JP2007016247A - オレフィンメタセシス重合反応の可使時間の延長方法 - Google Patents
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Abstract
Description
メタセシス反応の速度は、ゲル化調節添加剤の量(表2参照)およびゲル化調節添加剤自体(表3参照)を変更することによって制御し得る。一般に行われているように、メタセシス反応速度は、反応温度を変更することによっても制御し得る。本発明で用いられ得るゲル化調節添加剤としては、ホスフィン類、スルホン化ホスフィン類、ホスファイト類、ホスフィナイト類、ホスホナイト類、アルシン類、スチビン類、エーテル類、アミン類、アミド類、スルホキシド類、カルボキシル類、ニトロシル類、ピリジン類、チオエーテル類、ニトリル類、チオフェン類およびフラン類が挙げられる。具体的なゲル化調節添加剤としては、トリシクロペンチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリフェニルホスファイト、ピリジン、プロピルアミン、トリブチルホスフィン、ベンゾニトリル、トリフェニルアルシン、無水アセトニトリル、チオフェンおよびフランが挙げられる。好ましいゲル化調節添加剤としては、トリシクロペンチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリイソプロピルホスフィン、トリフェニルホスフィンおよびピリジンが挙げられる。
ROMP反応は、環状オレフィン類の開環による高重合体の生成において用いられている。この反応は、熱硬化性樹脂の反応射出成形(Reaction Injection Molding)に効果的に用いられている。これらの系のために、触媒成分を混合した後の触媒形成速度を制御することによってポリマーのゲル化時間を調節する技術が開発されている。本発明においては、ROMP触媒は上記のルテニウムまたはオスミウムカルベン錯体触媒である。初期のRIMおよび樹脂トランスファー成形(Resin Transfer Molding、「RTM」)法において用いられている触媒とは対照的に、これらの触媒は「活性」体の状態で成形プロセス中にモノマーに添加され得る。また、初期のRIM法とは対照的に、活性触媒の重合速度は本発明によるゲル化調節添加剤の添加によって制御することができる。
DCPD500mlを、1インチの酸化アルミニウムを含有する150mlの中多孔度ガラス濾過器によって1リットルの丸底フラスコ内に減圧濾過した。低凝固点の低級DCPDは、同様の精製処理後に用いることができる。
1インチの電磁攪拌棒を含有する250mlの三角フラスコに、上記のように精製および脱気したDCPD(147.9g、150ml、1.12mol、5000当量)と、(P(Cyペンチル)3)2Cl2Ru(=CHCH=CPh2)(188.5mg、0.224mmol、1当量)とを加えた。攪拌を開始し、必要に応じて低流量のアルゴンをフラスコ内に導入した。橙色の溶液を、その溶液がかなり粘稠になるまで室温で8分間、アルゴン下で攪拌した。次いで、溶液を、予め120℃で保管しておいた結晶化皿(直径14.6cm)に大気開放した状態で(open to air)注いだ。2分後、溶液のゲル化が始まり、その後の2分間に煙の発生が観察された。この時点で重合が完了したようであり、結晶化皿を室温まで冷却した。ポリマーは結晶化皿の表面から容易に分離した。このポリマーを120℃で3時間に渡って後硬化させ、ポリ(DCPD)を得た(141.1g、収率95.4%)。
攪拌棒を含有するフラスコに、トリフェニルホスフィン(95mg)と、上記のように精製および脱気したDCPD(63.991g)とを加えた。フラスコを減圧下で約5分間攪拌した。次いで、(P(Cyペンチル)3)2Cl2Ru(=CHCH=CPh2)(71mg)を混合物に加えて、低流量のアルゴンをフラスコ内に導入した。続いて、溶液を室温でアルゴン下にて攪拌した。59分後、アセトン試験(下記参照)によって、「フラットボール(Flat Ball)」という結果が得られた。次に、溶液を、予め60.2℃で保管しておいた金型に大気開放の状態で注入した。注入の約10分後に、反応の温度がピークになり、そのピーク温度は約158℃であった。
アセトン試験は、重合反応の程度を測定するために用いた主観的な試験であった。この試験において、2〜3滴の触媒されたDCPDを小ピペットで取り出し、アセトンの試験管に滴下した。目視検査によってポリマー生成の程度を定性的に測定した。目視の結果を、「無(Nothing)」(重合せず)、「曇り(Cloud)」、「フラットボール(Flat Ball)」(いくらか重合している)、および「ボール(Ball)」と記載した。
203mgのトリフェニルホスフィンを、試験管中の4.052gの95%DCPDに添加して、その試験管をトリフェニルホスフィンが溶解するまで振盪した。次いで、74mgの(P(Cyペンチル)3)2Cl2Ru(=CHCH=CPh2)を加え、手で振盪し、続いて攪拌棒で約1〜2分間混合した。次に、混合物をかたわらに置いた。3時間20分後、混合物は依然として液体であり、すなわちほんのわずかな部分重合が生じただけであった。したがって、この反応混合物の可使時間は、3時間20分より長い。この反応混合物を60.06gのDCPDに添加した。混合物を減圧下(これは任意である)でさらに5分間ゆっくりと攪拌し、次いで60.8℃に予備加熱しておいた金型に注入した。約19分後、約69.5℃の温度で発熱量がピークになった。次に、金型を室温まで冷却して金型からポリマーを取り出し、190℃で1時間に渡って後硬化させた。
触媒(P(Cyヘキシル) 3 ) 2 Cl 2 RuCHPhを用いる場合
式(P(Cyヘキシル)3)2Cl2RuCHPhで表される触媒を用いて下記の反応を行った。その結果を表2にまとめる。試料番号は表2の記載と関連している。
攪拌棒を有する250mlのフラスコ内に、減圧で濾過され、脱気された約64.6gのVelsicol VHP DCPDを注入した(注:濾過および脱気は任意である)。0.054gの触媒(P(Cyヘキシル)3)2Cl2RuCHPhを加え、約3分間攪拌した。金型に注入した。金型温度は34.4℃であり、DCPDモノマー温度は31.5℃であった。ゲル化時間は<2分45秒であり、ピーク発熱量を示すのは4分11秒であり、ピーク温度は133.8℃であった。
攪拌棒を有する250mlのフラスコ内に、減圧で濾過され、脱気された約64.0gのVelsicol VHP DCPDを注入した(注:濾過および脱気は任意である)。0.030gのトリフェニルホスフィンを加え、約5分間混合した。0.054gの触媒(P(Cyヘキシル)3)2Cl2RuCHPhを加え、約3分間攪拌した。金型に注入した。金型温度は35.0℃であり、DCPDモノマー温度は31.5℃であった。
攪拌棒を有する250mlのフラスコ内に、減圧で濾過され、脱気された約64.0gのVelsicol VHP DCPDを注入した(注:濾過および脱気は任意である)。0.065gのトリフェニルホスフィンを加え、約5分間混合した。0.054gの触媒(P(Cyヘキシル)3)2Cl2RuCHPhを加え、約3分間攪拌した。金型に注入した。金型温度は37.8℃であり、DCPDモノマー温度は33℃であった。
攪拌棒を有する250mlのフラスコ内に、減圧で濾過され、脱気された約64.0gのVelsicol VHP DCPDを注入した(注:濾過および脱気は任意である)。0.200gのトリフェニルホスフィンを加え、約5分間混合した。0.054gの触媒(P(Cyヘキシル)3)2Cl2RuCHPhを加え、約3分間攪拌した。金型に注入した。金型温度は36.3℃であり、DCPDモノマー温度は31℃であった。
25×150mm試験管に、減圧で濾過され、脱気された約8.132gのVelsicol VHP DCPDを加えた(注:濾過および脱気は任意である)。0.060gのトリフェニルホスフィンを加え、溶解するまで約3〜5分間混合した。0.054gの触媒(P(Cyヘキシル)3)2Cl2RuCHPhを加え、約3分間攪拌した。次いで、試験管をドライアイス/アセトン浴中に約30秒間置いて冷却し、続いて35°F冷蔵庫中に試料を置いて、一晩放置した。
攪拌棒を有する250mlのフラスコ内に、減圧で濾過され、脱気された約64.0gのLyondell 108 94.04% DCPDを加えた。0.055gのトリフェニルホスフィンを加え、約5分間混合した。0.054gの触媒(P(Cyヘキシル)3)2Cl2RuCHPhを加え、約3分間混合した。金型に注入した。金型温度は38℃であり、DCPDモノマー温度は32℃であった。
攪拌棒を有する250mlのフラスコ内に、減圧で濾過され、脱気された約64.0gのLyondell 108 94.04% DCPDを加えた。0.054gの触媒(P(Cyヘキシル)3)2Cl2RuCHPhを加え、3分間混合した。金型に注入した。金型温度は38℃であり、DCPDモノマー温度は32℃であった。
攪拌棒を有する250mlのフラスコ内に、減圧で濾過され、脱気された約64.1gのVelsicol VHP DCPDを注入した(注:濾過および脱気は任意である)。0.200gのトリフェニルホスフィンを加え、約5分間混合した。0.080gの触媒(P(Cyヘキシル)3)2Cl2RuCHPhを加え、約3分間攪拌した。金型に注入した。金型温度は32℃であり、DCPDモノマー温度は33℃であった。
25×150mmの試験管に、減圧で濾過され、脱気された約6.0gのVelsicol VHP DCPDを加えた(注:濾過および脱気は任意である)。0.011gのトリフェニルホスフィンを加え、溶解するまで約3〜5分間混合した。0.054gの触媒(P(Cyヘキシル)3)2Cl2RuCHPhを加え、約3分間攪拌した。58gのVelsicol VHP DCPDをフラスコ内に入れ、触媒/モノマー/TPP混合物を含む試験管中で1分間混合した。金型に注入した。金型温度は37.9℃であった。樹脂温度は約31.8℃であった。
以下の実験には、ゲル化調節添加剤を変更した以外は表2で述べたものと同様のフォーマットを用いた。これらの実験の結果は表3にまとめる。これらの実験では、2種の異なる触媒:(P(Cyヘキシル)3)2Cl2RuCHPhおよび(PPh3)2Cl2Ru(=CHCH=CMe2)を使用した。下記の5つの特定の実験(試料#29〜33)以外、表3に示した全ての結果は(P(Cyヘキシル)3)2Cl2RuCHPh触媒についてのものである。試料番号は表3の記載に関連している。
250mlのフラスコ内に、濾過され、脱気された約64.0gのVelsicol VHP DCPDを加えた。ゲル化調節添加剤を加えた。溶解するまで、または5分間混合した後、触媒(P(Cyヘキシル)3)2Cl2RuCHPhを加えた。約3分間(ゲル化が生じた場合はもっと短い時間)混合した後、混合物を金型に注入した。
(PPh3)2Cl2Ru(=CHCH=CMe2)触媒を用いて下記の反応を行った。
攪拌棒を有する250mlのフラスコ内に、減圧で濾過され、脱気された約64.0gのVelsicol VHP DCPDを注入した(注:濾過および脱気は任意である)。0.020gのトリシクロヘキシルホスフィンを加え、約5分間混合した。0.049gの触媒(PPh3)2Cl2Ru(=CHCH=CMe2)を加え、3分間混合した。金型に注入した。金型温度は39.2℃であり、樹脂温度は33.6℃であった。
攪拌棒を有する250mlのフラスコ内に、減圧で濾過され、脱気された約64.0gのVelsicol VHP DCPDを注入した(注:濾過および脱気は任意である)。0.054gのトリシクロヘキシルホスフィンを加え、約5分間混合した。0.049gの触媒(PPh3)2Cl2Ru(=CHCH=CMe2)を加え、3分間混合した。金型に注入した。金型温度は37.5℃であり、樹脂温度は約32.0℃であった。
攪拌棒を有する250mlのフラスコ内に、減圧で濾過され、脱気された約64.0gのVelsicol VHP DCPDを注入した(注:濾過および脱気は任意である)。0.032gのトリシクロヘキシルホスフィンを加え、約5分間混合した。0.049gの触媒(PPh3)2Cl2Ru(=CHCH=CMe2)を加え、3分間混合した。金型に注入した。金型温度は39.3℃であり、樹脂温度は32.0℃であった。
攪拌棒を有する250mlのフラスコ内に、減圧で濾過され、脱気された約64.0gのVelsicol VHP DCPDを注入した(注:濾過および脱気は任意である)。0.049gの触媒(PPh3)2Cl2Ru(=CHCH=CMe2)を加え、3分間混合した。金型に注入した。金型温度は40.6℃であり、樹脂温度は34.0℃であった。
25×150mm試験管に、0.051gの触媒(PPh3)2Cl2Ru(=CHCH=CMe2)と、4〜6gのジクロロメタンを加えた。攪拌棒を入れて、約5分間、または触媒が溶解しているように見えるまで混合した。次いで、0.052gのトリシクロヘキシルホスフィンを加えて、アルゴンで試験管をパージした。試験管に蓋をして、室温で2時間混合した。2時間後、ジクロロメタンを減圧除去し、触媒混合物を別のジクロロメタン洗浄液で洗浄した。ここで、濾過され、脱気された約10.0gのVelsicol VHP DCPDを試験管に加え、約1分間、または触媒混合物がDCPDに溶解するまですばやく混合した。濾過され、脱気された54.0gのVelsicol VHP DCPDを含有するフラスコに、DCPD/触媒混合物を加えた。約3分間(合計混合時間)混合を続けた。金型に注入した。金型温度は38.3℃であり、樹脂温度は32.0℃であった。
Claims (66)
- (a)+2の酸化状態にあり、電子数16であり、且つ5配位であるルテニウムまたはオスミウム金属中心を含むルテニウムまたはオスミウムカルベン錯体触媒
(b)官能化されていても官能化されていなくてもよいオレフィン、および
(c)電子供与体またはルイス塩基
を含む組成物。 - 前記ルテニウムまたはオスミウムカルベン錯体触媒が、式:
MはOsおよびRuからなる群から選択され、
RおよびR1は、独立に、水素、ならびにC2〜C20アルケニル、C2〜C20アルキニル、C1〜C20アルキル、アリール、C1〜C20カルボキシレート、C1〜C20アルコキシ、C2〜C20アルケニルオキシ、C2〜C20アルキニルオキシ、アリールオキシ、C2〜C20アルコキシカルボニル、C1〜C20アルキルチオ、C1〜C20アルキルスルホニルおよびC1〜C20アルキルスルフィニルからなる群から選択される置換基からなる群から選択され、
XおよびX1は、独立に、ハロゲン、水素;C1〜C20アルキル、アリール、C1〜C20アルコキシド、アリールオキシド、C3〜C20アルキルジケトネート、アリールジケトネート、C1〜C20カルボキシレート、アリールもしくはC1〜C20アルキルスルホネート、C1〜C20アルキルチオ、C1〜C20アルキルスルホニル、またはC1〜C20アルキルスルフィニル(それぞれ、任意にC1〜C5アルキル、ハロゲン、C1〜C5アルコキシで、またはハロゲン、C1〜C5アルキルもしくはC1〜C5アルコキシで任意に置換されたフェニル基で置換されている)からなる群から選択され、そして
LおよびL1は、独立に、中性電子供与体から選択される。)
で表される、請求項1に記載の組成物。 - 前記置換基が、C1〜C5アルキル、ハロゲン化物、C1〜C5アルコキシおよびフェニルからなる群から選択される1以上の基で置換されている、請求項2に記載の組成物。
- 前記フェニル基が、ハロゲン化物、C1〜C5アルキル、およびC1〜C5アルコキシからなる群から選択される1以上の基で置換されている、請求項3に記載の組成物。
- 前記置換基が、ヒドロキシル、チオール、ケトン、アルデヒド、エステル、エーテル、アミン、イミン、アミド、ニトロ、カルボン酸、ジスルフィド、カーボネート、イソシアナート、カルボジイミド、カルボアルコキシおよびハロゲンからなる群から選択される1以上の官能基で置換されている、請求項2に記載の組成物。
- RおよびR1は、独立に、水素、置換アリール、非置換アリール、置換ビニルおよび非置換ビニルからなる群から選択され、
前記置換アリールおよび置換ビニルが、それぞれ、ヒドロキシル、チオール、ケトン、アルデヒド、エステル、エーテル、アミン、イミン、アミド、ニトロ、カルボン酸、ジスルフィド、カーボネート、イソシアナート、カルボジイミド、カルボアルコキシ、ハロゲン、C1〜C5アルキル、C1〜C5アルコキシ、非置換フェニル、ならびにハロゲン化物、C1〜C5アルキルまたはC1〜C5アルコキシで置換されたフェニルからなる群から選択される1以上の基で置換されている、請求項2に記載の組成物。 - LおよびL1が、独立に、ホスフィン、スルホン化ホスフィン、ホスファイト、ホスフィナイト(phosphinite)、ホスホナイト(phosphonite)、アルシン、スチビン、エーテル、アミン、アミド、スルホキシド、カルボキシル、ニトロシル、ピリジンおよびチオエーテルからなる群から選択される、請求項2に記載の組成物。
- LおよびL1が、独立に、PR3R4R5(式中、R3は第二級アルキルおよびシクロアルキルからなる群から選択され、R4およびR5は、独立に、アリール、C1〜C10第一級アルキル、第二級アルキルおよびシクロアルキルからなる群から選択される。)から選択されるホスフィンである、請求項7に記載の組成物。
- LおよびL1が、独立に、-P(シクロヘキシル)3、-P(シクロペンチル)3、および-P(イソプロピル)3からなる群から選択される、請求項8に記載の組成物。
- LおよびL1が、いずれも-P(フェニル)3である、請求項7に記載の組成物。
- LおよびL1が同一である、請求項7に記載の組成物。
- XおよびX1が、独立に、Cl、Br、I、H;ベンゾエート、C1〜C5カルボキシレート、C1〜C5アルキル、フェノキシ、C1〜C5アルコキシ、C1〜C5アルキルチオ、アリール、またはC1〜C5アルキルスルホネート(それぞれ、任意に、C1〜C5アルキルで、またはハロゲン、C1〜C5アルキルもしくはC1〜C5アルコキシで任意に置換されたフェニル基で置換されている)から選択される、請求項2に記載の組成物。
- XおよびX1が、独立に、Cl、CF3CO2、CH3CO2、CFH2CO2、(CH3)3CO、(CF3)2(CH3)CO、(CF3)(CH3)2CO、PhO、MeO、EtO、トシレート、メシレート、およびトリフルオロメタンスルホネートからなる群から選択される、請求項12に記載の組成物。
- XおよびX1が、いずれもClである、請求項13に記載の組成物。
- 前記置換アリールが、C1〜C5アルキル、ハロゲン化物、C1〜C5アルコキシ、非置換フェニル、およびハロゲン化物、C1〜C5アルキルまたはC1〜C5アルコキシで置換されたフェニルからなる群から選択される1以上の基で置換されている、請求項15に記載の組成物。
- 前記置換ビニルが、C1〜C5アルキル、ハロゲン化物、C1〜C5アルコキシ、非置換フェニル、およびハロゲン化物、C1〜C5アルキルまたはC1〜C5アルコキシで置換されたフェニルからなる群から選択される1以上の基で置換されている、請求項15に記載の組成物。
- 前記置換アリールが、ヒドロキシル、チオール、ケトン、アルデヒド、エステル、エーテル、アミン、イミン、アミド、ニトロ、カルボン酸、ジスルフィド、カーボネート、イソシアナート、カルボジイミド、カルボアルコキシおよびハロゲンからなる群から選択される1以上の官能基で置換されている、請求項15に記載の組成物。
- 前記置換ビニルが、ヒドロキシル、チオール、ケトン、アルデヒド、エステル、エーテル、アミン、イミン、アミド、ニトロ、カルボン酸、ジスルフィド、カーボネート、イソシアナート、カルボジイミド、カルボアルコキシおよびハロゲンからなる群から選択される1以上の官能基で置換されている、請求項15に記載の組成物。
- 前記成分(c)が、中性電子供与体または中性ルイス塩基である、請求項1に記載の組成物。
- 前記成分(c)が、ホスフィン類、スルホン化ホスフィン類、ホスファイト類、ホスフィナイト類、ホスホナイト類、アルシン類、スチビン類、エーテル類、アミン類、アミド類、スルホキシド類、カルボキシル類、ニトロシル類、ピリジン類、チオエーテル類、ニトリル類、チオフェン類およびフラン類からなる群から選択される、請求項1に記載の組成物。
- 前記成分(c)が、トリアルキルまたはトリアリールホスフィンである、請求項23に記載の組成物。
- 前記成分(c)が、P(シクロヘキシル)3、P(シクロペンチル)3、P(イソプロピル)3およびピリジンからなる群から選択される、請求項1に記載の組成物。
- 前記成分(c)が、P(フェニル)3である、請求項1に記載の組成物。
- 前記成分(c)が、トリシクロペンチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリフェニルホスファイト、ピリジン、プロピルアミン、トリブチルホスフィン、ベンゾニトリル、トリフェニルアルシン、無水アセトニトリル、チオフェンおよびフランからなる群から選択される、請求項1に記載の組成物。
- 前記成分(c)が、ヒドロキシル、チオール、ケトン、アルデヒド、エステル、エーテル、アミン、アミド、ニトロ酸、カルボン酸、ジスルフィド、カーボネート、カルボアルコキシ酸、イソシアナート、カルボジイミド、カルボアルコキシおよびハロゲンからなる群から選択される1以上の官能基を含む、請求項1に記載の組成物。
- 官能化または非官能化オレフィンを、組成物と接触させることを含み、前記組成物が、
(a)+2の酸化状態にあり、電子数16であり、且つ5配位であるルテニウムまたはオスミウム金属中心を含むルテニウムまたはオスミウムカルベン錯体触媒、および
(b)電子供与体またはルイス塩基
を含む、オレフィンメタセシス方法。 - 前記オレフィンが官能化されており、ヒドロキシル、チオール、ケトン、アルデヒド、エステル、エーテル、アミン、アミド、ニトロ酸、カルボン酸、ジスルフィド、カーボネート、カルボアルコキシ酸、イソシアナート、カルボジイミド、カルボアルコキシおよびハロゲンからなる群から選択される1以上の官能基を含むものである、請求項31に記載の方法。
- 前記オレフィンが、歪んだ環状オレフィン類、歪んでいない環状オレフィン類、非環状オレフィン類、ジエン類、および不飽和ポリマー(但し、これらの各々は、官能化されていても、官能化されていなくてもよい)からなる群から選択される、請求項31に記載の方法。
- 官能化または非官能化環状オレフィン類を組成物と接触させる工程を含み、前記組成物が、
(a)+2の酸化状態にあり、電子数16であり、且つ5配位であるルテニウムまたはオスミウム金属中心を含むルテニウムまたはオスミウムカルベン錯体触媒、および
(b)電子供与体またはルイス塩基
を含む、官能化または非官能化環状オレフィン類の開環メタセシス重合方法。 - 前記環状オレフィンが、ヒドロキシル、チオール、ケトン、アルデヒド、エステル、エーテル、アミン、アミド、ニトロ酸、カルボン酸、ジスルフィド、カーボネート、カルボアルコキシ酸、イソシアナート、カルボジイミド、カルボアルコキシおよびハロゲンからなる群から選択される1以上の官能基を含有する官能化環状オレフィンである、請求項36に記載の方法。
- 前記環状オレフィンが、シクロブテン、シクロヘプテン、シクロオクテン、シクロノネン、シクロデセン、シクロオクタジエン、シクロノナジエン、ノルボルネンおよびジシクロペンタジエン(但し、これらの各々は、官能化されていても官能化されていなくてもよい)からなる群から選択される、請求項36に記載の方法。
- 前記環状オレフィンがジシクロペンタジエンである、請求項36に記載の方法。
- (a)金型中に、官能化または非官能化環状オレフィンと組成物とを含む混合物を供給する工程であって、前記組成物が、
1)+2の酸化状態にあり、電子数16であり、且つ5配位であるルテニウムまたはオスミウム金属中心を含むルテニウムまたはオスミウムカルベン錯体触媒、および
2)電子供与体またはルイス塩基
を含む工程、
(b)該混合物が少なくとも部分的に重合してポリマー製品が得られるまで待つ工程、および
(c)金型からポリマー製品を取り外す工程
を含む、ポリマー製品の成形方法。 - 前記工程(a)が、
(i)官能化または非官能化環状オレフィンと請求項1に記載の組成物とを含有する混合物を調製する工程、および
(ii)該混合物を金型に導入する工程
を含む、請求項42に記載の方法。 - 前記工程(i)が、
(1)官能化または非官能化環状オレフィンと請求項1に記載の組成物の成分(c)とを含有する混合物を調製する工程、および
(2)官能化または非官能化環状オレフィンと請求項1に記載の組成物の成分(c)との前記混合物にメタセシス触媒を添加する工程
を含む、請求項43に記載の方法。 - さらに、前記金型を加熱する工程を含む、請求項42に記載の方法。
- さらに、前記混合物を前記金型に導入する前に、該金型を加熱する工程を含む、請求項43に記載の方法。
- さらに、前記混合物を前記金型に導入した後に、該金型を加熱する工程を含む、請求項43に記載の方法。
- さらに、前記混合物を加熱する工程を含む、請求項42に記載の方法。
- さらに、前記混合物を前記金型に導入する前に、該混合物を加熱する工程を含む、請求項43に記載の方法。
- さらに、前記混合物を前記金型に導入した後に、該混合物を加熱する工程を含む、請求項43に記載の方法。
- 前記環状オレフィンが、ヒドロキシル、チオール、ケトン、アルデヒド、エステル、エーテル、アミン、アミド、ニトロ酸、カルボン酸、ジスルフィド、カーボネート、カルボアルコキシ酸、イソシアナート、カルボジイミド、カルボアルコキシおよびハロゲンからなる群から選択される1以上の官能基を含有する官能化環状オレフィンである、請求項42に記載の方法。
- 前記環状オレフィンが、シクロブテン、シクロヘプテン、シクロオクテン、シクロノネン、シクロデセン、シクロオクタジエン、シクロノナジエン、ノルボルネンおよびジシクロペンタジエン(但し、それらの各々は、官能化されていても官能化されていなくてもよい)からなる群から選択される、請求項42に記載の方法。
- 前記環状オレフィンがジシクロペンタジエンである、請求項42に記載の方法。
- 前記環状オレフィンがジシクロペンタジエンである、請求項54に記載の方法。
- 前記環状オレフィンがジシクロペンタジエンである、請求項56に記載の方法。
- 配位部位を有するメタセシス触媒によって触媒されるオレフィンメタセシス反応の速度を制御する方法であって、配位部位を有する活性触媒を、オレフィンと競合して該触媒配位部位に配位させる添加剤の存在下でオレフィンと接触させることを含む方法。
- 前記オレフィンと競合して触媒配位部位に配位させる添加剤が、電子供与体またはルイス塩基である、請求項54に記載の方法。
- (a)+2の酸化状態にあり、電子数16であり、且つ5配位であるルテニウムカルベン錯体触媒、および
(b)アルシン類、スチビン類、スルホキシド類、ニトロシル類、ピリジン類、チオエーテル類、ニトリル類、チオフェン類、およびフラン類からなる群から選択される電子供与体またはルイス塩基
を含有する組成物。 - (a)+2の酸化状態にあり、電子数16であり、且つ5配位であるルテニウムカルベン錯体触媒、および
(b)チオール、ケトン、アルデヒド、エステル、エーテル、アミン、アミド、ニトロ酸、カルボキシル類、ジスルフィド、カーボネート、カルボアルコキシ酸、イソシアナート、カルボジイミド、およびカルボアルコキシ酸からなる群から選択される電子供与体またはルイス塩基
を含有する組成物。 - 前記成分(b)がトリフェニルホスフィンである、請求項62に記載の組成物。
- (a)+2の酸化状態にあり、電子数16であり、且つ5配位であるルテニウムまたはオスミウムカルベン錯体触媒、および
(b)アルシン類、スチビン類、スルホキシド類、ニトロシル類、ピリジン類、チオエーテル類、ニトリル類、チオフェン類、フラン類、チオール、ケトン、アルデヒド、エステル、エーテル、アミン、アミド、ニトロ酸、カルボキシル類、ジスルフィド、カーボネート、カルボアルコキシ酸、イソシアナート、カルボジイミド、およびカルボアルコキシ酸からなる群から選択される電子供与体またはルイス塩基
を含有する組成物。 - Cyがシクロペンチルまたはシクロヘキシルである、請求項62に記載の組成物
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