JP2006519497A5 - - Google Patents
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- 230000003134 recirculating Effects 0.000 claims 1
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Claims (12)
- ウェーハの表面をエッチングするエッチング・システムにおいて、
予め設定された複数の位置において前記ウェーハの表面上の微細寸法テストフィーチャを測定する測定装置と、
前記ウェーハを保持するチャックと、前記チャック内に配置される複数の発熱体と、を有し、前記測定装置から前記ウェーハを受け取るエッチングチャンバであって、それぞれの前記発熱体は前記ウェーハ上の予め設定された位置のそれぞれに隣接して配置される、エッチングチャンバと、
前記測定装置および前記複数の発熱体に接続された制御装置であって、前記微細寸法テストフィーチャに基づいて、前記ウェーハの表面のエッチング処理中に前記複数の発熱体それぞれの温度を調整して、予め設定された複数の位置の間のエッチング特性のばらつきを低減する制御装置と、を備えることを特徴とするエッチング・システム。 - 前記予め設定された複数の位置は、前記ウェーハのほぼ全表面にわたって隣接する複数の領域部にグループ化され、
前記領域部のそれぞれは、前記複数の発熱体のうち1つの発熱体に対応することを特徴とする請求項1に記載のエッチング・システム。 - 前記ウェーハの表面は、中央領域部および該中央領域部に隣接する複数の領域部を含むことを特徴とする請求項2に記載のエッチング・システム。
- 前記測定装置は、微細寸法(CD)分光測定システムを含むことを特徴とする請求項1に記載のエッチング・システム。
- 前記制御装置に接続された複数のセンサをさらに備え、
前記センサは、前記予め設定された位置のそれぞれに対するウェーハ表面の位置における溝の平均深さを周期的に測定し、
前記制御装置は、前記測定した溝の深さに基づいて、前記予め設定された位置のそれぞれに対する局所的なエッチング速度を計算し、前記ウェーハの表面のエッチング処理中に前記複数の発熱体それぞれの温度を調整して、前記予め設定された複数の位置の間のエッチング速度のばらつきを低減することを特徴とする請求項1に記載のエッチング・システム。 - 前記複数のセンサは、干渉計を備えることを特徴とする請求項5に記載のエッチング・システム。
- 請求項1に記載の前記エッチング・システムを用いた前記ウェーハの前記表面のエッチング方法において、
前記予め設定された複数の位置において前記測定装置を用いて前記微細寸法テストフィーチャを測定する手順と、
前記複数の発熱体を用いて、前記複数の位置で前記ウェーハの下側を加熱する手順と、
前記微細寸法テストフィーチャに基づいて、前記ウェーハの表面のエッチング処理中に、前記制御装置を用いて前記複数の発熱体それぞれの温度を調整して、前記予め設定された複数の位置の間のエッチング特性のばらつきを低減する手順と、
を含むことを特徴とするエッチング方法。 - 前記予め設定された複数の位置は、前記ウェーハのほぼ全表面にわたって隣接する複数の領域部にグループ化され、
前記領域部のそれぞれは、1つの発熱体に対応することを特徴とする請求項7に記載のエッチング方法。 - 前記ウェーハの表面は、中央領域部および該中央領域部に隣接する複数の領域部を含むことを特徴とする請求項8に記載のエッチング方法。
- 前記微細寸法テストフィーチャを測定する手順は、微細寸法(CD)分光測定手順を含むことを特徴とする請求項7に記載の方法。
- 前記予め設定された位置のそれぞれに対するウェーハ表面の溝の深さを周期的に測定する手順と、
前記測定した溝の深さに基づいて、前記予め設定された位置のそれぞれに対する局所的な前記エッチング速度を計算する手順と、
前記ウェーハのエッチング処理中に、前記加熱を調整して、前記予め設定された複数の位置の間の局部的なエッチング速度のばらつきを低減し、それによって、前記ウェーハ全体の溝の深さのばらつきを低減する手順と、を有することを特徴とする請求項7に記載の方法。 - ウェーハの表面をエッチングするエッチング・システムにおいて、
予め設定された複数の位置において前記ウェーハの表面の微細寸法テストフィーチャを測定する測定装置と、
前記ウェーハを保持する温度制御チャックを有し、前記測定装置から前記ウェーハを受け取るエッチングチャンバであって、前記温度制御チャックは流体で満たされた異なる複数の領域部を内包し、前記ウェーハ上の予め設定された位置のそれぞれに隣接して配置され、それぞれの前記領域部の流体が再循環流体温度制御システムによってそれぞれ設定温度まで加熱される、エッチングチャンバと、
前記測定装置および前記温度制御チャックに接続され、前記ウェーハの表面のエッチング処理中に、前記領域部それぞれの流体の温度を調整して、予め設定された複数の位置の間のエッチング特性のばらつきを低減する制御装置と、を備えることを特徴とするエッチング・システム。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/376,498 US6770852B1 (en) | 2003-02-27 | 2003-02-27 | Critical dimension variation compensation across a wafer by means of local wafer temperature control |
PCT/US2004/004134 WO2004077505A2 (en) | 2003-02-27 | 2004-02-12 | Critical dimension variation compensation across a wafer by means of local wafer temperature control |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013018861A Division JP5844757B2 (ja) | 2003-02-27 | 2013-02-01 | エッチング・システム及びエッチング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006519497A JP2006519497A (ja) | 2006-08-24 |
JP2006519497A5 true JP2006519497A5 (ja) | 2011-07-07 |
Family
ID=32771493
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006503525A Pending JP2006519497A (ja) | 2003-02-27 | 2004-02-12 | 局所的なウェーハの温度調節によるウェーハ全体における微細寸法のばらつき補正 |
JP2013018861A Expired - Lifetime JP5844757B2 (ja) | 2003-02-27 | 2013-02-01 | エッチング・システム及びエッチング方法 |
JP2015081870A Pending JP2015130539A (ja) | 2003-02-27 | 2015-04-13 | エッチング・システム及びエッチング方法 |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013018861A Expired - Lifetime JP5844757B2 (ja) | 2003-02-27 | 2013-02-01 | エッチング・システム及びエッチング方法 |
JP2015081870A Pending JP2015130539A (ja) | 2003-02-27 | 2015-04-13 | エッチング・システム及びエッチング方法 |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6770852B1 (ja) |
EP (1) | EP1599891B1 (ja) |
JP (3) | JP2006519497A (ja) |
KR (1) | KR101047823B1 (ja) |
CN (1) | CN1777974B (ja) |
AT (1) | ATE480003T1 (ja) |
DE (1) | DE602004028910D1 (ja) |
IL (1) | IL170511A (ja) |
TW (1) | TWI338917B (ja) |
WO (1) | WO2004077505A2 (ja) |
Families Citing this family (54)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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EP1303792B1 (en) * | 2000-07-16 | 2012-10-03 | Board Of Regents, The University Of Texas System | High-resolution overlay alignement methods and systems for imprint lithography |
JP4740518B2 (ja) | 2000-07-17 | 2011-08-03 | ボード・オブ・リージエンツ,ザ・ユニバーシテイ・オブ・テキサス・システム | 転写リソグラフィ・プロセスのための自動液体ディスペンス方法およびシステム |
CN100401852C (zh) | 2001-04-30 | 2008-07-09 | 科林研发公司 | 用于控制工件支架表面上空间温度分布的方法与装置 |
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-
2003
- 2003-02-27 US US10/376,498 patent/US6770852B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-02-12 EP EP04710651A patent/EP1599891B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-02-12 AT AT04710651T patent/ATE480003T1/de not_active IP Right Cessation
- 2004-02-12 WO PCT/US2004/004134 patent/WO2004077505A2/en active Application Filing
- 2004-02-12 KR KR1020057015921A patent/KR101047823B1/ko active IP Right Grant
- 2004-02-12 CN CN2004800096795A patent/CN1777974B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-02-12 JP JP2006503525A patent/JP2006519497A/ja active Pending
- 2004-02-12 DE DE602004028910T patent/DE602004028910D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2004-02-27 TW TW093105182A patent/TWI338917B/zh not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-08-25 IL IL170511A patent/IL170511A/en not_active IP Right Cessation
-
2013
- 2013-02-01 JP JP2013018861A patent/JP5844757B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2015
- 2015-04-13 JP JP2015081870A patent/JP2015130539A/ja active Pending
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