JP2007063549A - エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents

エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2007063549A
JP2007063549A JP2006212280A JP2006212280A JP2007063549A JP 2007063549 A JP2007063549 A JP 2007063549A JP 2006212280 A JP2006212280 A JP 2006212280A JP 2006212280 A JP2006212280 A JP 2006212280A JP 2007063549 A JP2007063549 A JP 2007063549A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
epoxy resin
resin composition
mass
parts
ion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2006212280A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5124808B2 (ja
Inventor
Takayuki Aoki
貴之 青木
Toshio Shiobara
利夫 塩原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Chemical Co Ltd filed Critical Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority to JP2006212280A priority Critical patent/JP5124808B2/ja
Publication of JP2007063549A publication Critical patent/JP2007063549A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5124808B2 publication Critical patent/JP5124808B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C08G59/62—Alcohols or phenols
    • C08G59/621—Phenols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/54—Silicon-containing compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)

Abstract

【課題】半導体装置を封止した際に、銅配線の腐食、マイグレーションやアルミニウムと金の接合部における金属間化合物の生成を抑制した硬化物を与える信頼性に優れるエポキシ樹脂組成物、及びこの組成物の硬化物で封止された半導体装置を提供する。
【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂硬化剤、（Ｃ）無機質充填剤、（Ｄ）硬化促進剤、（Ｅ）接着向上剤、（Ｆ）金属酸化物を含むエポキシ樹脂組成物において、（Ｆ）金属酸化物として、（ａ）マグネシウム・アルミニウム系イオン交換体、（ｂ）ハイドロタルサイト系イオン交換体及び（ｃ）希土類酸化物の組合せ比率が、（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｂ）硬化剤の合計量１００質量部に対して、（ａ）：（ｂ）：（ｃ）＝０．５〜２０質量部：０．５〜２０質量部：０．０１〜１０質量部であるエポキシ樹脂組成物、及び半導体素子をこのエポキシ樹脂組成物の硬化物で封止した半導体装置。
【選択図】なし

Description

本発明は、半導体を封止した際に、銅配線の腐食、マイグレーションやアルミニウムと金の接合部における金属間化合物の生成を抑制した硬化物を与える信頼性に優れるエポキシ樹脂組成物、及びこの組成物の硬化物で封止された半導体装置に関するものである。
近年、半導体素子の高速化に伴い、配線もアルミニウムから銅に変わりつつある。このような状況下において、銅はアルミニウムに比べて酸化や腐食に弱く、使用するに当り細心の注意が必要となっている。特に銅ワイヤーや配線、リードフレームを使用した場合、燐酸イオン、硝酸イオン及び硫酸イオンによってマイグレーションが生じている。
また、アルミニウムと金の接合部における金属間化合物の生成による半導体特性の劣化に関しては、難燃剤として使用している臭素化合物や酸化アンチモンが原因であることが明確に示されている（Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙ ４０ （２０００） １４５−１５３：非特許文献１）。
このため、この特性劣化を防止すべく、臭素化合物や酸化アンチモンを全く含有しないエポキシ樹脂組成物が開発されている。しかし、この種のエポキシ樹脂組成物で封止した半導体素子においても、金属間化合物が生成し、特性が劣化する場合がある。
即ち、ハロゲンやアンチモン化合物を含まないエポキシ樹脂組成物の硬化物で封止した半導体装置を１７０℃以上の高温で長時間放置した場合、アルミニウムと金の接合部で金属間化合物が生成し、抵抗値が増大する不良が発生する。この原因としては、接着向上剤として使用した窒素原子や硫黄原子を含んだ化合物が高温で酸化劣化し、硫酸イオン、硝酸イオン、燐酸イオンあるいは有機酸などを生ずることにある。有機酸としては主に蟻酸や酢酸のような低分子の酸が問題となる。
また、この種のイオンが生成することで硬化物中では酸性となり、この状況で水分が侵入するとアルミニウムの電極が容易に腐食したり、銀や銅のマイグレーションが発生する。
また、この種のイオンを補足するためにイオントラップ材を使用することは良く知られているが、トラップ剤の多くはイオンを補足すると金属イオンが溶け出してくるものがある。金属イオンも電荷をもっていることからリーク電流の増加の原因の一つとなるものもある。（特許第２５０１８２０号、特許第２５１９２７７号、特許第２７１２８９８号、特許第３１６７８５３号、特公平０６−０５１８２６号、特開平０９−１１８８１０号、特開平１０−１５８３６０号、特開平１１−２４０９３７号、特開平１１−３１０７６６号、特開２０００−１５９５２０号、特開２０００−２３０１１０号、特開２００２−０８０５６６号公報：特許文献１〜１２参照）
特許第２５０１８２０号公報 特許第２５１９２７７号公報 特許第２７１２８９８号公報 特許第３１６７８５３号公報 特公平０６−０５１８２６号公報 特開平０９−１１８８１０号公報 特開平１０−１５８３６０号公報 特開平１１−２４０９３７号公報 特開平１１−３１０７６６号公報 特開２０００−１５９５２０号公報 特開２０００−２３０１１０号公報 特開２００２−０８０５６６号公報 Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙ ４０ （２０００） １４５−１５３
本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、半導体装置を封止した際に、銅配線の腐食、マイグレーションやアルミニウムと金の接合部における金属間化合物の生成を抑制した硬化物を与える信頼性に優れるエポキシ樹脂組成物、及びこの組成物の硬化物で封止された半導体装置を提供することを目的とする。
本発明者らは、上記目的を達成すべく、種々のイオン交換体や各種金属酸化物を検討した結果、従来から知られている特定のイオン交換体とランタノイド系金属酸化物を用いることで半導体装置の信頼性に悪影響を及ぼすイオン種を固定化でき、その結果、高度の信頼性を持った半導体装置が得られることを見出した。
すなわち、銅のマイグレーションや金属間化合物の生成を防止するため、種々検討した結果、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂硬化剤、（Ｃ）無機質充填剤、（Ｄ）硬化促進剤、（Ｅ）接着向上剤、（Ｆ）金属酸化物を含むエポキシ樹脂組成物において、（Ｆ）金属酸化物として、（ａ）マグネシウム・アルミニウム系イオン交換体、（ｂ）ハイドロタルサイト系イオン交換体及び（ｃ）希土類酸化物を用い、この組合せ比率が、（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｂ）硬化剤の合計量１００質量部に対して、（ａ）：（ｂ）：（ｃ）＝０．５〜２０質量部：０．５〜２０質量部：０．０１〜１０質量部であるエポキシ樹脂組成物を封止材として用いること、この場合、特にはこのようなエポキシ樹脂組成物として、該組成物を厚さ３ｍｍ、直径５０ｍｍの円盤状に成形後硬化し、この硬化物を１７５℃で１，０００時間保持した後、粉砕して３０〜１５０メッシュの粒度に調整し、この粉体を５ｇと、イオン交換水５０ｍｌを加圧容器に入れ、１２５℃で２０時間抽出した抽出水中の燐酸イオン、硝酸イオン及び硫酸イオン量が、上記エポキシ樹脂組成物中の含有量に換算していずれも５ｐｐｍ以下であって、更に抽出水のｐＨ値が、５．５〜７であるエポキシ樹脂組成物を封止材として用いることにより、銅配線の腐食、マイグレーションやアルミニウムと金の接合部における金属間化合物の生成を抑制した高信頼性の半導体装置が得られることを見出し、本発明をなすに至ったものである。
従って、本発明は、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂硬化剤、（Ｃ）無機質充填剤、（Ｄ）硬化促進剤、（Ｅ）接着向上剤、（Ｆ）金属酸化物を含むエポキシ樹脂組成物において、（Ｆ）金属酸化物として、（ａ）マグネシウム・アルミニウム系イオン交換体、（ｂ）ハイドロタルサイト系イオン交換体及び（ｃ）希土類酸化物の組合せ比率が、（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｂ）硬化剤の合計量１００質量部に対して、（ａ）：（ｂ）：（ｃ）＝０．５〜２０質量部：０．５〜２０質量部：０．０１〜１０質量部であるエポキシ樹脂組成物、及び半導体素子をこのエポキシ樹脂組成物の硬化物で封止した半導体装置を提供する。
本発明のエポキシ樹脂組成物は、半導体装置を封止した際に、銅配線の腐食、マイグレーションやアルミニウムと金の接合部における金属間化合物の生成を抑制した硬化物を与えるものであり、この組成物の硬化物で封止された半導体装置は、耐リフロークラック性、耐湿性に優れ、高温雰囲気下における信頼性に優れるものである。
［（Ａ）エポキシ樹脂］
本発明に使用されるエポキシ樹脂としては、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン環含有エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等が挙げられるが、ハロゲン化エポキシ樹脂は使用しないことが好ましい。
本発明においては、下記一般式（１）で表されるエポキシ樹脂を用いることが好ましい。
Figure 2007063549
 （式中、Ｒ1は水素原子、炭素数１〜４のメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等のアルキル基、フェニル基の中から選択される同一もしくは異なる原子又は基であり、ｎは０〜１０の整数である。）
［（Ｂ）フェノール樹脂硬化剤］
本発明に用いるエポキシ樹脂の硬化剤であるフェノール樹脂は、下記一般式（２）で表されるフェノール樹脂の他、ナフタレン環含有フェノール樹脂、フェノールアラルキル型フェノール樹脂、ビフェニル型フェノール樹脂、脂環式フェノール樹脂、複素環型フェノール樹脂、ビスフェノールＡ型フェノール樹脂、ビスフェノールＦ型フェノール樹脂等が挙げられ、これらのうち１種を単独で又は２種以上を混合して使用することができる。
Figure 2007063549
 （式中、Ｒ2は水素原子、炭素数１〜４のメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等のアルキル基、フェニル基の中から選択される同一もしくは異なる原子又は基であり、ｍは０〜１０の整数である。）
エポキシ樹脂、フェノール樹脂硬化剤の配合量は特に制限されないが、エポキシ樹脂中に含まれるエポキシ基１モルに対して、フェノール樹脂硬化剤中に含まれるフェノール性水酸基のモル比が０．５〜１．５、特に０．８〜１．２の範囲であることが好ましい。モル比が０．５未満あるいは１．５を超えるとエポキシ基とフェノール性水酸基の量がアンバランスであり、硬化物の特性が十分でない場合がある。
［（Ｃ）無機質充填剤］
本発明に用いる無機質充填剤は、通常樹脂組成物に配合されるものを使用することができる。具体的には、例えば溶融シリカ、結晶性シリカ等のシリカ類、アルミナ、窒化珪素、窒化アルミニウム、窒化硼素、酸化チタン、ガラス繊維等が挙げられる。これらの中では、球状の溶融シリカもしくはアルミナが特に望ましく、その平均粒径は５〜３０μｍのものが、成型性、流動性の面から望ましい。
なお、本発明において、平均粒径は、例えばレーザー光回折法等による重量平均値（又はメディアン径）等として求めることができる。
この無機質充填剤の配合量としては、ハロゲン化樹脂と三酸化アンチモンを含有せずに難燃化するために、エポキシ樹脂と硬化剤の合計量１００質量部に対し、７００〜１，１００質量部、特に７５０〜１，０００質量部とすることが好ましい。７００質量部未満では樹脂の割合が高く、組成物の硬化物が燃焼しやすくなる場合があり、また１，１００質量部を超える量では粘度が高くなるために成形できなくなるおそれがある。
なお、無機質充填剤は、樹脂と無機質充填剤との結合強度を強くするため、シランカップリング剤、チタネートカップリング剤などのカップリング剤で予め表面処理したものを配合することが好ましい。このようなカップリング剤としては、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン等のエポキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、イミダゾールとγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシランの反応物、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等のアミノシラン、γ−メルカプトシラン、γ−エピスルフィドキシプロピルトリメトキシシラン等のメルカプトシランなどのシランカップリング剤を用いることが好ましい。ここで、表面処理に用いるカップリング剤の配合量及び表面処理方法については特に制限されるものではない。
［（Ｄ）硬化促進剤］
また、本発明に用いる硬化促進剤としては、一般に封止材料に用いられているものを併用することができる。例えば、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、トリフェニルホスフィン、トリス（アルキルフェニル）ホスフィン、トリス（アルコキシフェニル）ホスフィン、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート、１，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン等が挙げられ、これらは１種単独で又は２種以上を混合して使用することができる。これらの中では、活性の高いトリス（ｐ−トリル）ホスフィンの使用が好ましい。
硬化促進剤の配合量は有効量であるが、上記リン系化合物、第３級アミン化合物、イミダゾール化合物等の硬化促進剤を用いる場合、（Ａ），（Ｂ）成分の総量１００質量部に対し、０．１〜５質量部、特に０．５〜２質量部とすることが好ましい。配合量が０．１質量部未満であると硬化不良を引き起こす場合があり、５質量部を超えると硬化時間が短く、未充填を引き起こす場合がある。
［（Ｅ）接着向上剤］
本発明のエポキシ樹脂組成物には、金属性のリードフレームやシリコンチップ、銀や金メッキ表面との接着性を改善するため、接着向上剤を配合する。このような接着向上剤としては、硫黄原子及び／又は窒素原子をそれぞれ含有するエポキシ樹脂、フェノール樹脂、有機チオール化合物、熱可塑性樹脂あるいはシランカップリング剤等が好適に使用される。
代表的なものとして、ビスフェノールＡ型もしくはＦ型エポキシ樹脂のエポキシ基の一部（通常約半分）がチイラン基に変換されたチイラン樹脂、５員環ジチオカーボナート基を有する化合物、チオフェノール誘導体、トリグリシドキシイソシアヌレート、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂などのほかに、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシランなどが挙げられる。
なお、上記接着向上剤（Ｅ）には、通常使用される３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランなどのエポキシ基含有シランなども併用してよい。
これら接着向上剤（Ｅ）の使用量としては、エポキシ樹脂とフェノール樹脂硬化剤の合計量１００質量部に対し、０．１〜２０質量部であることが好ましく、０.５〜１０質量部であることがより好ましい。特にシランカップリング剤の場合は０．１〜１質量部が望ましい。配合量が少なすぎると接着性向上の効果が得られない場合があり、多すぎると硬化性や流動性が低下する場合がある。
上記した接着向上剤成分を含有し、ハロゲン化合物及びアンチモン化合物を含まないエポキシ樹脂組成物の硬化物で封止した半導体装置を１７０℃以上の高温で長時間放置した場合、アルミニウムと金の接合部で金属間化合物が生成し、抵抗値が増大する不良が発生する。この原因としては、接着向上剤として使用した窒素原子や硫黄原子を含んだ化合物が高温で酸化劣化し、硫酸イオン、硝酸イオン、燐酸イオン、あるいは有機酸などを生ずることにあるためである。なお、有機酸としては、主に蟻酸や酢酸のような低分子の酸が問題となる。また、これらのイオンが生成することで硬化物中では酸性となり、この状況で水分が侵入するとアルミニウムの電極が容易に腐食したり、銀や銅のマイグレーションが発生したりするという問題を起こす。
［（Ｆ）金属酸化物］
この種の不良を防止するため、本発明では（Ｆ）金属酸化物を添加するもので、この場合金属酸化物としては、金属酸化物複合体である無機のイオン交換体で、金属原子の溶出もなく、後述する抽出液中のハロゲンイオン、アルカリイオン、硫酸イオン、硝酸イオン、燐酸イオンが特定量以下で、かつ抽出液のｐＨが５．５〜７となる硬化物を与える組成物を形成することができるものが有効である。
かかる金属酸化物としては、（ａ）マグネシウム・アルミニウム系イオン交換体、（ｂ）ハイドロタルサイト系イオン交換体、及び（ｃ）希土類酸化物を組合せて用いるものである。
（ａ）のマグネシウム・アルミニウム系イオン交換体として、具体的には下記式で示されるものが例示される。
ＭｇxＡｌy（ＯＨ）2x+3y-2z（ＣＯ3）z・ｍＨ2Ｏ
（ｘ，ｙ，ｚはそれぞれ０＜ｙ／ｘ≦１，０≦ｚ／ｙ＜１．５なる関係を有し、ｍは正数を示す。）
マグネシウム・アルミニウム系イオン交換体としては、市販品としてＩＸＥ７００Ｆ（東亞合成化学（株）製）が挙げられる。
マグネシウム・アルミニウム系イオン交換体の配合比率としては、（Ａ），（Ｂ）成分の総量１００質量部に対して、０．５〜２０質量部、更に好ましくは１．０〜１５質量部であることが望ましい。添加量が０．５質量部未満では十分なトラップ効果が得られない場合があり、また２０質量部を超えると、硬化性や流動性の不良が発生する場合がある。
（ｂ）ハイドロタルサイト系イオン交換体として、具体的には、東亞合成化学（株）からビスマス系としてＩＸＥ５００、ＩＸＥ５５０、アンチモン・ビスマス系としてＩＸＥ６００、ＩＸＥ６３３、ジルコニウム・ビスマス系としてＩＸＥ６１０７、ハイドロタルサイト系としては協和化学（株）からＤＨＴ−４Ａ−２、ＫＷ２２００などの無機イオン交換体が多数市販されている。
ハイドロタルサイト系イオン交換体の配合比率としては、（Ａ），（Ｂ）成分の総量１００質量部に対して、０．５〜２０質量部、更に好ましくは１．０〜１５質量部であることが望ましい。添加量が０．５質量部未満では十分なトラップ効果が得られない場合があり、また２０質量部を超えると、硬化性や流動性の不良が発生する場合がある。
この種のマグネシウム・アルミニウム系イオン交換体とハイドロタルサイト系イオン交換体を使用することで、従来から知られているようなハロゲンイオンやアルカリ金属イオンなどを減少させることができる。
（ｃ）希土類酸化物は、イオン、特にリン酸イオンのトラップ能力に優れ、高温、高湿下においてもＬａ，Ｙ，Ｇｄ，Ｂｉ，Ｍｇ，Ａｌ等の金属イオンが溶出せず、かつエポキシ樹脂組成物の硬化性にも影響せず、耐熱性、耐湿性に優れた硬化物を与えることができる。
希土類酸化物としては、酸化ランタン、酸化ガドリニウム、酸化サマリウム、酸化ツリウム、酸化ユーロピウム、酸化ネオジム、酸化エルビウム、酸化テルビウム、酸化プラセオジウム、酸化ジスプロジウム、酸化イットリウム、酸化イッテルビウム、酸化ホルミウムなどが挙げられ、これらは信越化学工業（株）から市販されている。
希土類酸化物の添加量としては、（Ａ），（Ｂ）成分の合計量１００質量部に対し、０．０１〜１０質量部、特に０．５〜８質量部が好ましい。添加量が０．０１質量部未満では十分なイオントラップ効果が得られない場合があり、また１０質量部を超えると、流動性の低下を引き起こす場合がある。
本発明では種々検討した結果、（ａ）マグネシウム・アルミニウム系イオン交換体と（ｂ）ハイドロタルサイト系イオン交換体、及び（ｃ）希土類酸化物を特定の比率で混合し、使用することで信頼性の良好な組成物を得ることができることを見出したものである。使用比率としては、樹脂の合計量１００質量部に対し、マグネシウム・アルミニウム系イオン交換体：ハイドロタルサイト系イオン交換体：希土類酸化物＝０．５〜２０質量部：０．５〜２０質量部：０．０１〜１０質量部の割合で混合する。望ましくは１〜１０質量部：１〜１０質量部：０．１〜６質量部の割合である。この比率で金属酸化物を混合したのち配合することで所望の特性を得ることができる。
［その他添加剤］
本発明のエポキシ樹脂組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂硬化剤、（Ｃ）無機質充填剤、（Ｄ）硬化促進剤、（Ｅ）接着向上剤、（Ｆ）金属酸化物を必須成分とするが、更に必要に応じて各種の添加剤を配合することができる。例えば、熱可塑性樹脂、熱可塑性エラストマー、有機合成ゴム、シリコーン系等の低応力剤、カルナバワックス等のワックス類、カーボンブラック等の着色剤等の添加剤を添加配合することができる。
また、離型剤成分を配合することもでき、離型剤成分としては、例えば、カルナバワックス、ライスワックス、ポリエチレン、酸化ポリエチレン、モンタン酸、モンタン酸と飽和アルコール、２−（２−ヒドロキシエチルアミノ）−エタノール、エチレングリコール、グリセリン等とのエステル化合物であるモンタンワックス；ステアリン酸、ステアリン酸エステル、ステアリン酸アミド、エチレンビスステアリン酸アミド、エチレンと酢酸ビニルとの共重合体等が挙げられ、これら１種単独でも２種以上を組み合わせても使用することができる。
離型剤の配合量としては、（Ａ），（Ｂ）成分の総量１００質量部に対して、０．１〜５質量部、更に好ましくは０．３〜４質量部であることが望ましい。
更に、本発明のエポキシ樹脂組成物には、組成物のなじみをよくするために、従来より公知である（Ｅ）成分以外の（即ち、窒素原子及び硫黄原子を含まない）各種シランカップリング剤を添加することができる。
上記シランカップリング剤としては、例えば、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、ｐ−スチリルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、γ−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。これらは１種単独でも２種以上組み合わせても使用することができる。これらの中でもγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシランを使用することが好ましく、耐湿信頼性に優れ、吸湿劣化後の接着強度の低下が少ないエポキシ樹脂組成物を得ることができる。
上記カップリング剤を用いる場合、その使用量は、（Ａ），（Ｂ）成分の総量１００質量部に対して、通常０．１〜５．０質量部であり、好ましくは０．３〜３．０質量部である。
本発明のエポキシ樹脂組成物は、本発明の目的及び効果を発現できる範囲内において、更に難燃剤、例えば赤リン、リン酸エステル、ホスファゼン化合物等のリン系難燃剤、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム等の水酸化物、ホウ酸亜鉛、スズ酸亜鉛、モリブデン酸亜鉛等の無機化合物、及び他のイオントラップ材、例えばリン酸ジルコニウム化合物、水酸化ビスマス化合物などを添加することもできる。但し、三酸化アンチモン等のアンチモン化合物は配合されない。
難燃剤の配合比率としては、（Ａ），（Ｂ）成分の総量１００質量部に対して、３〜５０質量部、更に好ましくは５〜２０質量部であることが望ましい。
本発明のエポキシ樹脂組成物を成型材料として調製する場合の一般的な方法としては、エポキシ樹脂、硬化剤、無機質充填剤、硬化促進剤、接着向上剤、金属酸化物、及び必要によりその他の添加物を所定の組成比で配合し、これをミキサー等によって十分均一に混合した後、熱ロール、ニーダー、エクストルーダー等による溶融混合処理を行い、次いで冷却固化させ、適当な大きさに粉砕して成形材料とすることができる。
このようにして得られる本発明のエポキシ樹脂組成物は、各種の半導体装置の封止材料として有効に利用でき、この場合、封止の最も一般的な方法としては低圧トランスファー成形法が挙げられる。なお、本発明のエポキシ樹脂組成物の成形温度は１５０〜１８５℃で３０〜１８０秒、後硬化は１５０〜１８５℃で２〜２０時間行うことが望ましい。
本発明においては、上記エポキシ樹脂組成物を厚さ３ｍｍ、直径５０ｍｍの円盤状に成形硬化し、これを１８０℃で４時間ポストキュアし、得られた硬化物を１７５℃で１，０００時間保持した後、３０〜１５０メッシュの粒度に粉砕し、この粉体５ｇとイオン交換水５０ｍｌを加圧容器に入れ、２.２ａｔｏｍの圧力で１２５℃で２０時間抽出させた抽出水中の燐酸イオン、硝酸イオン及び硫酸イオンを測定した場合、燐酸イオン、硝酸イオン及び硫酸イオン量が上記エポキシ樹脂組成物中の含有量に換算していずれも５ｐｐｍ以下、好ましくは３ｐｐｍ以下であることが望ましい。上記イオンがそれぞれ５ｐｐｍを超えると良好な耐湿性、高温放置特性の効果が十分得られない場合がある。
また、上記抽出水のｐＨ値が５．５〜７であることが望ましい。抽出水のｐＨが５．５未満では酸性度が高く、良好な高温放置特性の効果が得られない場合があり、７を超えると良好な耐湿性の効果が得られない場合がある。
なお、従来の硫黄原子や窒素原子を含有するエポキシ樹脂組成物における上記測定法に基づく燐酸イオン、硝酸イオン及び硫酸イオン量は、そのいずれかが５ｐｐｍ以上であり、また、抽出水ｐＨは５.５以下である。
以下、エポキシ樹脂組成物の実施例と比較例を示し、本発明を具体的に示すが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。なお、以下の例において部はいずれも質量部である。
［実施例１〜６、比較例１〜４］
表１，２に示す成分を熱２本ロールで均一に溶融混合し、冷却、粉砕して半導体封止用樹脂組成物を得た。更に得られた成形材料をタブレット化し、低圧トランスファー成形機にて１７５℃、７０ｋｇｆ／ｃｍ2、１２０秒の条件で各試験片を成形し、１８０℃、４時間ポストキュアした硬化物をｐＨ、燐酸イオン量、硝酸イオン量、硫酸イオン量、ガラス転移温度、耐リフロークラック性、耐湿性、高温放置特性を下記に示す評価方法により、評価した。結果を表１，２に示す。
使用した原材料を下記に示す。
（Ａ）エポキシ樹脂
（イ）：式（１−１）で表されるエポキシ樹脂：ＮＣ３０００Ｐ（日本化薬（株）製、エポキシ当量２７２）
Figure 2007063549
 （ｎ＝０．７４（平均値））
（ロ）：ビフェニル型エポキシ樹脂：ＹＸ４０００ＨＫ（油化シェル（株）製、エポキシ当量１９０）
（ハ）：ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂：ＥＯＣＮ１０２０−５５（日本化薬（株）製、エポキシ当量２００）
（ニ）：エピスルフィドエポキシ樹脂：ＥＳＬＶ１２０ＴＥ（東都化成（株）製、エポキシ当量２５０）
（Ｂ）硬化剤
（ホ）：式（２−１）で表されるフェノール樹脂：ＭＥＨ７８５１Ｌ（明和化成（株）製、フェノール性水酸基当量１９９）
Figure 2007063549
 （ｍ＝０．４４（平均値））
（ヘ）：フェノールアラルキル樹脂：ＭＥＨ７８００ＳＳ（明和化成（株）製、フェノール性水酸基当量１７５）
（ト）：フェノールノボラック樹脂：ＤＬ−９２（明和化成（株）製、フェノール性水酸基当量１１０）
（Ｃ）無機質充填剤：球状溶融シリカ（龍森（株）製、平均粒径１５μｍ）
（Ｄ）硬化促進剤
（チ）：トリフェニルホスフィン（北興化学（株）製）
（リ）：テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート（北興化学（株）製）
（Ｅ）接着向上剤
３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業（株）製）
Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業（株）製）
グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業（株）製）
（Ｆ）金属酸化物
（ａ）マグネシム・アルミニウム系イオン交換体：ＩＸＥ−７００Ｆ（東亞合成（株）製）
（ｂ）ハイドロタルサイト系イオン交換体：ＤＨＴ−４Ａ−２（協和化学工業（株）製）
（ｃ）希土類酸化物：酸化ランタン（ＩＩＩ）（信越化学工業（株）製）
その他添加剤
カーボンブラック：デンカブラック（電気化学工業（株）製）
離型剤：カルナバワックス（日興ファインプロダクツ（株）製）
難燃剤：三酸化アンチモン：ＳＢ2Ｏ3ＲＸ（住友金属鉱山（株）製
ブロモ化エポキシ樹脂：ＡＥＲ８０４９（旭チバ（株）製）
評価方法を下記に示す。
《ｐＨ、燐酸イオン量、硝酸イオン量、硫酸イオン量》
１７５℃、７０ｋｇｆ／ｃｍ2、成形時間１２０秒の条件で厚さ３ｍｍ、直径５０ｍｍの円盤を成形し、１８０℃、４時間ポストキュアした硬化物を１７５℃で１，０００時間放置した後、粉砕し、３０〜１５０メッシュの粒度に調整した。この粉体５ｇと、イオン交換水５０ｍｌを加圧容器に入れ、１２５℃で２０時間抽出した抽出水中の不純物（ＥＭＣ中に換算）として燐酸イオン量、硝酸イオン量及び硫酸イオン量を測定し、また抽出水のｐＨを測定した。なお、上記各イオン量の測定方法はイオンクロマトグラフィーで測定した。
《ガラス転移温度》
ＴＭＡ（ＴＡＳ２００ 理学化学（株）製）により測定した。
《耐リフロークラック性》
１７５℃、７０ｋｇｆ／ｃｍ2、成形時間１２０秒の条件で１４×２０×２．７ｍｍのフラットパッケージを２０個成形した。１８０℃で４時間ポストキュアしたものを、８５℃／８５％ＲＨの恒温恒湿器に１６８時間放置して吸湿させた後、温度２６０℃の半田浴に３０秒浸漬し、パッケージ外部のクラックを観察し、クラック数を調べた。
《耐湿性》
シリコンチップ上にアルミ配線を形成した模擬素子と部分金メッキされた４２アロイリードフレームとを、太さ３０μｍの金線でボンディングし、１７５℃、７０ｋｇｆ／ｃｍ2、成形時間１２０秒の条件で１．４ｍｍ厚のＴＳＯＰパッケージ２０個を成形した。１８０℃、４時間ポストキュアしたものを１４０℃、８５％ＲＨの雰囲気中５Ｖの直流バイアス電圧をかけて５００時間放置した後、アルミニウム腐食が発生し、断線したパッケージ数を調べた。
《高温放置特性》
シリコンチップ上にアルミ配線を形成した模擬素子と部分金メッキされた４２アロイリードフレームとを、太さ３０μｍの金線でボンディングし、１７５℃、７０ｋｇｆ／ｃｍ2、成形時間１２０秒の条件で１．４ｍｍ厚のＴＳＯＰパッケージ２０個を成形した。１８０℃、４時間ポストキュアしたものを２００℃の乾燥器に１，０００時間放置した後、樹脂硬化物を発煙硝酸で溶かし、チップ側のボンディング部の引張り強度を測定した。この引張り強度の値が初期値の５０％以下になったものを不良とし、不良数を調べた。
Figure 2007063549
Figure 2007063549

Claims (6)

  1. （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂硬化剤、（Ｃ）無機質充填剤、（Ｄ）硬化促進剤、（Ｅ）接着向上剤、（Ｆ）金属酸化物を含むエポキシ樹脂組成物において、（Ｆ）金属酸化物として、（ａ）マグネシウム・アルミニウム系イオン交換体、（ｂ）ハイドロタルサイト系イオン交換体及び（ｃ）希土類酸化物の組合せ比率が、（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｂ）硬化剤の合計量１００質量部に対して、（ａ）：（ｂ）：（ｃ）＝０．５〜２０質量部：０．５〜２０質量部：０．０１〜１０質量部であるエポキシ樹脂組成物。
  2. （Ｅ）接着向上剤が、硫黄原子及び／又は窒素原子をそれぞれ含有するエポキシ樹脂、フェノール樹脂、有機チオール化合物、熱可塑性樹脂及びシランカップリング剤から選ばれる１種又は２種以上であることを特徴とする請求項１記載のエポキシ樹脂組成物。
  3. （Ｅ）接着向上剤が、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂又はビスフェノールＦ型エポキシ樹脂のエポキシ基の一部がチイラン基に変換されたチイラン樹脂、５員環ジチオカーボナート基を有する化合物、チオフェノール誘導体、トリグリシドキシイソシアヌレート、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン及び３−メルカプトプロピルトリメトキシシランから選ばれる１種又は２種以上である請求項２記載のエポキシ樹脂組成物。
  4. （Ｅ）接着向上剤の配合量が、エポキシ樹脂と硬化剤の合計量１００質量部に対し、０．１〜２０質量部である請求項１乃至３のいずれか１項に記載のエポキシ樹脂組成物。
  5. エポキシ樹脂組成物を厚さ３ｍｍ、直径５０ｍｍの円盤状に成形後硬化し、この硬化物を１７５℃で１，０００時間保持した後、粉砕して３０〜１５０メッシュの粒度に調整し、この粉体を５ｇと、イオン交換水５０ｍｌを加圧容器に入れ、１２５℃で２０時間保持した場合の抽出水中の燐酸イオン、硝酸イオン及び硫酸イオン量が、上記エポキシ樹脂組成物中の含有量に換算していずれも５ｐｐｍ以下であって、更に抽出水のｐＨ値が、５．５〜７であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のエポキシ樹脂組成物。
  6. 半導体素子を請求項１乃至５のいずれか１項に記載のエポキシ樹脂組成物の硬化物で封止した半導体装置。

JP2006212280A 2005-08-05 2006-08-03 エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 Active JP5124808B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006212280A JP5124808B2 (ja) 2005-08-05 2006-08-03 エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005227338 2005-08-05
JP2005227338 2005-08-05
JP2006212280A JP5124808B2 (ja) 2005-08-05 2006-08-03 エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007063549A true JP2007063549A (ja) 2007-03-15
JP5124808B2 JP5124808B2 (ja) 2013-01-23

Family

ID=37699303

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006212280A Active JP5124808B2 (ja) 2005-08-05 2006-08-03 エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20070029682A1 (ja)
JP (1) JP5124808B2 (ja)
KR (1) KR101237657B1 (ja)
CN (1) CN1908065B (ja)

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007119536A (ja) * 2005-10-25 2007-05-17 Matsushita Electric Works Ltd 封止用エポキシ樹脂組成物
JP2008208176A (ja) * 2007-02-23 2008-09-11 Shin Etsu Chem Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2009152561A (ja) * 2007-11-29 2009-07-09 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体装置並びに封止用エポキシ樹脂組成物及びその製造方法
JP2009263601A (ja) * 2008-04-30 2009-11-12 Hitachi Chem Co Ltd 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置
KR100934558B1 (ko) * 2007-10-08 2009-12-29 제일모직주식회사 실란커플링제와 선반응된 페놀형 경화수지를 포함하는반도체 조립용 접착 필름 조성물 및 이에 의한 접착 필름
JP2010080655A (ja) * 2008-09-25 2010-04-08 Asahi Kasei Electronics Co Ltd 半導体素子
JP2010116453A (ja) * 2008-11-12 2010-05-27 Nippon Steel Chem Co Ltd フィルム状接着剤、それを用いた半導体パッケージ及びその製造方法
WO2011070739A1 (ja) * 2009-12-07 2011-06-16 住友ベークライト株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物、その硬化体及び半導体装置
JP2013091781A (ja) * 2011-10-07 2013-05-16 Shin-Etsu Chemical Co Ltd プリプレグ、金属張積層板、プリント配線板及び半導体装置
JP2014149416A (ja) * 2013-02-01 2014-08-21 Shin Etsu Chem Co Ltd 光硬化性樹脂組成物、光硬化性ドライフィルム、パターン形成方法、電気・電子部品保護用皮膜及び電気・電子部品
JP2015048422A (ja) * 2013-09-02 2015-03-16 信越化学工業株式会社 半導体封止用樹脂組成物及びその硬化物を備えた半導体装置
JP2015074658A (ja) * 2013-10-04 2015-04-20 住友ベークライト株式会社 封止用樹脂組成物、半導体装置および半導体装置の製造方法
KR101552749B1 (ko) 2010-11-23 2015-09-14 주식회사 엘지화학 접착제 조성물
KR20150109406A (ko) 2013-01-18 2015-10-01 도요보 가부시키가이샤 도전성 페이스트, 도전성 막, 전기 회로 및 터치 패널
WO2015146764A1 (ja) * 2014-03-24 2015-10-01 住友ベークライト株式会社 封止用樹脂組成物、および半導体装置
WO2015182371A1 (ja) * 2014-05-28 2015-12-03 住友ベークライト株式会社 封止用樹脂組成物、および半導体装置
WO2016151733A1 (ja) * 2015-03-23 2016-09-29 住友ベークライト株式会社 封止用樹脂組成物、半導体装置および半導体装置の製造方法

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4520437B2 (ja) * 2006-07-26 2010-08-04 信越化学工業株式会社 Ｌｅｄ用蛍光物質入り硬化性シリコーン組成物およびその組成物を使用するｌｅｄ発光装置。
TWI372453B (en) * 2008-09-01 2012-09-11 Advanced Semiconductor Eng Copper bonding wire, wire bonding structure and method for processing and bonding a wire
JP4952746B2 (ja) * 2008-11-14 2012-06-13 ソニー株式会社 リチウムイオン二次電池およびリチウムイオン二次電池用負極
KR101289369B1 (ko) * 2008-12-19 2013-07-29 파나소닉 주식회사 에폭시 수지 조성물, 프리프레그, 적층판, 및 다층판
WO2010087444A1 (ja) * 2009-01-29 2010-08-05 積水化学工業株式会社 電子部品用接着剤
TW201030916A (en) * 2009-02-11 2010-08-16 Advanced Semiconductor Eng Pad and package structure using the same
CN101851386B (zh) 2009-04-01 2012-09-05 汉高华威电子有限公司 一种环氧树脂组合物
CN102369458A (zh) * 2009-04-03 2012-03-07 株式会社岛津制作所 放射线检测器以及具备该放射线检测器的放射线摄影装置
JP5545246B2 (ja) * 2010-03-30 2014-07-09 信越化学工業株式会社 樹脂組成物及び発光半導体素子用リフレクター、及び発光半導体装置
JP5736718B2 (ja) * 2010-10-18 2015-06-17 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物、硬化膜及びその形成方法
KR101309818B1 (ko) * 2010-12-23 2013-09-23 제일모직주식회사 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자
CN103718253B (zh) * 2011-08-05 2017-05-31 积水化学工业株式会社 导电材料及连接结构体
JP5648617B2 (ja) * 2011-10-24 2015-01-07 信越化学工業株式会社 熱伝導性接着剤組成物並びにそれを用いた接着用シート及び熱伝導性ダイシング・ダイアタッチフィルム
US8872358B2 (en) * 2012-02-07 2014-10-28 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Sealant laminated composite, sealed semiconductor devices mounting substrate, sealed semiconductor devices forming wafer, semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus
CN102875964B (zh) * 2012-09-20 2013-10-30 常熟市永祥机电有限公司 阻燃酚醛树脂成型材料的制备方法
US9093383B1 (en) 2012-10-15 2015-07-28 Freescale Semiconductor, Inc. Encapsulant for a semiconductor device
US8853867B2 (en) * 2012-10-15 2014-10-07 Freescale Semiconductor, Inc. Encapsulant for a semiconductor device
CN105683283A (zh) * 2013-11-08 2016-06-15 味之素株式会社 含水滑石的密封用树脂组合物和密封用片材
JP6246050B2 (ja) 2014-04-14 2017-12-13 オリンパス株式会社 樹脂組成物、超音波振動子用バッキング材、超音波振動子及び超音波内視鏡
DE102016109356A1 (de) * 2016-05-20 2017-11-23 Infineon Technologies Ag Chipgehäuse und verfahren zum bilden eines chipgehäuses
CN109219637B (zh) * 2016-05-30 2021-05-25 昭和电工材料株式会社 密封组合物及半导体装置
KR102052198B1 (ko) * 2016-12-22 2019-12-04 삼성에스디아이 주식회사 고리 연결된 아미드기 및 알콕시 실란기 함유 화합물, 이를 포함하는 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용하여 제조된 장치
TWI745773B (zh) * 2019-10-31 2021-11-11 台光電子材料股份有限公司 樹脂組合物及其製品
CN117209876B (zh) * 2023-09-26 2024-04-30 无锡哈威新材料科技有限公司 一种耐老化聚乙烯电缆料及其制备工艺

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0448759A (ja) * 1990-06-15 1992-02-18 Nitto Denko Corp 半導体装置
JPH0525364A (ja) * 1991-07-17 1993-02-02 Toray Ind Inc 半導体封止用エポキシ組成物
JPH11240937A (ja) * 1998-11-24 1999-09-07 Nitto Denko Corp 半導体装置およびそれに用いる半導体封止用エポキシ樹脂組成物
WO2005097892A1 (ja) * 2004-03-30 2005-10-20 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2006089717A (ja) * 2004-08-02 2006-04-06 Shin Etsu Chem Co Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2006282958A (ja) * 2005-04-05 2006-10-19 Shin Etsu Chem Co Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2006328362A (ja) * 2005-04-25 2006-12-07 Shin Etsu Chem Co Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4004160B2 (ja) * 1998-09-21 2007-11-07 協和化学工業株式会社 ウラン（ｕ）含量の少ないハイドロタルサイト類化合物およびその製造法
JP3537082B2 (ja) 1999-02-09 2004-06-14 住友ベークライト株式会社 エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2002080566A (ja) * 2000-07-04 2002-03-19 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4337411B2 (ja) 2003-06-09 2009-09-30 東亞合成株式会社 無機陰イオン交換体およびそれを用いた電子部品封止用エポキシ樹脂組成物
JP2005036126A (ja) 2003-07-16 2005-02-10 Nippon Kayaku Co Ltd エポキシ樹脂組成物及びそれを用いたフレキシブル印刷配線板材料。
JP2005089660A (ja) * 2003-09-18 2005-04-07 Nitto Denko Corp 半導体封止用樹脂組成物
JP2004143465A (ja) * 2004-02-04 2004-05-20 Hitachi Chem Co Ltd 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置
US20060241215A1 (en) * 2005-04-25 2006-10-26 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Semiconductor encapsulating epoxy resin composition and semiconductor device

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0448759A (ja) * 1990-06-15 1992-02-18 Nitto Denko Corp 半導体装置
JPH0525364A (ja) * 1991-07-17 1993-02-02 Toray Ind Inc 半導体封止用エポキシ組成物
JPH11240937A (ja) * 1998-11-24 1999-09-07 Nitto Denko Corp 半導体装置およびそれに用いる半導体封止用エポキシ樹脂組成物
WO2005097892A1 (ja) * 2004-03-30 2005-10-20 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2006089717A (ja) * 2004-08-02 2006-04-06 Shin Etsu Chem Co Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2006282958A (ja) * 2005-04-05 2006-10-19 Shin Etsu Chem Co Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2006328362A (ja) * 2005-04-25 2006-12-07 Shin Etsu Chem Co Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007119536A (ja) * 2005-10-25 2007-05-17 Matsushita Electric Works Ltd 封止用エポキシ樹脂組成物
JP2008208176A (ja) * 2007-02-23 2008-09-11 Shin Etsu Chem Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
KR100934558B1 (ko) * 2007-10-08 2009-12-29 제일모직주식회사 실란커플링제와 선반응된 페놀형 경화수지를 포함하는반도체 조립용 접착 필름 조성물 및 이에 의한 접착 필름
JP2009152561A (ja) * 2007-11-29 2009-07-09 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体装置並びに封止用エポキシ樹脂組成物及びその製造方法
JP2009263601A (ja) * 2008-04-30 2009-11-12 Hitachi Chem Co Ltd 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置
JP2010080655A (ja) * 2008-09-25 2010-04-08 Asahi Kasei Electronics Co Ltd 半導体素子
JP2010116453A (ja) * 2008-11-12 2010-05-27 Nippon Steel Chem Co Ltd フィルム状接着剤、それを用いた半導体パッケージ及びその製造方法
WO2011070739A1 (ja) * 2009-12-07 2011-06-16 住友ベークライト株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物、その硬化体及び半導体装置
JPWO2011070739A1 (ja) * 2009-12-07 2013-04-22 住友ベークライト株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物、その硬化体及び半導体装置
US8963344B2 (en) 2009-12-07 2015-02-24 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, cured product thereof, and semiconductor device
KR101552749B1 (ko) 2010-11-23 2015-09-14 주식회사 엘지화학 접착제 조성물
JP2013091781A (ja) * 2011-10-07 2013-05-16 Shin-Etsu Chemical Co Ltd プリプレグ、金属張積層板、プリント配線板及び半導体装置
KR20150109406A (ko) 2013-01-18 2015-10-01 도요보 가부시키가이샤 도전성 페이스트, 도전성 막, 전기 회로 및 터치 패널
JP2014149416A (ja) * 2013-02-01 2014-08-21 Shin Etsu Chem Co Ltd 光硬化性樹脂組成物、光硬化性ドライフィルム、パターン形成方法、電気・電子部品保護用皮膜及び電気・電子部品
JP2015048422A (ja) * 2013-09-02 2015-03-16 信越化学工業株式会社 半導体封止用樹脂組成物及びその硬化物を備えた半導体装置
JP2015074658A (ja) * 2013-10-04 2015-04-20 住友ベークライト株式会社 封止用樹脂組成物、半導体装置および半導体装置の製造方法
WO2015146764A1 (ja) * 2014-03-24 2015-10-01 住友ベークライト株式会社 封止用樹脂組成物、および半導体装置
JP2015183077A (ja) * 2014-03-24 2015-10-22 住友ベークライト株式会社 封止用樹脂組成物、および半導体装置
WO2015182371A1 (ja) * 2014-05-28 2015-12-03 住友ベークライト株式会社 封止用樹脂組成物、および半導体装置
JP2015224290A (ja) * 2014-05-28 2015-12-14 住友ベークライト株式会社 封止用樹脂組成物、および半導体装置
KR20170015305A (ko) * 2014-05-28 2017-02-08 스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드 봉지용 수지 조성물, 및 반도체 장치
KR102171661B1 (ko) 2014-05-28 2020-10-29 스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드 봉지용 수지 조성물, 및 반도체 장치
WO2016151733A1 (ja) * 2015-03-23 2016-09-29 住友ベークライト株式会社 封止用樹脂組成物、半導体装置および半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP5124808B2 (ja) 2013-01-23
CN1908065A (zh) 2007-02-07
KR20070017046A (ko) 2007-02-08
CN1908065B (zh) 2010-12-08
KR101237657B1 (ko) 2013-02-26
US20070029682A1 (en) 2007-02-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5124808B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
US7999016B2 (en) Semiconductor encapsulating epoxy resin composition and semiconductor device
JP5326210B2 (ja) 半導体封止用樹脂組成物および半導体装置
JP4946440B2 (ja) 半導体封止用樹脂組成物および半導体装置
US20060241215A1 (en) Semiconductor encapsulating epoxy resin composition and semiconductor device
TWI536514B (zh) 半導體密封用樹脂組成物及使用其之半導體裝置
US8048969B2 (en) Semiconductor encapsulating epoxy resin composition and semiconductor device
JP5164076B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置
TWI415230B (zh) Epoxy resin composition for semiconductor sealing and semiconductor device
JP5386836B2 (ja) 半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置
JP5386837B2 (ja) 半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置
JP2012007086A (ja) 封止用樹脂組成物及び電子部品装置
JP2008231242A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2008208176A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP5098125B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4910240B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置
JP4765294B2 (ja) 半導体装置
JP5115098B2 (ja) 樹脂組成物および半導体装置
JP4770039B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置
JP2006111672A (ja) 半導体封止用樹脂組成物および半導体装置
JP2001064363A (ja) 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置
JP2001064364A (ja) 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置
JP5673613B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2014156607A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2005281597A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080724

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110204

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110209

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111220

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120131

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120926

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20121009

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5124808

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151109

Year of fee payment: 3