JP2010144115A - 半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】グリシジルエーテル、又はベータアルキルグリシジルエーテルを有する1,4−ナフタレンジオール構造のエポキシ樹脂(A)と、硬化剤(B)と、無機充填剤(C)と、硬化促進剤(D)とを含む半導体封止用樹脂組成物であり、前記硬化促進剤(D)が、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、及びホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物から選ばれた少なくとも1種の潜伏性を有する硬化促進剤を含むことを特徴とする半導体封止用樹脂組成物、ならびに、その半導体封止用樹脂組成物の硬化物により半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置。
【選択図】なし
Description
で表されるエポキシ樹脂(A)と、
硬化剤(B)と、
無機充填剤(C)と、
硬化促進剤(D)と、
を含むことを特徴とする半導体封止用樹脂組成物であり、
前記硬化促進剤(D)が、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、及びホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物から選ばれた少なくとも1種の潜伏性を有する硬化促進剤を含むことを特徴とする。
少なくとも1種の潜伏性を有する硬化促進剤を含むことを特徴とするものであり、これにより、耐燃性、耐半田性と、流動性、連続成形性とのバランスに優れた半導体封止用樹脂組成物及び信頼性に優れた半導体装置が得られるものである。以下、本発明について詳細に説明する。
出されたピーク面積の比から検出されたピークに対応する各成分の含有割合(質量%)を算出する。
1種類を単独で用いても、2種類以上を併用してもよい。
半導体封止用樹脂組成物中に、10質量%以下であることが好ましく、8質量%以下であることがより好ましい。配合割合の上限値が上記範囲内であると、良好な耐半田性を得ることができる。
、トリブチルホスフィン、トリフェニルホスフィン等の第3ホスフィンが挙げられる。
いは脂肪族基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。式中X2は、基Y2及びY3と結合する有機基である。式中X3は、基Y4及びY5と結合する有機基である。Y2及びY3は、プロトン供与性基がプロトンを放出してなる基を表し、同一分子内の基Y2及びY3が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。Y4及びY5はプロトン供与性基がプロトンを放出してなる基を表し、同一分子内の基Y4及びY5が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。X2、及びX3は互いに同一であっても異なっていてもよく、Y2、Y3、Y4、及びY5は互いに同一であっても異なっていてもよい。Z1は芳香環又は複素環を有する有機基、あるいは脂肪族基である。)
物中0.1質量%以上、1質量%以下であることがより好ましい。硬化促進剤(D)の配合割合が上記範囲内であると、充分な硬化性を得ることができる。また、硬化促進剤(D)の配合割合が上記範囲内であると、充分な流動性を得ることができる。
は低揮発性で秤量安定性の高いナフタレン環である化合物とすることがより好ましい。この場合、化合物(E)を、具体的には、例えば、1,2−ジヒドロキシナフタレン、2,3−ジヒドロキシナフタレン及びその誘導体等のナフタレン環を有する化合物とすることができる。これらの化合物(E)は1種類を単独で用いても2種以上を併用してもよい。
酸化ビスマス水和物等の無機イオン交換体;水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム等の金属水酸化物や、硼酸亜鉛、モリブデン酸亜鉛、フォスファゼン、三酸化アンチモン等の難燃剤等の添加剤を適宜配合してもよい。
エポキシ樹脂1:1,4−ナフタレンジオール類として1,4―ナフタレンジオール(関東科学株式会社製試薬、融点195℃、分子量160.2、純度97.3%)100質量部に、エピクロルヒドリン809質量部、イソプロパノール315質量部を加えて溶解後、50℃に加熱し、49質量%水酸化ナトリウム水溶液120質量部を2時間かけて添加し、60℃に昇温して2時間反応させた。反応後、蒸留水150質量部を加えて振とうした後に、水層を棄却する操作(水洗)を洗浄水が中性になるまで繰り返し行った後、油層を125℃減圧処理することによってエピクロルヒドリン及びイソプロパノールを留去した。得られた固形物100質量部に対してメチルイソブチルケトン200質量部とn−ブタノール20質量部を加えて溶解し、70℃に加熱し10質量%水酸化ナトリウム水溶液6質量部を1時間かけて添加し、さらに3時間反応した後、静置し水層を棄却した。油層に蒸留水100質量部を加えて水洗、廃棄する操作を行い、洗浄水が中性になるまで同様の水洗操作を繰り返し行った後、加熱減圧によってメチルイソブチルケトンとn−ブタノールを留去し、粗製樹脂を得た。この粗製樹脂100質量部に、トルエン100質量部を加えて溶解した後、メタノール25質量部を徐々に添加して、再結晶析出物を回収乾燥して、下記式(10)で表されるエポキシ樹脂1(エポキシ当量144、融点90℃、150℃におけるICI粘度0.13dPa・s。GPCより求めたm=0体含有量89質量%)を得た。GPCチャートを図3に示す。
エポキシ樹脂2:エポキシ樹脂1の合成において、再結晶工程を二回繰り返して、下記式(10)で表されるエポキシ樹脂2(エポキシ当量142、融点109℃、150℃におけるICI粘度0.10dPa・s。GPCより求めたm=0体含有量96質量%)を得た。GPCチャートを図4に示す。
エポキシ樹脂3:エポキシ樹脂1の合成において、エピクロルヒドリン809質量部をβ−メチルエピクロルヒドリン931質量部として同様の操作を行い、下記式(11)で表されるエポキシ樹脂3(エポキシ当量169、融点121℃、150℃におけるICI粘度0.20dPa・s。GPCより求めたm=0体含有量79質量%)を得た。GPCチャートを図5に示す。
エポキシ樹脂4:1,6ジヒドロキシナフタレンジオール型エポキシ樹脂(DIC(株)製、EXA4032D。エポキシ当量142、融点60℃、150℃におけるICI粘度0.10dPa・s。GPCより求めたm=0体含有量93質量%)。GPCチャート
を図6に示す。
エポキシ樹脂5:オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(DIC(株)製、N660。エポキシ当量210、軟化点62℃、150℃におけるICI粘度2.34dPa・s。)
エポキシ樹脂6:ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂(日本化薬製(株)製、NC3000。エポキシ当量276、軟化点58℃、150℃におけるICI粘度1.11dPa・s。)
エポキシ樹脂7:テトラメチルビフェニル型エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン(株)製、YX4000。エポキシ当量185、軟化点107℃、150℃におけるICI粘度0.10dPa・s。)
硬化剤1:フェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂(三井化学(株)製、XLC−4L。水酸基当量168、軟化点62℃、150℃におけるICI粘度0.76dPa・s。)
硬化剤2:下記式(12)で表される化合物(新日鐵化学(株)製、SN−485。水酸基当量210、軟化点87℃、150℃におけるICI粘度1.78dPa・s。)
硬化剤3:下記式(13)で表される化合物(新日鐵化学(株)製、SN−170L。水酸基当量182、軟化点69℃、150℃におけるICI粘度0.78dPa・s。)
硬化剤4:ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂(明和化成(株)製、MEH−7851SS。水酸基当量203、軟化点67℃、150℃におけるICI粘度0.68dPa・s。)
無機充填剤1:電気化学工業製溶融球状シリカFB560(平均粒径30μm)100質量部、アドマテックス製合成球状シリカSO−C2(平均粒径0.5μm)6.5質量部、アドマテックス製合成球状シリカSO−C5(平均粒径30μm)7.5質量部とを予めブレンドしたもの。
硬化促進剤6:1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7(サンアプロ(株)製、DBU。)
シランカップリング剤1:γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(信越化学工業(株)製、KBM−403。)
シランカップリング剤2:γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン(信越化学工業(株)製、KBM−803。)
シランカップリング剤3:N−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン(信越化学工業(株)製、KBM−573。)
着色剤1:カーボンブラック(三菱化学(株)製、MA600。)
離型剤1:カルナバワックス(日興ファイン(株)製、ニッコウカルナバ、融点83℃。)
エポキシ樹脂1 6.16質量部
硬化剤1 6.84質量部
無機充填剤1 86質量部
硬化促進剤1 0.40質量部
シランカップリング剤1 0.1質量部
シランカップリング剤2 0.1質量部
着色剤1 0.3質量部
離型剤1 0.1質量部
をミキサーにて常温混合し、80〜100℃の加熱ロールで溶融混練し、冷却後粉砕し、樹脂組成物を得た。得られた樹脂組成物を用いて以下の方法で評価した。評価結果を表1に示す。
表1、表2、表3の配合に従い、実施例1と同様にして樹脂組成物を製造し、実施例1と同様にして評価した。評価結果を表1、表2、表3に示す。
2 ダイボンド材硬化体
3 ダイパッド
4 金線
5 リードフレーム
6 半導体封止用樹脂組成物の硬化体
Claims (3)
- 下記一般式(1):
で表されるエポキシ樹脂(A)と、
硬化剤(B)と、
無機充填剤(C)と、
硬化促進剤(D)と、
を含む半導体封止用樹脂組成物であり、
前記硬化促進剤(D)が、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、及びホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物から選ばれた少なくとも1種の潜伏性を有する硬化促進剤を含むことを特徴とする半導体封止用樹脂組成物。 - 請求項1又は2に記載の半導体封止用樹脂組成物の硬化物で半導体素子を封止して得られることを特徴とする半導体装置。
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