CN112846948B - 一种晶圆表面的加工方法 - Google Patents
一种晶圆表面的加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112846948B CN112846948B CN201911188515.8A CN201911188515A CN112846948B CN 112846948 B CN112846948 B CN 112846948B CN 201911188515 A CN201911188515 A CN 201911188515A CN 112846948 B CN112846948 B CN 112846948B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- grinding
- wafer
- liquid
- minutes
- carrying
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims abstract description 276
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 108
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 70
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims abstract description 33
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 33
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 22
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 30
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 30
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 claims description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 claims description 10
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 7
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 8
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 114
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 18
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B1/00—Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
- B08B3/12—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration by sonic or ultrasonic vibrations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明提供了一种晶圆表面的加工方法，包括以下步骤：(1)将保护胶涂覆在晶圆的正面；(2)对晶圆背面进行第一次研磨，所述研磨液中分散有8～10nm的金刚石粉作为研磨粒子，所述研磨液的pH为9～12；(3)对晶圆背面进行第二次研磨，所述研磨液中分散有3～5nm的金刚石粉作为研磨粒子，所述研磨液的pH为9～12，(4)去除晶圆正面的保护胶，对晶圆正面进行第三次研磨，所述研磨液中分散有3～5nm的金刚石粉作为研磨粒子，所述研磨液的pH为9～12。本发明的晶圆表面的加工方法通过对晶圆背面进行两次研磨并且控制研磨液的pH和研磨粒子的粒径，制备得到的晶圆表面无腐蚀，表面平整光滑且无划痕。
Description
技术领域
本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及一种晶圆表面的加工方法。
背景技术
随着超大规模集成电路的飞速发展，集成电路制造工艺变得越来越复杂和精细，为了提高集成度，降低制造成本，半导体器件的尺寸日益减小，平面布线已难以满足半导体器件高密度分布的要求，采用多层布线技术来提高半导体器件的集成密度已成为发展趋势之一，其中，化学机械研磨(CMP，Chemical Mechanical Polishing)技术是半导体制造过程中的重要工艺步骤之一。
化学机械研磨中所使用的设备主要包括研磨头(head)和研磨台(platen)，所述研磨台上设置有研磨垫(pad)。在化学机械研磨过程中，需要加入研磨液(slurry)和研磨粒子，随着研磨垫与待研磨晶圆之间的相对运动，实现待研磨晶圆的研磨，形成平坦的表面。由于晶圆的材料和构造是二氧化硅基体中存在着镍、铁、铜等的金属层，这些金属层也要通过研磨进行抛光处理，但是二氧化硅基体和金属层的材质不同，在研磨过程中选择的研磨液(slurry)和研磨粒子不合适就会由于二氧化硅基体和金属层的研磨程度不一致导致表面的凹凸不平，还会导致金属层的腐蚀。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术存在的不足之处而提供一种晶圆表面的加工方法。
为实现上述目的，本发明采取的技术方案为：一种晶圆表面的加工方法，所述方法包括以下步骤：
(1)将保护胶涂覆在晶圆的正面；
(2)对晶圆背面进行第一次研磨，所述第一次研磨的研磨液为碱溶液，所述研磨液中分散有8～10nm的金刚石粉作为研磨粒子，所述研磨液的pH为9～12，所述第一次研磨后对晶圆进行清洗；
(3)对晶圆背面进行第二次研磨，所述第二次研磨的研磨液为碱溶液，所述研磨液中分散有3～5nm的金刚石粉作为研磨粒子，所述研磨液的pH为9～12，所述第二次研磨后对晶圆进行清洗；
(4)去除晶圆正面的保护胶，对晶圆正面进行第三次研磨，所述第三次研磨的研磨液为碱溶液，所述研磨液中分散有3～5nm的金刚石粉作为研磨粒子，所述研磨液的pH为9～12，所述第三次研磨后对晶圆进行清洗。
上述晶圆表面的加工方法通过对晶圆背面进行两次研磨并且控制研磨液的pH和研磨粒子的粒径，制备得到的晶圆表面无腐蚀，表面平整光滑且无划痕。
优选地，所述碱溶液为氨水或者氢氧化钠溶液。
优选地，所述步骤(2)中，所述第一次研磨的研磨液的pH为10～12。
发明人经过研究发现，当第一次研磨的研磨液的pH为10～12时，研磨过程中对金属层不产生腐蚀，制备得到的晶圆表面平整光滑且无划痕。
优选地，所述步骤(3)中，所述第二次研磨的研磨液的pH为10～12。
发明人经过研究发现，当第二次研磨的研磨液的pH为10～12时，研磨过程中对金属层不产生腐蚀，制备得到的晶圆表面平整光滑且无划痕。
优选地，所述步骤(4)中，所述第三次研磨的研磨液的pH为10～12。
发明人经过研究发现，当第三次研磨的研磨液的pH为10～12时，研磨过程中对金属层不产生腐蚀，制备得到的晶圆表面平整光滑且无划痕。
优选地，所述步骤(2)中，所述第一次研磨的时间为12～18分钟。
优选地，所述步骤(2)中，所述第一次研磨的时间为15分钟。
优选地，所述步骤(4)中，所述第三次研磨的时间为2～3分钟。
发明人经过研究发现，当第三次研磨的时间为2～3分钟能够使得晶圆表面的二氧化硅基体和金属层更平齐。
优选地，所述第一次研磨后用去离子水对晶圆进行超声清洗15～20分钟，所述第二次研磨后用去离子水对晶圆进行超声清洗15～20分钟，所述第三次研磨后用去离子水对晶圆进行超声清洗15～20分钟。
优选地，所述超声清洗后对晶圆进行烘干。
本发明的有益效果在于：本发明提供了一种晶圆表面的加工方法，本发明的晶圆表面的加工方法通过对晶圆背面进行两次研磨并且控制研磨液的pH和研磨粒子的粒径，制备得到的晶圆表面无腐蚀，表面平整光滑且无划痕。
具体实施方式
为更好的说明本发明的目的、技术方案和优点，下面将结合具体实施例对本发明作进一步说明。
实施例1
作为本发明实施例的一种晶圆表面的加工方法，所述方法包括以下步骤：
(1)将保护胶涂覆在晶圆的正面；
(2)对晶圆背面进行第一次研磨，所述第一次研磨的研磨液为氨水，所述研磨液中分散有8～10nm的金刚石粉作为研磨粒子，所述研磨液的pH为10，第一次研磨的时间为15分钟，第一次研磨后用去离子水对晶圆进行超声清洗15分钟，烘干；
(3)对晶圆背面进行第二次研磨，所述第二次研磨的研磨液为氨水，所述研磨液中分散有3～5nm的金刚石粉作为研磨粒子，所述研磨液的pH为10，第二次研磨后用去离子水对晶圆进行超声清洗15分钟，烘干；
(4)去除晶圆正面的保护胶，对晶圆正面进行第三次研磨，所述第三次研磨的研磨液为氨水，所述研磨液中分散有3～5nm的金刚石粉作为研磨粒子，所述研磨液的pH为10，所述第三次研磨的时间为2～3分钟，第三次研磨后用去离子水对晶圆进行超声清洗15分钟，烘干。
实施例2
作为本发明实施例的一种晶圆表面的加工方法，所述方法包括以下步骤：
(1)将保护胶涂覆在晶圆的正面；
(2)对晶圆背面进行第一次研磨，所述第一次研磨的研磨液为氨水，所述研磨液中分散有8～10nm的金刚石粉作为研磨粒子，所述研磨液的pH为12，第一次研磨的时间为15分钟，第一次研磨后用去离子水对晶圆进行超声清洗15分钟，烘干；
(3)对晶圆背面进行第二次研磨，所述第二次研磨的研磨液为氨水，所述研磨液中分散有3～5nm的金刚石粉作为研磨粒子，所述研磨液的pH为12，第二次研磨后用去离子水对晶圆进行超声清洗15分钟，烘干；
(4)去除晶圆正面的保护胶，对晶圆正面进行第三次研磨，所述第三次研磨的研磨液为氨水，所述研磨液中分散有3～5nm的金刚石粉作为研磨粒子，所述研磨液的pH为12，所述第三次研磨的时间为2～3分钟，第三次研磨后用去离子水对晶圆进行超声清洗15分钟，烘干。
实施例3
作为本发明实施例的一种晶圆表面的加工方法，所述方法包括以下步骤：
(1)将保护胶涂覆在晶圆的正面；
(2)对晶圆背面进行第一次研磨，所述第一次研磨的研磨液为氨水，所述研磨液中分散有8～10nm的金刚石粉作为研磨粒子，所述研磨液的pH为9，第一次研磨的时间为15分钟，第一次研磨后用去离子水对晶圆进行超声清洗15分钟，烘干；
(3)对晶圆背面进行第二次研磨，所述第二次研磨的研磨液为氨水，所述研磨液中分散有3～5nm的金刚石粉作为研磨粒子，所述研磨液的pH为9，第二次研磨后用去离子水对晶圆进行超声清洗15分钟，烘干；
(4)去除晶圆正面的保护胶，对晶圆正面进行第三次研磨，所述第三次研磨的研磨液为氨水，所述研磨液中分散有3～5nm的金刚石粉作为研磨粒子，所述研磨液的pH为9，所述第三次研磨的时间为2～3分钟，第三次研磨后用去离子水对晶圆进行超声清洗15分钟，烘干。
对比例1
作为本发明对比例的一种晶圆表面的加工方法，所述方法包括以下步骤：
(1)将保护胶涂覆在晶圆的正面；
(2)对晶圆背面进行第一次研磨，所述第一次研磨的研磨液为氨水，所述研磨液中分散有8～10nm的金刚石粉作为研磨粒子，所述研磨液的pH为7，第一次研磨的时间为15分钟，第一次研磨后用去离子水对晶圆进行超声清洗15分钟，烘干；
(3)对晶圆背面进行第二次研磨，所述第二次研磨的研磨液为氨水，所述研磨液中分散有3～5nm的金刚石粉作为研磨粒子，所述研磨液的pH为7，第二次研磨后用去离子水对晶圆进行超声清洗15分钟，烘干；
(4)去除晶圆正面的保护胶，对晶圆正面进行第三次研磨，所述第三次研磨的研磨液为氨水，所述研磨液中分散有3～5nm的金刚石粉作为研磨粒子，所述研磨液的pH为7，所述第三次研磨的时间为2～3分钟，第三次研磨后用去离子水对晶圆进行超声清洗15分钟，烘干。
对比例2
作为本发明对比例的一种晶圆表面的加工方法，所述方法包括以下步骤：
(1)将保护胶涂覆在晶圆的正面；
(2)对晶圆背面进行第一次研磨，所述第一次研磨的研磨液为氨水，所述研磨液中分散有8～10nm的金刚石粉作为研磨粒子，所述研磨液的pH为8，第一次研磨的时间为15分钟，第一次研磨后用去离子水对晶圆进行超声清洗15分钟，烘干；
(3)对晶圆背面进行第二次研磨，所述第二次研磨的研磨液为氨水，所述研磨液中分散有3～5nm的金刚石粉作为研磨粒子，所述研磨液的pH为8，第二次研磨后用去离子水对晶圆进行超声清洗15分钟，烘干；
(4)去除晶圆正面的保护胶，对晶圆正面进行第三次研磨，所述第三次研磨的研磨液为氨水，所述研磨液中分散有3～5nm的金刚石粉作为研磨粒子，所述研磨液的pH为8，所述第三次研磨的时间为2～3分钟，第三次研磨后用去离子水对晶圆进行超声清洗15分钟，烘干。
对比例3
作为本发明对比例的一种晶圆表面的加工方法，所述方法包括以下步骤：
(1)将保护胶涂覆在晶圆的正面；
(2)对晶圆背面进行第一次研磨，所述第一次研磨的研磨液为氨水，所述研磨液中分散有12～15nm的金刚石粉作为研磨粒子，所述研磨液的pH为10，第一次研磨的时间为15分钟，第一次研磨后用去离子水对晶圆进行超声清洗15分钟，烘干；
(3)对晶圆背面进行第二次研磨，所述第二次研磨的研磨液为氨水，所述研磨液中分散有3～5nm的金刚石粉作为研磨粒子，所述研磨液的pH为10，第二次研磨后用去离子水对晶圆进行超声清洗15分钟，烘干；
(4)去除晶圆正面的保护胶，对晶圆正面进行第三次研磨，所述第三次研磨的研磨液为氨水，所述研磨液中分散有3～5nm的金刚石粉作为研磨粒子，所述研磨液的pH为10，所述第三次研磨的时间为2～3分钟，第三次研磨后用去离子水对晶圆进行超声清洗15分钟，烘干。
对比例4
作为本发明对比例的一种晶圆表面的加工方法，所述方法包括以下步骤：
(1)将保护胶涂覆在晶圆的正面；
(2)对晶圆背面进行第一次研磨，所述第一次研磨的研磨液为氨水，所述研磨液中分散有3～5nm的金刚石粉作为研磨粒子，所述研磨液的pH为10，第一次研磨的时间为15分钟，第一次研磨后用去离子水对晶圆进行超声清洗15分钟，烘干；
(3)对晶圆背面进行第二次研磨，所述第二次研磨的研磨液为氨水，所述研磨液中分散有3～5nm的金刚石粉作为研磨粒子，所述研磨液的pH为10，第二次研磨后用去离子水对晶圆进行超声清洗15分钟，烘干；
(4)去除晶圆正面的保护胶，对晶圆正面进行第三次研磨，所述第三次研磨的研磨液为氨水，所述研磨液中分散有3～5nm的金刚石粉作为研磨粒子，所述研磨液的pH为10，所述第三次研磨的时间为2～3分钟，第三次研磨后用去离子水对晶圆进行超声清洗15分钟，烘干。
对比例5
作为本发明对比例的一种晶圆表面的加工方法，所述方法包括以下步骤：
(1)将保护胶涂覆在晶圆的正面；
(2)对晶圆背面进行第一次研磨，所述第一次研磨的研磨液为氨水，所述研磨液中分散有8～10nm的金刚石粉作为研磨粒子，所述研磨液的pH为10，第一次研磨的时间为15分钟，第一次研磨后用去离子水对晶圆进行超声清洗15分钟，烘干；
(3)对晶圆背面进行第二次研磨，所述第二次研磨的研磨液为氨水，所述研磨液中分散有8～10nm的金刚石粉作为研磨粒子，所述研磨液的pH为10，第二次研磨后用去离子水对晶圆进行超声清洗15分钟，烘干；
(4)去除晶圆正面的保护胶，对晶圆正面进行第三次研磨，所述第三次研磨的研磨液为氨水，所述研磨液中分散有3～5nm的金刚石粉作为研磨粒子，所述研磨液的pH为10，所述第三次研磨的时间为2～3分钟，第三次研磨后用去离子水对晶圆进行超声清洗15分钟，烘干。
效果例1
利用实施例1-实施例3、对比例1-对比例5的晶圆表面的加工方法加工晶圆，结果如表1所示。
表1晶圆表面的加工方法加工晶圆后的表面状况
通过比较实施例1-实施例3，对比例1-对比例2发现，当研磨液的pH为10～12时，晶圆表面的加工方法加工晶圆后表面无腐蚀，表面平整光滑且无划痕，但是当pH为7～8时，晶圆表面腐蚀较严重，加工得到的晶圆质量低。
通过比较实施例1、对比例3-对比例5发现，对比例的第一次研磨粒子的粒径为12～15nm时，会造成晶圆的金属层的损伤；第一次研磨粒子的粒径为3～5nm时，不能够对晶圆表面的二氧化硅基体起到研磨效果，会导致金属层下陷，表面有凹凸；当第二次研磨粒子的粒径为8～10nm时，虽然可以对晶圆表面的二氧化硅基体起到研磨效果，但是会会导致金属层下陷，表面有凹凸，说明必须对晶圆背面进行两次研磨，且精确控制研磨粒子的粒径才能够加工得到表面无腐蚀，表面平整光滑且无划痕的晶圆。
最后所应当说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对本发明保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本发明作了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的实质和范围。
Claims (4)
1.一种晶圆表面的加工方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
(1)将保护胶涂覆在晶圆的正面；
(2)对晶圆背面进行第一次研磨，所述第一次研磨的研磨液为碱溶液，所述研磨液中分散有8～10nm的金刚石粉作为研磨粒子，所述研磨液的pH为10～12，所述第一次研磨后对晶圆进行清洗；
(3)对晶圆背面进行第二次研磨，所述第二次研磨的研磨液为碱溶液，所述研磨液中分散有3～5nm的金刚石粉作为研磨粒子，所述研磨液的pH为10～12，所述第二次研磨后对晶圆进行清洗；
(4)去除晶圆正面的保护胶，对晶圆正面进行第三次研磨，所述第三次研磨的研磨液为碱溶液，所述研磨液中分散有3～5nm的金刚石粉作为研磨粒子，所述研磨液的pH为10～12，所述第三次研磨后对晶圆进行清洗，
其中所述碱溶液为氨水或者氢氧化钠溶液，
所述步骤(2)中，所述第一次研磨的时间为12～18分钟，
所述步骤(4)中，所述第三次研磨的时间为2～3分钟。
2.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述步骤(2)中，所述第一次研磨的时间为15分钟。
3.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述第一次研磨后用去离子水对晶圆进行超声清洗15～20分钟，所述第二次研磨后用去离子水对晶圆进行超声清洗15～20分钟，所述第三次研磨后用去离子水对晶圆进行超声清洗15～20分钟。
4.根据权利要求3所述的加工方法，其特征在于，所述超声清洗后对晶圆进行烘干。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911188515.8A CN112846948B (zh) | 2019-11-28 | 2019-11-28 | 一种晶圆表面的加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911188515.8A CN112846948B (zh) | 2019-11-28 | 2019-11-28 | 一种晶圆表面的加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112846948A CN112846948A (zh) | 2021-05-28 |
| CN112846948B true CN112846948B (zh) | 2024-02-23 |
Family
ID=75985286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201911188515.8A Active CN112846948B (zh) | 2019-11-28 | 2019-11-28 | 一种晶圆表面的加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112846948B (zh) |
Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1469459A (zh) * | 2003-04-30 | 2004-01-21 | 东莞市福地电子材料有限公司 | 一种纳米级蓝宝石衬底的加工方法及其专用抛光液 |
| CN101367192A (zh) * | 2007-08-17 | 2009-02-18 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 晶圆背面研磨方法 |
| CN101399164A (zh) * | 2007-09-26 | 2009-04-01 | 北京有色金属研究总院 | 一种半绝缘砷化镓晶片双面抛光方法 |
| CN101927455A (zh) * | 2009-06-24 | 2010-12-29 | 硅电子股份公司 | 抛光垫以及抛光半导体晶片的方法 |
| TW201111488A (en) * | 2009-07-07 | 2011-04-01 | Kao Corp | Polishing liquid composition for silicon wafers |
| CN102214555A (zh) * | 2010-04-09 | 2011-10-12 | 中国科学院微电子研究所 | 一种对蓝宝石晶片进行减薄的方法 |
| CN105742173A (zh) * | 2016-03-02 | 2016-07-06 | 上海朕芯微电子科技有限公司 | 一种超薄晶圆的加工方法 |
| CN106625204A (zh) * | 2017-01-06 | 2017-05-10 | 东莞市天域半导体科技有限公司 | 一种大尺寸SiC晶片的背面处理方法 |
| CN109037033A (zh) * | 2018-07-17 | 2018-12-18 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 一种晶圆减薄方法 |
| CN109352513A (zh) * | 2018-12-13 | 2019-02-19 | 上海超硅半导体有限公司 | 一种晶圆抛光方法 |
| CN110364430A (zh) * | 2019-07-29 | 2019-10-22 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 一种晶圆的减薄方法及晶圆结构 |
-
2019
- 2019-11-28 CN CN201911188515.8A patent/CN112846948B/zh active Active
Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1469459A (zh) * | 2003-04-30 | 2004-01-21 | 东莞市福地电子材料有限公司 | 一种纳米级蓝宝石衬底的加工方法及其专用抛光液 |
| CN101367192A (zh) * | 2007-08-17 | 2009-02-18 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 晶圆背面研磨方法 |
| CN101399164A (zh) * | 2007-09-26 | 2009-04-01 | 北京有色金属研究总院 | 一种半绝缘砷化镓晶片双面抛光方法 |
| CN101927455A (zh) * | 2009-06-24 | 2010-12-29 | 硅电子股份公司 | 抛光垫以及抛光半导体晶片的方法 |
| TW201111488A (en) * | 2009-07-07 | 2011-04-01 | Kao Corp | Polishing liquid composition for silicon wafers |
| CN102214555A (zh) * | 2010-04-09 | 2011-10-12 | 中国科学院微电子研究所 | 一种对蓝宝石晶片进行减薄的方法 |
| CN105742173A (zh) * | 2016-03-02 | 2016-07-06 | 上海朕芯微电子科技有限公司 | 一种超薄晶圆的加工方法 |
| CN106625204A (zh) * | 2017-01-06 | 2017-05-10 | 东莞市天域半导体科技有限公司 | 一种大尺寸SiC晶片的背面处理方法 |
| CN109037033A (zh) * | 2018-07-17 | 2018-12-18 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 一种晶圆减薄方法 |
| CN109352513A (zh) * | 2018-12-13 | 2019-02-19 | 上海超硅半导体有限公司 | 一种晶圆抛光方法 |
| CN110364430A (zh) * | 2019-07-29 | 2019-10-22 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 一种晶圆的减薄方法及晶圆结构 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN112846948A (zh) | 2021-05-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7298915B2 (ja) | 単結晶炭化ケイ素基板の製造方法 | |
| CN108242396B (zh) | 一种降低硅抛光片表面粗糙度的加工方法 | |
| TWI614801B (zh) | 晶圓的雙面拋光方法 | |
| WO2013112490A1 (en) | Slurry for cobalt applications | |
| US6361407B1 (en) | Method of polishing a semiconductor wafer | |
| JP5493956B2 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
| CN111251163B (zh) | 一种获得亲水性表面的抛光硅片加工方法 | |
| CN104802071A (zh) | 化学机械抛光方法 | |
| CN111040640A (zh) | 用于硅晶圆基材的复合磨料化学机械抛光浆料及制备方法 | |
| CN109676437A (zh) | 碳化硅晶片及其制造方法 | |
| CN107936848B (zh) | 一种用于硅衬底抛光的抛光液及其制备方法 | |
| CN111500258A (zh) | 研磨微粒及其制造方法、研磨剂 | |
| CN112975578B (zh) | 一种改善硅抛光片表面粗糙度的抛光方法 | |
| US6509269B2 (en) | Elimination of pad glazing for Al CMP | |
| CN112846948B (zh) | 一种晶圆表面的加工方法 | |
| Li et al. | Influence of acid slurries on surface quality of LBO crystal in fixed abrasive CMP | |
| KR100397415B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 폴리싱 방법 | |
| JPWO2019043890A1 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
| CN111171788A (zh) | 研磨微粒及其制造方法、研磨剂 | |
| CN113192823B (zh) | 一种soi键合工艺后衬底片的再生加工方法 | |
| Bai et al. | Impact of wafer transfer process on STI CMP scratches | |
| KR102492236B1 (ko) | 연마장치 및 웨이퍼의 연마방법 | |
| JP4159304B2 (ja) | 研磨方法 | |
| CN113894695B (zh) | 一种锑化镓晶片的双面抛光方法及锑化镓双抛片 | |
| CN102373014A (zh) | 一种化学机械抛光液 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |