さらに３段階のシャワー方式の水洗を行い、最後に熱風乾燥を行う。被処理物の搬送は、リングローラによって行い、ノズル径が３２０ｍｍの幅広ガンを使用して幅３００ｍｍまでの被処理物を加工することができる。加工屑はサイクロンで分級して回収し、使用した研磨砥粒も分級して再利用することができる。砥粒の吹き出し圧を圧縮空気によって一定圧に制御し、砥粒スラリーの流量をインバータ付きポンプによって一定圧に制御し、砥粒の粒径を分級によって一定に保つことができる。

このようにウエットブラスト処理を行うことにより、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属板の表面付近にクローズポアを発生させずに離型剤を除去することができ、砥粒の大きさを制御することによってめっきの密着性を向上させるような表面粗さに制御することができる。すなわち、超音波ワイヤーボンディングによって良好にアルミニウム線をめっき上に接続するためには、＃２４０〜＃４００の研磨紙を使用してベルト研磨するだけでは表面粗さ（十点平均粗さ）が粗過ぎる（１０μｍ以上）が、表面粗さが小さ過ぎるとめっきの密着性が悪く、また、ベルト研磨によって表面粗さを小さくすると研磨紙が目詰まりするので、めっきの密着性を向上させるために必要な表面粗さ（十点平均粗さ）はある程度粗い（２μｍ以上）方がよい。したがって、めっきの密着性を向上させるためには、表面粗さ（十点平均粗さ）は、好ましくは２〜１０μｍ、さらに好ましくは３〜６μｍであり、本発明による金属−セラミックス回路基板の製造方法の実施の形態のようにウエットブラスト処理を行うことにより、表面粗さ（十点平均粗さ）を好ましくは２〜１０μｍ、さらに好ましくは３〜６μｍに制御することができる。

また、セラミックス基板に金属板を接合した直後にウエットブラスト処理を施すと、例えば、セラミックス基板に金属板を溶湯接合する際に使用した鋳型の傷跡が転写された（高さ５０μｍ程度の）突起を除去することができない場合がある。このような微細な突起のみを除去するために、ウエットブラストの前処理として、ベルト研磨を行って表面粗さを調整するのが好ましい。このベルト研磨では、研磨紙が微細な突起のみに当たるように調整し、従来使用されていた＃２４０の粗い研磨紙ではなく比較的細かい＃８００の研磨紙を使用し、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属板の表面に極力影響を与えないようにするのが好ましい。

なお、ウエットブラスト処理に使用する研磨剤として、＃３２０、＃６００、＃８００、＃２０００の研磨材について試験し、離型剤の除去効率、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属板の表面への影響（エッチングレジストやめっきレジストの密着性および除去性、めっきの密着性）、めっきの膨れへの影響などを調べたところ、＃３２０〜＃６００の研磨材を使用するのが最も好ましいことがわかった。また、めっきレジストの印刷は必要に応じて行われるが、めっきレジストを印刷しない場合であっても同様であることがわかった。

以下、本発明による金属−セラミックス回路基板およびその製造方法の実施例について詳細に説明する。

［実施例１］
縦９０ｍｍ×横７５ｍｍ×厚さ０．６３５ｍｍの窒化アルミニウムからなるセラミックス基板の両面に、溶湯接合法によって、それぞれ縦８４ｍｍ×横６９ｍｍ×厚さ０．４ｍｍの表面のビッカース硬度Ｈｖ２２〜２４程度の純度９９．９９％のアルミニウムからなる金属板が直接接合した金属−セラミックス接合基板を５００枚用意し、ウエットブラスト装置により各々のアルミニウム板の表面を研磨した。ウエットブラスト装置の処理条件として、エアー圧０．２０ＭＰａ、処理速度１０ｍｍ／秒、投射距離２０ｍｍ、投射角度９０°とし、水中に平均粒径４０μｍのアルミナ＃３２０を１６体積％含む研磨材スラリーを使用した。なお、ウエットブラスト装置によって研磨した後でも、アルミニウム板の表面のビッカース硬度は変化していなかった。

次に、セラミックス基板の一方の面に接合したアルミニウム板の表面にエッチングレジストとして回路パターン形状のアルカリ溶剤剥離型のＵＶ硬化型液状レジストを印刷するとともに、セラミックス基板の他方の面（裏面側、すなわち放熱板側）に接合したアルミニウム板の全面にエッチングレジストとして同様のアルカリ溶剤剥離型のＵＶ硬化型液状レジストを印刷した後、ＵＶを照射してエッチングレジストを硬化させた。その後、塩化第二鉄溶液を吹き付けてアルミニウムを溶解させることによってエッチングを行った後、５％のＮａＯＨを吹き付けてエッチングレジストを溶解させて除去し、回路パターンを形成した。なお、エッチングの際のエッチングレジストの密着性は良好であった。

次に、回路パターン上の所定の領域にエッチングレジストと同様のめっきレジストを印刷して硬化させた後、めっきの前処理としてパラジウム活性を行い、その後、硫酸ニッケルと次亜塩素酸ナトリウムを主成分とする９０℃のめっき液に約１５分間浸漬することによってＮｉ−Ｐ無電解めっきを３μｍ施したところ、めっきレジストの密着性は良好であり、めっきの膨れも生じなかった。

［実施例２］
セラミックス基板に接合した金属板としてビッカース硬度Ｈｖ２５〜２７程度の純度９９．９％のアルミニウムからなる金属板を使用した以外は実施例１と同様の金属−セラミックス接合基板を５００枚用意し、実施例１と同様の処理を行った。その結果、エッチングの際のエッチングレジストの密着性は良好であり、また、めっきレジストの密着性は良好であり、めっきの膨れも生じなかった。

［実施例３］
セラミックス基板に接合した金属板としてビッカース硬度Ｈｖ２９〜３１程度の０．５重量％のＳｉを含むアルミニウム合金からなる金属板を使用した以外は実施例１と同様の金属−セラミックス接合基板を５００枚用意し、実施例１と同様の処理を行った。その結果、エッチングの際のエッチングレジストの密着性は良好であり、また、めっきレジストの密着性は良好であり、めっきの膨れも生じなかった。

［実施例４〜６］
セラミックス基板の一方の面（裏面）に接合した金属板の厚さを０．１５ｍｍとした以外は実施例１〜３と同様の金属−セラミックス接合基板を５００枚用意し、実施例１と同様の処理を行った。その結果、エッチングの際のエッチングレジストの密着性は良好であり、また、めっきレジストの密着性は良好であり、めっきの膨れも生じなかった。

［実施例７〜１２］
セラミックス基板として縦９０ｍｍ×横７５ｍｍ×厚さ０．３２ｍｍのアルミナからなるセラミックス基板を使用した以外は実施例１〜６と同様の金属−セラミックス接合基板を５００枚用意し、実施例１と同様の処理を行った。その結果、エッチングの際のエッチングレジストの密着性は良好であり、また、めっきレジストの密着性は良好であり、めっきの膨れも生じなかった。

［実施例１３〜１８］
セラミックス基板として縦９０ｍｍ×横７５ｍｍ×厚さ０．３２ｍｍの窒化珪素からなるセラミックス基板を使用した以外は実施例１〜６と同様の金属−セラミックス接合基板を５００枚用意し、実施例１と同様の処理を行った。その結果、エッチングの際のエッチングレジストの密着性は良好であり、また、めっきレジストの密着性は良好であり、めっきの膨れも生じなかった。

［実施例１９〜３６］
ウエットブラスト装置による研磨の前に、研磨紙＃８００を用いて金属板の表面をベルト研磨した以外は、実施例１〜１８と同様の処理を行った。その結果、エッチングレジストとめっきレジストの密着性は良好であり、めっきの膨れも生じなかった。

［比較例１〜３］
実施例４〜６と同様の金属−セラミックス接合基板をそれぞれ５００枚用意し、ウエットブラスト装置による研磨の代わりに、金属板の表面を研磨紙＃２４０と＃４００を順次用いてベルト研磨した後に研磨紙＃６００と＃８００を順次用いてバフ研磨した以外は、実施例１と同様の処理を行った。その結果、エッチングレジストとめっきレジストの密着性は実施例４〜６および２２〜２４より若干劣り、それぞれ２５枚、１４枚および９枚の基板でめっきの膨れが生じた。

［実施例３７］
縦４１ｍｍ×横３８ｍｍ×厚さ０．６３５ｍｍの窒化アルミニウムからなるセラミックス基板の両面に、溶湯接合法によって、縦３８ｍｍ×横３５ｍｍ×厚さ０．４ｍｍのビッカース硬度Ｈｖ２９〜３１程度の０．５重量％のＳｉを含むアルミニウム合金からなる金属板が（沿面距離が１．５ｍｍになるように）直接接合した金属−セラミックス接合基板を３枚（Ｎｏ．１、Ｎｏ．２、Ｎｏ．３）用意し、研磨紙＃８００を用いて金属板の表面をベルト研磨した後、実施例１と同様のウエットブラスト処理を行った。この処理を行った後の金属板の表面粗さとしてＪＩＳ規格Ｂ０６０１（１９９４年）に基づく十点平均粗さ（Ｒｚ_{ＪＩＳ９４}）を測定した。その結果、Ｎｏ．１の金属−セラミックス接合基板では、研磨方向の十点平均粗さが４．６３μｍ、研磨方向に垂直な方向の十点平均粗さが４．９１μｍ、研磨方向から４５°の方向（研磨方向とそれに垂直な方向の間の方向）の十点平均粗さが４．８７μｍであり、これらの十点平均粗さの最大値と最小値の差は０．２８μｍ（＝４．９１μｍ−４．６３μｍ）であった。また、Ｎｏ．２の金属−セラミックス接合基板では、研磨方向の十点平均粗さが４．３３μｍ、研磨方向に垂直な方向の十点平均粗さが５．０１μｍ、研磨方向から４５°の方向の十点平均粗さが４．９５μｍであり、これらの十点平均粗さの最大値と最小値の差は０．６８μｍ（＝５．０１μｍ−４．３３μｍ）であった。さらに、Ｎｏ．３の金属−セラミックス接合基板では、研磨方向の十点平均粗さが４．５７μｍ、研磨方向に垂直な方向の十点平均粗さが４．９７μｍ、研磨方向から４５°の方向の十点平均粗さが４．９６μｍであり、これらの十点平均粗さの最大値と最小値の差は０．４０μｍ（＝４．９７μｍ−４．５７μｍ）であった。したがって、この実施例では、研磨方向の十点平均粗さと、研磨方向に垂直な方向の十点平均粗さと、研磨方向から４５°の方向の十点平均粗さのうちの最大値と最小値の差は非常に小さく、０．７μｍ以下であった。

［比較例４］
実施例３７と同様の金属−セラミックス接合基板を３枚（Ｎｏ．１、Ｎｏ．２、Ｎｏ．３）用意し、金属板の表面を研磨紙＃２４０と＃４００を順次用いてベルト研磨した後、研磨紙＃６００と＃８００を順次用いてバフ研磨した。この処理を行った後の金属板の表面粗さとして十点平均粗さ（Ｒｚ_{ＪＩＳ９４}）を測定した。その結果、Ｎｏ．１の金属−セラミックス接合基板では、研磨方向の十点平均粗さが４．６２μｍ、研磨方向に垂直な方向の十点平均粗さが６．１９μｍ、研磨方向から４５°の方向（研磨方向とそれに垂直な方向の間の方向）の十点平均粗さが５．５９μｍであり、これらの十点平均粗さの最大値と最小値の差は１．５７μｍ（＝６．１９μｍ−４．６２μｍ）であった。また、Ｎｏ．２の金属−セラミックス接合基板では、研磨方向の十点平均粗さが４．１１μｍ、研磨方向に垂直な方向の十点平均粗さが６．９６μｍ、研磨方向から４５°の方向の十点平均粗さが４．４５μｍであり、これらの十点平均粗さの最大値と最小値の差は２．８５μｍ（＝６．９６μｍ−４．１１μｍ）であった。さらに、Ｎｏ．３の金属−セラミックス接合基板では、研磨方向の十点平均粗さが６．０１μｍ、研磨方向に垂直な方向の十点平均粗さが６．３７μｍ、研磨方向から４５°の方向の十点平均粗さが５．４４μｍであり、これらの十点平均粗さの最大値と最小値の差は０．９３μｍ（＝６．３７μｍ−５．４４μｍ）であった。したがって、この比較例では、研磨方向の十点平均粗さと、研磨方向に垂直な方向の十点平均粗さと、研磨方向から４５°の方向の十点平均粗さのうちの最大値と最小値の差は非常に大きく、０．９μｍ以上であった。

Claims

セラミックス基板にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属板が接合した金属−セラミックス回路基板の製造方法において、セラミックス基板に接合した金属板の表面に、液体中に微粒子を含む研磨材スラリーを噴射することによって、金属板の表面を研磨することを特徴とする、金属−セラミックス回路基板の製造方法。
前記研磨剤を金属板の表面に噴射する前に、前記金属板の表面をベルト研磨により研磨することを特徴とする、請求項１に記載の金属−セラミックス回路基板の製造方法。
セラミックス基板にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属板が接合した金属−セラミックス回路基板において、金属板のビッカース硬さが２０〜４０、金属板の表面の十点平均粗さが２〜１０μｍであり、金属板の表面上の所定の方向の十点平均粗さと、この所定の方向に垂直な方向の十点平均粗さと、その所定の方向から４５°の方向の十点平均粗さのうちの最大値と最小値の差が０．７μｍ以下であることを特徴とする、金属−セラミックス回路基板。
前記金属板の表面の十点平均粗さが３〜６μｍであることを特徴とする、請求項３に記載の金属−セラミックス回路基板。