CN102369458A - 放射线检测器以及具备该放射线检测器的放射线摄影装置 - Google Patents

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CN102369458A CN2010800146802A CN201080014680A CN102369458A CN 102369458 A CN102369458 A CN 102369458A CN 2010800146802 A CN2010800146802 A CN 2010800146802A CN 201080014680 A CN201080014680 A CN 201080014680A CN 102369458 A CN102369458 A CN 102369458A
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铃木准一
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Abstract

本发明提供一种放射线检测器以及具备该放射线检测器的放射线摄影装置，本发明的结构依次层叠有有源矩阵基板(4)、非晶硒层(1)、高电阻层(3)、金电极层(2)、绝缘层(5)以及辅助板(6)。以提供不使辅助板(6)蓄积电荷来防止在非晶半导体层上形成空隙和在具有载流子选择性的高电阻膜(3)上形成针孔的放射线检测器为目的，在实施例1中，在绝缘层(5)中添加无机阴离子交换体。无机阴离子交换体吸附绝缘层(5)中的氯化物离子，因此能够防止氯化物离子被吸引到金电极层(2)而引起X射线检测器(10)被破坏。

Description

放射线检测器以及具备该放射线检测器的放射线摄影装置
技术领域
本发明涉及一种工业用或者医用的放射线检测器以及具备该放射线检测器的放射线摄影装置，特别是涉及一种将放射线直接转换成载流子的放射线检测器以及具备该放射线检测器的放射线摄影装置。
背景技术
以往，在利用半导体层将放射线直接转换成载流子(电荷信息)的直接转换型放射线检测器中，通过向形成在感应放射线的半导体层的表面上的共用电极层施加规定的偏压，来将在半导体层生成的载流子收集到形成于半导体层的背面的像素电极。并且，使用有源矩阵基板将该收集到的载流子作为放射线检测信号而读出，由此来检测放射线。
作为放射线感应型的半导体层，使用例如a-Se(非晶硒)这样的非晶半导体层。
直接转换型的放射线检测器是将高电压施加给共用电极层，因此沿非晶半导体层的表面产生放电。为了解决该沿面放电(creeping discharge)的问题，在专利文献1和图5中，使用高耐电压的绝缘层55(环氧树脂)来覆盖非晶半导体层51、共用电极层52以及具有载流子选择性的高电阻膜53的整个表面。有源矩阵基板54覆盖非晶半导体层51的下表面。
并且，在专利文献1中也提出了如下问题：环氧树脂的溶剂成分与作为非晶半导体层51的a-Se发生反应，非晶半导体层51的表面变色并且耐电压降低。因此，通过使用Sb2S3膜这种具有耐溶剂性且具有载流子选择性的高电阻膜53来覆盖非晶半导体层51的整个表面，从而降低环氧树脂的溶剂成分与a-Se之间的反应，防止非晶半导体层51的表面改性以及耐电压降低。
专利文献1：日本特开2002-311144号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，发现了在上述专利文献1也未公开的新问题。该问题是，如果持续使用放射线检测器50，则如图5的右侧所示，在辅助板56(玻璃)与绝缘层55之间的接触面的相反侧的面、即放射线入射侧的表面会蓄积负电荷。这是因为共用电极层52处于高电位，因此这种负电荷被其吸引而蓄积在放射线入射侧的表面。即，辅助板56、绝缘层55以及共用电极层52如同电容器一样蓄积负电荷。
该蓄积的电荷所产生的静电对从有源矩阵基板54读出的放射线检测信号产生影响，从而在放射线检测信号中产生噪声。以防止该噪声为目的，采用将辅助板56的放射线入射侧的表面接地来防止电荷蓄积的结构。由此，去除叠加在放射线检测信号中的噪声。
但是，当这样构成时会产生缺失像素增加这种问题。发明者们在为了查明其原因而使用电子显微镜来观察覆盖非晶半导体层51的整个表面的高电阻膜53时，确认出产生了图6所示的针孔。另外，还新确认出通过该针孔而在非晶半导体层51的表面形成空隙(void)。
本申请的发明者专心研究的结果是得出以下见解。首先，为了确定在非晶半导体层51上形成的空隙和在具有载流子选择性的高电阻膜53上形成的针孔是什么物质，使用荧光X射线分析装置对非晶半导体层51的空隙部和具有载流子选择性的高电阻膜53的针孔部以及除此以外的部分进行元素确定检查。图7示出从空隙部和针孔部检测出的元素，图8示出在不存在空隙部和针孔部的部分中检测出的元素。其结果是从空隙部和针孔部检测出本来不应该存在的氯原子(Cl)。并且在调查该氯原子为何存在时，新明确了该氯原子是在制作环氧树脂的主剂即环氧预聚物时作为没有彻底去除的副产物而残留下来的。
环氧树脂的主剂是将双酚A(C15H16O2)与表氯醇(C3H5ClO)进行混合而成的环氧预聚物。在该环氧预聚物中，表氯醇的氯化物离子(Cl-)没有被彻底去除而作为副产物残留。因此，在对本申请使用的环氧预聚物中的氯化物离子的残留浓度进行测量时，为400ppm～1000ppm左右。
根据上述理由，明确了以下内容，即在将环氧预聚物与固化剂进行混合而形成的环氧树脂中也残留有氯化物离子，该氯腐蚀作为具有载流子选择性的高电阻膜53的Sb2S3膜，由此形成针孔。另外，由于该针孔贯通而Sb2S3膜的作为载流子选择膜的功能降低。由此，暗电流增加，缺失像素增加。并且，氯化物离子通过该针孔而腐蚀非晶半导体层51的表面，形成空隙。
另外，认为辅助板56接地也是氯化物离子在作为具有载流子选择性的高电阻膜53的Sb2S3膜上形成针孔的原因之一。在对共用电极层52施加正偏压时，在使辅助板56接地和不接地两种情况下，使辅助板56接地一方从共用电极层52向辅助板56的电场强度强。由此，认为环氧树脂中的氯化物离子被该电场强烈地吸引而向共用电极层52的附近集中，其氯腐蚀Sb2S3膜和非晶半导体层51。
本发明是鉴于这种情形而完成的，目的在于提供一种不使电荷蓄积在辅助板而防止在非晶半导体层上形成空隙和在具有载流子选择性的高电阻膜上形成针孔的放射线检测器。
用于解决问题的方案
本发明为了解决上述问题采用以下结构。
即，第一发明的放射线检测器的特征在于，在具有用于读出后述的载流子的多个开关元件的有源矩阵基板上依次层叠有以下部分：转换层，其将光或者放射线转换成载流子；共用电极层，其被施加正偏压；绝缘层；以及导电层，其接地，其中，绝缘层含有阴离子交换体。
[作用和效果]根据本发明的结构，依次层叠有有源矩阵基板、转换层、共用电极层、绝缘层以及导电层。如果假设在绝缘层中残留有阴离子，则阴离子被向施加有正偏压的共用电极层吸引而破坏放射线检测器的结构。本发明以防止破坏该放射线检测器的结构为目的，向绝缘层添加阴离子交换体。阴离子交换体吸附阴离子，因此能够防止由于阴离子被向共用电极层吸引而导致放射线检测器被破坏的问题。
另外，第二发明的特征在于，在转换层与共用电极层之间具有使载流子选择性地透过的高电阻膜。
[作用和效果]通过设为上述结构，即使对共用电极层施加高的正电荷，也能够防止载流子从共用电极层向转换层侵入。
另外，第三发明的特征在于，在第一发明的放射线检测器中，绝缘层由环氧树脂构成。
[作用和效果]根据本发明的结构，提供一种能够更可靠地检测放射线的放射线检测器。环氧树脂在固化时不太散热，因此能够极力抑制转换层发生热变化的危险性。此外，在环氧树脂中有可能残留有阴离子，但是该阴离子被阴离子交换体吸附，因此能够防止放射线检测器被破坏。
另外，第四发明的特征在于，在第一发明至第三发明中的任一项的放射线检测器中，转换层由非晶硒构成，共用电极层是层叠方向上的厚度小于等于200nm的金电极层。
[作用和效果]已知由于阴离子到达高电阻层而放射线检测器被破坏。因此认为如果增加共用电极层的厚度则能够防止放射线检测器被破坏。根据上述结构，共用电极层的膜厚成为小于等于200nm(期望为100nm)。关于层叠共用电极层，由于需要抑制转换层的热变化，因此无法使共用电极层的膜厚很厚。根据上述结构，共用电极层的膜厚十分薄。而且，根据上述结构，阴离子处于在绝缘层中被吸附的状态，因此即使共用电极层薄，放射线检测器也不会被破坏。
另外，根据上述结构，共用电极层由金构成。由此，能够提供一种在使膜厚薄的同时能够可靠地施加正偏压的放射线检测器。此外，已知阴离子会贯通金电极层。但是，根据上述结构，阴离子处于在绝缘层中被吸附的状态，因此即使共用电极层由金构成，放射线检测器也不会被破坏。
另外，第五发明的特征在于，在第一发明至第四发明中的任一项的放射线检测器中，阴离子交换体是无机阴离子交换体。
[作用和效果]上述结构示出阴离子交换体的具体方式。明确了破坏放射线检测器的阴离子是无机阴离子，因此根据上述结构，能够更可靠地抑制放射线检测器被破坏。
另外，第六发明的特征在于，在第五发明的放射线检测器中，阴离子交换体吸附氯化物离子。
[作用和效果]根据上述结构，能够更可靠地抑制放射线检测器被破坏。例如假设绝缘层使用环氧树脂，则在环氧树脂固化时释放出盐酸。来自该盐酸的氯化物离子是导致放射线检测器被破坏的阴离子的主要成分。根据上述结构，阴离子交换体吸附氯化物离子，因此能够可靠地抑制放射线检测器被破坏。
另外，第七发明的特征在于，在第五发明或者第六发明的放射线检测器中，阴离子交换体是从包含水滑石类化合物、氢氧化锆、氢氧化钛、钇类化合物、氢氧化铋、硝酸铋以及氧化铋类化合物组成的群中选择的至少一种物质。
[作用和效果]上述结构具体地示出了阴离子交换体。作为无机阴离子能够选择从包含上述化合物的群中选择的至少一种以上的物质。
另外，第八发明的特征在于，在第五发明至第七发明中的任一项的放射线检测器中，阴离子交换体不含有氯原子。
[作用和效果]根据上述结构，在阴离子交换体中不含有氯原子。由此，能够可靠地减少绝缘层中能够移动的氯原子。因而，氯化物离子不会被吸引到共用电极层。
另外，第九发明的特征在于，在第一发明至第八发明中的任一项的放射线检测器中，以覆盖已层叠的转换层、共用电极层以及绝缘层的侧面的方式设置有由与绝缘层相同的材料构成的侧面绝缘层。
[作用和效果]根据上述结构，转换层、共用电极层、绝缘层的侧面被侧面绝缘层覆盖。侧面绝缘层含有阴离子交换体，因此即使在转换层、共用电极层、绝缘层的侧面部，阴离子也不会被吸引。
另外，第十发明是一种放射线摄影装置，其特征在于，安装有第一发明至第九发明中的任一项的放射线检测器，具备照射放射线的放射线源。
[作用和效果]根据上述结构，能够提供一种安装了故障少的放射线检测器的放射线摄影装置。
附图说明
图1是说明实施例1的X射线检测器的结构的截面图。
图2是说明实施例1的X射线检测器的结构的俯视图。
图3是说明实施例1的X射线检测器的结构的截面图。
图4是说明实施例2的X射线摄影装置的结构的截面图。
图5是说明以往结构的X射线检测器的结构的截面图。
图6是说明以往结构的X射线检测器的结构的电子显微镜照片。
图7是说明以往结构的X射线检测器的结构的光谱数据。
图8是说明以往结构的X射线检测器的结构的光谱数据。
附图标记说明
1：非晶硒层(转换层)；2：金电极层(共用电极层)；3：高电阻层；4：有源矩阵基板；5：绝缘层；6：导电层(辅助板)；10：X射线检测器(放射线检测器)；31：X射线摄影装置(放射线摄影装置)；33：X射线管(放射线源)。
具体实施方式
接着，说明作为本发明的优选实施方式的各实施例所涉及的放射线检测器的结构。此外，以后说明的X射线是本发明的放射线的一例。
实施例1
实施例1所涉及的X射线检测器10具有：有源矩阵基板4，其蓄积载流子并将其读出；非晶硒层1，其将光或者X射线转换成载流子对；高电阻层3；金电极层2；绝缘层5，其由环氧树脂构成；以及辅助板6，其由玻璃构成。另外，X射线检测器10为依次层叠有有源矩阵基板4、非晶硒层1、高电阻层3、金电极层2、绝缘层5以及辅助板6的结构。X射线检测器相当于本发明的放射线检测器，非晶硒层相当于本发明的转换层。另外，金电极层相当于本发明的共用电极层。
非晶硒层1由电阻率大于等于109Ωcm(优选大于等于1011Ωcm)的高纯度的非晶硒构成。其层叠方向的厚度为0.5mm～1.5mm。当对该非晶硒层1照射光或者X射线时，产生空穴与电子的对即载流子对。非晶硒层1被置于强电场中，因此载流子随之向有源矩阵基板4移动。
在有源矩阵基板4中嵌入有用于收集载流子的收集电极4a。收集电极4a与非晶硒层1相接触，并且二维排列在有源矩阵基板4的表面上。如图1所示，该收集电极4a与用于蓄积载流子的电容器4c相连接。电容器4c蓄积由收集电极4a收集到的电荷。电容器4c与晶体管4t相连接。该晶体管4t除了具有与电容器4c相连接的输入端子以外还具有用于电流控制的栅极G和用于读出检测信号的读出电极P。当晶体管4t的栅极G导通时，蓄积在电容器4c中的电荷(上述载流子)流向读出电极P。
在图1中为了简略仅示出一个电容器4c。但是，在实际的有源矩阵基板4上，对各个收集电极4a设置有电容器4c、晶体管4t、栅极G以及读出电极P。因而，如图2所示，电容器4c、晶体管4t二维地进行排列。另外，图2中的沿纵向排列的晶体管4t的读出电极P都与共用的放大器电极Q1～Q4相连接，图2中的沿横向排列的晶体管4t的栅极G都与共用的栅极控制电极H1～H4相连接。栅极控制电极H1～H4与栅极驱动器13相连接，放大器电极Q1～Q4与放大器阵列14相连接。
说明读出各电容器4c中的电荷的结构。假设在图2中的各个电容器4c中蓄积有电荷。栅极驱动器13通过栅极控制电极H 1来使晶体管4t一起导通。导通的横向排列的四个晶体管4t通过放大器电极Q1～Q4将电荷传递到放大器阵列14。
接着，栅极驱动器13通过栅极控制电极H2来使晶体管4t一起导通。这样，栅极驱动器13依次接通栅极控制电极H1～H4。每次接通栅极控制电极时使不同行的晶体管4t导通。这样，X射线检测器10按行读出蓄积在各个电容器4c中的电荷。
在放大器阵列14中，针对各个放大器电极Q1～Q4设置有对信号进行放大的放大器。从放大器电极Q1～Q4输入到放大器阵列14的原始信号在此被放大。从放大器阵列14输出的放大信号被输出到图像生成部15。各放大信号被转换为像素值，该像素值二维地进行排列而生成图像。
收集电极4a、电容器4c以及晶体管4t构成检测X射线的X射线检测元件。X射线检测元件在有源矩阵基板4中形成1024×1024的纵横排列的二维矩阵。
如图1所示，金电极层2与节点2a相连接。通过对节点2a提供高电位来对金电极层2施加电位，例如施加10kV的正偏压。该金电极层2的层叠方向上的厚度(膜厚)为小于等于200nm。当要加厚金电极层2时，有时由于热量而导致非晶硒层1改性。以防止该非晶硒层1改性为目的，金电极层2的膜厚为足够薄的小于等于200nm。
高电阻层3是阻止空穴从金电极层2注入非晶硒层1的层。该高电阻层3的主要成分以n型的Sb2S3构成，其膜厚为0.1μm～5μm左右，电阻率大于等于109Ωcm。此外，如果电阻率达到大于等于109Ωcm，则根据情况不同，也存在取代n型Sb2S3而使用p型材料好的情况。作为此时所选择的p型材料，也可以是Sb2Te3、ZnTe等。另外，还能够通过添加杂质将Sb2S3作为p型材料来使用。
绝缘层5由环氧树脂构成。绝缘层5覆盖金电极层2，由此金电极层2的高电位被封闭在绝缘层5内。该绝缘层5在X射线检测器10的周缘部还覆盖非晶硒层1的侧端。因而，在X射线检测器10的周缘部，绝缘层5与有源矩阵基板4相接触。也就是说，非晶硒层1、高电阻层3以及金电极层2被有源矩阵基板4以及绝缘层5密封。换言之，非晶硒层1、高电阻层3以及金电极层2的侧端被绝缘层覆盖。通过这样设置，能够防止对金电极层2施加的电荷向外部放电而逃出到外部。设定该绝缘层5的厚度使得从有源矩阵基板4至辅助板6的距离为1mm～5mm(优选为2mm～4mm)。
非晶硒层1、金电极层2以及绝缘层5的侧面被侧面绝缘层5a覆盖。侧面绝缘层由与绝缘层5相同的材料构成。
辅助板6是石英玻璃制的板，与绝缘层5相面对。辅助板6的厚度为0.5mm～1.5mm。在辅助板6中的与绝缘层5相接触的面的相反侧的X射线入射面上涂敷有导电性碳颗粒，因此辅助板6的表面具有导电性。此外，该辅助板6的表面通过与接地电极6a相连接而接地。因而，辅助板6的X射线入射面具有导电性。辅助板相当于本发明的导电层。
如果对金电极层2施加高的正偏压，则辅助板6的表面(X射线入射面)随之要负带电。该负电荷立即逃到与辅助板6相连接的接地电极6a。如图3所示，如果放任在辅助板6的表面上蓄积有负电荷的状态不管，则在负电荷蓄积到某种程度的时刻会产生放电。于是，金电极层2的电位会稍微发生变动。随之，非晶硒层1所处的电场的状态发生变化。有源矩阵基板4会检测出该电场的变化。也就是说，如果负电荷不立即从辅助板6逃掉，则在X射线的检测数据中会叠加噪声。
说明实施例1中最具特征的结构。即，在绝缘层5中添加了无机阴离子交换体。无机阴离子交换体由从包括水滑石类化合物、氢氧化锆、氢氧化钛、钇类化合物、氢氧化铋、硝酸铋以及氧化铋类化合物的群中选择出的至少一种以上物质构成。他们都能够吸附无机阴离子、特别是氯化物离子。此时，无机阴离子交换体吸附氯化物离子，取而代之放出氢氧化物离子等。此外，在绝缘层5中例如包含重量为2％左右的无机阴离子交换体。此外，更为理想的是所选择的无机阴离子交换体不含氯元素。
在制造X射线检测器10时，在使绝缘层5、侧面绝缘层5a固化的工序中，所产生的热量传导到非晶硒层1。当非晶硒层1处于高热环境时，非晶硒层1的硒结晶，从而无法将X射线转换为载流子。因此，最好尽量避免对非晶硒层1加热。环氧树脂的固化反应是发热反应，但是所产生的热量并不那么多。因而，期望使用环氧树脂作为构成绝缘层5的材料。
另外，环氧树脂是将双酚A与表氯醇进行聚合从而得到的。此时，伴随聚合反应而产生盐酸。难以将该盐酸从环氧树脂中完全去除。具体地，在环氧树脂中400ppm～1,000ppm浓度的氯以某种方式残留。这样，在环氧树脂中残留有某种程度的氯元素。该氯元素成为包含在环氧树脂中的氯化物离子的产生源。
如果在绝缘层5中残留有氯化物离子，则该氯化物离子被向金电极层2侧吸引。该氯化物离子会导致不能预期的问题。即，氯化物离子侵入金电极层2而到达高电阻层3和非晶硒层1。如果高电阻层3由于氯化物离子而被破坏，会产生空穴通过非晶硒层1的现象，如果氯化物离子到达非晶硒层1，则在此处非晶硒层1被破坏。如果发生这种情况，则无法检测X射线。即，由收集电极4a、电容器4c、晶体管4t构成的X射线检测元件产生故障。于是，在图像生成部15输出的图像中出现缺失像素。
根据实施例1的结构，以抑制这种问题为目的，在绝缘层5中添加无机阴离子交换体。通过这样设置，游离在绝缘层5中的氯化物离子全部被无机阴离子交换体吸附，无法被吸引移动至金电极层2。因而，能够防止氯化物离子引起的高电阻层3、非晶硒层1被破坏。
此外，如果不使辅助板6接地，则在一定程度上能够抑制X射线检测元件的故障。作为其理由，推测为当绝缘层5被夹持在高电位的金电极层2与接地的辅助板6之间时，绝缘层5中的氯化物离子会被更强地吸引到金电极层2。虽说存在以上观点，但是从降低噪声的角度出发，不能不将辅助板6接地，从防止非晶硒的改性(结晶化)的角度出发，也不能在绝缘层5中使用环氧树脂以外的不含氯元素的材料。在实施例1的结构中，通过使用无机阴离子交换体，能够一次满足不能兼顾的需求。
如上所述，根据实施例1的结构，依次层叠有有源矩阵基板4、非晶硒层1、高电阻层3、金电极层2、绝缘层5以及辅助板6。如果假设在绝缘层5中残留有氯化物离子，则氯化物离子被吸引到施加了正偏压的金电极层2，破坏X射线检测器10的结构。在实施例1中，以防止该破坏为目的，在绝缘层5中添加无机阴离子交换体。无机阴离子交换体吸附氯化物离子，因此能够防止由于氯化物离子被吸引到金电极层2而引起X射线检测器10被破坏。
根据实施例1的结构，能够提供一种能够更可靠地检测放射线的X射线检测器10。环氧树脂在固化时不太散热，因此能够极力抑制非晶硒层1发生热变化的危险性。此外，在环氧树脂中有可能残留氯化物离子，但是该氯化物离子被无机阴离子交换体吸附，因此能防止X射线检测器10被破坏。
另外，已知氯化物离子到达高电阻层3会破坏X射线检测器10。因此，认为如果增加金电极层2的厚度则能够防止发生这种问题。根据实施例1的结构，金电极层2的膜厚为100nm。关于层叠金电极层2，由于需要抑制非晶硒层1的热变化，因此不能将金电极层2的膜厚设为太厚。根据实施例1的结构，金电极层2的膜厚变得足够薄。而且，根据实施例1的结构，氯化物离子处于在绝缘层5中被吸附的状态，因此即使金电极层2薄，X射线检测器10也不会被破坏。此外，还能够将金电极层2的膜厚增加到200nm。
根据实施例1的结构，金电极层2由金构成。由此，能够提供一种在使膜厚变薄的同时可靠地施加正偏压的X射线检测器10。此外，已知氯化物离子会贯通金电极层2。但是，根据实施例1的结构，氯化物离子处于在绝缘层5中被吸附的状态，因此即使金电极层2由金构成，X射线检测器10也不会被破坏。
此外，根据实施例1的结构，能够更可靠地抑制X射线检测器10被破坏。如果在绝缘层5中使用环氧树脂，在环氧树脂固化时放出盐酸。由此形成的氯化物离子是导致X射线检测器10被破坏的氯化物离子的主要成分。根据实施例1的结构，无机阴离子交换体吸附氯化物离子，因此能够可靠地抑制X射线检测器10被破坏。
并且，根据实施例1的结构，在无机阴离子交换体中不含氯元素。由此，能够可靠地减少绝缘层5中能够移动的氯元素。因而，氯化物离子不会被吸引到金电极层2。
根据实施例1的结构，非晶硒层1、金电极层2以及绝缘层5的侧面被侧面绝缘层5a覆盖。侧面绝缘层5a由与绝缘层5相同的材料构成，含有无机阴离子交换体，因此即使在非晶硒层1、金电极层2以及绝缘层5的侧面部，氯化物离子也不会被吸引。
实施例2
接着，说明实施例2所涉及的放射线摄影装置。该放射线摄影装置安装有实施例1所涉及的X射线检测器10。
首先，说明实施例2所涉及的X射线摄影装置31的结构。图4是说明实施例2所涉及的X射线摄影装置31的结构的功能框图。如图4所示，在实施例2所涉及的X射线摄影装置31中设置有：平板32，其用于载置被检体M；X射线管33，其设置于该平板32上部，射出脉冲状X射线束；X射线检测器10，其检测透过了被检体M的X射线；以及X射线栅格(grid)35，其去除入射到X射线检测器10的散射X射线。另外，实施例2的结构具备对X射线管33的管电压、管电流以及X射线束的时间性脉冲宽度进行控制的X射线管控制部36。此外，X射线摄影装置相当于本发明的放射线摄影装置，X射线管相当于本发明的放射线源。
另外，X射线摄影装置31具备接收操作员的指示的操作台43以及显示X射线透视图像或者运动图像的显示部44。
并且，X射线摄影装置31具备对X射线管控制部36进行统括控制的主控制部45。该主控制部45由CPU构成，通过执行各种程序来实现各部。另外，关于上述各部，也可以分配到负责上述各部的运算装置来执行。
X射线管33根据X射线管36的控制，以规定的管电流、管电压、照射时间对被检体照射X射线。
说明具有这种结构的X射线摄影装置31的动作。首先，将被检体M载置到平板32上。操作员通过操作台43来控制X射线管33，使X射线照射到被检体M。由X射线检测器10检测透过了被检体M的X射线，检测数据(放大数据)被发送到图像生成部15(参照图2)，生成摄入了被检体M的透视像的X射线透视图像。该X射线透视图像显示在显示部44上，然后结束由实施例2所涉及的X射线摄影装置31进行的X射线透视图像获取。
根据实施例2的结构，能够提供一种安装了故障少的X射线检测器10的X射线摄影装置31。
本发明并不限于上述各实施例，还能够进行如下变形来实施。
(1)在上述各实施例中，辅助板6接地，但是也可以将该辅助板6设为比金电极层2的电位低的正电位。
(2)在上述各实施例中，使用非晶硒层作为转换层，但是本发明并不限于此。即，还能够使用CdTe层、CdZnTe层来代替非晶硒层。
(3)在上述各实施例中，本发明为医用装置，但是本发明还能够应用于工业用、原子能用的装置。
(4)在上述各实施例中所说的X射线是本发明中的放射线的一例。因而，本发明对X射线以外的放射线也同样适用。
产业上的可利用性
如上所述，本发明适用于医用放射线摄影装置。

Claims (10)

1.一种放射线检测器，其特征在于，
在具有用于读出后述的载流子的多个开关元件的有源矩阵基板上依次层叠有以下部分：
转换层，其将光或者放射线转换成载流子；
共用电极层，其被施加正偏压；
绝缘层；以及
导电层，其接地，
其中，上述绝缘层含有阴离子交换体。
2.根据权利要求1所述的放射线检测器，其特征在于，
在上述转换层与上述共用电极层之间具有使上述载流子选择性地透过的高电阻膜。
3.根据权利要求1所述的放射线检测器，其特征在于，
上述绝缘层由环氧树脂构成。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的放射线检测器，其特征在于，
上述转换层由非晶硒构成，
上述共用电极层是层叠方向上的厚度小于等于200nm的金电极层。
5.根据权利要求1～4中的任一项所述的放射线检测器，其特征在于，
上述阴离子交换体是无机阴离子交换体。
6.根据权利要求5所述的放射线检测器，其特征在于，
上述阴离子交换体吸附氯化物离子。
7.根据权利要求5或者6所述的放射线检测器，其特征在于，
上述阴离子交换体是从包含水滑石类化合物、氢氧化锆、氢氧化钛、钇类化合物、氢氧化铋、硝酸铋以及氧化铋类化合物的群中选择出的至少一种物质。
8.根据权利要求5～7中的任一项所述的放射线检测器，其特征在于，
上述阴离子交换体不含有氯原子。
9.根据权利要求1～8中的任一项所述的放射线检测器，其特征在于，
以覆盖已层叠的上述转换层、上述共用电极层以及上述绝缘层的侧面的方式设置有由与上述绝缘层相同的材料构成的侧面绝缘层。
10.一种放射线摄影装置，其特征在于，
安装有根据权利要求1～9中的任一项所述的放射线检测器，
具备照射放射线的放射线源。
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