JP2006515467A - 後続の化学機械研磨(CMP:ChemicalMechanicalPolishing)プロセスのプロセス均一性が向上するようにパターン誘電層上に銅を電気メッキするための方法 - Google Patents
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Abstract
Description
長年のプリント配線産業における多大な経験により、一見すると、電気メッキはかなり単純で確立されたデポジション方法のように思われるが、0.1μmあるいはそれ以下のサイズで高いアスペクト比の高い開口部を、横方向の幅がミクロンオーダーである幅広いトレンチとともに、高い信頼性によって充填するということが要求されることから、メタライゼーション層において使用され得る他の金属と同様に、銅の電気メッキは非常に複雑なデポジション方法となっている。特に、後続のプロセスステップが、例えば化学機械研磨やなんらかのメトロロジー(計測)プロセスのように、電気メッキプロセスの品質に直接依存する場合に、銅の電気メッキは、非常に複雑なものとなる。
更に、通常知られているアクセラレータ、サプレッサ、及びレベラーは、全て本発明に従って用いることが可能である。アクセラレータは、例えば、プロパンスルホン酸で構成されてよい。サプレッサは、例えば、ポリアルキレングリコール型のポリマーで構成されてよい。一般的なレベラーは例えば、ポリエチルで構成されてよい。基板を電解槽に晒している最中、適切な形状波の電流が下方から上方への方式、つまりボトムトゥトップ方式で、開口部205,204の充てんを満たし、それによって実質的に開口部205,204内にボイドとシームが形成されることを回避するように印可される。例えば、従来のパルスリバースシーケンスは、開口部205,204を確実に充てんするように実行される。前述したように、200mmあるいは300mmを超える基板の特別幅広いトレンチ204を確実に充てんすることは、ある種の“過メッキ:Overplating”を要求し、第一領域210と第二領域206上に剰余の層の形成を結果としてもたらす。この実施形態では、剰余の銅層の形成中,例えば、平均表面粗度212が得られるような方法で電解槽の生成中にレベラーの量を供与することによってレベラーの量がコントロールされる。
Claims (14)
- パターン領域(210)、実質的な非パターン領域(206)が内部に形成された誘電層(202)を含む基板(201)上に金属をデポジットする方法であって、
前記パターン領域(210)内でボトムトゥトップ技術により金属(207)をノンコンフォーマルにデポジットするよう電解槽に前記基板を晒し、
前記パターン化された領域(210)上及び前記実質的な非パターン領域(206)上に過剰金属層を形成し、
前記過剰金属層の前記形成中、前記過剰金属層の表面粗度を調整するように少なくとも一つのプロセスパラメータをコントロールする、
方法。 - 前記過剰金属層は前記電解槽内で形成され、前記少なくとも一つのプロセスパラメータは、前記電解槽内で形成された金属層の前記表面のクォリティに影響するレベラーの濃度を表す、
請求項1記載の方法。 - 前記電解槽は電気メッキを行うように構成された槽である、
請求項1記載の方法。 - 終点検出信号を用いる化学機械研磨により前記過剰金属層を更に除去する、
請求項1記載の方法。 - 前記基板と実質的に同一である第二の基板を前記電解槽に晒して、前記パターン領域においてボトムトゥトップ技術により金属をノンコンフォーマルにデポジットし、
前記第二基板の前記パターン領域上と実質的な非パターン領域上に過剰金属層を形成し、かつ、
前記終点検出信号に基づいて、前記第二基板の前記過剰金属層の表面粗度を調整するように、前記第二基板の前記過剰金属層の形成中に少なくとも一つのプロセスパラメータをコントロールする、
請求項4記載の方法。 - 前記終点検出信号の勾配の急峻さが、前記少なくとも一つのプロセスパラメータをコントロールするように用いられる、
請求項5記載の方法。 - 前記金属は、銅を含む、
請求項1記載の方法。 - 半導体デバイスのメタライゼーション層を形成するための方法であって、
第一及び第二領域を備えた誘電層202がその上に形成された基板201を用意し、前記第一領域は金属で充てんされるビア及びトレンチを含み、前記第二領域は金属で充てんされるビア及びトレンチを実質的に含まないものであり、
前記第一領域の前記ビアとトレンチを充てんしてかつ前記第一及び第二領域上に過剰金属層を形成するように、電解槽に前記基板を晒し、少なくとも前記第二領域の表面粗度は、約50nmより高く調整され、かつ、
化学機械研磨によって前記過剰金属層を除去し、少なくとも前記第二領域上の前記金属層の前記表面粗度は、前記化学機械研磨プロセス中少なくとも前記第二領域上の前記過剰金属層の前記除去を促進する、
方法。 - 更に、前記基板の前記化学機械研磨中に終点検出信号を生成し、前記終点検出信号に基づき前記化学機械研磨を中止する、
請求項8記載の方法。 - 前記表面粗度は、前記電解槽に前記基板を晒すステップ中、少なくとも一つのプロセスパラメータをコントロールすることによって調整される、
請求項8記載の方法。 - 前記少なくとも一つのプロセスパラメータは、前記電解槽内で形成された金属層の前記表面のクオリティに影響するレベラーの濃度を表す、
請求項10記載の方法。 - 前記表面粗度と前記点端検出信号間の関係を更に確立する、
請求項11及び12のいずれかに記載の方法。 - 更に、前記電解槽に前記第二基板を晒すことによって前記基板と実質的に同一である第二基板を処理し、前記第二基板の第二領域の表面粗度は、前記表面粗度と前記終点検出信号間との前記関係に基づき調整される、
請求項12記載の方法。 - パターン領域210と実質的な非パターン領域206を含む誘電層上に形成された金属層207の表面粗度を決定し、
前記パターン領域及び非パターン領域内の前記誘電層を晒すように化学機械研磨によって前記金属層207の一部を除去し、
前記パターン化及び非パターン化された領域を実質的に完全に除去するための研磨時間を監視し、かつ、
結果として研磨時間の削減をもたらす表面粗度を決定するように、前記監視された研磨時間を前記決定された表面粗度に関連付ける、
方法。
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CN103492617B (zh) * | 2011-01-26 | 2017-04-19 | 恩索恩公司 | 填充微电子器件中的孔的方法 |
US20230279576A1 (en) * | 2022-03-03 | 2023-09-07 | Applied Materials, Inc. | Plating and deplating currents for material co-planarity in semiconductor plating processes |
US20230304183A1 (en) * | 2022-03-22 | 2023-09-28 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for altering lithographic patterns to adjust plating uniformity |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6179691B1 (en) * | 1999-08-06 | 2001-01-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method for endpoint detection for copper CMP |
US6350364B1 (en) * | 2000-02-18 | 2002-02-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method for improvement of planarity of electroplated copper |
JP2002105695A (ja) * | 2000-09-27 | 2002-04-10 | Ebara Corp | めっき装置及びめっき方法 |
JP2002167693A (ja) * | 2000-09-20 | 2002-06-11 | Ebara Corp | 基板の電解めっき方法および電解めっき装置 |
JP2003003291A (ja) * | 2001-03-23 | 2003-01-08 | Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw | 複数工程からなる金属析出方法 |
JP2003068689A (ja) * | 2001-08-22 | 2003-03-07 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | フィードバック式研磨装置及び研磨方法 |
JP2003168665A (ja) * | 2001-11-30 | 2003-06-13 | Sony Corp | 研磨方法および電解研磨装置 |
JP2003277985A (ja) * | 2002-03-20 | 2003-10-02 | Fujitsu Ltd | メッキ成膜方法及びメッキ成膜装置 |
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KR20000043909A (ko) * | 1998-12-29 | 2000-07-15 | 김영환 | 반도체 소자의 금속배선 형성 방법 |
KR20000056852A (ko) * | 1999-02-26 | 2000-09-15 | 로버트 에이치. 씨. 챠오 | 집적회로 내의 금속 상호연결 구조의 제조 방법 |
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Patent Citations (8)
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---|---|---|---|---|
US6179691B1 (en) * | 1999-08-06 | 2001-01-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method for endpoint detection for copper CMP |
US6350364B1 (en) * | 2000-02-18 | 2002-02-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method for improvement of planarity of electroplated copper |
JP2002167693A (ja) * | 2000-09-20 | 2002-06-11 | Ebara Corp | 基板の電解めっき方法および電解めっき装置 |
JP2002105695A (ja) * | 2000-09-27 | 2002-04-10 | Ebara Corp | めっき装置及びめっき方法 |
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JP2003068689A (ja) * | 2001-08-22 | 2003-03-07 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | フィードバック式研磨装置及び研磨方法 |
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JP2003277985A (ja) * | 2002-03-20 | 2003-10-02 | Fujitsu Ltd | メッキ成膜方法及びメッキ成膜装置 |
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