JP4404050B2 - 半導体封止用樹脂組成物およびこれを用いた半導体装置 - Google Patents

半導体封止用樹脂組成物およびこれを用いた半導体装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4404050B2
JP4404050B2 JP2005503545A JP2005503545A JP4404050B2 JP 4404050 B2 JP4404050 B2 JP 4404050B2 JP 2005503545 A JP2005503545 A JP 2005503545A JP 2005503545 A JP2005503545 A JP 2005503545A JP 4404050 B2 JP4404050 B2 JP 4404050B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin composition
epoxy resin
semiconductor
weight
less
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2005503545A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2004081078A1 (ja
Inventor
邦治 梅野
茂久 上田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Bakelite Co Ltd filed Critical Sumitomo Bakelite Co Ltd
Publication of JPWO2004081078A1 publication Critical patent/JPWO2004081078A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4404050B2 publication Critical patent/JP4404050B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C08G59/62—Alcohols or phenols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C08G59/62—Alcohols or phenols
    • C08G59/621—Phenols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L61/00—Compositions of condensation polymers of aldehydes or ketones; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L61/04—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only
    • C08L61/06—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only of aldehydes with phenols
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Description

本発明は、半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置に関するものである。
近年、半導体装置は生産性、コスト、信頼性等のバランスに優れることからエポキシ樹脂組成物を用いて封止されるのが主流となっている。半導体装置の小型化、薄型化に伴い、封止用エポキシ樹脂組成物に対しては、より一層の低粘度化、高強度化が要求されている。このような背景から、最近のエポキシ樹脂組成物の動向は、より低粘度の樹脂を適用し、より多くの無機充填剤を配合する傾向が強くなっている。
また新たな動きとして、半導体装置を実装する際、従来よりも融点の高い無鉛半田の使用が高まってきている。この半田の適用により実装温度を従来に比べ約２０℃高くする必要があり、実装後の半導体装置の信頼性が現状に比べ著しく低下する問題が生じている。このようなことからエポキシ樹脂組成物のレベルアップによる半導体装置の信頼性の向上要求が加速的に強くなってきており、樹脂の低粘度化と無機充填剤の高充填化に拍車がかかっている。
成形時に低粘度で高流動性を維持するためには、溶融粘度の低い樹脂を用いたり（特許文献１）、また無機充填剤の配合量を高めるために無機充填剤をシランカップリング剤で表面処理する方法が知られている（特許文献２）。
ところが、これらは種々ある要求特性のいずれかのみを満足するものであり、すべての要求を満足させ広い範囲で適用可能な手法は未だ見出されていなかった。これらの方法では、成形時の溶融粘度の低下が不充分であり、流動性と硬化性を損なわず、無機充填剤の配合量を高め信頼性を満足させるさらなる技術が求められていた。
特開平７−１３０９１９号公報（第２〜５頁） 特開平８−２０６７３号公報（第２〜４頁）
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、成形時の硬化性を損なうことなく流動性に優れた半導体封止用樹脂組成物を提供することにある。
本発明によれば、エポキシ樹脂（Ａ）、フェノール樹脂（Ｂ）、無機充填剤（Ｃ）、硬化促進剤（Ｄ）、シランカップリング剤（Ｅ）、およびナフタレン環を構成する２個の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物（Ｆ）を含むことを特徴とする半導体封止用樹脂組成物であって、前記無機充填剤（Ｃ）を前記樹脂組成物中に８０重量％以上９４重量％以下、前記シランカップリング剤（Ｅ）を前記樹脂組成物中に０．０１重量％以上１重量％以下、前記化合物（Ｆ）を前記樹脂組成物中に０．０１重量％以上１重量％以下、含むことを特徴とする半導体封止用樹脂組成物が提供される。

本発明の半導体封止用樹脂組成物は、化合物（Ｆ）を必須の成分として含むため、成形時の硬化性および流動性を充分に確保することができる。
本発明の半導体封止用樹脂組成物は、前記エポキシ樹脂（Ａ）、前記フェノール樹脂（Ｂ）、前記無機充填剤（Ｃ）、および硬化促進剤（Ｄ）を主成分とすることができる。
また、本発明の半導体封止用樹脂組成物において、前記シランカップリング剤（Ｅ）を当該樹脂組成物中に０．０１重量％以上１重量％以下含む構成とすることができる。こうすることにより、半導体樹脂組成物の成形時の硬化性および流動性をさらに向上させることができる。
本発明の半導体封止用樹脂組成物において、前記エポキシ樹脂（Ａ）は、下記一般式（１）で表されるエポキシ樹脂を５０重量％以上含む構成とすることができる。
Figure 0004404050
（ただし、上記一般式（１）において、Ｒ１は単結合または炭素数３個以下の飽和もしくは不飽和炭化水素である。Ｒ２〜Ｒ９は水素または炭素数４個以下の飽和炭化水素であって、互いに同じでも異なっていてもよい。ｎは平均値で、０以上５以下の正数である。）
本発明に係る半導体封止用樹脂組成物は、エポキシ樹脂（Ａ）中に上記一般式（１）で示されるエポキシ樹脂を５０重量％以上含むことができる。また、化合物（Ｆ）を必須の成分として含む。このため、成形時の硬化性および流動性が充分に確保される。
本発明の半導体封止用樹脂組成物において、前記化合物（Ｆ）は、前記ナフタレン環を構成する２個の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物であってもよい。こうすることにより、成形時の硬化性および流動性のバランスをより一層向上させることができる。
本発明の半導体封止用樹脂組成物において、当該樹脂組成物中に８０重量％以上９４重量％以下の無機充填剤（Ｃ）を含んでもよい。こうすることにより、樹脂組成物を確実に低粘度化し、また高強度化することができる。
本発明によれば、前記半導体封止用樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置が提供される。本発明に係る半導体装置は、上述の半導体封止用樹脂組成物を用いて封止されるため、製造安定性を充分に確保することができる。
以上説明したように本発明によれば、シランカップリング剤およびナフタレン環を構成する２個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物を含むエポキシ樹脂組成物を用いることにより、硬化性を維持しつつ成形時の流動性に優れた半導体封止用の樹脂組成物を得ることができる。
上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。
本発明に係るエポキシ樹脂は、
エポキシ樹脂（Ａ）、
フェノール樹脂（Ｂ）、
無機充填剤（Ｃ）、
硬化促進剤（Ｄ）、
シランカップリング剤（Ｅ）、
ナフタレン環を構成する２個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物（Ｆ）、
を必須成分とする。
エポキシ樹脂組成物全体を基準として、（Ａ）〜（Ｆ）成分の含有量は、たとえば以下のようにすることができる。
（Ａ）：１〜４０重量％、
（Ｂ）：１〜４０重量％、
（Ｃ）：４０〜９７重量％、
（Ｄ）：０．００１〜５重量％、
（Ｅ）：０．０１〜１重量％、
（Ｆ）：０．０１〜１重量％。
以下、本発明に係る半導体封止用エポキシ樹脂組成物を構成する各成分について説明する。
エポキシ樹脂（Ａ）の材料は、特に限定しないが、たとえばフェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル（フェニレン骨格、ビフェニレン骨格を含む）型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等が挙げられ、これらは単独で用いるかもしくは併用することができる。
半導体封止用エポキシ樹脂組成物としての耐湿信頼性を考慮すると、イオン性不純物であるＮａイオンやＣｌイオンが極力少ない方が好ましく、硬化性の点からエポキシ当量を、たとえば１００ｇ／ｅｑ以上５００ｇ／ｅｑ以下とすることができる。
ここで、エポキシ樹脂（Ａ）は、下記一般式（１）で表されるエポキシ樹脂を５０重量％以上含むものとすることができる。一般式（１）で表されるエポキシ樹脂としては、たとえばビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂等が挙げられる。
Figure 0004404050
（ただし、上記一般式（１）において、Ｒ１は単結合または炭素数３個以下の飽和もしくは不飽和炭化水素である。Ｒ２〜Ｒ９は水素または炭素数４個以下の飽和炭化水素であって、互いに同じでも異なっていてもよい。ｎは平均値で、０以上５以下の正数である。）また、これらとたとえばフェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル（フェニレン骨格、ビフェニレン骨格を含む）型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等を併用することができる。
上記一般式（１）で表されるエポキシ樹脂はいずれも溶融粘度の低いエポキシ樹脂であり、無機充填剤の高充填化が可能となるため、これを用いた樹脂組成物で半導体素子を封止すれば、半導体装置の成形性、耐半田性を向上させることができる。
フェノール樹脂（Ｂ）の材料は、特に限定しないが、たとえばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、トリフェノールメタン樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、フェノールアラルキル樹脂（フェニレン骨格、ビフェニレン骨格を含む）、ナフトールアラルキル樹脂（フェニレン骨格、ビフェニレン骨格を含む）等が挙げられ、これらは単独で用いるかもしくは併用することができる。硬化性の点から水酸基当量は、たとえば９０ｇ／ｅｑ以上２５０ｇ／ｅｑ以下とすることができる。
無機充填剤（Ｃ）の材料としては、一般に封止材料に用いられている溶融シリカ、球状シリカ、結晶シリカ、アルミナ、窒化珪素、窒化アルミ等が挙げられる。無機充填剤の粒径としては、金型への充填性を考慮すると、たとえば０．０１μｍ以上１５０μｍ以下とすることができる。
また無機充填剤（Ｃ）の充填量を、たとえばエポキシ樹脂組成物全体の８０重量％以上、好ましくは８６重量％以上とすることができる。また、上記一般式（１）で表されるエポキシ樹脂を５０重量％以上含むエポキシ樹脂（Ａ）を用いる場合、無機充填剤（Ｃ）の充填量をたとえばエポキシ樹脂組成物全体の８８重量％以上とすることができる。充填量が小さすぎるとエポキシ樹脂組成物の硬化物の吸水量が増加し、強度が低下するため耐半田性が不満足となるおそれがある。
また、無機充填剤（Ｃ）の充填量を、たとえばエポキシ樹脂組成物全体の９４重量％以下とすることができる。大きすぎると、流動性が損なわれるために成形性が低下するおそれがある。
硬化促進剤（Ｄ）の材料は、エポキシ樹脂のエポキシ基とフェノール樹脂の水酸基との反応を促進するものであればよく、一般に半導体素子の封止材であるエポキシ樹脂組成物に使用されているものを利用することができる。具体例として有機ホスフィン、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物等のリン原子含有化合物、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７、ベンジルジメチルアミン、２−メチルイミダゾール等の窒素原子含有化合物が挙げられる。
有機ホスフィンとしては、たとえばエチルホスフィン、フェニルホスフィン等の第１ホスフィン；
ジメチルホスフィン、ジフェニルホスフィン等の第２ホスフィン；および
トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリフェニルホスフィン等の第３ホスフィン；
等が挙げられる。
テトラ置換ホスホニウム化合物として、下記一般式（２）に示す化合物が挙げられる。
Figure 0004404050
（ただし、上記一般式（２）において、Ｐはリン原子、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は置換もしくは無置換の芳香族基、またはアルキル基、Ａはヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基から選ばれる官能基のいずれかを芳香環に少なくとも１つ有する芳香族有機酸のアニオン、ＡＨはヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基のいずれかを芳香環に少なくとも１つ有する芳香族有機酸を表す。ａおよびｂは１以上３以下の整数、ｃは０以上３以下の整数であり、かつａ＝ｂである。）
上記一般式（２）に示す化合物は、たとえば以下のようにして得られる。まず、テトラ置換ホスホニウムブロマイドと芳香族有機酸と塩基を有機溶剤に混ぜて均一に混合し、その溶液系内に芳香族有機酸アニオンを発生させる。次いで水を加える。すると、上記一般式（２）に示す化合物を沈殿させることができる。
上記一般式（２）に示す化合物において、リン原子に結合するＲ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４がフェニル基であり、かつＡＨはヒドロキシル基を芳香環に有する化合物、すなわちフェノール類であり、かつＡは当該フェノール類のアニオンであるのが好ましい。
ホスホベタイン化合物として、下記一般式（３）に示す化合物が挙げられる。
Figure 0004404050
（ただし、上記一般式（３）において、Ｘは水素または炭素数１以上３以下のアルキル基、Ｙは水素またはヒドロキシル基を表す。ｍ、ｎは１以上３以下の整数。）
上記一般式（３）に示す化合物は、たとえば沃化フェノール類とトリ芳香族置換ホスフィンを有機溶媒に均一に混合し、ニッケル触媒によりヨードニウム塩として沈殿させる。このヨードニウム塩と塩基を有機溶剤に均一に混合し、必要により水を加え、上記一般式（３）に示す化合物を沈殿させることにより得られる。上記一般式（３）に示す化合物としては、好ましくはＸが水素またはメチル基であり、かつＹが水素またはヒドロキシル基であるのが好ましい。しかしこれらに限定されるものではなく、単独でも併用してもよい。
硬化促進剤（Ｄ）の配合量は、たとえばエポキシ樹脂組成物全体の０．１重量％以上１重量％以下とすることができ、０．１重量％以上０．６重量％以下とすることが好ましい。硬化促進剤（Ｄ）の配合量が少なすぎると目的とする硬化性が得られないおそれがあり、多すぎると流動性が損なわれるおそれがある。
シランカップリング剤（Ｅ）は、エポキシシラン、アミノシラン、ウレイドシラン、メルカプトシラン等特に限定せず、エポキシ樹脂組成物と無機充填剤との間で反応し、エポキシ樹脂組成物と無機充填剤の界面強度を向上させるものであればよい。
芳香環を構成する２個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物（Ｆ）（以下、化合物（Ｆ）と称する。）は、シランカップリング剤（Ｅ）との相乗効果により、粘度特性と流動特性を著しく改善させる。このため、シランカップリング剤（Ｅ）は化合物（Ｆ）の効果を充分に得るためには必須である。
これらのシランカップリング剤（Ｅ）は単独でも併用してもよい。シランカップリング剤（Ｅ）の配合量は、全エポキシ樹脂組成物中０．０１重量％以上１重量％以下、好ましくは０．０５重量％以上０．８重量％以下、特に好ましくは０．１重量％以上０．６重量％以下である。配合量が小さすぎると化合物（Ｆ）の効果が充分に得られず、また半導体パッケージにおける耐半田性が低下するおそれがある。また、大きすぎるとエポキシ樹脂組成物の吸水性が大きくなり、やはり半導体パッケージにおける耐半田性が低下するおそれがある。
芳香環を構成する２個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物（Ｆ）は、水酸基以外の置換基を有していてもよい。化合物（Ｆ）として、下記一般式（４）で示される単環式化合物または下記一般式（５）で示される多環式化合物を用いることができる。
Figure 0004404050
（ただし、上記一般式（４）において、Ｒ１、Ｒ５はどちらか一方が水酸基であり、片方が水酸基のとき他方は水素、水酸基または水酸基以外の置換基、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は水素、水酸基または水酸基以外の置換基。）
Figure 0004404050
（ただし、上記一般式（５）において、Ｒ１、Ｒ７はどちらか一方が水酸基であり、片方が水酸基のとき他方は水素、水酸基または水酸基以外の置換基、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６は水素、水酸基または水酸基以外の置換基。）
上記一般式（４）で示される単環式化合物の具体例として、たとえば、カテコール、ピロガロール、没食子酸、没食子酸エステル等が挙げられる。また、上記一般式（５）で示される多環式化合物の具体例として、たとえば、１，２−ジヒドロキシナフタレン、２，３−ジヒドロキシナフタレンおよびこれらの誘導体が挙げられる。
そのうち、流動性と硬化性の制御のしやすさから芳香環に隣接する水酸基は２個であることが好ましい。また、混練工程での揮発を考慮した場合、母核は低揮発性で秤量安定性の高いナフタレン環である化合物とすることが好ましい。
この場合、化合物（Ｆ）を、具体的には、たとえば、１，２−ジヒドロキシナフタレン、２，３−ジヒドロキシナフタレンおよびその誘導体等のナフタレン環を有する化合物とすることができる。このような化合物を用いることにより、エポキシ樹脂組成物のハンドリングの際の制御性をより一層向上させることができる。また、エポキシ樹脂組成物の揮発性を低下させることができる。
これらの化合物（Ｆ）は２種以上併用してもよい。
かかる化合物（Ｆ）の配合量はエポキシ樹脂組成物全体の０．０１重量％以上１重量％以下、好ましくは０．０３重量％以上０．８重量％以下、特に好ましくは０．０５重量％以上０．５重量％以下とすることができる。また、ここで、一般式（１）で表されるエポキシ樹脂を５０重量％以上含むエポキシ樹脂（Ａ）を用いる場合、化合物（Ｆ）の配合量は全エポキシ樹脂組成物中０．０１重量％以上０．３重量％以下とすることができる。小さすぎると、シランカップリング剤（Ｅ）との相乗効果による期待するような粘度特性および流動特性が得られない。また、大きすぎると、エポキシ樹脂組成物の硬化が阻害され、また硬化物の物性が劣り、半導体封止樹脂としての性能が低下するおそれがある。
本発明に係るエポキシ樹脂組成物は、上記（Ａ）〜（Ｆ）成分を必須成分とするが、これ以外に必要に応じて臭素化エポキシ樹脂、三酸化アンチモン等の難燃剤、離型剤、カーボンブラック等の着色剤、シリコーンオイル、シリコーンゴム等の低応力添加剤、無機イオン交換体等の添加剤を適宜配合してもよい。
本発明に係るエポキシ樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｆ）成分およびその他の添加剤等をミキサー等で用いて常温で均一に混合した後、加熱ロールまたはニーダー、押出機等で溶融混練し、冷却後粉砕して製造することができる。
また、本発明に係るエポキシ樹脂組成物を用いて、半導体素子を封止し、半導体装置を製造するには、トランスファーモールド、コンプレッションモールド、インジェクションモールド等の成形方法で成形硬化すればよい。
本発明に係るエポキシ樹脂組成物は、種々の半導体装置の封止に好適に用いられる。たとえば、ＱＦＰ（クワッドフラットパッケージ）、ＴＳＯＰ（スィンスモールアウトラインパッケージ）等の表面実装型半導体装置の封止材料として用いることができる。図１は、本発明に係るエポキシ樹脂組成物を用いた半導体装置の構成の一例を示す断面図である。ダイパッド２上に、ダイボンド材硬化体６を介して半導体素子１が固定されている。半導体素子１とリードフレーム４との間は金線３によって接続されている。半導体素子１は、封止樹脂５によって封止されている。
図１に示される半導体装置は、封止樹脂５として上述したエポキシ樹脂組成物を用いてトランスファーモールド、コンプレッションモールド、インジェクションモールド等の方法で硬化成形し、半導体素子１を封止することによって得ることができる。
図１に示した半導体装置は、芳香環を構成する２個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物（Ｆ）を含む封止樹脂組成物により封止されるため、封止樹脂組成物の粘度特性と流動特性を好適なものとすることができる。このため、成形性にすぐれた半導体装置を安定的に得ることができる。
また、一般式（１）で表されるエポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂組成物により封止することにより、成形性、耐半田性にさらにすぐれた半導体装置をより一層安定的に得ることができる。
以下、本発明を実施例にて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によりなんら限定されるものではない。配合割合は重量部とする。
（実施例１）
ビフェニル型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン（株）製、ＹＸ４０００、エポキシ当量１９５、上記式（１）におけるｎは平均値で０、融点１０５℃） ６．９重量部、
フェノールアラルキル樹脂（三井化学（株）製、ＸＬＣ−ＬＬ、水酸基当量１７４、軟化点７９℃） ６．０５重量部、
球状溶融シリカ（平均粒径３０μｍ） ８６．０重量部、
γ−グリシジルプロピルトリメトキシシラン ０．６重量部、
トリフェニルホスフィン ０．２重量部、
２，３−ジヒドロキシナフタレン（試薬） ０．０５重量部、
カルナバワックス ０．２重量部、および
カーボンブラック ０．３重量部、
をミキサーにて常温混合し、８０〜１００℃の加熱ロールで溶融混練し、冷却後粉砕し、エポキシ樹脂組成物を得た。得られたエポキシ樹脂組成物を、以下の方法で評価した。評価結果を表１に示す。
スパイラルフロー：ＥＭＭＩ−１−６６に準じた金型を用い、前記エポキシ樹脂組成物を低圧トランスファー成形機にて１７５℃、成形圧６．９ＭＰａ、保圧時間１２０秒の条件で成形し測定した。スパイラルフローは、流動性のパラメータであり、数値が大きい方が流動性が良好である。単位はｃｍ。
硬化トルク比：キュラストメーター（オリエンテック（株）製、ＪＳＲキュラストメーターＩＶＰＳ型）を用い、金型温度１７５℃、加熱開始９０秒後、３００秒後のトルクを求め、硬化トルク比：（９０秒後のトルク）／（３００秒後のトルク）を計算した。キュラストメーターにおけるトルクは熱剛性のパラメータであり、硬化トルク比の大きい方が硬化性が良好である。単位は％。
密着強度：トランスファー成形機を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力９．８ＭＰａ、硬化時間１２０秒の条件で、リードフレーム上に２ｍｍ×２ｍｍ×２ｍｍの密着強度試験片を成形した。リードフレームは銅フレームに銀メッキしたものを用いた。その後、自動せん断強度測定装置（ＤＡＧＥ社製、ＰＣ２４００）を用いて、エポキシ樹脂組成物の硬化物とフレームとのせん断強度を測定した。単位はＮ／ｍｍ２。
（実施例２〜８、比較例１〜１２）
表１および表２の配合に従い、実施例１と同様にしてエポキシ樹脂組成物を製造し、実施例１と同様にして評価した。評価結果を表１および表２に示す。
（実施例９〜１９、比較例１４〜２３）
表３および表４の配合に従い、実施例１と同様にしてエポキシ樹脂組成物を製造し、以下の方法で評価した。評価結果を表３および表４に示す。
スパイラルフロー：実施例１と同様の方法により測定した。
硬化トルク比：実施例１と同様の方法により測定した。
耐半田リフロークラック性：低圧トランスファー成形機を用いて、ボディーサイズ１４×２０×２．７ｍｍの８０ｐＱＦＰ（Ｃｕフレーム）に７×７×０．３５ｍｍのＳｉチップを接着したフレームを金型温度１７５℃、注入時間１０ｓｅｃ、硬化時間９０ｓｅｃ、注入圧９．８ＭＰａで成形し、１７５℃８ｈｒの条件で後硬化後８５℃８５％１６８ｈｒの条件で加湿処理し、ピーク温度２６０℃のＩＲリフローに連続３回（２５５℃以上が１０秒×３回）通し、超音波探傷機を用いて内部クラック、剥離の有無を測定し、１０パッケージ中のチップ剥離と内部クラックの数で判定した。
難燃性：低圧トランスファー成形機を用いて、金型温度１７５℃、注入時間１５ｓｅｃ、硬化時間１２０ｓｅｃ、注入圧９．８ＭＰａで３．２ｍｍ厚の難燃試験片を成形し、ＵＬ９４の規格に則り難燃試験を行った。
実施例１以外で用いた成分について、以下に示す。
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン（株）製、エポキシ当量１７２、上記式（１）におけるｎは平均値で０、２５℃溶融粘度４５ｍＰａ・ｓｅｃ）、
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬（株）製、ＥＯＣＮ１０２０−５５、エポキシ当量１９８、軟化点５５℃）、
フェノールノボラック樹脂（水酸基当量１０４、軟化点８０℃）、
フェノールビフェニルアラルキル樹脂（明和化成（株）製、ＭＥＨ−７８５１ＳＳ、水酸基当量２０３、軟化点６５℃）、
γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、
１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７（以下、ＤＢＵと略す）、
下記式（６）で示される硬化促進剤、
Figure 0004404050
下記式（７）で示される硬化促進剤、
Figure 0004404050
１，２−ジヒドロキシナフタレン（試薬）、
カテコール（試薬）、
ピロガロール（試薬）、
１，６−ジヒドロキシナフタレン（試薬）、
レゾルシノール（試薬）。
Figure 0004404050
Figure 0004404050
Figure 0004404050
Figure 0004404050
本発明の実施の形態に係る半導体装置の構成の一例を示す断面図である。
符号の説明
１ 半導体素子
２ ダイパッド
３ 金線
４ リードフレーム
５ 封止樹脂
６ ダイボンド材硬化体

Claims (3)

  1. エポキシ樹脂（Ａ）、フェノール樹脂（Ｂ）、無機充填剤（Ｃ）、硬化促進剤（Ｄ）、シランカップリング剤（Ｅ）、およびナフタレン環を構成する２個の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物（Ｆ）を含むことを特徴とする半導体封止用樹脂組成物であって、
    前記無機充填剤（Ｃ）を前記樹脂組成物中に８０重量％以上９４重量％以下、
    前記シランカップリング剤（Ｅ）を前記樹脂組成物中に０．０１重量％以上１重量％以下、
    前記化合物（Ｆ）を前記樹脂組成物中に０．０１重量％以上１重量％以下、
    含むことを特徴とする半導体封止用樹脂組成物。
  2. 請求項１に記載の半導体封止用樹脂組成物において、前記エポキシ樹脂（Ａ）は、下記一般式（１）で表されるエポキシ樹脂を５０重量％以上含むことを特徴とする半導体封止用樹脂組成物。
    Figure 0004404050
    （ただし、上記一般式（１）において、Ｒ１は単結合または炭素数３個以下の飽和もしくは不飽和炭化水素である。Ｒ２〜Ｒ９は水素または炭素数４個以下の飽和炭化水素であって、互いに同じでも異なっていてもよい。ｎは平均値で、０以上５以下の正数である。）
  3. 請求項１または２に記載の半導体封止用樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置。
JP2005503545A 2003-03-11 2004-03-10 半導体封止用樹脂組成物およびこれを用いた半導体装置 Expired - Lifetime JP4404050B2 (ja)

Applications Claiming Priority (13)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003064332 2003-03-11
JP2003064331 2003-03-11
JP2003064332 2003-03-11
JP2003064331 2003-03-11
JP2003072860 2003-03-17
JP2003072860 2003-03-17
JP2003072861 2003-03-17
JP2003072861 2003-03-17
JP2003203572 2003-07-30
JP2003203572 2003-07-30
JP2003203573 2003-07-30
JP2003203573 2003-07-30
PCT/JP2004/003104 WO2004081078A1 (ja) 2003-03-11 2004-03-10 半導体封止用樹脂組成物およびこれを用いた半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2004081078A1 JPWO2004081078A1 (ja) 2006-06-08
JP4404050B2 true JP4404050B2 (ja) 2010-01-27

Family

ID=32996609

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005503545A Expired - Lifetime JP4404050B2 (ja) 2003-03-11 2004-03-10 半導体封止用樹脂組成物およびこれを用いた半導体装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7023098B2 (ja)
JP (1) JP4404050B2 (ja)
KR (1) KR100697937B1 (ja)
MY (1) MY134219A (ja)
TW (1) TWI328022B (ja)
WO (1) WO2004081078A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010024464A (ja) * 2009-11-04 2010-02-04 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7291684B2 (en) * 2003-03-11 2007-11-06 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. Resin composition for encapsulating semiconductor chip and semiconductor device therewith
JP4543638B2 (ja) * 2003-08-29 2010-09-15 住友ベークライト株式会社 エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4496740B2 (ja) * 2003-09-11 2010-07-07 住友ベークライト株式会社 エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
US7431990B2 (en) * 2004-05-27 2008-10-07 Sumitomo Bakelite Co Resin composition for encapsulating semiconductor chip and semiconductor device therewith
JP2006111672A (ja) * 2004-10-13 2006-04-27 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体封止用樹脂組成物および半導体装置
JP2006124478A (ja) * 2004-10-27 2006-05-18 Nitto Denko Corp 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置
JP5205964B2 (ja) * 2005-01-28 2013-06-05 住友ベークライト株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP5028756B2 (ja) * 2005-06-24 2012-09-19 住友ベークライト株式会社 半導体封止用樹脂組成物および半導体装置
JP5130912B2 (ja) * 2005-07-29 2013-01-30 住友ベークライト株式会社 エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4255934B2 (ja) * 2005-08-26 2009-04-22 シャープ株式会社 半導体素子、および、この半導体素子を用いた電子機器
JP4956982B2 (ja) * 2005-12-13 2012-06-20 住友ベークライト株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4946030B2 (ja) * 2005-12-16 2012-06-06 住友ベークライト株式会社 エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
US20070158794A1 (en) * 2006-01-05 2007-07-12 Powertech Technology Inc. Package structure of thin lead-frame
JP4973177B2 (ja) * 2006-01-20 2012-07-11 住友ベークライト株式会社 半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置
WO2007125635A1 (ja) * 2006-03-31 2007-11-08 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. 半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置
US10087082B2 (en) * 2006-06-06 2018-10-02 Florida State University Research Foundation, Inc. Stabilized silica colloid
JP4973444B2 (ja) * 2006-10-24 2012-07-11 住友ベークライト株式会社 半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置
KR100834351B1 (ko) * 2006-11-24 2008-06-02 제일모직주식회사 멀티칩 패키지　밀봉용 에폭시 수지 조성물　및 이를이용한 멀티칩 패키지
KR100798675B1 (ko) 2006-12-12 2008-01-28 제일모직주식회사 반도체 소자 밀봉용 에폭시수지 조성물 및 이를 이용한반도체 소자
CN102197339B (zh) * 2008-11-07 2015-03-04 住友电木株式会社 感光性树脂组合物、感光性粘接膜以及光接收装置
US20120205822A1 (en) * 2009-10-26 2012-08-16 Yusuke Tanaka Resin composition for encapsulating semiconductor and semiconductor device using the resin composition
JP5691215B2 (ja) * 2010-03-26 2015-04-01 住友ベークライト株式会社 粉砕装置
SG185503A1 (en) * 2010-05-28 2012-12-28 Sumitomo Bakelite Co Method of manufacturing esterified substance
CN102074541B (zh) * 2010-11-26 2014-09-03 天水华天科技股份有限公司 一种无载体无引脚栅格阵列ic芯片封装件及其生产方法
WO2013129598A1 (ja) * 2012-03-01 2013-09-06 住友ベークライト株式会社 ローター固定用樹脂組成物、ローター、および自動車
US20190392995A1 (en) * 2018-06-21 2019-12-26 Avx Corporation Delamination-Resistant Solid Electrolytic Capacitor
US11837415B2 (en) 2021-01-15 2023-12-05 KYOCERA AVX Components Corpration Solid electrolytic capacitor

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2600258B2 (ja) 1988-03-25 1997-04-16 東レ株式会社 半導体封止用樹脂組成物
JPH0329352A (ja) * 1989-06-26 1991-02-07 Nitto Denko Corp 半導体装置
JP3428699B2 (ja) * 1993-09-24 2003-07-22 ジャパンエポキシレジン株式会社 エポキシ樹脂組成物
JP3010110B2 (ja) * 1993-11-04 2000-02-14 日東電工株式会社 半導体装置
JP3033445B2 (ja) * 1994-07-05 2000-04-17 信越化学工業株式会社 樹脂用無機質充填剤及びエポキシ樹脂組成物
JP3573651B2 (ja) * 1999-03-30 2004-10-06 住友ベークライト株式会社 エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4501188B2 (ja) 1999-11-02 2010-07-14 住友ベークライト株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物ならびに半導体装置
JP2002322347A (ja) * 2001-04-26 2002-11-08 Toray Ind Inc 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置
JP5364963B2 (ja) * 2001-09-28 2013-12-11 住友ベークライト株式会社 エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2003292730A (ja) 2002-03-29 2003-10-15 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010024464A (ja) * 2009-11-04 2010-02-04 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20050117547A (ko) 2005-12-14
KR100697937B1 (ko) 2007-03-20
MY134219A (en) 2007-11-30
TWI328022B (en) 2010-08-01
TW200427772A (en) 2004-12-16
JPWO2004081078A1 (ja) 2006-06-08
WO2004081078A1 (ja) 2004-09-23
US20040217489A1 (en) 2004-11-04
US7023098B2 (en) 2006-04-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4404050B2 (ja) 半導体封止用樹脂組成物およびこれを用いた半導体装置
JP5326210B2 (ja) 半導体封止用樹脂組成物および半導体装置
JP5130912B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4692885B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4404051B2 (ja) 半導体封止用樹脂組成物およびこれを用いた半導体装置
JP5228496B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
US7291684B2 (en) Resin composition for encapsulating semiconductor chip and semiconductor device therewith
JP5386836B2 (ja) 半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置
JP6094958B2 (ja) パワーモジュールのパワー半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物とそれを用いたパワーモジュール
JP5386837B2 (ja) 半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置
JP4250987B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2012241178A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置
JP2004352894A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP5087860B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2006052267A (ja) 半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置
JP5347979B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2006104393A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP7365641B2 (ja) 封止用樹脂組成物及び半導体装置
JP2006111672A (ja) 半導体封止用樹脂組成物および半導体装置
JP2005281584A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2005225971A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP5115098B2 (ja) 樹脂組成物および半導体装置
JP2015000888A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置
JP2001064364A (ja) 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置
JP5211737B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080722

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080919

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20090203

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090406

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20090514

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20090610

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090901

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090908

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20091013

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20091026

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121113

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4404050

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131113

Year of fee payment: 4