JP5115098B2 - 樹脂組成物および半導体装置 - Google Patents
樹脂組成物および半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5115098B2 JP5115098B2 JP2007217699A JP2007217699A JP5115098B2 JP 5115098 B2 JP5115098 B2 JP 5115098B2 JP 2007217699 A JP2007217699 A JP 2007217699A JP 2007217699 A JP2007217699 A JP 2007217699A JP 5115098 B2 JP5115098 B2 JP 5115098B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weight
- group
- general formula
- resin
- compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Description
そこで、鉛を含有しない半田を使用すると、実装温度を従来に比べ約20℃高くする必要があり、それにより半導体装置の信頼性がさらに低下する場合があった。この半導体装置の信頼性を向上する方法として、低粘度の結晶性エポキシ樹脂を適用し、より多くの無機充填剤を配合する方法が開示されている(例えば、特許文献1、特許文献2参照)。
また、臭素化合物・酸化アンチモン等に変わる代替難燃化手法としては、リン酸エステル化合物を用いる方法(例えば、特許文献3参照)、ホスファゼン化合物を用いる方法(例えば、特許文献4参照)、金属水酸化物を用いる方法(例えば、特許文献5参照)等が挙げられる。
しかし、いずれの方法においても難燃性・信頼性・流動性の全てを満足するものは得られていなかった。
(1)エポキシ樹脂(A)と、硬化剤(B)と、無機充填材(C)と、硬化促進剤(D)と、を含み、半導体を封止するのに用いられる樹脂組成物であって、
前記樹脂組成物全体に対して、エポキシ樹脂(A)の含有量が2重量%以上、12重量%以下であり、硬化剤(B)の含有量が2重量%以上、10重量%以下であり、無機充填剤(C)の含有量が78重量%以上、92重量%以下であり、硬化促進剤(D)の含有量が0.05重量%以上、1.0重量%以下であり、
前記硬化剤(B)が、一分子中にフェノール性水酸基を平均3個以上含むフェノール樹脂(B1)および下記一般式(1)で示される化合物(B2)を含有し、硬化剤(B)全体に対して、化合物(B2)の含有量が15重量%以上、80重量%以下であり、硬化剤(B)中におけるフェノール樹脂(B1)と化合物(B2)との併用比(B1/B2)が0.7〜1.3であり、化合物(B2)において、一般式(1)で示されるn=0の成分の含有量が20%以上、65%以下であり、
前記硬化促進剤(D)が、下記一般式(2)で表される化合物、下記一般式(3)で表される化合物、下記一般式(4)で表される化合物から選ばれる少なくとも1つであることを特徴とする樹脂組成物。
ずれかを芳香環に少なくとも1つ有する芳香族有機酸のアニオンである。AHは、ヒドロキシル基、カルボキシル基およびチオール基から選ばれる官能基のいずれかを芳香環に少なくとも1つ有する芳香族有機酸である。a、bは1〜3の整数、cは0〜3の整数であり、かつa=bである。)
本発明の樹脂組成物は、エポキシ樹脂(A)と、硬化剤(B)と、無機充填材(C)と、硬化促進剤(D)と、を含み、半導体を封止するのに用いられる樹脂組成物であって、前記硬化剤が、一分子中にフェノール性水酸基を平均3個以上含むフェノール樹脂(B1)および下記一般式(1)で示される化合物(B2)を含有することを特徴とする。
また、本発明の半導体装置は、上記に記載の樹脂組成物の硬化物により半導体素子を封止してなることを特徴とする。
前記エポキシ樹脂(A)としては、一分子中にエポキシ基を2個以上有するものであれば特に分子量や構造は限定されるものではない。例えば、フェノール、クレゾール、1−ナフトール、2−ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等のフェノール類、ナフトール類と、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒド、サリチルアルデヒド等のアルデヒド化合物と、を酸触媒下において反応させて得られるノボラック型フェノール樹脂のエポキシ化樹脂;ビスフェノールA、ビスフェノールF、オキシジフェノール、チオビスフェノール、ビフェノール等のエポキシ化樹脂;ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂のエポキシ化樹脂;フェニレン骨格やビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂のエポキシ化樹脂;フェニレン骨格やビフェニレン骨格を有するナフトールアラルキル樹脂のエポキシ化樹脂;トリフェノールメタン型フェノール樹脂のエポキシ化樹脂;アルキル変性トリフェノールメタン型フェノール樹脂のエポキシ化樹脂;トリアジン核含有エポキシ樹脂;ジヒドロアントラヒドロキノンのグリシジルエーテル化エポキシ樹脂、N,N−ジグリシジルアニリン、N,N−ジグリシジルトルイジン、ジアミノジフェニルメタン型グリシジルアミン、アミノフェノール型グリシジルアミンのような芳香族グリシジルアミン型エポキシ樹脂等が挙げられ、これらを単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、ビフェノールのエポキシ化樹脂、ビスフェノールFのエポキシ化樹脂、チオビスフェノールのエポキシ化樹脂、フェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂のエポキシ化樹脂、フェニレン骨格を有するナフトールアラルキル樹脂のエポキシ化樹脂、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂のエポキシ化樹脂、ノボラック型フェノール樹脂のエポキシ化樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂のエポキシ化樹脂およびジヒドロアントラヒドロキノンのグリシジルエーテル化エポキシ樹脂から選ばれる少なくとも1つを含むことが好ましい。これにより、耐湿性、耐半田性を向上することができる。
市販品では、東都化成社製、商品名:ZX767(R1〜R4がメチル基であり、m=0、水酸基当量400、n=0含有量16%)、同社製ZX798(R1〜R4がメチル基であり、m=0、水酸基当量720、n=0含有量5%)、ジャパンエポキシレジン社製、商品名:YLH1302(R1〜R4がメチル基であり、m=0、水酸基当量212、n=0含有量35%)、同YLH1302L(R1〜R4がメチル基であり、m=0、水酸基当量182、n=0含有量45%)等が挙げられる。
また、化合物(B2)において、前記一般式(1)で示されるn=0の成分の含有量は、特に限定されないが、ブロッキング性の改善および耐燃性向上の観点からは、65%以下が好ましく、55%以下がさらに好ましい。
前記無機充填材(C)としては、一般に半導体封止用樹脂組成物に用いられているものを使用することができ、例えば溶融シリカ、球状シリカ、結晶シリカ、アルミナ、窒化珪素、窒化アルミ、水酸化アルミニウム等が挙げられる。これらの中でも溶融シリカ、球状シリカ、結晶シリカ等のシリカが好ましい。これにより、線膨張係数の低減と樹脂強度の向上によって耐半田性はさらに向上することができる。
前記平均粒径は、例えばレーザー式粒度分布径で評価することができる。
前記硬化促進剤としては、例えば、エチルホスフィン、フェニルホスフィン等の第1ホスフィン;ジメチルホスフィン、ジフェニルホスフィン等の第2ホスフィン;トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリフェニルホスフィン等の第3ホスフィン;下記一般式(2)で表されるテトラ置換ホスホニウム化合物;下記一般式(3)で表されるホスホベタイン化合物;下記一般式(4)で表されるホスフィン化合物とキノン化合物との付加物;下記一般式(5)で表されるホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物のようなリン原子含有化合物、1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7、1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7とポリフェノールやカルボン酸との付加塩化合物等のジアザビシクロアルケンおよびその誘導体;ベンジルジメチルアミン、トリス(ジメチルアミノメチル)フェノールのような3級アミン化合物、2−メチルイミダゾール、2−ウンデシルイミダゾール、2−ヘプタデシルイミダゾール、2−フェニル−4、5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール等のイミダゾール化合物のような例えば1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7等のジアザビシクロアルケンおよびその誘導体、2―ウンデシルイミダゾール、2―ヘプタデシルイミダゾール、2―フェニルー4、5―ジヒドロキシメチルイミダゾール、2―フェニルイミダゾール等のイミダゾール化合物のような窒素原子含有化合物が挙げられる。これらのうち、リン原子含有化合物が好ましく、特に流動性という点を考慮すると下記一般式(2)で表されるテトラ置換ホスホニウム化合物が好ましく、また半導体封止用樹脂組成物の硬化物の熱時低弾性率という点を考慮すると下記一般式(3)で表されるホスホベタイン化合物;下記一般式(4)で表されるホスフィン化合物とキノン化合物との付加物が好ましく、また潜伏的硬化性という点を考慮すると、下記一般式(5)で表されるホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物が好ましく、これらの化合物から選ばれる少なくとも1つであることが好ましい。
前記一般式(2)中の前記芳香族有機酸としては、具体的にビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)メタン(通称テトラメチルビスフェノールF)、4,4’−スルホニルジフェノール等が挙げられる。
前記一般式(2)中の前記芳香族有機酸のアニオンとしては、具体的に前記のビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)メタン(通称テトラメチルビスフェノールF)、4,4’−スルホニルジフェノールなどから1個の水素を除いたフェノキシド型化合物、テトラ安息香酸ボレートが挙げられる。
上述の樹脂組成物を、例えばミキサー等を用いて混合後、加熱ニーダー、熱ロール、押し出し機等を用いて加熱混練し、続いて冷却、粉砕してエポキシ樹脂成形材料を得ることができる。
このエポキシ樹脂成形材料を用いて半導体素子等の電子部品を封止し、図1に示すような半導体装置100を製造するには、トランスファーモールド、コンプレッションモールド、インジェクションモールド等の従来からの成形方法で硬化成形すれば良い。
(エポキシ樹脂組成物の製造)
エポキシ樹脂1:オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(大日本インキ化学工業株式会社製商品名EPICLON N−660、当量210、軟化点62℃)
7.37重量部
フェノール硬化剤1:フェノールノボラック型フェノール硬化剤(三井化学株式会社製商品名VR9305 水酸基当量106、軟化点75℃、一分子中に含まれるフェノール性水酸基の平均数4.2個)
2.11重量部
化合物B2−1:一般式(1)で示される2官能フェノール硬化剤でR1,R2,R3およびR4がメチル基、m=0、n=2.2(ジャパンエポキシレジン株式会社製商品名YLH1302L 水酸基当量182、軟化点70℃)
2.11重量部
硬化促進剤1:下記式(7)で示される化合物
0.40重量部
0.15重量部
シランカップリング剤−2:γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン
0.15重量部
2,3−ジヒドロキシナフタレン: 0.20重量部
溶融球状シリカ(平均粒径25μm) 87.00重量部
カルナバワックス 0.20重量部
カーボンブラック 0.30重量部
をミキサーにて常温混合し、80℃以上、100℃以下の加熱ロールで溶融混練し、冷却後粉砕してエポキシ樹脂組成物(エポキシ樹脂成形材料)を得た。得られたエポキシ樹脂組成物を用いて以下の方法で評価した。得られた結果を表1に示す。
低圧トランスファー成形機(コータキ精機株式会社製、KTS−15)を用いて、EMMI−1−66に準じたスパイラルフロー測定用金型に、金型温度175℃、注入圧力6.9MPa、保圧時間120秒間の条件で、エポキシ樹脂組成物を注入し、流動長を測定した。スパイラルフローは、流動性のパラメータであり、数値が大きい方が、流動性が良好である。実施例1で得られた樹脂組成物は132cmと良好な流動性を示した。
低圧トランスファー成形機(コータキ精機株式会社製、KTS−30)を用いて、金型温度175℃、注入圧力9.8MPa、注入時間15秒間、硬化時間120秒間の条件で、エポキシ樹脂組成物を注入成形して、3.2mm厚および1.6mm厚の耐燃試験片を作製した。作製した試験片を175℃、8時間、後硬化した後、UL94垂直法の規格に則り耐燃試験を行い、耐燃性を判断した。表2には、ΣF(フレーミング時間の合計(秒))、Fmax(フレーミングの最大時間(秒))および判定後の耐燃ランクを示した。実施例1で得られた樹脂組成物は3.2mm厚においてはV−0、1.6mm厚ではV−1と良好な耐燃性を示した。
低圧トランスファー成形機(第一精工株式会社製、GP−ELF)を用いて、金型温度180℃、注入圧力7.4MPa、硬化時間120秒間の条件で、エポキシ樹脂組成物を注入して半導体素子(シリコンチップ)が搭載されたリードフレーム等を封止成形し、80pQFP(Cu製リードフレーム、サイズは14×20mm×厚さ2.00mm、半導体素子は7×7mm×厚さ0.35mm、半導体素子と回路基板のボンディングパッドとは25μm径の金線でボンディングされている。)なる半導体装置を作製した。ポストキュアとして175℃で4時間加熱処理した半導体装置6個を、30℃、相対湿度60%で192時間加湿処理した後、IRリフロー処理(260℃、JEDEC・Level3条件に従う)を行った。さらにこれらの半導体装置を(−65℃/30分間)と(150℃/30分間)の冷熱サイクル処理を250サイクル施した後の半導体装置内部の剥離およびクラックの有無を超音波探傷装置(日立建機ファインテック製、mi−scope10)で観察し、剥離またはクラックのいずれか一方でも発生したものを不良とした。不良半導体装置の個数がn個であるとき、n/6と表示した。実施例1で得られた樹脂組成物は0/6と良好な信頼性を示した。
実施例1のエポキシ樹脂1を7.82重量部、フェノール硬化剤1を3.27重量部、化合物B2−1を0.51重量部とした以外は、実施例1同様に評価を行った。表1に示すように、参考例2は良好な流動性、耐燃性、信頼性を示した。
実施例1のエポキシ樹脂1を6.84重量部、フェノール硬化剤1を0.73重量部、化合物B2−1を4.03重量部とした以外は、実施例1同様に評価を行った。表1に示すように、参考例3は良好な流動性、耐燃性、信頼性を示した。
硬化促進剤として以下のものを用いた以外は、実施例1と同様に評価を行った。
硬化促進剤2として1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7を用いた。表1に示すように、参考例4は良好な耐燃性、信頼性を示した。
エポキシ樹脂の含有量等およびフェノール硬化剤として以下のものを用いた以外は、実施例1と同様にした。
実施例1のエポキシ樹脂1を6.62重量部、フェノール硬化剤1に代わってフェノール硬化剤2:フェノールアラルキル型フェノール硬化剤(明和化成株式会社製商品名MEH−7800SS、当量175、軟化点66.5℃、一分子中に含まれるフェノール性水酸基平均数3.3個)を2.49重量部、化合物B2−1を2.49重量部とした。表1に示すように、実施例5は良好な流動性、耐燃性、信頼性を示した。
エポキシ樹脂の含有量等およびフェノール硬化剤として以下のものを用いた以外は、実施例1と同様にした。
実施例1のエポキシ樹脂1を7.52重量部、フェノール硬化剤1に代わってフェノール硬化剤3:トリフェノールメタン型フェノール硬化剤(明和化成株式会社製商品名MEH−7500、当量97、軟化点110℃、一分子中に含まれるフェノール性水酸基平均数3.9個)を2.04重量部、化合物B2−1を2.04重量部とした。表1に示すように、実施例6は良好な耐燃性、信頼性を示した。
フェノール硬化剤の含有量等およびエポキシ樹脂として以下のものを用いた以外は、実施例1と同様にした。
エポキシ樹脂1に代わってエポキシ樹脂2:トリフェニルメタン型エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン株式会社製商品名E1032H60、当量169、軟化点60℃)を5.95重量部、フェノール硬化剤2を2.82重量部、化合物B2−1を2.82重量部とした。表1に示すように、実施例7は良好な耐燃性、信頼性を示した。
フェノール硬化剤の含有量等およびエポキシ樹脂として以下のものを用いた以外は、実施例1と同様にした。
エポキシ樹脂1に代わってエポキシ樹脂3:ジヒドロアントラキノン型結晶性エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン株式会社製商品名YX8800、当量180、軟化点105℃)を6.15重量部、フェノール硬化剤2を2.73重量部、化合物B2−1を2.73重量部とした。表1に示すように、実施例7は良好な耐燃性、信頼性を示した。
フェノール硬化剤の含有量等および化合物(B2)として以下のものを用いた以外は、実施例1と同様にした。
実施例1の化合物B2−1に代わって化合物B2−2:式(1)で示される2官能フェノール硬化剤でR1,R2,R3およびR4がメチル基、m=0、n=2.3(ジャパンエポキシレジン株式会社製商品名YLH1302 水酸基当量212、軟化点77℃)とした。表1に示すように、実施例6は良好な耐燃性、信頼性を示した。
前記化合物(B2)を用いずに配合を以下のようにした以外は、実施例1と同様にした。
実施例1のエポキシ樹脂1を7.96重量部、フェノール硬化剤1を3.64重量部、化合物B2−1を0重量部とした。表1に示すように、比較例1は耐燃性、信頼性に劣る結果であった。
フェノール硬化剤として、フェノール性水酸基が一分子中に2個のフェノール硬化剤を用い、配合を以下のようにした以外は、実施例1と同様にした。
実施例1のエポキシ樹脂1を6.38重量部、フェノール硬化剤1に代わってフェノール硬化剤4:α−ナフトールアラルキル型フェノール硬化剤(東都化成株式会社製商品名SN−485、当量210、軟化点87℃、一分子中に含まれるフェノール性水酸基平均数2.4個)を2.61重量部、化合物B2−1を2.61重量部とした。表1に示すように、比較例2は耐燃性、信頼性に劣る結果であった。
また、上述の半導体封止用樹脂組成物の硬化物で半導体装置を封止しているので、信頼性に優れた半導体装置を得ることができる。
2 ダイボンド材硬化体
3 ダイパッド
4 金線
5 リードフレーム
6 封止用樹脂組成物の硬化体(封止材)
100 半導体装置
Claims (2)
- エポキシ樹脂(A)と、硬化剤(B)と、無機充填材(C)と、硬化促進剤(D)と、を含み、半導体を封止するのに用いられる樹脂組成物であって、
前記樹脂組成物全体に対して、エポキシ樹脂(A)の含有量が2重量%以上、12重量%以下であり、硬化剤(B)の含有量が2重量%以上、10重量%以下であり、無機充填剤(C)の含有量が78重量%以上、92重量%以下であり、硬化促進剤(D)の含有量が0.05重量%以上、1.0重量%以下であり、
前記硬化剤(B)が、一分子中にフェノール性水酸基を平均3個以上含むフェノール樹脂(B1)および下記一般式(1)で示される化合物(B2)を含有し、硬化剤(B)全体に対して、化合物(B2)の含有量が15重量%以上、80重量%以下であり、硬化剤(B)中におけるフェノール樹脂(B1)と化合物(B2)との併用比(B1/B2)が0.7〜1.3であり、化合物(B2)において、一般式(1)で示されるn=0の成分の含有量が20%以上、65%以下であり、
前記硬化促進剤(D)が、下記一般式(2)で表される化合物、下記一般式(3)で表される化合物、下記一般式(4)で表される化合物から選ばれる少なくとも1つであることを特徴とする樹脂組成物。
- 請求項1に記載の樹脂組成物の硬化物により半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007217699A JP5115098B2 (ja) | 2007-08-24 | 2007-08-24 | 樹脂組成物および半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007217699A JP5115098B2 (ja) | 2007-08-24 | 2007-08-24 | 樹脂組成物および半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009051880A JP2009051880A (ja) | 2009-03-12 |
JP5115098B2 true JP5115098B2 (ja) | 2013-01-09 |
Family
ID=40503245
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007217699A Active JP5115098B2 (ja) | 2007-08-24 | 2007-08-24 | 樹脂組成物および半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5115098B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5250801B2 (ja) * | 2008-09-11 | 2013-07-31 | 日東電工株式会社 | 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04325516A (ja) * | 1991-04-26 | 1992-11-13 | Toray Ind Inc | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
JP3116563B2 (ja) * | 1992-06-19 | 2000-12-11 | 東レ株式会社 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
JP3672225B2 (ja) * | 1999-09-30 | 2005-07-20 | 住友ベークライト株式会社 | 熱硬化性樹脂組成物およびそれを用いたエポキシ樹脂成形材料ならびに半導体装置 |
JP4872161B2 (ja) * | 2001-03-26 | 2012-02-08 | 住友ベークライト株式会社 | エポキシ系樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 |
JP5142427B2 (ja) * | 2001-05-28 | 2013-02-13 | 住友ベークライト株式会社 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2003064157A (ja) * | 2001-08-24 | 2003-03-05 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP5093977B2 (ja) * | 2004-07-09 | 2012-12-12 | 住友ベークライト株式会社 | エリア実装型半導体装置 |
JP4665616B2 (ja) * | 2004-09-30 | 2011-04-06 | 住友ベークライト株式会社 | エポキシ樹脂組成物および半導体装置 |
JP5028756B2 (ja) * | 2005-06-24 | 2012-09-19 | 住友ベークライト株式会社 | 半導体封止用樹脂組成物および半導体装置 |
-
2007
- 2007-08-24 JP JP2007217699A patent/JP5115098B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009051880A (ja) | 2009-03-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4404050B2 (ja) | 半導体封止用樹脂組成物およびこれを用いた半導体装置 | |
WO2011052157A1 (ja) | 半導体封止用樹脂組成物およびこれを用いた半導体装置 | |
JP5028756B2 (ja) | 半導体封止用樹脂組成物および半導体装置 | |
JPWO2005116104A1 (ja) | 半導体封止用樹脂組成物および半導体装置 | |
JP4404051B2 (ja) | 半導体封止用樹脂組成物およびこれを用いた半導体装置 | |
JP5494137B2 (ja) | 半導体封止用樹脂組成物および半導体装置 | |
JP5386836B2 (ja) | 半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP4844725B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP5386837B2 (ja) | 半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP5200867B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP2012007086A (ja) | 封止用樹脂組成物及び電子部品装置 | |
JP2010144115A (ja) | 半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP5272973B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP2008231242A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP5115098B2 (ja) | 樹脂組成物および半導体装置 | |
JP5672947B2 (ja) | 封止用樹脂組成物及び電子部品装置 | |
JP2004292514A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP2007119598A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置 | |
JP2006052267A (ja) | 半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP5347979B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP4951954B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP5087860B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP2006111672A (ja) | 半導体封止用樹脂組成物および半導体装置 | |
JP4765294B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP4951953B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100419 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111208 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111213 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120201 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120918 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121001 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5115098 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151026 Year of fee payment: 3 |