JP2007134714A - 高い強度をもつパワーigbt - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1の伝導型のエミッタ区域11およびエミッタ区域11に隣接する第2の伝導型のドリフト区域12を有する半導体基板と、多数のトランジスタセルを有するセルアレイとを備える。トランジスタセルは、それぞれ、ソース区域15と、ソース区域15と上記ドリフト区域12との間に配置されるボディ区域14と、ソース区域15およびボディ区域14から絶縁して配置されるゲート電極16とを有する。ソース区域15およびボディ区域14は短絡されている。エミッタ区域11のエミッタ効率を、第1のセルアレイ部分101の領域内よりも第2のセルアレイ部分102の領域内において低くするため、セルアレイは、第1のセル密度を有する第1のセルアレイ部分101と、第1のセル密度より低い第2のセル密度を有する第2のセルアレイ部分102とする。
【選択図】図2
Description
本発明は、パワーIGBTに関する。
パワーIGBTは、例えば、Stengl, Tihanyi: "Leistungs-MOS-FET-Praxis" (Power MOS-FET practice), Pflaum出版社, Munich, 1992, pages 101-104、あるいはBaliga: "Power Semiconductor Devices," PWS Publishing, 1995, pages 428-431に記載されている。
12 ドリフト区域
13 トランジスタセル
14 ボディ区域
15 ソース区域
16 ゲート電極
17 ゲート絶縁層
18 端子電極、ソース電極
19、20 絶縁層
22 ゲートリード
23 絶縁層
24 ゲートパッド
25 フィールドストップ区域
100 半導体基板
111、112 エミッタ部分
121、122 ドリフト区域部分
131〜133 改変トランジスタセル
141〜143 第1の伝導型の半導体区域
151 ソース区域
161 ゲート電極の凹み
162 ゲート電極の部分
181 端子電極の接点部分
231 凹み
251、252 フィールドストップ区域部分
Claims (32)
- 半導体基板と、セルアレイとを備えるパワーIGBTであって、
上記半導体基板は、第1の伝導型のエミッタ区域と、該エミッタ区域に隣接する第2の伝導型のドリフト区域と、を有し、
上記セルアレイは、多数のトランジスタセルを備え、
上記多数のトランジスタセルは、それぞれ、ソース区域と、該ソース区域と上記ドリフト区域との間に配置されるボディ区域と、上記ソース区域および上記ボディ区域から絶縁されるように配置されるゲート電極と、を有し、
上記ソース区域と上記ボディ区域とは短絡されており、
かつ、上記セルアレイは、第1のセル密度を有する第1のセルアレイ部分と、該第1のセル密度より低い第2のセル密度を有する第2のセルアレイ部分と、を有し、
上記エミッタ区域のエミッタ効率は、上記第1のセルアレイ部分の領域よりも上記第2のセルアレイ部分の領域において低い、パワーIGBT。 - 上記エミッタ区域は、上記第1のセルアレイ部分の領域内に第1のエミッタ部分を有し、かつ、上記第2のセルアレイ部分の領域内に第2のエミッタ部分を有し、
上記第2のエミッタ部分の上記第1の伝導型のドーパント原子の有効ドーピング濃度は、上記第1のエミッタ部分の有効ドーピング濃度より低い、請求項1に記載のパワーIGBT。 - 上記第2のエミッタ部分内に結晶欠陥が存在することによって、上記第1のエミッタ部分の上記有効ドーピング濃度と比較して、上記第2のエミッタ部分の上記有効ドーピング濃度が低下している、請求項2に記載のパワーIGBT。
- 上記エミッタ区域のエミッタ効率がより低下した領域が、上記第1のセルアレイ部分にまで達する、請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載のパワーIGBT。
- 上記第1のセルアレイ部分にまで延びる上記エミッタ効率が低下した領域の寸法が、自由荷電キャリアの拡散距離の0.1〜2倍である、請求項4に記載のパワーIGBT。
- 上記第2の部分が、上記第2の伝導型のドーパント原子によってドープされている、請求項1に記載のパワーIGBT。
- 上記第2の部分の上記第2の伝導型のドーパント原子のドーピング濃度が、上記ドリフト区域の上記ドーピング濃度と一致する、請求項6に記載のパワーIGBT。
- 上記ドリフト区域内の上記エミッタ側で、上記セルアレイの上記ボディ区域と上記エミッタ区域との間に、上記第2の伝導型のフィールドストップ区域が配置され、
上記フィールドストップ区域は、上記ドリフト区域よりも高濃度にドープされている、請求項1〜請求項7のいずれか1項に記載のパワーIGBT。 - 上記フィールドストップ区域は、上記第1のセルアレイ部分の領域内に、第1のストップ区域部分を有し、かつ、上記第2のセルアレイ部分の領域内に、第2のストップ区域部分を有し、
上記第2のストップ区域部分は、上記第1のストップ区域部分よりもドーピング濃度が高い、請求項8に記載のパワーIGBT。 - 上記第2のストップ区域部分が、上記第1のセルアレイ部分にまで達する、請求項9に記載のパワーIGBT。
- 上記第1のセルアレイ部分にまで延びる上記第2のストップ区域部分の寸法が、自由荷電キャリアの拡散距離の0.1〜2倍である、請求項10に記載のパワーIGBT。
- 上記ドリフト区域は、上記第1のセルアレイ部分の領域内に、第1のドリフト区域部分を有し、かつ、上記第2のセルアレイ部分の領域内に、第2のドリフト区域部分を有し、
上記第1の伝導型の自由荷電キャリアの荷電キャリアの荷電キャリア寿命は、上記第1のドリフト区域部分よりも上記第2のドリフト区域部分内の少なくとも一部分において短い、請求項1〜請求項11のいずれか1項に記載のパワーIGBT。 - 上記第2のドリフト区域部分が、上記第1のセルアレイ部分にまで達する、請求項12に記載のパワーIGBT。
- 上記第1のセルアレイ部分にまで延びる上記第2のドリフト区域部分の寸法が、自由荷電キャリアの拡散距離の0.1〜2倍である、請求項13に記載のパワーIGBT。
- 上記第2のドリフト区域部分内の結晶格子欠陥によって、上記第1のドリフト区域部分内と比較して、上記第2のドリフト区域部分内における上記荷電キャリア寿命が短縮されている、請求項12〜請求項14のいずれか1項に記載のパワーIGBT。
- 上記第2のドリフト区域部分内の重金属原子によって、上記第1のドリフト区域部分内と比較して、上記第2のドリフト区域部分内における上記荷電キャリア寿命が短縮されている、請求項12〜請求項14のいずれか1項に記載のパワーIGBT。
- 上記第2のセルアレイ部分内にトランジスタセルが存在しない、請求項1〜請求項16のいずれか1項に記載のパワーIGBT。
- 上記ドリフト区域に対して相補的にドープされた半導体区域が、上記エミッタ区域から離れて対向する上記ドリフト区域側の領域内の、上記第2のセルアレイ部分内に配置される、請求項17に記載のパワーIGBT。
- 上記相補的にドープされた半導体区域は、フローティングするように配置される、請求項18に記載のパワーIGBT。
- 上記相補的にドープされた半導体区域は、上記ボディ区域に接続される、請求項18に記載のパワーIGBT。
- 上記第1のセルアレイ部分と上記第2のセルアレイ部分との間の遷移領域内に、少なくとも1つのトランジスタセルが、上記第2のセルアレイ部分から上記第1のセルアレイ部分への方向に向かって、備えられ、
該少なくとも1つのトランジスタセルのソース区域の寸法は、上記第1のセルアレイ部分の別の領域内にあるトランジスタセルのソース区域の寸法より小さい、請求項1〜請求項20のいずれか1項に記載のパワーIGBT。 - 上記第1のセルアレイ部分と上記第2のセルアレイ部分との間の遷移領域内に、少なくとも1つのトランジスタセルが、上記第2のセルアレイ部分から上記第1のセルアレイ部分への方向に向かって、備えられ、
上記少なくとも1つのトランジスタセルは、上記ボディ区域の別の部分と比較してドーピング濃度が高い部分を有し、上記ソース区域に隣接するボディ区域を有する、
請求項1〜請求項21のいずれか1項に記載のパワーIGBT。 - 上記第1のセルアレイ部分と上記第2のセルアレイ部分との間の遷移領域内に、ソース区域を持たない、少なくとも1つの改変トランジスタセルが、上記第2のセルアレイ部分から上記第1のセルアレイ部分への方向に向かって、備えられる、請求項1〜請求項22のいずれか1項に記載のパワーIGBT。
- 半導体基板と、セルアレイとを備えるパワーIGBTであって、
上記半導体基板は、第1の伝導型のエミッタ区域と、該エミッタ区域に隣接する第2の伝導型のドリフト区域と、を有し、
上記セルアレイは、多数のトランジスタセルを備え、
上記多数のトランジスタセルは、それぞれ、ソース区域と、該ソース区域と上記ドリフト区域との間に配置されるボディ区域と、上記ソース区域および上記ボディ区域から絶縁されるように配置されるゲート電極と、を有し、
上記ソース区域と上記ボディ区域とは短絡されており、
かつ、上記セルアレイは、第1のセル密度を有する第1のセルアレイ部分と、当該第1のセル密度より低い第2のセル密度を有する第2のセルアレイ部分と、を有し、
上記セルアレイの上記ボディ区域と上記エミッタ区域との間の上記ドリフト区域内に、上記第2の伝導型のフィールドストップ区域が配置され、
上記フィールドストップ区域は、上記ドリフト区域より高濃度にドープされており、上記第1のセルアレイ部分の領域内に第1のストップ区域部分を有し、上記第2のセルアレイ部分の領域内に第2のストップ区域部分を有し、
上記第2のストップ区域部分は、上記第1のストップ区域部分よりもドーピング濃度が高い、パワーIGBT。 - 上記第2のストップ区域部分は、上記第1のセルアレイ部分にまで達する、請求項24に記載のパワーIGBT。
- 上記第1のセルアレイ部分にまで延びる上記第2のストップ区域部分の寸法は、自由荷電キャリアの拡散距離の0.1〜2倍である、請求項25に記載のパワーIGBT。
- 半導体基板と、セルアレイとを備えるパワーIGBTであって、
上記半導体基板は、第1の伝導型のエミッタ区域と、該エミッタ区域に隣接する第2の伝導型のドリフト区域と、を有し、
上記セルアレイは、多数のトランジスタセルを備え、
上記多数のトランジスタセルは、それぞれ、ソース区域と、該ソース区域と上記ドリフト区域との間に配置されるボディ区域と、上記ソース区域および上記ボディ区域から絶縁されるように配置されるゲート電極と、を有し、
上記ソース区域と上記ボディ区域とは短絡されており、
かつ、上記セルアレイは、第1のセル密度を有する第1のセルアレイ部分と、該第1のセル密度より低い第2のセル密度を有する第2のセルアレイ部分と、を有し、
上記ドリフト区域は、上記第1のセルアレイ部分の領域内に第1のドリフト区域部分を有し、上記第2のセルアレイ部分の領域内に第2のドリフト区域部分を有し、
上記第1の伝導型の自由荷電キャリアの荷電キャリア寿命は、上記第1のドリフト区域部分内においてもよりも、上記第2のドリフト区域部分内の少なくとも一部分において短い、パワーIGBT。 - 上記第2のドリフト区域部分は、上記第1のセルアレイ部分にまで達する、請求項27に記載のパワーIGBT。
- 上記第1のセルアレイ部分にまで延びる上記第2のドリフト区域部分の寸法は、自由荷電キャリアの拡散距離の0.1〜2倍である、請求項28に記載のパワーIGBT。
- 半導体基板と、セルアレイとを備えるパワーIGBTであって、
上記半導体基板は、第1の伝導型のエミッタ区域と、該エミッタ区域に隣接する第2の伝導型のドリフト区域と、を有し、
上記セルアレイは、多数のトランジスタセルを備え、
上記多数のトランジスタセルは、それぞれ、ソース区域と、該ソース区域と上記ドリフト区域との間に配置されるボディ区域と、上記ソース区域および上記ボディ区域から絶縁されるように配置されるゲート電極と、を有し、
上記ソース区域と上記ボディ区域とは短絡されており、
かつ、上記セルアレイは、第1のセル密度を有する第1のセルアレイ部分と、当該第1のセル密度より低い第2のセル密度を有する第2のセルアレイ部分と、を有し、
上記第1のセルアレイ部分と上記第2のセルアレイ部分との間の遷移領域内に、少なくとも1つのトランジスタセルが、上記第2のセルアレイ部分から上記第1のセルアレイ部分への方向に向かって、備えられ、
上記少なくとも1つのトランジスタセルの上記ソース区域の寸法が、上記第1のセルアレイ部分の別の領域内にあるトランジスタセルの上記ソース区域より小さい、パワーIGBT。 - 半導体基板と、セルアレイとを備えるパワーIGBTであって、
上記半導体基板は、第1の伝導型のエミッタ区域と、該エミッタ区域に隣接する第2の伝導型のドリフト区域と、を有し、
上記セルアレイは、多数のトランジスタセルを備え、
上記多数のトランジスタセルは、それぞれ、ソース区域と、該ソース区域と上記ドリフト区域との間に配置されるボディ区域と、上記ソース区域および上記ボディ区域から絶縁されるように配置されるゲート電極と、を有し、
かつ、上記セルアレイは、第1のセル密度を有する第1のセルアレイ部分と、該第1のセル密度より低い第2のセル密度を有する第2のセルアレイ部分と、を有し、
上記第1のセルアレイ部分と上記第2のセルアレイ部分との間の遷移領域内に、少なくとも1つのトランジスタセルが上記第2のセルアレイ部分から上記第1のセルアレイ部分への方向に向かって、備えられ、
上記少なくとも1つのトランジスタセルは、上記ボディ区域の別の部分と比較してドーピング濃度が高い部分を有し、上記ソース区域に隣接するボディ区域を有する、パワーIGBT。 - 上記第1のセルアレイ部分と上記第2のセルアレイ部分との間の遷移領域内に、ソース区域を持たない、少なくとも1つの改変トランジスタセルが、上記第2のセルアレイ部分から上記第1のセルアレイ部分への方向に向かって、備えられる、請求項31に記載のパワーIGBT。
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Cited By (10)
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JP2009021285A (ja) * | 2007-07-10 | 2009-01-29 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体装置とその製造方法 |
JP2009194330A (ja) * | 2008-02-18 | 2009-08-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2010087510A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Infineon Technologies Austria Ag | ロバスト半導体デバイス |
JP2015156489A (ja) * | 2014-02-20 | 2015-08-27 | インフィネオン テクノロジーズ アーゲーInfineon Technologies Ag | 後側の電極に直接隣接するゾーンを有する半導体素子およびrc−igbt |
JP2016066701A (ja) * | 2014-09-25 | 2016-04-28 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置およびそれを用いた電力変換装置 |
JP2016162948A (ja) * | 2015-03-04 | 2016-09-05 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
US10418441B2 (en) | 2013-12-16 | 2019-09-17 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device |
JP2020182009A (ja) * | 2020-08-12 | 2020-11-05 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US10886389B2 (en) | 2017-02-24 | 2021-01-05 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
WO2024057654A1 (ja) * | 2022-09-14 | 2024-03-21 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7880200B2 (en) * | 2007-09-28 | 2011-02-01 | Infineon Technologies Austria Ag | Semiconductor device including a free wheeling diode |
JP5324157B2 (ja) * | 2008-08-04 | 2013-10-23 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP5844956B2 (ja) * | 2009-03-05 | 2016-01-20 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
JP2011049393A (ja) * | 2009-08-27 | 2011-03-10 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP5149922B2 (ja) * | 2010-02-23 | 2013-02-20 | 富士電機株式会社 | 半導体素子 |
JP5925991B2 (ja) | 2010-05-26 | 2016-05-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP5361808B2 (ja) | 2010-06-23 | 2013-12-04 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
DE102010039258B4 (de) * | 2010-08-12 | 2018-03-15 | Infineon Technologies Austria Ag | Transistorbauelement mit reduziertem Kurzschlussstrom |
WO2012036247A1 (ja) * | 2010-09-17 | 2012-03-22 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JP2012256628A (ja) * | 2011-06-07 | 2012-12-27 | Renesas Electronics Corp | Igbtおよびダイオード |
US9184255B2 (en) * | 2011-09-30 | 2015-11-10 | Infineon Technologies Austria Ag | Diode with controllable breakdown voltage |
US9018674B2 (en) * | 2012-04-06 | 2015-04-28 | Infineon Technologies Ag | Reverse conducting insulated gate bipolar transistor |
US9385196B2 (en) | 2012-09-12 | 2016-07-05 | Texas Instruments Incorporated | Fast switching IGBT with embedded emitter shorting contacts and method for making same |
US9147727B2 (en) * | 2013-09-30 | 2015-09-29 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor device and method for forming a semiconductor device |
WO2016113841A1 (ja) | 2015-01-13 | 2016-07-21 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、その製造方法および半導体モジュール |
DE102015111213B4 (de) * | 2015-07-10 | 2023-05-04 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Verringern einer bipolaren Degradation bei einem SiC-Halbleiterbauelement und Halbleiterbauelement |
US9768285B1 (en) * | 2016-03-16 | 2017-09-19 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor device and method of manufacture |
JP6844228B2 (ja) * | 2016-12-02 | 2021-03-17 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP6950185B2 (ja) * | 2017-01-12 | 2021-10-13 | 三菱電機株式会社 | 高電子移動度トランジスタの製造方法、高電子移動度トランジスタ |
DE102018132236B4 (de) | 2018-12-14 | 2023-04-27 | Infineon Technologies Ag | Leistungshalbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6115370A (ja) * | 1984-06-30 | 1986-01-23 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JPS63104481A (ja) * | 1986-10-22 | 1988-05-09 | Fuji Electric Co Ltd | 伝導度変調型たて型mosfet |
JPS63104480A (ja) * | 1986-10-22 | 1988-05-09 | Fuji Electric Co Ltd | 伝導度変調型たて型mosfet |
JPH01125979A (ja) * | 1987-11-11 | 1989-05-18 | Mitsubishi Electric Corp | 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ |
JPH05114736A (ja) * | 1991-10-24 | 1993-05-07 | Fuji Electric Co Ltd | 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ |
JPH0621358A (ja) * | 1992-07-02 | 1994-01-28 | Nippondenso Co Ltd | 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ |
JPH07176741A (ja) * | 1993-12-20 | 1995-07-14 | Nippon Inter Electronics Corp | 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ |
JPH08340103A (ja) * | 1995-04-11 | 1996-12-24 | Toshiba Corp | 電力用半導体装置 |
JPH11274516A (ja) * | 1998-03-18 | 1999-10-08 | Toshiba Corp | 電力用半導体装置 |
JP2004247593A (ja) * | 2003-02-14 | 2004-09-02 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2005136092A (ja) * | 2003-10-29 | 2005-05-26 | Honda Motor Co Ltd | 半導体装置とその製造方法 |
JP2005537657A (ja) * | 2002-08-30 | 2005-12-08 | オクメティック オーワイジェー | 低不純物炭化ケイ素ウェーハとそのハイパワーデバイスにおける使用 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2987040B2 (ja) * | 1993-11-05 | 1999-12-06 | 三菱電機株式会社 | 絶縁ゲート型半導体装置 |
US6710405B2 (en) * | 2001-01-17 | 2004-03-23 | Ixys Corporation | Non-uniform power semiconductor device |
GB0113143D0 (en) * | 2001-05-29 | 2001-07-25 | Koninl Philips Electronics Nv | Manufacture of trench-gate semiconductor devices |
JP4140232B2 (ja) * | 2001-12-07 | 2008-08-27 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
DE10250575B4 (de) * | 2002-10-30 | 2010-04-15 | Infineon Technologies Ag | IGBT mit monolithisch integrierter antiparalleler Diode |
DE10324100B4 (de) * | 2003-05-27 | 2008-09-25 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung eines robusten Halbleiterbauelements |
DE10330571B8 (de) * | 2003-07-07 | 2007-03-08 | Infineon Technologies Ag | Vertikale Leistungshalbleiterbauelemente mit Injektionsdämpfungsmittel im Rand bereich und Herstellungsverfahren dafür |
DE10360574B4 (de) * | 2003-12-22 | 2008-11-27 | Infineon Technologies Ag | Leistungshalbleiterbauelement mit sanftem Abschaltverhalten |
-
2005
- 2005-11-09 DE DE102005053487A patent/DE102005053487B4/de active Active
-
2006
- 2006-11-08 JP JP2006302653A patent/JP2007134714A/ja active Pending
- 2006-11-09 US US11/598,243 patent/US7470952B2/en active Active
-
2012
- 2012-04-20 JP JP2012097022A patent/JP5726126B2/ja active Active
- 2012-04-20 JP JP2012097021A patent/JP2012182470A/ja active Pending
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6115370A (ja) * | 1984-06-30 | 1986-01-23 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JPS63104481A (ja) * | 1986-10-22 | 1988-05-09 | Fuji Electric Co Ltd | 伝導度変調型たて型mosfet |
JPS63104480A (ja) * | 1986-10-22 | 1988-05-09 | Fuji Electric Co Ltd | 伝導度変調型たて型mosfet |
JPH01125979A (ja) * | 1987-11-11 | 1989-05-18 | Mitsubishi Electric Corp | 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ |
JPH05114736A (ja) * | 1991-10-24 | 1993-05-07 | Fuji Electric Co Ltd | 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ |
JPH0621358A (ja) * | 1992-07-02 | 1994-01-28 | Nippondenso Co Ltd | 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ |
JPH07176741A (ja) * | 1993-12-20 | 1995-07-14 | Nippon Inter Electronics Corp | 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ |
JPH08340103A (ja) * | 1995-04-11 | 1996-12-24 | Toshiba Corp | 電力用半導体装置 |
JPH11274516A (ja) * | 1998-03-18 | 1999-10-08 | Toshiba Corp | 電力用半導体装置 |
JP2005537657A (ja) * | 2002-08-30 | 2005-12-08 | オクメティック オーワイジェー | 低不純物炭化ケイ素ウェーハとそのハイパワーデバイスにおける使用 |
JP2004247593A (ja) * | 2003-02-14 | 2004-09-02 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2005136092A (ja) * | 2003-10-29 | 2005-05-26 | Honda Motor Co Ltd | 半導体装置とその製造方法 |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009021285A (ja) * | 2007-07-10 | 2009-01-29 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体装置とその製造方法 |
US8742474B2 (en) | 2007-07-10 | 2014-06-03 | Mitsubishi Electric Corporation | Power semiconductor device having an active region and an electric field reduction region |
JP2009194330A (ja) * | 2008-02-18 | 2009-08-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2010087510A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Infineon Technologies Austria Ag | ロバスト半導体デバイス |
JP2014160841A (ja) * | 2008-09-30 | 2014-09-04 | Infineon Technologies Austria Ag | 半導体素子構造を製造する方法 |
US8828810B2 (en) | 2008-09-30 | 2014-09-09 | Infineon Technologies Austria Ag | Method of producing a semiconductor including two differently doped semiconductor zones |
US10418441B2 (en) | 2013-12-16 | 2019-09-17 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device |
JP2015156489A (ja) * | 2014-02-20 | 2015-08-27 | インフィネオン テクノロジーズ アーゲーInfineon Technologies Ag | 後側の電極に直接隣接するゾーンを有する半導体素子およびrc−igbt |
JP2016066701A (ja) * | 2014-09-25 | 2016-04-28 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置およびそれを用いた電力変換装置 |
JP2016162948A (ja) * | 2015-03-04 | 2016-09-05 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
US10886389B2 (en) | 2017-02-24 | 2021-01-05 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2020182009A (ja) * | 2020-08-12 | 2020-11-05 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
WO2024057654A1 (ja) * | 2022-09-14 | 2024-03-21 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012182470A (ja) | 2012-09-20 |
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US7470952B2 (en) | 2008-12-30 |
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JP2012178583A (ja) | 2012-09-13 |
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