JP2007165867A - 電界効果トランジスタを形成するための層状構造 - Google Patents
電界効果トランジスタを形成するための層状構造 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007165867A JP2007165867A JP2006311849A JP2006311849A JP2007165867A JP 2007165867 A JP2007165867 A JP 2007165867A JP 2006311849 A JP2006311849 A JP 2006311849A JP 2006311849 A JP2006311849 A JP 2006311849A JP 2007165867 A JP2007165867 A JP 2007165867A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- xgex
- epitaxially
- layered structure
- range
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims abstract description 46
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 738
- 229910006990 Si1-xGex Inorganic materials 0.000 claims description 145
- 229910007020 Si1−xGex Inorganic materials 0.000 claims description 145
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 57
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 11
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 7
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 14
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 abstract description 10
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 4
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 87
- 230000037230 mobility Effects 0.000 description 58
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 26
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 238000013461 design Methods 0.000 description 25
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 25
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 20
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 11
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 9
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 9
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000038 ultrahigh vacuum chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 229910052454 barium strontium titanate Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 7
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 6
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 6
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910003811 SiGeC Inorganic materials 0.000 description 3
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004047 hole gas Substances 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000927 Ge alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 238000001289 rapid thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 229910005926 GexSi1-x Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012217 deletion Methods 0.000 description 1
- 230000037430 deletion Effects 0.000 description 1
- 238000011982 device technology Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000007847 structural defect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
- H01L29/7782—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with confinement of carriers by at least two heterojunctions, e.g. DHHEMT, quantum well HEMT, DHMODFET
Abstract
【解決手段】 半導体基板上に複数の半導体層と、より高いバリアまたはより深い閉じ込め量子井戸を有し、相補型MODFETおよびMOSFETのための非常に高い正孔移動度を有する圧縮ひずみエピタキシャルGe層のチャネル構造を取り込み、層状ヘテロ構造をもつ高移動度Geチャネル電界効果トランジスタを形成する。 本発明は、室温より上(425K)から極低温(0.4K)までの広範な温度動作範囲を有し、低温であっても高いデバイス性能が達成可能であることに加えて、ディープ・サブミクロンの現況技術のSi pMOSFETに勝る、移動度および相互コンダクタンスの向上が可能である。
【選択図】 図1
Description
本出願は、ジャック・オー・チュー(Jack O Chu)他の「High SpeedComposite P-Channel Si/SiGe Heterostructure for Field Effect Devices」と題する、米国特許出願第09/267,323号、対応日本特許出願2000年第65262号と相互参照される。この特許出願は、どちらも圧縮下にあるGe層およびSiGe層の複合層を有し、より高い移動度を得るチャネルを備える電界効果トランジスタについて記載する。この特許出願を参照により本明細書に組み込む。
層状構造10の下部の、層12C’、12B’、および12A’についての好ましい層状構造12’の図を図2に示す。図2は、2次イオン質量分析法(SIMS)によって測定した、図1のSiGe層状構造10の層12C、12B、および12Aの対応するGe組成プロフィールを示す。図2では、縦座標は原子百分率でのGe濃度を表し、横座標はミクロンでの近似深さを表す。図2では、曲線部分21’〜31’を含む曲線部分12A’と、12B’と、12C’とは、図1に示す層12A、12B、および12CでのGe濃度に対応する。
aSiGe(x)=aSi+(aGe−aSi)x (1)
ただし、xはGe含有量、1−xはSi含有量であり、aSiおよびaGeは、それぞれSiおよびGeについての格子定数であり、したがって上端のSi0.35Ge0.65表面層が>90%緩和される好ましい場合では、層12Cは、5.02 よりも大きい格子定数を有することになる。
ΔEν=(0.74−0.53x')x(eV)
上式でx'は層12の緩和SiGeエピ層のGe含有量であり、xは正孔チャネル中のGe含有量である。この定式化は、R.PeopleおよびJ.C.Beanによる、「Bandalignments of coherently strained GexSi1−x/Si heterostrucures on <001> GeySi1-y substrates」、Appl.Phys.Lett.48(8)、1986年2月24日、538〜540ページの論文で報告されており、これを参照により本明細書に組み込む。より具体的には、緩和Si0.35Ge0.65の上に形成された純粋Geチャネルの層17に関する価電子帯不連続(ΔEν)は、396meVとなることになり、これは正孔閉じ込めのための効果的な量子井戸またはポテンシャル・バリアである。重要なことに、SiGeまたはGe層中の圧縮ひずみは、価電子帯を重い正孔バンドおよび軽い正孔バンドに分割し、それによってひずみチャネルに沿ったキャリア輸送のための、軽い方の正孔質量を有する上側の価電子帯中の正孔輸送は、正孔移動度の向上をもたらす。この正孔移動度は、以下で説明するように、Si pチャネル電界効果トランジスタで見出されるものよりも著しく高くすることができる。Si pチャネル電界効果トランジスタで見出される正孔移動度は、M.Rodderらによる「A 1.2V, 0.1μm Gate Length CMOS Technology: Design andProcess Issues」と題するIEDM 98−623の論文で報告されているように、一般に移動度約75cm2/Vsを有する。したがって、図1に示す高移動度Geチャネル39構造について、占有正孔バンド中で測定される正孔移動度は、層17が10〜15nmの範囲の厚さを有するGeチャネルである場合、300Kで、1500cm2/Vsから、2000cm2/Vsよりも大きい範囲にあり、20Kで、30000cm2/Vsから、50000cm2/Vsよりも大きい範囲にある。
Claims (29)
- pチャネル電界効果トランジスタを形成するための層状構造であって、
単結晶基板と、
前記基板上にエピタキシャルに形成され、Ge比xが0.5〜0.8の範囲にある、緩和Si1−xGexの第1層と、
前記第1層上にエピタキシャルに形成されるドープSi1−xGexの第2層と、
前記第2層上にエピタキシャルに形成されるアンドープのSi1−xGexの第3層と、
前記第3層上にエピタキシャルに形成されるアンドープのSi1−xGexの第4層と、
前記第4層上にエピタキシャルに形成されるアンドープのSi1−xGexの第5層と、
前記第5層上にエピタキシャルに形成されるGeの第6層であって、それによって前記第6層は圧縮ひずみの下にあり、前記第1層の上面に対するその臨界厚未満の厚さを有する第6層と、
前記第6層上にエピタキシャルに形成されるSi1−xGexの第7層と
を含む、層状構造。 - Si1−xGexの前記第3層のGe含有量が、0.5〜0.8の範囲にあり、好ましくはa=x−0.20である含有量aであり、前記第3層が、前記第1層と前記第2層との界面での前記第1層に対するその臨界厚未満の厚さを有してつり合っており、
Si1−xGexの前記第4層のGe含有量が0.5〜0.8の範囲にあり、好ましくはb=x−0.25である含有量bであり、前記第4層が、前記第1層と前記第2層との界面での前記第1層に対するその臨界厚未満の厚さを有してつり合っており、
Si1−xGexの前記第5層のGe含有量が0.5〜0.8の範囲にあり、好ましくはc=x−0.10である含有量cであり、前記第5層が、前記第1層と前記第2層との界面での前記第1層に対するその臨界厚未満の厚さを有してつり合っている、請求項1に記載の層状構造。 - 前記第2層が、前記第6層のチャネル領域の下に形成されるpドープSi1−xGex層であり、前記第6層からSi1−xGexの前記第3層、Si1−xGexの前記第4層、およびSi1−xGexの前記第5層によって分離され、前記第2層が1〜20nmの範囲、好ましくは4〜5nmの範囲の厚さを有するべきであり、前記第2層が、1〜4×1012cm−2の範囲内の電気的に活性なドナー・ドーズを有する、請求項1に記載の層状構造。
- 前記第6層のより近くではより高いGe含有量でスタートし、前記第7層の上面に向かってGe含有量がグレードダウンし、好ましくはxの値が0.30となる濃度勾配を、前記第7層内でGe含有量xに付けることができる、請求項1に記載の層状構造。
- 少なくとも前記第7層から前記第2層までを選択的に除去することによって作成される電気的分離領域と、
前記第7層上に形成されるショットキー・ゲート電極と、
前記ゲート電極の一方の側に形成され、位置するソース電極と、
前記ゲート電極の他方の側に形成され、位置するドレイン電極とをさらに含み、、それによって電界効果トランジスタ構造が形成される、請求項1に記載の層状構造。 - 少なくとも前記第7層から前記第2層までを選択的に除去することによって作成される電気的分離領域と、
前記第7層上に形成されるゲート誘電体と、
前記ゲート誘電体上に形成されるゲート電極と、
前記ゲート電極の一方の側に形成され、位置するソース電極と、
前記ゲート電極の他方の側に形成され、位置するドレイン電極とをさらに含み、それによって電界効果トランジスタ構造が形成される、請求項1に記載の層状構造。 - pチャネル電界効果トランジスタを形成するための層状構造であって、
単結晶基板と、
前記基板上にエピタキシャルに形成され、Ge比xが0.5〜0.8の範囲にある、緩和Si1−xGexの第1層と、
前記第1層上にエピタキシャルに形成されるドープSi1−xGexの第2層と、
前記第2層上にエピタキシャルに形成されるアンドープのSi1−xGexの第3層と、
前記第3層上にエピタキシャルに形成されるアンドープのSi1−xGexの第4層と、
前記第4層上にエピタキシャルに形成されるGeの第5層であって、それによって前記第5層は圧縮ひずみの下にあり、前記第1層に対するその臨界厚未満の厚さを有する第5層と、
前記第5層上にエピタキシャルに形成されるSi1−xGexの第6層と
を備える層状構造。 - Si1−xGexの前記第3層のGe含有量が、0.5〜0.8の範囲にあり、好ましくはa=x−0.20である含有量aであり、前記第3層が、前記第1層と前記第2層との界面での前記第1層に対するその臨界厚未満の厚さを有してつり合っており、
Si1−xGexの前記第4層のGe含有量が0.5〜0.8の範囲にあり、好ましくはb=x−0.25である含有量bであり、前記第4層が、前記第1層と前記第2層との界面での前記第1層に対するその臨界厚未満の厚さを有してつり合っている、請求項7に記載の層状構造。 - 前記第3層および前記第4層の2つの層構造を備える前記スペーサ領域を、スペーサ厚をそれに応じて変化させることを可能とする調節可能な厚さを有する緩和Si1−xGex層からなる単一層構造と置換することができ、それによってデバイス用途に対してサプライ・ドーズを0.4〜425Kの範囲の温度の関数として最適化することができる、請求項7に記載の層状構造。
- pチャネル電界効果トランジスタを形成するための層状構造であって、
単結晶基板と、
前記基板上にエピタキシャルに形成され、Ge比xが0.5〜0.8の範囲にある、緩和Si1−xGexの第1層と、
前記第1層上にエピタキシャルに形成されるGeの第2層であって、それによって前記第2層は圧縮ひずみの下にあり、前記第1層に対するその臨界厚未満の厚さを有する第2層と、
前記第2層上にエピタキシャルに形成されるアンドープのSi1−xGexの第3層と、
前記第3層上にエピタキシャルに形成されるアンドープのSi1−xGexの第4層と、
前記第4層上にエピタキシャルに形成されるアンドープのSi1−xGexの第5層と、
前記第5層上にエピタキシャルに形成されるpドープSi1−xGexの第6層と - Si1−xGexの前記第3層のGe含有量が、0.5〜0.8の範囲にあり、好ましくはc=x−0.10である含有量cであり、前記第3層が、前記第1層と前記第2層との界面での前記第1層に対するその臨界厚未満の厚さを有してつり合っており、
Si1−xGexの前記第4層のGe含有量が0.5〜0.8の範囲にあり、好ましくはb=x−0.25である含有量bであり、前記第4層が、前記第1層と前記第2層との界面での前記第1層に対するその臨界厚未満の厚さを有してつり合っており、
Si1−xGexの前記第5層のGe含有量が0.5〜0.8の範囲にあり、好ましくはa=x−0.20である含有量aであり、前記第5層が、前記第1層と前記第2層との界面での前記第1層に対するその臨界厚未満の厚さを有してつり合っている、請求項10に記載の層状構造。 - 前記第6層が、前記第2層のチャネル領域の上に形成されるpドープSi1−xGex層であり、前記第2層からSi1−xGexの前記第3層、Si1−xGexの前記第4層、およびSi1−xGexの前記第5層によって分離され、前記第6層が1〜20nmの範囲、好ましくは4〜5nmの範囲の厚さを有し、前記第6層が、1〜4×1012cm−2の範囲内の電気的に活性なドナー・ドーズを有する、請求項10に記載の層状構造。
- pチャネル電界効果トランジスタを形成するための層状構造であって、
単結晶基板と、
前記基板上にエピタキシャルに形成され、Ge比xが0.5〜0.8の範囲にある、緩和Si1−xGexの第1層と、
前記第1層上にエピタキシャルに形成されるGeの第2層であって、それによって前記第2層は圧縮ひずみの下にあり、前記第1層に対するその臨界厚未満の厚さを有する第2層と、
前記第2層上にエピタキシャルに形成されるアンドープのSi1−xGexの第3層と、
前記第3層上にエピタキシャルに形成されるアンドープのSi1−xGexの第4層と、
前記第4層上にエピタキシャルに形成されるpドープSi1−xGexの第5層と
を備える層状構造。 - Si1−xGexの前記第3層のGe含有量が、0.5〜0.8の範囲にあり、好ましくはc=x−0.10である含有量cであり、前記第3層が、前記第1層と前記第2層との界面での前記第1層に対するその臨界厚未満の厚さを有してつり合っており、
Si1−xGexの前記第4層のGe含有量が0.5〜0.8の範囲にあり、好ましくはb=x−0.25である含有量bであり、前記第4層が、前記第1層と前記第2層との界面での前記第1層に対するその臨界厚未満の厚さを有してつり合っている、請求項13に記載の層上構造。 - スペーサ領域が、緩和Si1−xGexの前記第3層、緩和Si1−xGexの前記第4層の2つの層構造を含む、請求項13に記載の層状構造。
- 2つの層構造を備える前記スペーサ領域を、スペーサ厚をそれに応じて変化させることを可能とする調節可能な厚さを有する緩和Si1−xGex層からなる単一層構造と置換することができ、それによってデバイス用途に対してサプライ・ドーズを0.4〜425Kの範囲の温度の関数として最適化することができる、請求項15に記載の層状構造。
- Si1−xGex層の前記第4層を、薄い、ひずんだ、相応のSi層で置換することができ、それによって薄いスペーサ厚を、室温のMODFETデバイス動作のために提供することができる、請求項15に記載の層状構造。
- Siの前記第4層が、引張ひずみの下にあり、前記第1層と前記第2層との界面での前記第1層に対するその臨界厚未満の厚さを有してつり合っている、請求項17に記載の層状構造。
- pチャネル電界効果トランジスタを形成するための層状構造であって、
単結晶基板と、
前記基板上にエピタキシャルに形成され、Ge比xが0.5〜0.8の範囲にある、緩和Si1−xGexの第1層と、
前記第1層上にエピタキシャルに形成されるドープSi1−xGexの第2層と、
前記第2層上にエピタキシャルに形成されるアンドープのSi1−xGexの第3層と、
前記第3層上にエピタキシャルに形成されるアンドープのSi1−xGexの第4層と、
前記第4層上にエピタキシャルに形成されるアンドープのSi1−xGexの第5層と、
前記第5層上にエピタキシャルに形成されるGeの第6層であって、それによって前記第6層は圧縮ひずみの下にあり、前記第1層に対するその臨界厚未満の厚さを有する第6層と、
前記第6層上にエピタキシャルに形成されるアンドープのSi1−xGexの第7層と、
前記第7層上にエピタキシャルに形成されるアンドープのSi1−xGexの第8層と、
前記第8層上にエピタキシャルに形成されるドープSi1−xGexの第9層とを備える層状構造。 - 第1スペーサ領域および第2スペーサ領域をさらに含み、それによって前記第1スペーサ領域が、緩和Si1−xGexの前記第3層と、緩和Si1−xGexの前記第4層と、緩和Si1−xGexの前記第5層の3層構造を含んでGeチャネル領域の下にあり、前記第2スペーサ領域が、緩和Si1−xGexの前記第7層と、緩和Si1−xGexの前記第8層の異なる2層構造を含んで前記第6層の活性Geチャネルの上にある、請求項19に記載の層状構造。
- Si1−xGexの前記第3層のGe含有量が、0.5〜0.8の範囲にあり、好ましくはa=x−0.20である含有量aであり、前記第3層が、前記第1層と前記第2層との界面での前記第1層に対するその臨界厚未満の厚さを有してつり合っており、
Si1−xGexの前記第4層のGe含有量が0.5〜0.8の範囲にあり、好ましくはb=x−0.25である含有量bであり、前記第4層が、前記第1層と前記第2層との界面での前記第1層に対するその臨界厚未満の厚さを有してつり合っており、
Si1−xGexの前記第5層のGe含有量が0.5〜0.8の範囲にあり、好ましくはc=x−0.10である含有量cであり、前記第5層が、前記第1層と前記第2層との界面での前記第1層に対するその臨界厚未満の厚さを有してつり合っており、
Si1−xGexの前記第7層のGe含有量が0.5〜0.8の範囲にあり、好ましくはc=x−0.10である含有量cであり、前記第7層が、前記第1層と前記第2層との界面での前記第1層に対するその臨界厚未満の厚さを有してつり合っており、
Si1−xGexの前記第8層のGe含有量が0.5〜0.8の範囲にあり、好ましくはb=x−0.25である含有量bであり、前記第8層が、前記第1層と前記第2層との界面での前記第1層に対するその臨界厚未満の厚さを有してつり合っている、請求項19に記載の層状構造。 - 3層構造を備える前記下側スペーサ領域を、スペーサ厚をそれに応じて変化させることを可能とする調節可能な厚さを有する緩和Si1−xGex層からなる単一層構造と置換することができ、それによってデバイス用途に対してサプライ・ドーズを0.4〜425Kの範囲の温度の関数として最適化することができ、
2層構造を備える前記上側スペーサ領域を、スペーサ厚をそれに応じて変化させることを可能とする調節可能な厚さを有する緩和Si1−xGex層からなる単一層構造と置換することができ、それによってデバイス用途に対してサプライ・ドーズを0.4〜425Kの範囲の温度の関数として最適化することができる、請求項20に記載の層状構造。 - 前記上側および下側のスペーサ領域の両方を、スペーサ厚をそれに応じて変化させることを可能とする調節可能な厚さを有する緩和Si1−xGex層からなる単一層構造と置換することができ、それによってデバイス用途に対してサプライ・ドーズを0.4〜425Kの範囲の温度の関数として最適化することができる、請求項20に記載の層状構造。
- 第1サプライ層および第2サプライ層をさらに含み、それによって前記第1サプライ層が、緩和Si1−xGexの前記第3層と、緩和Si1−xGexの前記第4層と、緩和Si1−xGexの前記第5層の3層構造を含む下側のスペーサ領域によって分離されて、Geチャネル領域の下にあり、前記第2サプライ層が、緩和Si1−xGexの前記第7層と、緩和Si1−xGexの前記第8層の異なる2層構造を含む上側のスペーサ領域によってさらに分離されて、前記第6層の活性Geチャネルの上にある、請求項19に記載の層状構造。
- 前記第2層が、前記第6層のチャネル領域の下に形成されるpドープSi1−xGex層であり、前記第6層から緩和Si1−xGexの前記第3層と、緩和Si1−xGexの前記第4層と、緩和Si1−xGexの前記第5層とによって分離され、前記第2層が、1〜20nmの範囲、好ましくは4〜5nmの範囲の厚さを有し、1〜4×1012cm−2の範囲内の電気的に活性なドナー・ドーズを有する、請求項19に記載の層状構造。
- 前記第9層が、前記第6層のチャネル領域の上に形成されるpドープSi1−xGex層であり、前記第6層からSi1−xGexの前記第7層、Si1−xGexの前記第8層によって分離され、前記第9層が、1〜20nmの範囲、好ましくは4〜5nmの範囲の厚さを有するべきであり、1〜4×1012cm−2の範囲内の電気的に活性なドナー・ドーズを有する、請求項19に記載の層状構造。
- pチャネル電界効果トランジスタを形成するための層状構造であって、
単結晶基板と、
前記基板上にエピタキシャルに形成され、Ge比xが0.5〜0.8の範囲にある、緩和Si1−xGexの第1層と、
前記第1層上にエピタキシャルに形成されるドープSi1−xGexの第2層と、
前記第2層上にエピタキシャルに形成されるアンドープのSi1−xGexの第3層と、
前記第3層上にエピタキシャルに形成されるアンドープのSi1−xGexの第4層と、
前記第4層上にエピタキシャルに形成されるGeの第5層であって、それによって前記第5層は圧縮ひずみの下にあり、前記第1層に対するその臨界厚未満の厚さを有する第5層と、
前記第5層上にエピタキシャルに形成されるアンドープのSi1−xGexの第6層と、
前記第6層上にエピタキシャルに形成されるアンドープのSi1−xGexの第7層と、
前記第7層上にエピタキシャルに形成されるドープSi1−xGexの第8層と
を備える層状構造。 - 電界効果トランジスタを形成するための層状構造であって、
単結晶基板と、
前記基板上にエピタキシャルに形成され、Ge比xが0.5〜0.8の範囲にある、緩和Si1−xGexの第1層と、
前記第1層上にエピタキシャルに形成されるGeの第2層であって、それによって第2層は圧縮ひずみの下にあり、前記第1層に対するその臨界厚未満の厚さを有する第2層と、
前記第2層上にエピタキシャルに形成されるアンドープのSi1−xGexの第3層と、
前記第3層上に形成される第1ショットキー・ゲート電極と、
前記第1ゲート電極の一方の側に形成され、位置する第1タイプの第1ソース領域と、
前記第1ゲート電極の他方の側に形成され、位置する第1タイプの第1ドレイン領域と
を備え、それによって第1電界効果トランジスタ構造が第1タイプで形成される、層状構造。 - 少なくとも前記第3層から前記第2層までを選択的に除去することによって作成される電気的分離領域と、
前記第3層上に形成され、前記第1電界効果トランジスタ構造から電気的に分離するように、前記電気的分離領域に対して位置決めされる、第2ショットキー・ゲート電極と、
前記第2ゲート電極の一方の側に形成され、位置する第2タイプの第2ソース領域と、
前記第2ゲート電極の他方の側に形成され、位置する第2タイプの第2ドレイン領域とをさらに含み、それによって第2電界効果トランジスタ構造が第2タイプで形成される、請求項28に記載の層状構造。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12429999P | 1999-03-12 | 1999-03-12 | |
US60/124,299 | 1999-03-12 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000604467A Division JP3974329B2 (ja) | 1999-03-12 | 2000-03-11 | Geチャネル電界効果トランジスタを形成するための層状構造 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007165867A true JP2007165867A (ja) | 2007-06-28 |
JP4912123B2 JP4912123B2 (ja) | 2012-04-11 |
Family
ID=22414018
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000604467A Expired - Lifetime JP3974329B2 (ja) | 1999-03-12 | 2000-03-11 | Geチャネル電界効果トランジスタを形成するための層状構造 |
JP2006311849A Expired - Lifetime JP4912123B2 (ja) | 1999-03-12 | 2006-11-17 | 電界効果トランジスタを形成するための層状構造 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000604467A Expired - Lifetime JP3974329B2 (ja) | 1999-03-12 | 2000-03-11 | Geチャネル電界効果トランジスタを形成するための層状構造 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP1169737B1 (ja) |
JP (2) | JP3974329B2 (ja) |
KR (1) | KR100441469B1 (ja) |
CN (1) | CN1331240C (ja) |
AT (1) | ATE394794T1 (ja) |
DE (1) | DE60038793D1 (ja) |
MY (1) | MY127672A (ja) |
TW (1) | TW477025B (ja) |
WO (1) | WO2000054338A1 (ja) |
Families Citing this family (50)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6489639B1 (en) | 2000-05-24 | 2002-12-03 | Raytheon Company | High electron mobility transistor |
AU2001263211A1 (en) | 2000-05-26 | 2001-12-11 | Amberwave Systems Corporation | Buried channel strained silicon fet using an ion implanted doped layer |
US6900103B2 (en) | 2001-03-02 | 2005-05-31 | Amberwave Systems Corporation | Relaxed silicon germanium platform for high speed CMOS electronics and high speed analog circuits |
WO2002071491A1 (en) * | 2001-03-02 | 2002-09-12 | Amberwave Systems Corporation | Relaxed silicon germanium platform for high speed cmos electronics and high speed analog circuits |
US6830976B2 (en) | 2001-03-02 | 2004-12-14 | Amberwave Systems Corproation | Relaxed silicon germanium platform for high speed CMOS electronics and high speed analog circuits |
US6593641B1 (en) | 2001-03-02 | 2003-07-15 | Amberwave Systems Corporation | Relaxed silicon germanium platform for high speed CMOS electronics and high speed analog circuits |
WO2002103760A2 (en) | 2001-06-14 | 2002-12-27 | Amberware Systems Corporation | Method of selective removal of sige alloys |
WO2002103801A1 (en) * | 2001-06-18 | 2002-12-27 | Massachusetts Institute Of Technology | Structures and methods for a high-speed semiconductor device |
EP1399974A1 (en) | 2001-06-21 | 2004-03-24 | Massachusetts Institute Of Technology | Mosfets with strained semiconductor layers |
WO2003015142A2 (en) | 2001-08-06 | 2003-02-20 | Massachusetts Institute Of Technology | Formation of planar strained layers |
US7138649B2 (en) | 2001-08-09 | 2006-11-21 | Amberwave Systems Corporation | Dual-channel CMOS transistors with differentially strained channels |
US6974735B2 (en) | 2001-08-09 | 2005-12-13 | Amberwave Systems Corporation | Dual layer Semiconductor Devices |
US6838728B2 (en) | 2001-08-09 | 2005-01-04 | Amberwave Systems Corporation | Buried-channel devices and substrates for fabrication of semiconductor-based devices |
EP1315199A1 (en) * | 2001-11-22 | 2003-05-28 | ETH Zürich | Formation of high-mobility silicon-germanium structures by low-energy plasma enhanced chemical vapor deposition |
US6649492B2 (en) | 2002-02-11 | 2003-11-18 | International Business Machines Corporation | Strained Si based layer made by UHV-CVD, and devices therein |
JP2003347229A (ja) | 2002-05-31 | 2003-12-05 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
AU2003238963A1 (en) | 2002-06-07 | 2003-12-22 | Amberwave Systems Corporation | Semiconductor devices having strained dual channel layers |
US6841457B2 (en) * | 2002-07-16 | 2005-01-11 | International Business Machines Corporation | Use of hydrogen implantation to improve material properties of silicon-germanium-on-insulator material made by thermal diffusion |
EP1530800B1 (en) * | 2002-08-23 | 2016-12-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor heterostructures having reduced dislocation pile-ups and related methods |
EP1604395A2 (en) * | 2003-03-13 | 2005-12-14 | ASM America, Inc. | Epitaxial semiconductor deposition methods and structures |
US7682947B2 (en) | 2003-03-13 | 2010-03-23 | Asm America, Inc. | Epitaxial semiconductor deposition methods and structures |
US6855963B1 (en) * | 2003-08-29 | 2005-02-15 | International Business Machines Corporation | Ultra high-speed Si/SiGe modulation-doped field effect transistors on ultra thin SOI/SGOI substrate |
US7303949B2 (en) | 2003-10-20 | 2007-12-04 | International Business Machines Corporation | High performance stress-enhanced MOSFETs using Si:C and SiGe epitaxial source/drain and method of manufacture |
FR2868202B1 (fr) * | 2004-03-25 | 2006-05-26 | Commissariat Energie Atomique | Procede de preparation d'une couche de dioxyde de silicium par oxydation a haute temperature sur un substrat presentant au moins en surface du germanium ou un alliage sicicium- germanium. |
US20060011906A1 (en) * | 2004-07-14 | 2006-01-19 | International Business Machines Corporation | Ion implantation for suppression of defects in annealed SiGe layers |
KR101131418B1 (ko) | 2004-12-07 | 2012-04-03 | 주성엔지니어링(주) | 반도체 소자 및 이의 제조 방법 |
US7785995B2 (en) * | 2006-05-09 | 2010-08-31 | Asm America, Inc. | Semiconductor buffer structures |
JP4696037B2 (ja) * | 2006-09-01 | 2011-06-08 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
US7897480B2 (en) | 2007-04-23 | 2011-03-01 | International Business Machines Corporation | Preparation of high quality strained-semiconductor directly-on-insulator substrates |
JP2010219249A (ja) * | 2009-03-16 | 2010-09-30 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
KR101087939B1 (ko) | 2009-06-17 | 2011-11-28 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
US8283653B2 (en) | 2009-12-23 | 2012-10-09 | Intel Corporation | Non-planar germanium quantum well devices |
CN102194859B (zh) * | 2010-03-05 | 2013-05-01 | 中国科学院微电子研究所 | 高迁移率ⅲ-ⅴ族半导体mos界面结构 |
CN101859796B (zh) * | 2010-05-20 | 2012-11-14 | 清华大学 | 具有原位掺杂源漏的mos管结构及其形成方法 |
US9608055B2 (en) | 2011-12-23 | 2017-03-28 | Intel Corporation | Semiconductor device having germanium active layer with underlying diffusion barrier layer |
US9127345B2 (en) | 2012-03-06 | 2015-09-08 | Asm America, Inc. | Methods for depositing an epitaxial silicon germanium layer having a germanium to silicon ratio greater than 1:1 using silylgermane and a diluent |
CN103594506B (zh) * | 2012-08-16 | 2017-03-08 | 中国科学院微电子研究所 | 半导体器件 |
US9171715B2 (en) | 2012-09-05 | 2015-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of GeO2 |
JP6004429B2 (ja) * | 2012-09-10 | 2016-10-05 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 単結晶SiGe層の製造方法及びそれを用いた太陽電池 |
US8710490B2 (en) * | 2012-09-27 | 2014-04-29 | Intel Corporation | Semiconductor device having germanium active layer with underlying parasitic leakage barrier layer |
US8748940B1 (en) | 2012-12-17 | 2014-06-10 | Intel Corporation | Semiconductor devices with germanium-rich active layers and doped transition layers |
GB2544190B (en) * | 2012-12-17 | 2017-10-18 | Intel Corp | Semicoductor devices with germanium-rich active layers & doped transition layers |
US9136343B2 (en) | 2013-01-24 | 2015-09-15 | Intel Corporation | Deep gate-all-around semiconductor device having germanium or group III-V active layer |
US9218963B2 (en) | 2013-12-19 | 2015-12-22 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclical deposition of germanium |
JP6378928B2 (ja) * | 2014-05-15 | 2018-08-22 | 富士通株式会社 | Ge系半導体装置、その製造方法及び光インターコネクトシステム |
CN104992930A (zh) * | 2015-07-07 | 2015-10-21 | 西安电子科技大学 | 应变Ge CMOS集成器件的制备方法及其CMOS集成器件 |
CN105244320A (zh) * | 2015-08-28 | 2016-01-13 | 西安电子科技大学 | 基于SOI的应变Ge沟道倒梯形栅CMOS集成器件及制备方法 |
CN105118809A (zh) * | 2015-08-28 | 2015-12-02 | 西安电子科技大学 | 应变Ge槽型栅CMOS集成器件制备方法及其CMOS集成器件 |
US10685884B2 (en) | 2017-07-31 | 2020-06-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device including a Fin-FET and method of manufacturing the same |
CN113517348B (zh) * | 2021-06-28 | 2023-08-04 | 西安电子科技大学芜湖研究院 | 一种直接带隙GeSn增强型nMOS器件及其制备方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02196436A (ja) * | 1989-01-25 | 1990-08-03 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JPH0316230A (ja) * | 1989-06-14 | 1991-01-24 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JPH03187269A (ja) * | 1989-12-18 | 1991-08-15 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JPH05121450A (ja) * | 1991-06-13 | 1993-05-18 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JPH08162414A (ja) * | 1994-12-05 | 1996-06-21 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
EP0940854A2 (en) * | 1998-03-02 | 1999-09-08 | International Business Machines Corporation | Si/SiGe optoelectronic integrated circuits |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0323896B1 (en) * | 1988-01-07 | 1996-04-17 | Fujitsu Limited | Complementary semiconductor device |
US5241197A (en) * | 1989-01-25 | 1993-08-31 | Hitachi, Ltd. | Transistor provided with strained germanium layer |
-
2000
- 2000-03-11 AT AT00914903T patent/ATE394794T1/de not_active IP Right Cessation
- 2000-03-11 MY MYPI20000966A patent/MY127672A/en unknown
- 2000-03-11 CN CNB008049513A patent/CN1331240C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2000-03-11 WO PCT/US2000/006258 patent/WO2000054338A1/en active IP Right Grant
- 2000-03-11 JP JP2000604467A patent/JP3974329B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2000-03-11 DE DE60038793T patent/DE60038793D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-03-11 KR KR10-2001-7011492A patent/KR100441469B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-03-11 EP EP00914903A patent/EP1169737B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-06-14 TW TW089104661A patent/TW477025B/zh not_active IP Right Cessation
-
2006
- 2006-11-17 JP JP2006311849A patent/JP4912123B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02196436A (ja) * | 1989-01-25 | 1990-08-03 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JPH0316230A (ja) * | 1989-06-14 | 1991-01-24 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JPH03187269A (ja) * | 1989-12-18 | 1991-08-15 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JPH05121450A (ja) * | 1991-06-13 | 1993-05-18 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JPH08162414A (ja) * | 1994-12-05 | 1996-06-21 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
EP0940854A2 (en) * | 1998-03-02 | 1999-09-08 | International Business Machines Corporation | Si/SiGe optoelectronic integrated circuits |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002539613A (ja) | 2002-11-19 |
EP1169737A1 (en) | 2002-01-09 |
JP3974329B2 (ja) | 2007-09-12 |
KR20010102557A (ko) | 2001-11-15 |
KR100441469B1 (ko) | 2004-07-23 |
WO2000054338A1 (en) | 2000-09-14 |
CN1331240C (zh) | 2007-08-08 |
MY127672A (en) | 2006-12-29 |
CN1343374A (zh) | 2002-04-03 |
DE60038793D1 (de) | 2008-06-19 |
EP1169737B1 (en) | 2008-05-07 |
ATE394794T1 (de) | 2008-05-15 |
TW477025B (en) | 2002-02-21 |
JP4912123B2 (ja) | 2012-04-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4912123B2 (ja) | 電界効果トランジスタを形成するための層状構造 | |
US7608496B2 (en) | High speed GE channel heterostructures for field effect devices | |
US7084431B2 (en) | High speed composite p-channel Si/SiGe heterostructure for field effect devices | |
Maiti et al. | Strained-Si heterostructure field effect transistors | |
US8304810B2 (en) | Semiconductor device and semiconductor substrate having selectively etched portions filled with silicon germanium | |
KR101131308B1 (ko) | 양자 우물 채널을 갖는 비평면 트랜지스터의 형성 | |
JP4678877B2 (ja) | Si:C−OIおよびSGOI上のシリコン・デバイスならびに製造方法 | |
Whall et al. | SiGe heterostructures for FET applications | |
US7393735B2 (en) | Structure for and method of fabricating a high-mobility field-effect transistor | |
US20050233552A1 (en) | Strained channel on insulator device | |
US20060151787A1 (en) | LOW CONCENTRATION SiGe BUFFER DURING STRAINED Si GROWTH OF SSGOI MATERIAL FOR DOPANT DIFFUSION CONTROL AND DEFECT REDUCTION | |
JPH07321222A (ja) | ひずみSi/SiGeヘテロ構造層を使用するCMOSトランジスタ論理回路 | |
US20070252216A1 (en) | Semiconductor device and a method of manufacturing such a semiconductor device | |
Olsen et al. | Study of single-and dual-channel designs for high-performance strained-Si-SiGe n-MOSFETs | |
JP3618319B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
Hackbarth et al. | Strain relieved SiGe buffers for Si-based heterostructure field-effect transistors | |
JPH1056076A (ja) | nチャネルとpチャネルの両MODFETの作製が可能な半導体ヘテロ構造およびCMODFET回路の製造方法 | |
Herzog et al. | Si/SiGe n-MODFETs on thin SiGe virtual substrates prepared by means of He implantation | |
Murakami et al. | Ultra high hole mobility in strain-controlled Si-Ge modulation-doped FET |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101221 |
|
RD12 | Notification of acceptance of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7432 Effective date: 20110112 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20110112 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110316 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110621 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110912 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111227 |
|
RD14 | Notification of resignation of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7434 Effective date: 20111227 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120117 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4912123 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150127 Year of fee payment: 3 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |